本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體地，涉及一種發(fā)光二極管、發(fā)光結(jié)構(gòu)及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、micro-led(micro?light?emitting?diode，微型發(fā)光二極管)顯示已經(jīng)廣泛應(yīng)用，其被廣泛地應(yīng)用到背光、vr屏幕、手機(jī)顯示屏、小型顯示屏等領(lǐng)域。

2、當(dāng)前micro?led倒裝芯粒(flip?chip)通常直接于芯粒上方制作錫電極取代傳統(tǒng)的金電極，并搭配助焊劑來(lái)固定芯粒，再經(jīng)由回流焊工藝進(jìn)行高溫固晶作業(yè)，此方法藉由取消刷錫膏作業(yè)，大大地提高焊接的便利性，因此受到許多制造商采用。然而，近來(lái)有些終端產(chǎn)品需要在發(fā)光二極管的側(cè)壁上形成金屬連接層，使得背板上左右兩側(cè)的電極與發(fā)光二極管的p、n電極實(shí)現(xiàn)電性連接。

3、目前的發(fā)光二極管設(shè)計(jì)主要存在以下缺陷：1.焊盤(pán)設(shè)計(jì)無(wú)法適應(yīng)終端產(chǎn)品制程；2.發(fā)光二極管的側(cè)壁沒(méi)有絕緣設(shè)計(jì)會(huì)產(chǎn)生短路的異常。這些會(huì)造成發(fā)光二極管焊接良率不佳，進(jìn)而影響器件的可靠性和電學(xué)及光學(xué)性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)中micro?led芯片存在的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N發(fā)光二極管、發(fā)光結(jié)構(gòu)及顯示裝置，本發(fā)明的發(fā)光二極管包括外延結(jié)構(gòu)、第一絕緣層及第二絕緣層，第一絕緣層位于外延結(jié)構(gòu)的表面，覆蓋發(fā)光臺(tái)面的表面及側(cè)壁以及延伸臺(tái)面的表面；第二絕緣層覆蓋延伸臺(tái)面的側(cè)壁，并且與位于延伸臺(tái)面的表面的第一絕緣層形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其它相關(guān)目的，本發(fā)明一方面提供了一種發(fā)光二極管，其包括：

3、外延結(jié)構(gòu)，具有在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；所述外延結(jié)構(gòu)包括沿所述第一方向依次疊置的第一半導(dǎo)體層、有源層及第二半導(dǎo)體層，所述外延結(jié)構(gòu)形成發(fā)光臺(tái)面及位于所述發(fā)光臺(tái)面四周的延伸臺(tái)面，所述延伸臺(tái)面由所述第一半導(dǎo)體層形成；

4、第一絕緣層，位于所述外延結(jié)構(gòu)的表面，覆蓋所述發(fā)光臺(tái)面的表面及側(cè)壁以及所述延伸臺(tái)面的表面；

5、第二絕緣層，覆蓋所述延伸臺(tái)面的側(cè)壁，所述第二絕緣層在所述第一表面?zhèn)鹊亩瞬恐辽倥c所述延伸臺(tái)面的表面齊平。

6、本發(fā)明的另一方面提供一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括：

7、基板，所述基板上方包括鍵合區(qū)以及位于所述鍵合區(qū)兩側(cè)的焊盤(pán)區(qū)，所述鍵合區(qū)形成有絕緣鍵合層；以及

8、發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管為本發(fā)明提供的發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光二極管自第一表面?zhèn)孺I合至所述鍵合區(qū)；

9、連接層，覆蓋所述發(fā)光二極管的至少部分側(cè)壁及所述焊盤(pán)區(qū)，以連接所述發(fā)光二極管的電極結(jié)構(gòu)和所述焊盤(pán)區(qū)。

10、本發(fā)明的又一方面提供一種顯示裝置，其包括驅(qū)動(dòng)電路和與所述驅(qū)動(dòng)電路電連接的若干發(fā)光體，所述發(fā)光體包括本發(fā)明提供的發(fā)光二極管。

11、如上所述，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管、發(fā)光結(jié)構(gòu)及顯示裝置，至少具備如下有益技術(shù)效果：

12、本發(fā)明的發(fā)光二極管中外延結(jié)構(gòu)具有在第一方向上相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面。第一絕緣層位于所述外延結(jié)構(gòu)的表面，覆蓋所述發(fā)光臺(tái)面的表面及側(cè)壁；第二絕緣層覆蓋所述延伸臺(tái)面的側(cè)壁，所述第二絕緣層在所述第一表面?zhèn)鹊亩瞬恐辽倥c所述延伸臺(tái)面的表面齊平。如上所述，發(fā)光二極管的第一絕緣層和第二絕緣層覆蓋外延結(jié)構(gòu)暴露的表面及側(cè)壁，并且第一絕緣層和第二絕緣層可以相互接觸形成連續(xù)結(jié)構(gòu)，使得發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)無(wú)外露部分，也就能夠減少甚至避免外延結(jié)構(gòu)受到外界的水汽、雜質(zhì)等的污染或損傷，由此提高發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)完整性，提高其可靠性。外延結(jié)構(gòu)的第二表面?zhèn)茸鳛榘l(fā)光二極管的出光面?zhèn)?，可以形成為粗化表面，由此增加光取出率。相?yīng)地，該粗化表面上方還可以形成有第三絕緣層，該第三絕緣層與第一絕緣層形成連續(xù)結(jié)構(gòu)，由此外延結(jié)構(gòu)的表面被絕緣層完整覆蓋，有利于提高其可靠性。該第三絕緣層還可以形成為具有增透特征的絕緣層以進(jìn)一步提高發(fā)光二極管的光取出率。

