本發(fā)明屬于通信，具體涉及一種移相介質(zhì)、移相器及基站天線。

背景技術(shù)：

1、腔體移相器是一類被廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代基站天線系統(tǒng)中的移相器。它由金屬腔體、移相介質(zhì)和移相電路等主要部分構(gòu)成。金屬腔體既提供了結(jié)構(gòu)上的保護(hù)，也對(duì)電磁波的傳播特性起到了關(guān)鍵作用。移相介質(zhì)和移相電路的互動(dòng)支持了對(duì)信號(hào)相位的調(diào)整，使得波束指向性得以精確控制。

2、在現(xiàn)有的腔體移相器設(shè)計(jì)中，存在一個(gè)技術(shù)挑戰(zhàn)，即如何在不同介質(zhì)之間實(shí)現(xiàn)有效的阻抗匹配。因?yàn)橐葡嘟橘|(zhì)的移動(dòng)導(dǎo)致一部分移相電路的端口始終位于介質(zhì)中，而另一部分則始終位于空氣(空氣也是一種電介質(zhì)，具有一定的介電特性)中，不同介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)不一致會(huì)導(dǎo)致阻抗不匹配。這種阻抗不一致會(huì)引起信號(hào)反射，影響信號(hào)的傳輸效率和移相器的性能。

3、為了提高阻抗匹配效果，常用的方法是在移相介質(zhì)上開窗口。這種做法能夠提供阻抗的漸變過渡，實(shí)現(xiàn)傳輸線路的阻抗匹配，減少信號(hào)的反射，從而提升信號(hào)的傳輸效率。然而，這種匹配方式存在一定的缺點(diǎn)，特別是在介質(zhì)的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度方面。開窗口的過程可能會(huì)削弱移相介質(zhì)的物理強(qiáng)度，使得移相器的耐用性和可靠性降低，特別是在長期運(yùn)行或者在惡劣環(huán)境條件下。

4、因此，針對(duì)上述技術(shù)問題，有必要提供一種新的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種移相介質(zhì)、移相器及基站天線，其能夠在解決阻抗匹配問題的同時(shí)提高移相介質(zhì)的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

3、第一方面，本發(fā)明提供了一種移相介質(zhì)，其包括基板及設(shè)于所述基板上且相對(duì)設(shè)置的第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板；其中，所述第一介質(zhì)板和所述第二介質(zhì)板之間具有收容移相電路滑動(dòng)的滑槽，所述第一介質(zhì)板上設(shè)有多個(gè)沿所述滑槽的延伸方向依次排布的第一匹配部，任意相鄰的兩個(gè)所述第一匹配部之間設(shè)有第一匹配槽；所述第二介質(zhì)板上設(shè)有第二匹配部和第二匹配槽，所述第二匹配部對(duì)應(yīng)所述第一匹配槽設(shè)置，所述第二匹配槽對(duì)應(yīng)所述第一匹配部設(shè)置。

4、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第一匹配部與所述第二匹配槽之間的間距大于所述滑槽的寬度，和/或所述第二匹配部與所述第一匹配槽之間的間距大于所述滑槽的寬度。

5、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中所述第一匹配部與所述第二匹配槽結(jié)構(gòu)互補(bǔ)；和/或所述第二匹配部與所述第一匹配槽結(jié)構(gòu)互補(bǔ)。

6、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第一匹配部與所述第二匹配部的形狀大小相同。

7、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第一匹配部、第一匹配槽、第二匹配部和第二匹配槽共同構(gòu)成第一阻抗匹配區(qū)；所述移相介質(zhì)上設(shè)有第二阻抗匹配區(qū)，所述第二阻抗匹配區(qū)和所述第一阻抗匹配區(qū)之間設(shè)有間隔部。

8、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第二阻抗匹配區(qū)包括設(shè)于所述第一介質(zhì)板上的第三匹配部和第三匹配槽、以及設(shè)于所述第二介質(zhì)板上的第四匹配部和第四匹配槽，所述第三匹配部對(duì)應(yīng)所述第四匹配槽設(shè)置，所述第三匹配槽對(duì)應(yīng)所述第四匹配部設(shè)置。

