一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體良率提升領(lǐng)域，尤其涉及一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的不斷降低，半導(dǎo)體器件的特征尺寸不斷減小，光學(xué)臨近效應(yīng)(Optical Proximity Effect)導(dǎo)致娃片上的光刻圖形與掩模版上圖形的偏差問題越來越嚴(yán)重，因此光學(xué)臨近效應(yīng)校正(Optical Proximity Correct1n)在半導(dǎo)體制造中愈發(fā)顯得重要。光學(xué)臨近效應(yīng)校正主要作用是減小光學(xué)臨近效應(yīng)所造成的誤差和影響，使得轉(zhuǎn)移到硅片上的圖形與預(yù)期圖形基本符合。
[0003]如圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)針對(duì)光學(xué)臨近效應(yīng)校正后的多晶硅層版圖按照統(tǒng)一規(guī)格和標(biāo)準(zhǔn)來判定其是否屬于熱點(diǎn)，這種規(guī)格統(tǒng)一的檢查方法不能很好的反映熱點(diǎn)的嚴(yán)重程度，會(huì)對(duì)工程技術(shù)人員判定和解決最重要熱點(diǎn)問題造成干擾，增加了光學(xué)臨近效應(yīng)校正的處理時(shí)間，提高了非嚴(yán)重性熱點(diǎn)問題的干擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述問題，本發(fā)明涉及一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法，其特征在于，包括:
[0005]S1:提供一個(gè)多晶硅層的光刻版圖；
[0006]S2:將所述版圖中的多晶層圖形分類并做標(biāo)記；
[0007]S3:對(duì)所述光刻版圖進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正，獲得所述多晶層圖形數(shù)據(jù)；
[0008]S4:對(duì)所述多晶層圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行工藝偏差模擬；
[0009]S5:對(duì)各類所述多晶層圖形的進(jìn)行工藝熱點(diǎn)檢查；
[0010]S6:獲得所述各類多晶層圖形的工藝熱點(diǎn)，并生成熱點(diǎn)位置的索引文件。
[0011]上述的方法，其特征在于，所述各類多晶層圖形包括:
[0012]柵極圖形，為所述多晶硅層圖形與有源區(qū)圖形重合部分；
[0013]電阻圖形，為被電阻識(shí)別層覆蓋的圖形部分；
[0014]冗余圖形，為既不接觸有源區(qū)圖形，也不接觸電阻識(shí)別層和接觸孔的圖形部分；
[0015]連線圖形，為所述柵極圖形、電阻圖形、冗余圖層以外的其他圖形部分。
[0016]上述的方法，其特征在于，將符合分類標(biāo)準(zhǔn)的所述多晶硅層圖形按類做好標(biāo)記，所述分類標(biāo)記與所述多晶硅層圖形一一對(duì)應(yīng)，并以所述多晶硅層圖形為中心對(duì)所述多晶硅層圖形進(jìn)行完全包圍。
[0017]上述的方法，其特征在于，所述工藝熱點(diǎn)檢查規(guī)格按照柵極圖形、電阻圖形、連線圖形和冗余圖形順次遞減。
[0018]上述的方法，其特征在于，所述柵極圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為 0.0lnm ?5nm0
[0019]上述的方法，其特征在于，所述電阻圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為 0.0lnm ?10nm。
[0020]上述的方法，其特征在于，所述連線圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為 0.0lnm ?20nm。
[0021]上述的方法，其特征在于，所述冗余圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異絕對(duì)值要求為 0.0lnm ?30nm。
[0022]有益效果，本發(fā)明提出一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的基于多晶硅層的圖形特征進(jìn)行功能分類的工藝熱點(diǎn)檢查方法，能夠?qū)⒃级嗑Ч鑼訄D形按照器件功能分類，并對(duì)分類后的圖形進(jìn)行不同規(guī)格的最小線寬檢查，從而方便工程技術(shù)人員更加精確地定位和判斷最嚴(yán)重的熱點(diǎn)問題，提高了光學(xué)臨近效應(yīng)修正處理過程的準(zhǔn)確性和效率。
【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法的工藝流程圖；
[0024]圖2是本發(fā)明中光刻版圖中多晶硅層圖形的排布和多晶硅層圖形分類標(biāo)記示意圖；
[0025]圖3是現(xiàn)有技術(shù)多晶娃層圖形的工藝熱點(diǎn)檢查結(jié)果不意圖；
[0026]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的多晶硅層圖形的工藝熱點(diǎn)檢查結(jié)果示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]本發(fā)明涉及一種光學(xué)鄰近效應(yīng)修正模型的優(yōu)化方法，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說明。
[0028]如圖1所示，針對(duì)上述問題，本發(fā)明涉及一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法，其特征在于，包括:
[0029]S1:提供一個(gè)多晶硅層的光刻版圖；
[0030]S2:將所述版圖中的多晶層圖形分類并做標(biāo)記；
[0031]S3:對(duì)所述光刻版圖進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正，獲得所述多晶層圖形數(shù)據(jù)；
[0032]S4:對(duì)所述多晶層圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行工藝偏差模擬；
[0033]S5:對(duì)各類所述多晶層圖形的進(jìn)行工藝熱點(diǎn)檢查；
[0034]S6:獲得所述各類多晶層圖形的工藝熱點(diǎn)，并生成熱點(diǎn)位置的索引文件。
[0035]圖2顯示的是光刻版圖中多晶硅層圖形的排布，一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，其中，所述各類多晶層圖形包括:
[0036]柵極圖形1，為所述多晶硅層圖形與有源區(qū)圖形6重合部分；
[0037]電阻圖形2，為被電阻識(shí)別層5覆蓋的圖形部分；
[0038]冗余圖形3，為既不接觸有源區(qū)圖形6，也不接觸電阻識(shí)別層5的圖形部分；
