一種用于可調(diào)光led恒流驅(qū)動電路的封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及封裝技術領域，尤其涉及一種用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結 構。
【背景技術】
[0002] LED具有低電流消耗和較長壽命之類的優(yōu)點，已經(jīng)得到日益寬泛的應用，其不僅應 用于顯示設備也應用于照明領域。目前，在LED照明燈中，可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路作為其 重要的組成部分，成為技術關心的熱點。
[0003] 可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路通常主要采用3個MOS管，6個二極管以及其它輔助元 件來實現(xiàn)。但是，由于器件較多，而且多個器件占用空間較大，通常采用分立器件的方式進 行封裝，而且，現(xiàn)有技術中，也不存在著一種能夠?qū)崿F(xiàn)小型化的集成封裝結構，能夠滿足LED 燈進一步小型化的要求。而且，現(xiàn)有封裝結構不能實現(xiàn)高效，安全地裝片，并且在由于結構 的原因，使用上并不方便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結 構，能夠?qū)崿F(xiàn)封裝結構的小型化。
[0005] 為達此目的，本發(fā)明提供了一種用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構，包括： [0006] 外框架；
[0007] 第一引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第一載片臺，所述第一載片臺用于封裝第 一 MOS 管；
[0008] 第二引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第二載片臺，所述第二載片臺用于封裝第 二 MOS 管；
[0009] 第三引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第三載片臺，所述第三載片臺用于封裝第 三MOS管；
[0010] 第四引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第四載片臺，所述第四載片臺用于封裝集 成芯片，串聯(lián)的四個二極管和串聯(lián)的兩個二極管集成在所述集成芯片上。
[0011] 優(yōu)選地，所述第一引線框，所述第二引線框和所述第三引線框位于所述外框架內(nèi) 部的一側，所述第四引線框位于所述外框架內(nèi)部的另一側。
[0012] 優(yōu)選地，所述第四引線框位于所述外框架內(nèi)部的另一側的中部位置。
[0013] 優(yōu)選地，所述第一 MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管和所述集成芯片通過 共晶焊接的方式分別與相應載片臺進行封裝連接。
[0014] 優(yōu)選地，所述封裝結構包含：
[0015] 第一管腳，與所述第三MOS管的柵極相連；
[0016] 第二管腳，與所述第二MOS管的柵極相連；
[0017] 第三管腳，與所述第二MOS管的漏極相連；
[0018] 第四管腳，與所述第一 MOS管的柵極相連；
[0019] 第五管腳，與所述第一 MOS管的漏極相連；
[0020] 第六管腳，與所述四個二極管的負極相連，并且所述四個二極管的正極與所述第 一 MOS管的源極相連；
[0021] 第七管腳，與所述兩個二極管的負極相連，并且所述二個二極管的正極與所述第 二MOS管的源極相連；
[0022] 第八管腳，與所述第三MOS管的漏極相連
[0023] 優(yōu)選地，所述相連通過引線鍵合的方式連接。
[0024] 優(yōu)選地，所述引線為金線或銅絲。
[0025] 優(yōu)選地，所述第四載片臺為懸空載片臺。
[0026] 優(yōu)選地，所述第一 MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管為增強型MOS管或者 耗盡型MOS管。
[0027] 本發(fā)明通過使用位于外框架中的三個引線框分別封裝第一 MOS管、第二MOS管和 第三MOS管，使用第四引線框封裝由串連的四個二極管和串聯(lián)的兩個二極管集成的集成芯 片的封裝結構，從而實現(xiàn)封裝結構的小型化。
【附圖說明】
[0028] 圖1是本發(fā)明實施例用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構內(nèi)部的電路圖；
[0029] 圖2是本發(fā)明實施例用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構示意圖。
【具體實施方式】
[0030] 下面結合附圖并通過【具體實施方式】來進一步說明本發(fā)明的技術方案?？梢岳斫獾?是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明 的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部內(nèi)容。
[0031] 圖1是本發(fā)明實施例用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構內(nèi)部的電路圖；圖 2是本發(fā)明用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構示意圖。如圖1和圖2所示，本發(fā)明 提供了一種用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構，包括：外框架20 ;第一引線框21，位 于所述外框架20內(nèi)側，具有第一載片臺，所述第一載片臺用于封裝第一 MOS管Ql ;第二引 線框22,位于所述外框架20內(nèi)側，具有第二載片臺，所述第二載片臺用于封裝第二MOS管 Q2 ;第三引線框23,位于所述外框架20內(nèi)側，具有第三載片臺，所述第三載片臺用于封裝第 三MOS管Q3;第四引線框24,位于所述外框架20內(nèi)側，具有第四載片臺，所述第四載片臺 用于封裝集成芯片D，串聯(lián)的四個二極管D2和串聯(lián)的兩個二極管Dl集成在所述集成芯片D 上。該封裝結構為無基板封裝結構，在本領域中，第一引線框、第二引線框、第三引線框和第 四引線框通常被稱為"小島"。
[0032] 其中，所述可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路可以為用于LED燈的可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電 路。所述第一 MOS管Ql、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3和所述集成芯片D可以通 過共晶焊接的方式分別與相應載片臺進行封裝連接。其中，載片臺的尺寸根據(jù)芯片尺寸設 計，以達到較好的散熱效果，而且，根據(jù)散熱要求，封裝結構的底部塑封面與電路板接觸，有 利散熱。
