本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別是涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體后段的鈍化層工藝中，通常使用一層鋁襯墊作為晶圓器件和外部環(huán)境的連線端，連線端作為測(cè)試電性和封端的引線點(diǎn)。通常情況下，一般采用在鋁襯墊上直接涂布光刻膠進(jìn)行光刻和刻蝕圖案，由于光刻膠和鋁襯墊之間的粘附性不匹配，很容易導(dǎo)致圖案的剝離以及后期刻蝕的圖案不清晰和不完全的問(wèn)題。在傳統(tǒng)的制作工藝中，通常采用在鋁襯墊上增加頂層黏附層來(lái)連接光刻膠和鋁襯墊。

2、然而，生長(zhǎng)頂層黏附層后的結(jié)構(gòu)表面易產(chǎn)生大量的鼓包狀缺陷。鼓包狀缺陷作為鋁襯墊表面常見(jiàn)的缺陷類型之一，會(huì)對(duì)后續(xù)的光刻和刻蝕產(chǎn)生不利影響。例如，鼓包狀缺陷可能會(huì)造成刻蝕圖案的不清晰和不完全，繼而導(dǎo)致柵極，源漏極以及連線處的短路等，使得半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)良率降低。

3、因此，降低鼓包狀缺陷的產(chǎn)生是目前半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域亟需解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，至少能夠有效避免鼓泡狀缺陷。

2、根據(jù)一些實(shí)施例，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供襯底，并于襯底的表面形成鈍化層；于鈍化層的表面形成第一黏附層；于第一黏附層的表面形成應(yīng)力釋放層，應(yīng)力釋放層的厚度小于第一黏附層的厚度；于應(yīng)力釋放層的表面形成目標(biāo)金屬層；于目標(biāo)金屬層的表面形成第二黏附層。

3、上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法中，于鈍化層的表面形成的第一黏附層能夠增加鈍化層與后續(xù)結(jié)構(gòu)的粘合度，第一黏附層還具有阻擋作用。于第一黏附層的表面形成應(yīng)力釋放層能夠有效降低晶粒大小，便于目標(biāo)金屬層受熱后應(yīng)力在晶界的釋放，以抑制目標(biāo)金屬層向上釋放應(yīng)力的趨勢(shì)，由于應(yīng)力釋放層的厚度小于第一黏附層的厚度，能夠在不影響整體結(jié)構(gòu)厚度的前提下，有效地避免鼓泡狀缺陷。于目標(biāo)金屬層的表面形成第二黏附層，能夠有效提升目標(biāo)金屬層與第二黏附層之間的粘附性，以降低鼓泡狀缺陷，從而提升目標(biāo)金屬層的形貌，以提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。

4、在一些實(shí)施例中，應(yīng)力釋放層的厚度范圍為60a至80a。

5、在一些實(shí)施例中，應(yīng)力釋放層的材料包括金屬鈦。

6、在一些實(shí)施例中，于所述目標(biāo)金屬層的表面形成第二黏附層，以預(yù)設(shè)沉積速度于目標(biāo)金屬層的表面采用預(yù)設(shè)沉積工藝形成第二黏附層。

7、在一些實(shí)施例中，預(yù)設(shè)沉積工藝包括單頻高頻射頻化學(xué)氣相沉積工藝；及/或預(yù)設(shè)沉積速度的范圍為20a/s至40a/s。

8、在一些實(shí)施例中，第二黏附層的厚度范圍為200a至300a。

9、在一些實(shí)施例中，第一黏附層的材料包括氮化鉭；及/或第二黏附層的材料包括硅酸乙酯。

10、在一些實(shí)施例中，于應(yīng)力釋放層的表面形成目標(biāo)金屬層，包括：采用一次性沉積工藝于應(yīng)力釋放層的表面形成目標(biāo)金屬層。

11、根據(jù)一些實(shí)施例，本申請(qǐng)還提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括襯底及位于襯底表面的鈍化層，第一黏附層，應(yīng)力釋放層，目標(biāo)金屬層以及第二黏附層；第一黏附層位于鈍化層的表面；應(yīng)力釋放層位于第一黏附層的表面，應(yīng)力釋放層的厚度小于第一黏附層的厚度；目標(biāo)金屬層位于應(yīng)力釋放層的表面；第二黏附層位于所述目標(biāo)金屬層表面。

12、上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，位于鈍化層的表面的第一黏附層能夠增加鈍化層與后續(xù)結(jié)構(gòu)的粘合度，第一黏附層還具有阻擋作用。位于第一黏附層的表面的應(yīng)力釋放層能夠有效降低晶粒大小，便于目標(biāo)金屬層受熱后應(yīng)力在晶界的釋放，以抑制目標(biāo)金屬層向上釋放應(yīng)力的趨勢(shì)，由于應(yīng)力釋放層的厚度小于第一黏附層的厚度，能夠在不影響整體結(jié)構(gòu)厚度的前提下，有效地避免鼓泡狀缺陷位于目標(biāo)金屬層表面的第二黏附層，能夠有效提升其與目標(biāo)金屬層之間的粘附性，以降低鼓泡狀缺陷，從而提升目標(biāo)金屬層的形貌，以提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。

13、在一些實(shí)施例中，第二黏附層以預(yù)設(shè)沉積速度采用預(yù)設(shè)沉積工藝形成。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述應(yīng)力釋放層的厚度范圍為60a至80a。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述應(yīng)力釋放層的材料包括金屬鈦。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，于所述目標(biāo)金屬層的表面形成第二黏附層，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)沉積工藝包括單頻高頻射頻化學(xué)氣相沉積工藝；及/或

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第二黏附層的厚度范圍為200a至300a。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第一黏附層的材料包括氮化鉭；及/或

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述于所述應(yīng)力釋放層的表面形成目標(biāo)金屬層，包括：

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二黏附層以預(yù)設(shè)沉積速度采用預(yù)設(shè)沉積工藝形成。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括：提供襯底，并于襯底的表面形成鈍化層；于鈍化層的表面形成第一黏附層；于第一黏附層的表面形成應(yīng)力釋放層，應(yīng)力釋放層的厚度小于第一黏附層的厚度；于應(yīng)力釋放層的表面形成目標(biāo)金屬層；于目標(biāo)金屬層的表面形成第二黏附層。上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法中，應(yīng)力釋放層能夠有效降低目標(biāo)金屬層的晶粒大小，以抑制目標(biāo)金屬層向上釋放應(yīng)力的趨勢(shì)，并且在不影響整體結(jié)構(gòu)厚度的前提下，有效避免鼓泡狀缺陷，于目標(biāo)金屬層的表面形成第二黏附層，能夠有效提升目標(biāo)金屬層與第二黏附層之間的粘附性，以降低鼓泡狀缺陷，從而提升目標(biāo)金屬層的形貌，以提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)良率。

技術(shù)研發(fā)人員：王甄,儲(chǔ)郁冬,劉聰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海積塔半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21