[0039]連線圖形4，為柵極圖形1、電阻圖形2、冗余圖形3以外的其他圖形部分。
[0040]—個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，其中，將符合分類標(biāo)準(zhǔn)的所述多晶硅層圖形按類做好標(biāo)記，所述分類標(biāo)記與所述多晶硅層圖形一一對(duì)應(yīng)，并以所述多晶硅層圖形為中心對(duì)所述多晶硅層圖形進(jìn)行完全包圍。
[0041]一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，其中，所述工藝熱點(diǎn)檢查規(guī)格按照柵極圖形1、電阻圖形2、連線圖形4和冗余圖形3順次遞減。
[0042]—個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，其中，柵極圖形1的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為 0.0lnm ?5nm。
[0043]—個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，其中，電阻圖形2的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為 0.0lnm ?10nmo
[0044]—個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，其中，連線圖形4的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為 0.0lnm ?20nm。
[0045]—個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，其中，冗余圖形3的最小線寬與目標(biāo)線寬差異絕對(duì)值要求為0.0lnm ?30nm。
[0046]如圖4所示，本發(fā)明所采用的工藝熱點(diǎn)檢查方法大大縮小了問題熱點(diǎn)圖形的范圍，減小了技術(shù)人員的分析時(shí)間，保證了技術(shù)人員能夠快速識(shí)別熱點(diǎn)、提高效率。
[0047]綜上所述，本發(fā)明提出一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的基于多晶硅層的圖形特征進(jìn)行功能分類的工藝熱點(diǎn)檢查方法，能夠?qū)⒃级嗑Ч鑼訄D形按照器件功能分類，并對(duì)分類后的圖形進(jìn)行不同規(guī)格的最小線寬檢查，從而方便工程技術(shù)人員更加精確地定位和判斷最嚴(yán)重的熱點(diǎn)問題，提高了光學(xué)臨近效應(yīng)修正處理過程的準(zhǔn)確性和效率。
[0048]通過說明和附圖，給出了【具體實(shí)施方式】的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例，基于本發(fā)明精神，還可作其他的轉(zhuǎn)換。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然而，這些內(nèi)容并不作為局限。
[0049]對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法，其特征在于，包括: 51:提供一個(gè)多晶硅層的光刻版圖； 52:將所述版圖中的多晶層圖形分類并做標(biāo)記； 53:對(duì)所述光刻版圖進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正，獲得所述多晶層圖形數(shù)據(jù)； 54:對(duì)所述多晶層圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行工藝偏差模擬； 55:對(duì)各類所述多晶層圖形的進(jìn)行工藝熱點(diǎn)檢查； S6:獲得所述各類多晶層圖形的工藝熱點(diǎn)，并生成熱點(diǎn)位置的索引文件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述各類多晶層圖形包括: 柵極圖形，為所述多晶硅層圖形與有源區(qū)圖形重合部分； 電阻圖形，為被電阻識(shí)別層覆蓋的圖形部分； 冗余圖形，為既不接觸所述有源區(qū)圖形，也不接觸所述電阻識(shí)別層的圖形部分； 連線圖形，為所述柵極圖形、所述電阻圖形、所述冗余圖形以外的其他圖形部分。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將符合分類標(biāo)準(zhǔn)的所述多晶硅層圖形按類做好標(biāo)記，所述分類標(biāo)記與所述多晶硅層圖形一一對(duì)應(yīng)，并以所述多晶硅層圖形為中心對(duì)所述多晶硅層圖形進(jìn)行完全包圍。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述工藝熱點(diǎn)檢查規(guī)格按照柵極圖形、電阻圖形、連線圖形和冗余圖形順次遞減。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述柵極圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為0.0lnm?5nm。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述電阻圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為0.0lnm?10nm。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述連線圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異的絕對(duì)值要求為0.0lnm?20nm。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述冗余圖形的最小線寬與目標(biāo)線寬差異絕對(duì)值要求為0.0lnm?30nmo
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體良率提升領(lǐng)域，尤其涉及一種針對(duì)多晶硅層光刻版圖的工藝熱點(diǎn)檢查方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的基于多晶硅層的圖形特征進(jìn)行功能分類的工藝熱點(diǎn)檢查方法，能夠?qū)⒃级嗑Ч鑼訄D形按照器件功能分類，并對(duì)分類后的圖形進(jìn)行不同規(guī)格的最小線寬檢查，從而方便工程技術(shù)人員更加精確地定位和判斷最嚴(yán)重的熱點(diǎn)問題，提高了光學(xué)臨近效應(yīng)修正處理過程的準(zhǔn)確性和效率。
【IPC分類】H01L21/66
【公開號(hào)】CN105405783
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510715852
【發(fā)明人】孫瑤, 張?jiān)掠?
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年10月28日