閃存的形成方法
【專利摘要】一種閃存的形成方法。其中，所述閃存的形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括核心區(qū)域和周邊區(qū)域；在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個分立的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰兩個所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間為凹槽；在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻；在所述凹槽的底部形成隧穿介質(zhì)層；在所述凹槽內(nèi)形成填充滿所述凹槽的浮柵，所述浮柵覆蓋所述側(cè)墻和所述隧穿介質(zhì)層。所述形成方法形成的閃存可靠性提高。
【專利說明】
閃存的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種閃存的形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 快閃存儲器（Flash)，又稱為閃存，已經(jīng)成為非揮發(fā)性存儲器的主流。根據(jù)結(jié)構(gòu)不 同，閃存可分為或非閃存（NOR Flash)和與非閃存（NAND Flash)兩種?；蚍情W存因為讀取 速度快，適合于手機或主板等需要記錄系統(tǒng)編碼的應(yīng)用。而與非閃存因為高密度及高寫入 速度，特別適合多媒體資料存儲。
[0003] 閃存另一種分類方式可分為浮柵結(jié)構(gòu)閃存（floating gate Flash)和電荷能陷存 儲結(jié)構(gòu)閃存（CTF，charge-trapping Flash)兩類。對于浮柵結(jié)構(gòu)閃存，由于浮柵的存在，使 閃存可W完成信息的讀、寫、擦除，即便在沒有電源供給的情況下，浮柵的存在可W保持存 儲數(shù)據(jù)的完整性。
[0004] 然而，現(xiàn)有閃存的形成方法所形成的閃存存在可靠性問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明解決的問題是提供一種閃存的形成方法，W提高閃存的可靠性。
[0006] 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種閃存的形成方法，包括：
[0007] 提供半導(dǎo)體襯底；
[0008] 在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個分立的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰兩個所述淺溝槽隔離 結(jié)構(gòu)之間為凹槽；
[0009] 在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻；
[0010] 在所述凹槽的底部形成隧穿介質(zhì)層；
[0011] 在所述凹槽內(nèi)形成填充滿所述凹槽的浮柵，所述浮柵覆蓋所述側(cè)墻和所述隧穿介 質(zhì)層。 陽01引可選的，所述側(cè)墻的厚度范圍為50 A~200人。
[0013] 可選的，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成所述側(cè)墻后，且在形成所述隧穿介質(zhì)層 前，還包括對所述凹槽的清洗步驟。
[0014] 可選的，形成所述側(cè)墻包括W下步驟：
[0015] 所述凹槽的底部和側(cè)壁W及所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上表面形成側(cè)墻材料層；
[0016] 采用干法刻蝕工藝回刻蝕所述側(cè)墻材料層，剩余位于凹槽側(cè)壁的所述側(cè)墻材料層 保留為所述側(cè)墻。 陽017] 可選的，所述側(cè)墻材料層的材料為多晶娃。
[0018] 可選的，在形成所述凹槽后，且在形成所述隧穿介質(zhì)層前，還包括：
[0019] 所述半導(dǎo)體襯底包括核屯、區(qū)域和周邊區(qū)域，在所述核屯、區(qū)域和所述周邊區(qū)域的所 述半導(dǎo)體襯底上形成第一柵介質(zhì)層.
