本技術(shù)實施例涉及場效晶體管，更特別涉及其隔離結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)進展，對更高儲存能力、更快處理系統(tǒng)、更高效能、與更低成本的需求增加。為了符合這些需求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)縮小半導(dǎo)體裝置如金氧半場效晶體管、鰭狀場效晶體管、與全繞式柵極場效晶體管的尺寸。尺寸縮小易增加半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜度。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一些實施例中，半導(dǎo)體裝置的形成方法包括：形成第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底于基板上；分別形成多個第一納米結(jié)構(gòu)層與多個第二納米結(jié)構(gòu)層于第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底上；形成多個覆層于第一納米結(jié)構(gòu)層與第二納米結(jié)構(gòu)層的側(cè)壁上；形成多晶硅結(jié)構(gòu)于第一納米結(jié)構(gòu)層、第二納米結(jié)構(gòu)層、與覆層上；移除多晶硅結(jié)構(gòu)的一部分，以形成第一開口于第二納米結(jié)構(gòu)層上；經(jīng)由第一開口移除第二納米結(jié)構(gòu)層的一部分，以形成第二開口于第二鰭狀物基底上；經(jīng)由第二開口移除第二鰭狀物基底的一部分，以形成第三開口于基板上；經(jīng)由第三開口移除基板的一部分，以形成第四開口于基板中；以及沉積絕緣材料以填入第一開口、第二開口、第三開口、與第四開口。

2、在一些實施例中，半導(dǎo)體裝置的形成方法包括形成第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底于基板上；分別形成多個第一納米結(jié)構(gòu)層與多個第二納米結(jié)構(gòu)層于第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底上；形成第一隔離結(jié)構(gòu)于第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底之間；形成第二隔離結(jié)構(gòu)于第一隔離結(jié)構(gòu)之上以及第一納米結(jié)構(gòu)層與第二納米結(jié)構(gòu)層之間；形成多晶硅結(jié)構(gòu)于第一納米結(jié)構(gòu)層與第二納米結(jié)構(gòu)層上；以及形成第三隔離結(jié)構(gòu)，包括形成第三隔離結(jié)構(gòu)的第一隔離部分與第二隔離部分于基板中；形成第三隔離結(jié)構(gòu)的第三隔離部分與第四隔離部分于第一隔離結(jié)構(gòu)的兩側(cè)上；形成第三隔離結(jié)構(gòu)的第五隔離部分與第六隔離部分于第二隔離結(jié)構(gòu)的兩側(cè)上；以及形成第三隔離結(jié)構(gòu)的第七隔離部分于多晶硅結(jié)構(gòu)中。

3、在一些實施例中，半導(dǎo)體裝置包括：基板；第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底，位于基板上；多個第一納米結(jié)構(gòu)層與多個第二納米結(jié)構(gòu)層，分別位于第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底上；第一柵極結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)，分別圍繞第一納米結(jié)構(gòu)層與第二納米結(jié)構(gòu)層；第一淺溝槽隔離區(qū)與第二淺溝槽隔離區(qū)，位于第一鰭狀物基底與第二鰭狀物基底的兩側(cè)上；第一第一隔離結(jié)構(gòu)與第二第一隔離結(jié)構(gòu)，分別位于第一淺溝槽隔離區(qū)與第二淺溝槽隔離區(qū)上；以及第二隔離結(jié)構(gòu)。第二隔離結(jié)構(gòu)包括第一隔離部分，位于第一柵極結(jié)構(gòu)與第二柵極結(jié)構(gòu)之間；第二隔離部分，位于第一第一隔離結(jié)構(gòu)與第二第一隔離結(jié)構(gòu)之間并接觸第一第一隔離結(jié)構(gòu)與第二第一隔離結(jié)構(gòu)；第三隔離部分，位于第一淺溝槽隔離區(qū)與第二淺溝槽隔離區(qū)之間并接觸第一淺溝槽隔離區(qū)與第二淺溝槽隔離區(qū)；以及第四隔離部分，位于基板中，其中第一隔離部分比第二隔離部分及第三隔離部分寬。

4、在一些實施例中，其中該第四隔離部分與該第一淺溝槽隔離區(qū)與該第二淺溝槽隔離區(qū)的下表面重疊。

5、在一些實施例中，其中該第四隔離部分包括彎曲的側(cè)壁輪廓，且底部末端具有鈍角。

6、在一些實施例中，其中該第四隔離部分的上表面寬度為35nm至45nm。

7、在一些實施例中，其中該鈍角為110度至115度。

8、在一些實施例中，其中該第四隔離部分的高度為25nm至40nm。

9、在一些實施例中，其中該第四隔離部分包括錐形側(cè)壁輪廓與實質(zhì)上平坦的底部輪廓。

10、在一些實施例中，其中該第四隔離部分的上表面寬度為35nm至40nm。

11、在一些實施例中，其中該第四隔離部分的高度為45nm至75nm。

12、在一些實施例中，其中該第四隔離部分的側(cè)壁與下表面之間的角度為95度至97度。

13、本實用新型的至少一個實施例具有如下的優(yōu)點或技術(shù)效果：可避免或最小化鰭狀物基底上的源極/漏極區(qū)之間因鰭狀物基底其蝕刻部分的任何殘留材料所造成的漏電流，且可改善全繞式柵極場效晶體管的裝置效能與可信度。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分與該第一淺溝槽隔離區(qū)與該第二淺溝槽隔離區(qū)的下表面重疊。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分包括彎曲的側(cè)壁輪廓，且底部末端具有鈍角。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分的上表面寬度為35nm至45nm。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該鈍角為110度至115度。

6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分的高度為25nm至40nm。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分包括錐形側(cè)壁輪廓與實質(zhì)上平坦的底部輪廓。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分的上表面寬度為35nm至40nm。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分的高度為45nm至75nm。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第四隔離部分的側(cè)壁與下表面之間的角度為95度至97度。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供半導(dǎo)體裝置包括：第一與第二鰭狀物基底，位于基板上；第一與第二納米結(jié)構(gòu)層，分別位于第一與第二鰭狀物基底上；第一與第二柵極結(jié)構(gòu)，分別圍繞第一與第二納米結(jié)構(gòu)層；第一與第二淺溝槽隔離區(qū)，位于第一與第二鰭狀物基底的兩側(cè)上；第一與第二第一隔離結(jié)構(gòu)，分別位于第一與第二淺溝槽隔離區(qū)上；以及第二隔離結(jié)構(gòu)，其包括第一隔離部分，位于第一與第二柵極結(jié)構(gòu)之間；第二隔離部分，位于第一與第二第一隔離結(jié)構(gòu)之間并與其接觸；第三隔離部分，位于第一與第二淺溝槽隔離區(qū)之間并與其接觸；以及第四隔離部分，位于基板中。

技術(shù)研發(fā)人員：林子敬
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240115
技術(shù)公布日：2024/10/21