本公開(kāi)涉及紅外探測(cè)，尤其涉及一種紅外偏振器件的制備方法及紅外偏振器件。

背景技術(shù)：

1、目前，紅外成像技術(shù)因其探測(cè)距離遠(yuǎn)、探測(cè)靈敏度高以及能在夜間工作等優(yōu)異的性能而備受關(guān)注，并通常會(huì)與其他技術(shù)結(jié)合使用來(lái)拓展用途。例如：由于不同的物體或同一物體會(huì)產(chǎn)生出不同的偏振狀態(tài)，通過(guò)將偏振技術(shù)與紅外成像技術(shù)結(jié)合使用，能夠?qū)崿F(xiàn)在復(fù)雜的背景中輕松的識(shí)別出目標(biāo)對(duì)象。

2、在紅外偏振成像技術(shù)中，偏振片如光柵負(fù)責(zé)識(shí)別目標(biāo)對(duì)象的偏振信息，其一同與膠體量子點(diǎn)構(gòu)成紅外偏振器件中不可或缺的組成部分。但是，現(xiàn)有的紅外偏振成像技術(shù)通常采用光刻工藝在膠體量子點(diǎn)表面制備偏振片，這種方式應(yīng)用于膠體量子點(diǎn)表面會(huì)不可避免地對(duì)量子點(diǎn)的化學(xué)性質(zhì)造成損害，從而導(dǎo)致紅外偏振器件的偏振探測(cè)性能下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題或者至少部分地解決上述技術(shù)問(wèn)題，本公開(kāi)提供了一種紅外偏振器件的制備方法及紅外偏振器件。

2、本公開(kāi)提供了一種紅外偏振器件的制備方法，包括：

3、提供基底；所述基底的一側(cè)形成有第一電極；

4、在所述第一電極背離所述基底的一側(cè)形成具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)；所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)為物理成型；

5、在所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)背離所述第一電極的一側(cè)沉積形成光柵陣列結(jié)構(gòu)；

6、其中，所述光柵陣列結(jié)構(gòu)復(fù)用為第二電極。

7、可選地，還包括：

8、在所述光柵陣列結(jié)構(gòu)背離所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)的一側(cè)依次形成n型摻雜層、本征型量子點(diǎn)層以及p型摻雜層，得到第二量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)；

9、在所述第二量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)背離所述光柵陣列結(jié)構(gòu)的一側(cè)沉積形成第三電極。

10、可選地，所述在所述第一電極背離所述基底的一側(cè)形成具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括：

11、采用旋涂或噴涂的工藝在所述第一電極背離所述基底的一側(cè)依次形成n型摻雜層和本征型量子點(diǎn)層；

12、采用納米壓印工藝對(duì)所述本征型量子點(diǎn)層進(jìn)行壓印處理，形成具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的所述本征型量子點(diǎn)層；

13、采用旋涂或噴涂的工藝在所述本征型量子點(diǎn)層背離所述n型摻雜層的一側(cè)形成p型摻雜層。

14、本公開(kāi)還提供了一種紅外偏振器件，包括：

15、基底；

16、第一電極，設(shè)置于所述基底的一側(cè)；

17、第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一電極背離所述基底的一側(cè)；所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)具有預(yù)設(shè)凹凸圖案，且為物理成型；

18、光柵陣列結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)背離所述第一電極的一側(cè)；

19、其中，所述光柵陣列結(jié)構(gòu)復(fù)用為第二電極。

20、可選地，該紅外偏振器件還包括：

21、第二量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)，設(shè)置于所述光柵陣列結(jié)構(gòu)背離所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)的一側(cè)；

22、第三電極，設(shè)置于所述第二量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)背離所述光柵陣列結(jié)構(gòu)的一側(cè)。

23、可選地，所述第二量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)與所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)均包括：

24、沿所述第一電極指向所述第三電極的方向依次層疊設(shè)置的n型摻雜層、本征型量子點(diǎn)層以及p型摻雜層。

25、可選地，所述n型摻雜層的厚度為：10nm~50nm；

26、所述本征型量子點(diǎn)層的厚度為：400nm~500nm；

27、所述p型摻雜層的厚度為：10nm~50nm。

28、可選地，所述光柵陣列結(jié)構(gòu)包括陣列排布的光柵單元，且沿垂直于所述基底所在平面的方向，每個(gè)所述光柵單元包括在第一高度和第二高度處交替設(shè)置的光柵線條；

29、相鄰預(yù)設(shè)數(shù)量的所述光柵單元形成一光柵組；同一所述光柵組中各所述光柵單元的光柵線條延伸方向不同；不同光柵線條延伸方向的所述光柵單元用于透射不同偏振方向的紅外光。

30、可選地，同一所述光柵組的各所述光柵單元的光柵線條延伸方向依次間隔相同角度。

31、可選地，所述基底包括信號(hào)讀出電路；所述信號(hào)讀出電路包括陣列排布的像素區(qū)域；

32、所述光柵單元在所述基底上的垂直投影與所述像素區(qū)域一一對(duì)應(yīng)。

33、本公開(kāi)實(shí)施例提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn)：

34、本公開(kāi)實(shí)施例提供的紅外偏振器件的制備方法，包括：提供基底；基底的一側(cè)形成有第一電極；在第一電極背離基底的一側(cè)形成具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)；第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)為物理成型；在第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)背離第一電極的一側(cè)沉積形成光柵陣列結(jié)構(gòu)；其中，光柵陣列結(jié)構(gòu)復(fù)用為第二電極。如此，通過(guò)在具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)上沉積形成光柵陣列結(jié)構(gòu)，不會(huì)對(duì)第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)的化學(xué)性質(zhì)造成損害，利于提升紅外偏振器件的偏振探測(cè)性能。

技術(shù)特征：

1.一種紅外偏振器件的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外偏振器件的制備方法，其特征在于，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外偏振器件的制備方法，其特征在于，所述在所述第一電極背離所述基底的一側(cè)形成具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)，包括：

4.一種紅外偏振器件，其特征在于，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紅外偏振器件，其特征在于，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紅外偏振器件，其特征在于，所述第二量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)與所述第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)均包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的紅外偏振器件，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紅外偏振器件，其特征在于，所述光柵陣列結(jié)構(gòu)包括陣列排布的光柵單元，且沿垂直于所述基底所在平面的方向，每個(gè)所述光柵單元包括在第一高度和第二高度處交替設(shè)置的光柵線條；

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的紅外偏振器件，其特征在于，同一所述光柵組的各所述光柵單元的光柵線條延伸方向依次間隔相同角度。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的紅外偏振器件，其特征在于，所述基底包括信號(hào)讀出電路；所述信號(hào)讀出電路包括陣列排布的像素區(qū)域；

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及一種紅外偏振器件的制備方法及紅外偏振器件，該制備方法包括：提供基底；基底的一側(cè)形成有第一電極；在第一電極背離基底的一側(cè)形成具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)；第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)為物理成型；在第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)背離第一電極的一側(cè)沉積形成光柵陣列結(jié)構(gòu)；其中，光柵陣列結(jié)構(gòu)復(fù)用為第二電極。如此，通過(guò)在具有預(yù)設(shè)凹凸圖案的第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)上沉積形成光柵陣列結(jié)構(gòu)，不會(huì)對(duì)第一量子點(diǎn)探測(cè)結(jié)構(gòu)的化學(xué)性質(zhì)造成損害，利于提升紅外偏振器件的偏振探測(cè)性能。

技術(shù)研發(fā)人員：劉雁飛,陳雯雯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯熱成科技（北京）有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/29