[0020] 去除位于所述核屯、區(qū)域中的第一柵介質(zhì)層。
[0021] 可選的，在形成所述第一柵介質(zhì)層前，還包括對所述半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟。
[0022] 可選的，在形成所述第一柵介質(zhì)層和形成所述隧穿介質(zhì)層過程中，同時氧化所述 偵Ij墻。
[0023] 可選的，在形成所述第一柵介質(zhì)層或形成所述隧穿介質(zhì)層過程中，同時氧化所述 偵Ij墻。
[0024] 可選的，在形成所述隧穿介質(zhì)層后，采用爐管氧化工藝氧化所述側(cè)墻。
[0025] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有W下優(yōu)點：
[00%] 本發(fā)明的技術(shù)方案中，在形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之后，在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成 側(cè)墻，側(cè)墻可W在后續(xù)的多個清洗和刻蝕步驟中保護淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，從而防止凹槽的形 貌發(fā)生不利的變化，從而保證后續(xù)形成的浮柵易于填充在凹槽中，并且防止所形成的浮柵 內(nèi)部出現(xiàn)空桐，從而提高所形成的閃存的可靠性。
[0027] 進一步，側(cè)墻的厚度范圍可W為50A~200A。側(cè)墻需要具有一定的厚度，W起到相 應(yīng)的保護作用。為此，設(shè)置側(cè)墻的厚度在5化4 W上，W滿足在后續(xù)相應(yīng)工藝過程起到保護淺 溝槽隔離結(jié)構(gòu)的作用。然而，如果側(cè)墻的厚度太大，會造成凹槽的寬度太小，不利于后續(xù)浮 柵填充在凹槽中。因此，需要將側(cè)墻的厚度控制在200A W下，從而保證后續(xù)浮柵能夠較好 地填充在凹槽中，并且防止浮柵內(nèi)部出現(xiàn)空桐。
【附圖說明】
[0028] 圖1至圖2是現(xiàn)有閃存的形成方法各步驟對應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖3至圖10是本發(fā)明實施例所提供的閃存的形成方法各步驟對應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0030] 正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有閃存的形成方法易造成浮柵內(nèi)部存在空桐，從而影響閃 存的可靠性。
[0031] 圖1至圖2示出了現(xiàn)有閃存的形成方法各步驟對應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032] 請參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100,所述半導(dǎo)體襯底100包括核屯、區(qū)域和周邊區(qū)域， 圖1僅顯示了半導(dǎo)體襯底100的核屯、區(qū)域，周邊區(qū)域未示出。在半導(dǎo)體襯底100中形成多 個分立的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101，相鄰兩個所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101之間為凹槽1011。
[0033] 請繼續(xù)參考圖1，在所述凹槽1011的底部形成隧穿介質(zhì)層102。
[0034] 請參考圖2,在凹槽1011內(nèi)形成填充滿所述凹槽1011的浮柵103,所述浮柵103 覆蓋隧穿介質(zhì)層102。
[00對然而，由于圖1中的凹槽1011經(jīng)歷了隧穿介質(zhì)層102形成前的清洗工藝，并且通 常還經(jīng)歷高壓柵介質(zhì)層（未示出）的形成和去除工藝，即：在形成位于周邊區(qū)域的高壓柵介 質(zhì)層時，通常會在圖1所示的核屯、區(qū)域的半導(dǎo)體襯底100表面同時形成高壓柵介質(zhì)層，然后 再重新去除核屯、區(qū)域上的高壓柵介質(zhì)層，保留位于周邊區(qū)域的高壓柵介質(zhì)層。所述高壓柵 介質(zhì)層的形成和去除工藝會進一步對凹槽1011側(cè)壁的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101造成損傷，從而 形成倒錐形的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)101頂部，如圖2中虛線框104包圍部分所示，亦即此時凹槽 的側(cè)壁向兩側(cè)凹陷。運種具有凹陷側(cè)壁的凹槽不利于后續(xù)浮柵103的填充，由于浮柵材料 層需要先填充相應(yīng)的凹陷，因此在浮柵103填充所述凹槽后，浮柵103的內(nèi)部極易出現(xiàn)空桐 105,如圖2所示。而一旦浮柵103內(nèi)部出現(xiàn)空桐105,就容易導(dǎo)致相鄰浮柵之間的串?dāng)_或者 浮柵出現(xiàn)漏電流現(xiàn)象，降低了閃存的可靠性。