9、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第三匹配部與所述第四匹配槽結(jié)構(gòu)互補(bǔ)；和/或所述第四匹配部與所述第三匹配槽結(jié)構(gòu)互補(bǔ)。

10、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第二阻抗匹配區(qū)的第三匹配槽的面積之和小于所述第一阻抗匹配區(qū)的第一匹配槽的面積之和。

11、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第一阻抗匹配區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)第一匹配槽；所述第二阻抗匹配區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)第三匹配槽。

12、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述移相介質(zhì)還包括基板，所述第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板設(shè)于所述基板上。

13、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述基板、第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板被構(gòu)造成一體成型。

14、第二方面，本發(fā)明提供了一種移相器，其特征在于，包括腔體、移相電路、第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)被構(gòu)造成如前所述的移相介質(zhì)，所述移相電路設(shè)有所述腔體內(nèi)，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)設(shè)于所述腔體內(nèi)且分別位于所述移相電路的兩側(cè)。

15、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第一移相介質(zhì)設(shè)于所述移相電路的頂部，所述第二移相介質(zhì)設(shè)于所述移相電路的底部，且所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)鏡像對(duì)稱設(shè)置。

16、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述移相電路的頂部收容于所述第一移相介質(zhì)的滑槽內(nèi)，所述移相電路的底部收容于所述第二移相介質(zhì)的滑槽內(nèi)，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)能夠相對(duì)于所述移相電路滑動(dòng)。

17、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第一移相介質(zhì)的一端設(shè)有連接部，所述第二移相介質(zhì)上設(shè)有連接孔，所述連接部插接于所述連接孔中。

18、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述腔體的內(nèi)壁沿所述移相電路的厚度方向凸伸形成有間隔壁，所述間隔壁將所述腔體分隔成第一收容腔和第二收容腔，所述第一移相介質(zhì)滑動(dòng)設(shè)于所述第一收容腔內(nèi)，所述第二移相介質(zhì)滑動(dòng)設(shè)于所述第二收容腔內(nèi)。

19、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)之間形成有與所述間隔壁匹配的避位槽，所述間隔壁設(shè)于所述避位槽中。

20、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式中，所述腔體上固定連接有限位件，所述限位件具有限位部，所述限位部穿設(shè)于所述避位槽中，所述移相電路的一端設(shè)有與所述限位部匹配的限位槽，所述限位部卡持于所述限位槽中。

21、第三方面，本發(fā)明提供了一種基站天線，其特征在于，包括如前所述的移相介質(zhì)或移相器。

22、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的移相介質(zhì)、移相器及基站天線，通過在第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板之間設(shè)置滑槽，為移相電路的滑動(dòng)提供軌道，可以通過移相介質(zhì)來限定移相電路，因此無需在移相器的腔體上開設(shè)用于限制移相電路的限位結(jié)構(gòu)，能夠增加腔體的空間利用率；并且在兩個(gè)介質(zhì)板上設(shè)計(jì)有對(duì)應(yīng)設(shè)置的匹配部和匹配槽，這些構(gòu)成了一種新型的阻抗匹配區(qū)，這種結(jié)構(gòu)在保持阻抗匹配效能的同時(shí)，通過保留部分介質(zhì)結(jié)構(gòu)，提升移相介質(zhì)的整體強(qiáng)度。

技術(shù)特征：

1.一種移相介質(zhì)，其特征在于，包括相對(duì)設(shè)置的第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第一匹配部與所述第二匹配槽之間的間距大于所述滑槽的寬度，和/或

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第一匹配部與所述第二匹配槽結(jié)構(gòu)互補(bǔ)；和/或

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第一匹配部與所述第二匹配部的形狀大小相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第一匹配部、第一匹配槽、第二匹配部和第二匹配槽共同構(gòu)成第一阻抗匹配區(qū)；所述移相介質(zhì)上設(shè)有第二阻抗匹配區(qū)，所述第二阻抗匹配區(qū)和所述第一阻抗匹配區(qū)之間設(shè)有間隔部。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第二阻抗匹配區(qū)包括設(shè)于所述第一介質(zhì)板上的第三匹配部和第三匹配槽、以及設(shè)于所述第二介質(zhì)板上的第四匹配部和第四匹配槽，所述第三匹配部對(duì)應(yīng)所述第四匹配槽設(shè)置，所述第三匹配槽對(duì)應(yīng)所述第四匹配部設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第三匹配部與所述第四匹配槽結(jié)構(gòu)互補(bǔ)；和/或