13、其次，本發(fā)明的發(fā)光二極管的電極結(jié)構(gòu)自外延結(jié)構(gòu)的表面擴(kuò)展延伸覆蓋所在側(cè)的外延結(jié)構(gòu)的部分表面及側(cè)壁，由此使得電極結(jié)構(gòu)的接觸面積顯著增加，由此能夠降低焊接難度，增加發(fā)光二極管的焊接樣式的選擇，同時(shí)減少或者避免焊接不良現(xiàn)象，提高發(fā)光二極管的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，至少包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一絕緣層為透明絕緣層或反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一絕緣層的端部延伸超出所述延伸臺(tái)面的邊緣，所述第二絕緣層形成在所述第一絕緣層超出所述延伸臺(tái)面的部分上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一絕緣層的邊緣與所述延伸臺(tái)面的邊緣之間的距離d1介于0～2μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)還形成有電極臺(tái)面，所述電極臺(tái)面貫穿所述第二半導(dǎo)體層和有源層暴露所述第一半導(dǎo)體層，所述電極臺(tái)面為形成在所述發(fā)光臺(tái)面之間的開(kāi)放式臺(tái)面或者盲孔型的封閉式臺(tái)面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括電極結(jié)構(gòu)，形成在所述外延結(jié)構(gòu)的第一表面?zhèn)?，所述電極結(jié)構(gòu)包括形成在所述電極臺(tái)面上方與所述第一半導(dǎo)體層連接的第一電極，以及位于所述發(fā)光臺(tái)面上方與所述第二半導(dǎo)體層連接的第二電極，所述第一電極和所述第二電極在第二方向上間隔排布，所述第一電極自所述電極臺(tái)面延伸覆蓋所述第一電極側(cè)的所述外延結(jié)構(gòu)的部分表面以及側(cè)壁，所述第二電極覆蓋所述第二電極側(cè)的所述外延結(jié)構(gòu)的部分表面及側(cè)壁；所述第一方向和所述第二方向相交。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，在所述第一表面所在的平面上投影，所述第一電極的投影和所述第二電極的投影呈對(duì)稱結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二表面?zhèn)刃纬伤霭l(fā)光二極管的出光側(cè)，所述出光側(cè)的表面形成為粗化表面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或8所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括第三絕緣層，位于所述第二表面?zhèn)龋龅谌^緣層與所述第二絕緣層形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第二絕緣層的縱向刻蝕速率大于橫向刻蝕速率。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極在所述第二方向上的間隔距離為d2，5μm＜d2<10μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括透明導(dǎo)電層，覆蓋所述電極結(jié)構(gòu)的表面，并且延伸至覆蓋至少部分所述第二絕緣層，所述透明導(dǎo)電層包括間隔設(shè)置的第一部分和第二部分，所述第一部分覆蓋所述第一電極側(cè)，所述第二部分覆蓋所述第二電極側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層自所述第二絕緣層表面延伸至覆蓋至少部分第一表面?zhèn)鹊谋砻妗?/p>

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，還包括襯底，所述襯底位于所述第二表面?zhèn)取?/p>

15.一種發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接層延伸覆蓋至所述發(fā)光二極管的延伸臺(tái)面的側(cè)部以及第二表面?zhèn)鹊牟糠直砻妗?/p>

17.一種顯示裝置，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)電路和與所述驅(qū)動(dòng)電路電連接的若干發(fā)光體，所述發(fā)光體包括權(quán)利要求1～13中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管和/或權(quán)利要求15或16所述的發(fā)光結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管、發(fā)光結(jié)構(gòu)及顯示裝置，本發(fā)明的發(fā)光二極管中第一絕緣層位于所述外延結(jié)構(gòu)的表面，覆蓋所述發(fā)光臺(tái)面的表面及側(cè)壁以及所述延伸臺(tái)面的表面，并且端部延伸超出延伸臺(tái)面的邊緣；第二絕緣層覆蓋所述延伸臺(tái)面的側(cè)壁，并且與位于且超出所述延伸臺(tái)面的表面的所述第一絕緣層形成連續(xù)結(jié)構(gòu)。第一絕緣層和第二絕緣層形成連續(xù)結(jié)構(gòu)，使得發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)無(wú)外露部分，能夠減少甚至避免外延結(jié)構(gòu)受到外界的水汽、雜質(zhì)等的污染或損傷，由此提高發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)完整性，提高其可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：王彥欽,蔡富鈞,楊松,謝雯潔,郭桓卲,彭鈺仁,蔡文必
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廈門(mén)三安光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21