[0033] 而且，在本發(fā)明實施例中，所述第一 MOS管Ql、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管 Q3可以采用不同功率的MOS管，來與LED燈配合，以實現(xiàn)不同功率。優(yōu)選地，所述第一 MOS 管、所述第二MOS管和所述第三MOS管為增強型MOS管或者耗盡型MOS管。所述第一 MOS 管Q1、所述第二MOS管Q2、所述第三MOS管Q3也可以使用不同類型的MOS管，比如電流為 IA的增強型MOS管或者耗盡型MOS管，使其使用在不同的電源電壓下。
[0034] 優(yōu)選地，所述第一引線框21，所述第二引線框22和所述第三引線框23位于所述 外框架20內(nèi)部的一側，所述第四引線框24位于所述外框架20內(nèi)部的另一側。進一步優(yōu)選 地，所述第四引線框24位于所述外框架20內(nèi)部的另一側的中部位置。
[0035] 而且，在每個引線框上具有載片臺，用于封裝芯片。其中，所述第四載片臺可以為 懸空載片臺。在本發(fā)明實施例中，在進行載片臺的固定操作時，可以通過頂筋將多個載片臺 (第一載片臺、第二載片臺、第三載片臺和第四載片臺）相連，通過穿孔外框架塑封來固定懸 空載片臺，塑封后，及時扳斷頂筋，以實現(xiàn)四個載片臺間的絕緣。
[0036] 在本發(fā)明實施例中，如圖1所示，所述四個二極管的正極與所述第一 MOS管的源極 相連，所述二個二極管的正極與所述第二MOS管的源極相連。
[0037] 表1為本發(fā)明實施例的封裝結構的管腳對應表。優(yōu)選地，如表1所示，所述封裝結 構具有八個管腳，其中，第一管腳與所述第三MOS管的柵極相連；第二管腳，與所述第二MOS 管的柵極相連；第三管腳，與所述第二MOS管的漏極相連；第四管腳，與所述第一 MOS管的 柵極相連；第五管腳，與所述第一 MOS管的漏極相連；第六管腳，與所述四個二極管的負極 (這里指的是串聯(lián)的四個二極管的最外端的負極）相連，并且所述四個二極管的正極與所述 第一 MOS管的源極相連；第七管腳，與所述兩個二極管的負極相連，并且所述二個二極管的 正極(這里指的是串聯(lián)的二個二極管的最外端的負極）與所述第二MOS管的源極相連。其 中，所述相連通過引線鍵合的方式連接，所述引線可以為金線或者銅線。
[0038] 表 1
[0039]
[0040]
【主權項】
1. 一種用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，包括： 外框架； 第一引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第一載片臺，所述第一載片臺用于封裝第一 MOS 管； 第二引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第二載片臺，所述第二載片臺用于封裝第二 MOS 管； 第H引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第H載片臺，所述第H載片臺用于封裝第H MOS 管； 第四引線框，位于所述外框架內(nèi)側，具有第四載片臺，所述第四載片臺用于封裝集成芯 片，串聯(lián)的四個二極管和串聯(lián)的兩個二極管集成在所述集成芯片上。
2. 根據(jù)權利要求1所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 第一引線框，所述第二引線框和所述第H引線框位于所述外框架內(nèi)部的一側，所述第四引 線框位于所述外框架內(nèi)部的另一側。
3. 根據(jù)權利要求2所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 第四引線框位于所述外框架內(nèi)部的另一側的中部位置。
4. 根據(jù)權利要求1所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 第一 MOS管、所述第二MOS管、所述第H MOS管和所述集成芯片通過共晶焊接的方式分別與 相應載片臺進行封裝連接。
5. 根據(jù)權利要求1所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 封裝結構包含： 第一管腳，與所述第H MOS管的柵極相連； 第二管腳，與所述第二MOS管的柵極相連； 第H管腳，與所述第二MOS管的漏極相連； 第四管腳，與所述第一 MOS管的柵極相連； 第五管腳，與所述第一 MOS管的漏極相連； 第六管腳，與所述四個二極管的負極相連，并且所述四個二極管的正極與所述第一 MOS 管的源極相連； 第走管腳，與所述兩個二極管的負極相連，并且所述二個二極管的正極與所述第二MOS 管的源極相連； 第八管腳，與所述第H MOS管的漏極相連。
6. 根據(jù)權利要求5所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 相連通過引線鍵合的方式連接。
7. 根據(jù)權利要求6所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 引線為金線或銅絲。
8. 根據(jù)權利要求1所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 第四載片臺為息空載片臺。
9. 根據(jù)權利要求1所述的用于可調(diào)光L邸恒流驅(qū)動電路的封裝結構，其特征在于，所述 第一 MOS管、所述第二MOS管和所述第H MOS管為增強型MOS管或者耗盡型MOS管。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于可調(diào)光LED恒流驅(qū)動電路的封裝結構包括：外框架；第一引線框，位于外框架內(nèi)側，具有第一載片臺，第一載片臺用于封裝第一MOS管；第二引線框，位于外框架內(nèi)側，具有第二載片臺，第二載片臺用于封裝第二MOS管；第三引線框，位于外框架內(nèi)側，具有第三載片臺，第三載片臺用于封裝第三MOS管；第四引線框，位于外框架內(nèi)側，具有第四載片臺，第四載片臺用于封裝集成芯片，串聯(lián)的四個二極管和串聯(lián)的兩個二極管集成在所述集成芯片上。本發(fā)明通過三個引線框分別封裝第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，使用第四引線框封裝由串連的四個二極管和串聯(lián)的兩個二極管集成的集成芯片的封裝結構，從而實現(xiàn)封裝結構的小型化。
【IPC分類】H01L25-18, H01L23-495
【公開號】CN104681526
【申請?zhí)枴緾N201310625109
【發(fā)明人】劉戈, 何飛
【申請人】無錫華潤華晶微電子有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年11月28日