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第二阻抗匹配區(qū)的第三匹配槽的面積之和小于所述第一阻抗匹配區(qū)的第一匹配槽的面積之和。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述第一阻抗匹配區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)第一匹配槽；所述第二阻抗匹配區(qū)設(shè)置有至少一個(gè)第三匹配槽。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述移相介質(zhì)還包括基板，所述第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板設(shè)于所述基板上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的移相介質(zhì)，其特征在于，所述基板、第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板被構(gòu)造成一體成型。

12.一種移相器，其特征在于，包括腔體、移相電路、第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)被構(gòu)造成如權(quán)要求1至11中任一項(xiàng)所述的移相介質(zhì)，所述移相電路設(shè)有所述腔體內(nèi)，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)設(shè)于所述腔體內(nèi)且分別位于所述移相電路的兩側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的移相器，其特征在于，所述第一移相介質(zhì)設(shè)于所述移相電路的頂部，所述第二移相介質(zhì)設(shè)于所述移相電路的底部，且所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)鏡像對(duì)稱設(shè)置。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的移相器，其特征在于，所述移相電路的頂部收容于所述第一移相介質(zhì)的滑槽內(nèi)，所述移相電路的底部收容于所述第二移相介質(zhì)的滑槽內(nèi)，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)能夠相對(duì)于所述移相電路滑動(dòng)。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的移相器，其特征在于，所述第一移相介質(zhì)的一端設(shè)有連接部，所述第二移相介質(zhì)上設(shè)有連接孔，所述連接部插接于所述連接孔中。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的移相器，其特征在于，所述腔體的內(nèi)壁沿所述移相電路的厚度方向凸伸形成有間隔壁，所述間隔壁將所述腔體分隔成第一收容腔和第二收容腔，所述第一移相介質(zhì)滑動(dòng)設(shè)于所述第一收容腔內(nèi)，所述第二移相介質(zhì)滑動(dòng)設(shè)于所述第二收容腔內(nèi)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的移相器，其特征在于，所述第一移相介質(zhì)和第二移相介質(zhì)之間形成有與所述間隔壁匹配的避位槽，所述間隔壁設(shè)于所述避位槽中。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的移相器，其特征在于，所述腔體上固定連接有限位件，所述限位件具有限位部，所述限位部穿設(shè)于所述避位槽中，所述移相電路的一端設(shè)有與所述限位部匹配的限位槽，所述限位部卡持于所述限位槽中。

19.一種基站天線，其特征在于，包括權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的移相介質(zhì)或權(quán)利要求12至18中任一項(xiàng)所述的移相器。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種移相介質(zhì)、移相器及基站天線，該移相介質(zhì)包括相對(duì)設(shè)置的第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板；其中，第一介質(zhì)板和第二介質(zhì)板之間具有收容移相電路的滑槽，第一介質(zhì)板上設(shè)有多個(gè)沿滑槽的延伸方向依次排布的第一匹配部，任意相鄰的兩個(gè)第一匹配部之間設(shè)有第一匹配槽；第二介質(zhì)板上設(shè)有第二匹配部和第二匹配槽，第二匹配部對(duì)應(yīng)第一匹配槽設(shè)置，第二匹配槽對(duì)應(yīng)第一匹配部設(shè)置。本發(fā)明提供的移相介質(zhì)、移相器及基站天線，在兩個(gè)介質(zhì)板上設(shè)計(jì)有對(duì)應(yīng)設(shè)置的匹配部和匹配槽，這種結(jié)構(gòu)在保持阻抗匹配效能的同時(shí)，通過保留部分介質(zhì)結(jié)構(gòu)，提升移相介質(zhì)的整體強(qiáng)度。

技術(shù)研發(fā)人員：于彥朝,孫靜,錢涵宇,邱俊杰,李芊芊,張林
受保護(hù)的技術(shù)使用者：普羅斯通信技術(shù)（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21