本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種硅片清洗方法方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造過程中，硅片的清洗是一項(xiàng)至關(guān)重要的步驟，它直接影響到硅片的質(zhì)量以及后續(xù)的加工效果。硅片在研磨過程后通常會(huì)殘留有研磨液、硅粉、油性污跡等多種污染物。這些污染物如果不徹底清除，會(huì)嚴(yán)重影響硅片的性能，甚至導(dǎo)致最終產(chǎn)品的失敗。因此，開發(fā)一種有效的硅片清洗方法是提高產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。

2、傳統(tǒng)的硅片清洗方法多采用簡(jiǎn)單的水洗或化學(xué)清洗，但這些方法存在一些不足。例如，單純的水洗往往難以徹底去除研磨液中的油性成分和微小的硅粉顆粒；而化學(xué)清洗則可能對(duì)硅片表面造成損害，尤其是在清洗過程中使用強(qiáng)堿或強(qiáng)酸時(shí)。此外，傳統(tǒng)方法中的硅片往往在清洗過程中不進(jìn)行有效的振動(dòng)或旋轉(zhuǎn)，這使得清洗效果不均勻，難以達(dá)到半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)潔凈度的高標(biāo)準(zhǔn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一個(gè)目的是提供一種硅片清洗方法、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，至少用以解決硅片研磨后表面出現(xiàn)污跡的技術(shù)問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了以下幾個(gè)方面：

3、第一方面，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例還提供了一種硅片清洗方法，方法包括將研磨后的硅片用純水邊噴淋邊插片；將插片完成后的所述硅片放入鼓泡槽中用純水進(jìn)行鼓泡；將鼓泡后的所述硅片放入超聲波洗凈機(jī)中，用純水和超聲波進(jìn)行預(yù)清洗；對(duì)預(yù)清洗后的所述硅片用堿液和超聲波再次進(jìn)行清洗；在進(jìn)行所述預(yù)清洗和清洗的過程中，通過所述超聲波洗凈機(jī)的回轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述硅片進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)和振動(dòng)。

4、第二方面，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例還提供了一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括：一個(gè)或多個(gè)處理器；以及存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令的存儲(chǔ)器，所述計(jì)算機(jī)程序指令在被執(zhí)行時(shí)使所述處理器執(zhí)行如上所述方法的步驟。

5、第三方面，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序指令，所述計(jì)算機(jī)程序指令可被處理器執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)如上所述的方法。

6、第四方面，本申請(qǐng)的一些實(shí)施例還提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序/指令，該計(jì)算機(jī)程序/指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上所述方法的步驟。

7、與相關(guān)技術(shù)相比，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的方案中，該方法結(jié)合了物理和化學(xué)的清洗手段，通過邊噴淋邊插片、鼓泡、超聲波預(yù)清洗和堿液再清洗的組合，以及在整個(gè)過程中利用回轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)硅片的轉(zhuǎn)動(dòng)和振動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)更為徹底和均勻的清洗效果。

技術(shù)特征：

1.一種硅片清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將插片完成后的所述硅片放入鼓泡槽中用純水進(jìn)行鼓泡保持5min以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述鼓泡槽中的純水溫度維持在35℃至45℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)清洗用溫度在50℃至60℃的純水。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述超聲波洗凈機(jī)在清洗過程中，通過回轉(zhuǎn)軸保持所述硅片的轉(zhuǎn)動(dòng)速度為每分鐘10至20轉(zhuǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述堿液為0.1％至0.5％的naoh溶液。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅片在轉(zhuǎn)移過程中保持在純水浸泡狀態(tài)。

8.一種電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備包括：

9.一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序/指令，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序/指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述方法的步驟。

10.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)程序/指令，其特征在于，該計(jì)算機(jī)程序/指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種硅片清洗方法，將研磨后的硅片用純水邊噴淋邊插片；將插片完成后的所述硅片放入鼓泡槽中用純水進(jìn)行鼓泡；將鼓泡后的所述硅片放入超聲波洗凈機(jī)中，用純水和超聲波進(jìn)行預(yù)清洗；對(duì)預(yù)清洗后的所述硅片用堿液和超聲波再次進(jìn)行清洗；在進(jìn)行所述預(yù)清洗和清洗的過程中，通過所述超聲波洗凈機(jī)的回轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)所述硅片進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)和振動(dòng)?？梢灾辽儆靡越鉀Q研磨后的硅片出現(xiàn)研磨污跡的技術(shù)問題。

技術(shù)研發(fā)人員：趙福見,劉川,徐紅林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21