同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及波導(dǎo)轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]為了實(shí)現(xiàn)在波導(dǎo)和同軸線之間的轉(zhuǎn)換過(guò)程中減小插入損耗，現(xiàn)有技術(shù)采取的手段是在波導(dǎo)內(nèi)設(shè)置階梯狀的阻抗變換塊，將同軸接頭直接插入波導(dǎo)內(nèi)的阻抗變換塊。因此，波導(dǎo)內(nèi)必須設(shè)置一個(gè)阻抗變換塊，而且阻抗變換塊的位置一旦確定后不能變動(dòng)。然而，在實(shí)際處理中，阻抗變換塊與波導(dǎo)之間的連接并不牢固，常常會(huì)在搬運(yùn)或安裝過(guò)程中產(chǎn)生移動(dòng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置，能夠利用波導(dǎo)自身的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置，所述同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置包括波導(dǎo)、同軸接頭和介質(zhì)套筒，其中，所述波導(dǎo)一端開口，另一端封閉，所述波導(dǎo)上具有朝向所述波導(dǎo)內(nèi)部的多級(jí)臺(tái)階狀凹陷，所述多級(jí)臺(tái)階狀凹陷的高度從所述波導(dǎo)的封閉一端到另一端依次降低，所述多級(jí)臺(tái)階狀凹陷的內(nèi)表面覆有阻抗變換層；所述同軸接頭連接在所述波導(dǎo)的封閉一端并且所述同軸接頭的軸向與所述波導(dǎo)的電磁波傳輸方向一致，所述同軸接頭伸入所述波導(dǎo)內(nèi)部，并插入所述阻抗變換層中；所述介質(zhì)套筒設(shè)于所述波導(dǎo)的封閉一端，并套在所述同軸接頭上。
[0005]優(yōu)選地，所述臺(tái)階狀凹陷至少為三級(jí)。
[0006]優(yōu)選地，所述多級(jí)臺(tái)階狀凹陷與所述波導(dǎo)的兩邊側(cè)壁的距離相等。
[0007]優(yōu)選地，所述波導(dǎo)為圓形波導(dǎo)或矩形波導(dǎo)。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置在波導(dǎo)上設(shè)置多級(jí)臺(tái)階狀凹陷來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的階梯狀阻抗變換塊，從而能夠利用波導(dǎo)自身的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)阻抗匹配，由于不需要采用階梯狀阻抗變換塊，可以減少波導(dǎo)的組成，降低波導(dǎo)的制造成本。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1是本發(fā)明同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置實(shí)施例的剖視示意圖。
[0010]圖2是本發(fā)明同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置實(shí)施例的俯視示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0012]請(qǐng)一并參見圖1和圖2。本發(fā)明實(shí)施例的同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置包括波導(dǎo)1、同軸接頭2和介質(zhì)套筒3。其中，波導(dǎo)I 一端開口，另一端封閉，波導(dǎo)I上具有朝向波導(dǎo)I內(nèi)部的多級(jí)臺(tái)階狀凹陷11，多級(jí)臺(tái)階狀凹陷11的高度從波導(dǎo)I的封閉一端到另一端依次降低，多級(jí)臺(tái)階狀凹陷11的內(nèi)表面覆有阻抗變換層12 ;同軸接頭2連接在波導(dǎo)I的封閉一端并且同軸接頭2的軸向與波導(dǎo)I的電磁波傳輸方向一致，同軸接頭2伸入波導(dǎo)I內(nèi)部，并插入阻抗變換層12中。在本實(shí)施例中，臺(tái)階狀凹陷11至少為三級(jí)，且多級(jí)臺(tái)階狀凹陷11與波導(dǎo)I的兩邊側(cè)壁的距離相等。波導(dǎo)I可以為圓形波導(dǎo)或矩形波導(dǎo)。介質(zhì)套筒3設(shè)于波導(dǎo)I的封閉一端，并套在同軸接頭2上。
[0013]其中，多級(jí)臺(tái)階狀凹陷11的加工方式比較簡(jiǎn)單，加工成本低，可以通過(guò)一次沖壓成型得到。通過(guò)多級(jí)臺(tái)階狀凹陷11相當(dāng)于傳統(tǒng)的階梯狀阻抗變換塊，可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的階梯狀阻抗變換塊實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。阻抗變換層12可以通過(guò)沉降等工藝沉積到多級(jí)臺(tái)階狀凹陷11的內(nèi)表面上，阻抗變換層12的厚度可以根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，以適應(yīng)于不同的同軸接頭2的插入尺寸。通過(guò)加入介質(zhì)套筒3，可以降低波導(dǎo)I的等效阻抗，減小阻抗對(duì)頻率變化的敏感性，從而展寬同軸接頭2的頻帶。
[0014]以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置包括波導(dǎo)、同軸接頭和介質(zhì)套筒，其中，所述波導(dǎo)一端開口，另一端封閉，所述波導(dǎo)上具有朝向所述波導(dǎo)內(nèi)部的多級(jí)臺(tái)階狀凹陷，所述多級(jí)臺(tái)階狀凹陷的高度從所述波導(dǎo)的封閉一端到另一端依次降低，所述多級(jí)臺(tái)階狀凹陷的內(nèi)表面覆有阻抗變換層；所述同軸接頭連接在所述波導(dǎo)的封閉一端并且所述同軸接頭的軸向與所述波導(dǎo)的電磁波傳輸方向一致，所述同軸接頭伸入所述波導(dǎo)內(nèi)部，并插入所述阻抗變換層中；所述介質(zhì)套筒設(shè)于所述波導(dǎo)的封閉一端，并套在所述同軸接頭上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述臺(tái)階狀凹陷至少為二級(jí)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述多級(jí)臺(tái)階狀凹陷與所述波導(dǎo)的兩邊側(cè)壁的距離相等。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于，所述波導(dǎo)為圓形波導(dǎo)或矩形波導(dǎo)。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置。同軸矩形波導(dǎo)轉(zhuǎn)換裝置包括波導(dǎo)、同軸接頭和介質(zhì)套筒，其中，波導(dǎo)一端開口，另一端封閉，波導(dǎo)上具有朝向波導(dǎo)內(nèi)部的多級(jí)臺(tái)階狀凹陷，多級(jí)臺(tái)階狀凹陷的高度從波導(dǎo)的封閉一端到另一端依次降低，多級(jí)臺(tái)階狀凹陷的內(nèi)表面覆有阻抗變換層；同軸接頭連接在波導(dǎo)的封閉一端并且同軸接頭的軸向與波導(dǎo)的電磁波傳輸方向一致，同軸接頭伸入波導(dǎo)內(nèi)部，并插入阻抗變換層中；介質(zhì)套筒設(shè)于波導(dǎo)的封閉一端，并套在同軸接頭上。通過(guò)上述方式，本發(fā)明能夠利用波導(dǎo)自身的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。
【IPC分類】H01P5/08
【公開號(hào)】CN104953220
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510247160
【發(fā)明人】戈建利, 何激揚(yáng), 夏敏
【申請(qǐng)人】四川龍瑞微電子有限公司
【公開日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年5月15日