本申請涉及太陽能電池，尤其涉及一種硅片的吸雜方法、太陽能電池以及制備方法。

背景技術(shù)：

1、近年來，由于異質(zhì)結(jié)電池的工藝較簡單和電池轉(zhuǎn)換效率較高而得到越來越多的研究。硅片在拉晶、切片等加工過程中可能會引入金屬和氧雜質(zhì)，但由于異質(zhì)結(jié)電池制作過程為低溫工藝，無法使硅片通過高溫處理而達到吸雜去除金屬和氧雜質(zhì)的目的。所以，目前實驗室為了提高異質(zhì)結(jié)電池效率，首先會對硅片進行高溫磷擴散吸雜，在一定程度上提高了硅片質(zhì)量。

2、但是，高溫雙面磷擴散吸雜工藝的耗時較長，溫度較高，能耗較高，不利于降低成本。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N硅片的吸雜方法、太陽能電池以及制備方法，以解決或緩解上面提出的技術(shù)問題。本申請技術(shù)方法提供的硅片的吸雜方法，不僅可以提高硅片質(zhì)量，提高異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率，而且操作簡單易行，有利于降低成本，且適于大規(guī)模生產(chǎn)。

2、第一方面，本申請實施例提供了一種硅片的吸雜方法，包括：

3、提供硅片，所述硅片包括相對設(shè)置的第一面和第二面；

4、對所述硅片的第一面進行磷擴散處理，形成磷吸雜層；

5、采用絲網(wǎng)印刷法，在所述硅片的第二面涂覆鋁漿，對涂覆有鋁漿的硅片依次進行烘干處理、燒結(jié)處理，形成鋁吸雜層；

6、去除所述磷吸雜層和所述鋁吸雜層；

7、其中，所述磷擴散處理包括磷擴散升溫階段、磷擴散恒溫階段以及磷擴散降溫階段；

8、所述磷擴散恒溫階段的溫度為第一溫度，所述第一溫度為850-950℃，處理時間為50-120min。

9、可選地，在所述磷擴散升溫階段中，溫度由第二溫度升至所述第一溫度，所述第二溫度為700-750℃，升溫速率為10～20℃/min。

10、可選地，所述磷擴散降溫階段包括第一磷擴散降溫階段、第二磷擴散降溫階段；

11、在所述第一磷擴散降溫階段中，溫度由所述第一溫度降至第三溫度，所述第三溫度為750-800℃，降溫速率為2～4℃/min；

12、在所述第二磷擴散降溫階段中，溫度由所述第三溫度降至第四溫度，所述第四溫度為700-749℃，降溫速率為5～8℃/min。

13、可選地，在所述烘干處理中，烘干溫度為280-400℃，烘干時間為1-5min。

14、可選地，在所述燒結(jié)處理中，燒結(jié)溫度為450-800℃，燒結(jié)時間為2-10min。

15、可選地，所述磷吸雜層的厚度為200-900nm。

16、可選地，所述鋁吸雜層的厚度為0.5-10μm。

17、可選地，在形成所述鋁吸雜層之前，具有磷吸雜層的硅片的方阻為15-60ω/sq。

18、可選地，所述去除所述磷吸雜層和所述鋁吸雜層，包括：

19、采用濕法化學(xué)清洗法，使用第二清洗劑對具有所述磷吸雜層和所述鋁吸雜層的硅片進行清洗，以去除所述磷吸雜層和所述鋁吸雜層；

20、其中，所述第二清洗劑包括koh水溶液、hcl/hf混合溶液、koh/hno3混合溶液中的一種或多種。

21、第二方面，本申請實施例提供了一種太陽能電池的制備方法，包括：

22、采用以上任一項所述的硅片的吸雜方法對硅片進行吸雜處理。

23、第三方面，本申請實施例提供了一種太陽能電池，采用以上所述的太陽能電池的制備方法形成。

24、本申請實施例采用上述技術(shù)方案可以包括如下優(yōu)勢：

25、在本申請的硅片的吸雜方法中，對硅片的一面采用高溫磷擴散方法進行磷吸雜(850-950℃)，對硅片的另一面采用絲網(wǎng)印刷法涂覆鋁漿進行鋁吸雜。磷吸雜和鋁吸雜分別適用于不同的金屬雜質(zhì)，磷吸雜對cu、co、mn等雜質(zhì)的去除效果較好，鋁吸雜對fe、cu、ni等雜質(zhì)的去除效果較好，在硅片的一面采用高溫磷擴散方法進行吸雜，在硅片的另一面采用鋁吸雜方法進行吸雜，不僅能夠降低能耗，而且去除雜質(zhì)的效果較佳，從而可以提高硅片質(zhì)量，提高異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率；此外，該方法簡單易行，操作簡單，適于大規(guī)模生產(chǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種硅片的吸雜方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，所述磷擴散降溫階段包括第一磷擴散降溫階段、第二磷擴散降溫階段；

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，在所述烘干處理中，烘干溫度為280-400℃，烘干時間為1-5min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，在所述燒結(jié)處理中，燒結(jié)溫度為450-800℃，燒結(jié)時間為2-10min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，所述磷吸雜層的厚度為200-900nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，所述鋁吸雜層的厚度為0.5-10μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，在形成所述鋁吸雜層之前，具有磷吸雜層的硅片的方阻為15-60ω/sq。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的硅片的吸雜方法，其特征在于，所述去除所述磷吸雜層和所述鋁吸雜層，包括：

10.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

11.一種太陽能電池，其特征在于，采用如權(quán)利要求10所述的太陽能電池的制備方法形成。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N硅片的吸雜方法、太陽能電池以及制備方法。該硅片的吸雜方法包括：包括：提供硅片，所述硅片包括相對設(shè)置的第一面和第二面；對所述硅片的第一面進行磷擴散處理，形成磷吸雜層；采用絲網(wǎng)印刷法，在所述硅片的第二面涂覆鋁漿，對涂覆有鋁漿的硅片依次進行烘干處理、燒結(jié)處理，形成鋁吸雜層；去除所述磷吸雜層和所述鋁吸雜層。本申請技術(shù)方法提供的硅片的吸雜方法，不僅可以提高硅片質(zhì)量，提高異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率，而且操作簡單易行，有利于降低成本，且適于大規(guī)模生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：霍亭亭
受保護的技術(shù)使用者：天合光能股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21