本發(fā)明涉及硅片制造，具體涉及一種對硅片進(jìn)行吸雜的方法及硅片。

背景技術(shù)：

1、硅為太陽能電池的原材料。在硅片制造工藝中，由于硅料中存在一定的金屬雜質(zhì)，而雜質(zhì)原子的擴(kuò)散、?吸附以及穿入晶體中并在晶體中移動，?或者在量子驅(qū)動效應(yīng)過程中，容易導(dǎo)致硅片形成深能級缺陷，影響了對硅片的少子壽命，而少子壽命直接關(guān)系到太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。因此，在硅片制備過程中，有效控制和減少金屬雜質(zhì)的含量對提升太陽能電池的效率至關(guān)重要。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明提供了一種對硅片進(jìn)行吸雜的方法及硅片，具有降低硅片的金屬雜質(zhì)含量的優(yōu)點(diǎn)。

2、為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

3、一種對硅片進(jìn)行吸雜的方法，包括：

4、對初始硅片的表面進(jìn)行腐蝕處理，得到具有表面微結(jié)構(gòu)的第一硅片；所述第一硅片的比表面積為10m2/g~500m2/g；

5、在所述第一硅片的表面覆蓋磷源，所述磷源為含磷化合物；

6、將表面覆蓋磷源的所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間，以使得所述磷源與所述第一硅片反應(yīng)，并在所述第一硅片的表面形成磷吸雜層；

7、清除加熱處理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸雜層，得到吸雜硅片。

8、可選地，所述對初始硅片的表面進(jìn)行腐蝕處理，得到具有表面微結(jié)構(gòu)的第一硅片，包括：

9、將微結(jié)構(gòu)腐蝕添加劑加入堿性溶液中混合均勻，得到表面微結(jié)構(gòu)腐蝕液；所述微結(jié)構(gòu)腐蝕添加劑包括多羥基有機(jī)化合物、多羧基有機(jī)化合物、多酚羥基有機(jī)化合物、多氨基類有機(jī)化合物中的至少一者，所述微結(jié)構(gòu)腐蝕添加劑與所述堿性溶液的體積比為1：1000~1：100；

10、將所述表面微結(jié)構(gòu)腐蝕液加熱至預(yù)設(shè)溫度，將初始硅片浸入所述表面微結(jié)構(gòu)腐蝕液中，對所述初始硅片進(jìn)行微結(jié)構(gòu)腐蝕，直至反應(yīng)時長達(dá)到預(yù)設(shè)時長，得到具有表面微結(jié)構(gòu)的第一硅片。

11、可選地，所述在所述第一硅片的表面覆蓋磷源，將表面覆蓋磷源的所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間，包括：

12、在清洗和干燥后的所述第一硅片的表面涂敷磷源，并對所述第一硅片的表面進(jìn)行干燥處理；所述磷源包括含磷化合物的水性溶液；

13、將表面涂敷磷源的所述第一硅片放置在隧道式退火爐的陶瓷滾軸傳輸帶上，通過所述陶瓷滾軸傳輸帶將所述第一硅片傳輸至所述隧道式退火爐內(nèi)，傳輸速度為1m/min~6m/min；

14、向所述隧道式退火爐內(nèi)通入保護(hù)氣氛；所述保護(hù)氣氛包括氧氣、氬氣、以及氮?dú)庵兄辽僖徽撸?/p>

15、將所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間。

16、可選地，所述設(shè)定溫度為600℃~900℃，所述設(shè)定時間為1min~3min。

17、可選地，所述第一硅片雙面的磷源的總涂敷量為0.02mg/cm2~1mg/cm2。

18、可選地，磷源包括三氯氧磷，所述在所述第一硅片的表面覆蓋磷源，將表面覆蓋磷源的所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間，包括：

19、將清洗和干燥后的所述第一硅片放入管式爐中；

20、在設(shè)定溫度下通過載氣向所述管式爐中通入三氯氧磷，所述載氣為氧氣或氮?dú)猓?/p>

21、將所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間。

22、可選地，所述設(shè)定溫度為600℃~900℃，所述設(shè)定時間為10min~60min。

23、可選地，所述設(shè)定溫度包括第一階段溫度和第二階段溫度，所述第一階段溫度大于第二階段溫度，所述第一階段溫度為700℃~900℃，所述第二階段溫度為600℃~800℃。

24、可選地，所述清除加熱處理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸雜層，得到吸雜硅片，包括：

25、通過氫氟酸溶液對加熱處理后的所述第一硅片表面的所述磷吸雜層進(jìn)行漂洗，得到吸雜硅片；所述氫氟酸溶液的濃度為1%~10%。

26、此外，本發(fā)明還提供了一種硅片，所述硅片由上述任一項所述的方法制得。本發(fā)明所提供的硅片與前述方法的有益效果推理過程相似，在此不再贅述。

27、本發(fā)明的這些特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將會在下面的具體實施方式以及附圖中進(jìn)行詳細(xì)的揭露。本發(fā)明最佳的實施方式或手段將結(jié)合附圖來詳盡表現(xiàn)，但并非是對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。另外，在每個下文和附圖中出現(xiàn)的這些特征、要素和組件是具有多個，并且為了表示方便而標(biāo)記了不同的符號或數(shù)字，但均表示相同或相似構(gòu)造或功能的部件。

技術(shù)特征：

1.一種對硅片進(jìn)行吸雜的方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對初始硅片的表面進(jìn)行腐蝕處理，得到具有表面微結(jié)構(gòu)的第一硅片，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一硅片的表面覆蓋磷源，將表面覆蓋磷源的所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定溫度為600℃~900℃，所述設(shè)定時間為1min~3min。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一硅片雙面的磷源的總涂敷量為0.02mg/cm2~1mg/cm2。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，磷源包括三氯氧磷，所述在所述第一硅片的表面覆蓋磷源，將表面覆蓋磷源的所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定溫度為600℃~900℃，所述設(shè)定時間為10min~60min。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的方法，其特征在于，所述設(shè)定溫度包括第一階段溫度和第二階段溫度，所述第一階段溫度大于第二階段溫度，所述第一階段溫度為700℃~900℃，所述第二階段溫度為600℃~800℃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的方法，其特征在于，所述清除加熱處理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸雜層，得到吸雜硅片，包括：

10.一種硅片，其特征在于，所述硅片由權(quán)利要求1至9中任一項所述的方法制得。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種對硅片進(jìn)行吸雜的方法及硅片，涉及硅片制造領(lǐng)域，所述方法包括：對初始硅片的表面進(jìn)行腐蝕處理，得到具有表面微結(jié)構(gòu)的第一硅片；所述第一硅片的比表面積為10m<supgt;2</supgt;/g~500m<supgt;2</supgt;/g；在所述第一硅片的表面覆蓋磷源，所述磷源為含磷化合物；將表面覆蓋磷源的所述第一硅片加熱到設(shè)定溫度并保持設(shè)定時間，以使得所述磷源與所述第一硅片反應(yīng)，并在所述第一硅片的表面形成磷吸雜層；清除加熱處理后的所述第一硅片表面上的所述磷吸雜層，得到吸雜硅片。本發(fā)明具有降低硅片的金屬雜質(zhì)含量的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：李曉強(qiáng),陳鵬,張新鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州晶寶新能源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/29