一種MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于等離子顯示器領(lǐng)域，具體涉及一種MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜及其制備 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] F1DP(PlasmaDisplayPanel，等離子顯示板）顯示發(fā)光基于氣體放電原理，當(dāng)在電 極之間附加一定電壓，惰性氣體Ne和Xe被擊穿，輝光放電產(chǎn)生的可見(jiàn)光或紫外光激發(fā)涂在 障壁上的熒光粉發(fā)出紅、綠、藍(lán)三原色光，從而實(shí)現(xiàn)PDP的彩色顯示。PDP基板上的電極間附 加電壓增至某一臨界值時(shí)，電極間的惰性氣體就會(huì)發(fā)生放電，把此時(shí)放電開(kāi)始的瞬間電壓 Vf稱為著火電壓。德國(guó)著名科學(xué)家帕邢（Paschen)發(fā)現(xiàn)了著名的帕邢定律，即氣體的擊穿 電壓為：
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜，其特征在于：該復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜包括MgO薄膜，所述 MgO薄膜中滲雜有彌散分布的ZnO顆粒，所述復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜的表面顆粒的形狀為S角形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜，其特征在于：所述復(fù)合介質(zhì)保護(hù) 膜中化的原子數(shù)百分含量為0.6?0.8%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜，其特征在于：所述復(fù)合介質(zhì)保護(hù) 膜的厚度為100?300nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜，其特征在于：所述ZnO顆粒的尺 寸為5?25nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜，其特征在于：所述復(fù)合介質(zhì)保護(hù) 膜是通過(guò)反應(yīng)磁控瓣射制得。
6. -種MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜的制備方法，其特征在于泡括W下步驟：利用反應(yīng)磁 控瓣射的方法在基片上共瓣射MgO/ZnO薄膜，薄膜中ZnO彌散分布于MgO中。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜的制備方法，其特征在于；所述反 應(yīng)溫度為160°C。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜的制備方法，其特征在于：所述 MgO/ZnO薄膜中化的原子數(shù)百分含量為0. 6?0. 8%。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種MgO/ZnO復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜及其制備方法，所述復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜包括摻雜有彌散分布ZnO顆粒的MgO薄膜。由于在MgO薄膜中摻雜ZnO顆粒，改變了表面顆粒的形狀，表面顆粒形狀由橢圓形變成三角形。使得所述復(fù)合介質(zhì)保護(hù)膜的二次電子發(fā)射系數(shù)提高，能夠有效降低顯示器的著火電壓，進(jìn)而從一定程度上降低PDP顯示器的功耗和成本，提高器件的壽命，增強(qiáng)顯示器件工作電壓的穩(wěn)定性。
【IPC分類(lèi)】H01J9-00, H01J11-40
【公開(kāi)號(hào)】CN104599923
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510014108
【發(fā)明人】宋忠孝, 李怡雪, 何雙, 薛佳偉, 李曉華, 張丹, 郝芬芬, 馬洋, 陳建華, 李翠蘭, 劉曉婷, 朱凡
【申請(qǐng)人】西安交通大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2015年1月12日