[0036] 為此，本發(fā)明提供一種新閃存的形成方法，所述方法在形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之后， 在相鄰淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)側(cè)壁形成側(cè)墻，側(cè)墻可W在后續(xù)的多個清洗和刻蝕步驟中保護淺溝 槽隔離結(jié)構(gòu)，從而防止凹槽的形貌發(fā)生不利的變化，從而保證后續(xù)形成的浮柵易于填充在 凹槽中，并且防止所形成的浮柵內(nèi)部出現(xiàn)空桐，從而防止相鄰浮柵之間的串?dāng)_或者浮柵出 現(xiàn)漏電流現(xiàn)象，從而提高所形成的閃存的可靠性。
[0037] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實施例做詳細的說明。
[0038] 本發(fā)明實施例提供一種閃存的形成方法，請結(jié)合參考圖3至圖10。
[0039] 請參考圖3,提供半導(dǎo)體襯底200,半導(dǎo)體襯底200包括核屯、區(qū)域和周邊區(qū)域。圖3 僅顯示了半導(dǎo)體襯底200的核屯、區(qū)域，周邊區(qū)域未示出。在半導(dǎo)體襯底200中形成多個分 立的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201，相鄰兩個淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201之間為凹槽2021。
[0040] 本實施例中，半導(dǎo)體襯底200為娃襯底。在本發(fā)明的其它實施例中，半導(dǎo)體襯底 200也可W為錯娃襯底、III- V族元素化合物襯底、碳化娃襯底或其疊層結(jié)構(gòu)襯底，或絕緣 體上娃襯底，還可W是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他合適的半導(dǎo)體材料襯底。
[0041] 本實施例中，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201的頂部高于半導(dǎo)體襯底200,或者說，將淺溝槽 隔離結(jié)構(gòu)201中高出半導(dǎo)體襯底200約I(K)A W上的部分稱為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201的頂部。
[0042] 本實施例中，形成各淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201的形成過程可W為：在半導(dǎo)體襯底200上 形成墊氧化層202和圖案化的硬掩膜層（未示出），其中，可W采用光刻膠對硬掩膜層進行 圖案化；然后，W所述圖案化的硬掩膜層為掩模刻蝕所述墊氧化層202和半導(dǎo)體襯底200， 從而形成多個淺溝槽（未示出）；而后在所述淺溝槽內(nèi)填充絕緣材料（所述絕緣材料可W 為氧化娃），并進行平坦化處理，從而形成上表面與所述硬掩膜層上表面齊平的各淺溝槽隔 離結(jié)構(gòu)201 ;之后可W去除所述硬掩膜層。其中，所述硬掩膜層的材料可W為氮化娃，墊氧 化層202的材料可W為氧化娃。去除所述硬掩膜層后，各淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201之間存在圖 3所示凹槽2021。 陽043] 請結(jié)合參考圖4和圖5,在圖3所示淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201兩側(cè)形成側(cè)墻204。
[0044] 具體的，在圖3所示的凹槽2021的底部和側(cè)壁W及淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201上表面形 成側(cè)墻材料層203,再采用干法刻蝕工藝回刻蝕側(cè)墻材料層203,剩余位于凹槽2021側(cè)壁的 側(cè)墻材料層203保留為側(cè)墻204,即在淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201兩側(cè)形成側(cè)墻204。
[0045] 本實施例中，側(cè)墻材料層203的材料可W為多晶娃。側(cè)墻材料層203需要與淺溝 槽隔離結(jié)構(gòu)201具有較大的刻蝕選擇比，W防止在刻蝕側(cè)墻材料層203時，對淺溝槽隔離結(jié) 構(gòu)201也造成破壞，因此，側(cè)墻材料層203通常選擇與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201不同的材料。而 多晶娃滿足形成工藝成熟，并且與氧化娃（淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201的材料主要為氧化娃）之 間能夠存在較大的刻蝕選擇比的條件，因此，側(cè)墻材料層203的材料可W選擇多晶娃。
[0046] 本實施例中，所述干法刻蝕工藝采用的氣體可W為皿r、Clz和肥1的其中一種或 多種。干法刻蝕工藝是一種各向異性刻蝕工藝。因此，采用干法刻蝕工藝能夠使位于淺溝槽 隔離結(jié)構(gòu)201上表面及凹槽2021底部的側(cè)墻材料層203被刻蝕去除，而保留位于凹槽2021 側(cè)壁的側(cè)墻材料層203作為側(cè)墻204。同時，皿r、Cl2和HCl對多晶娃和氧化娃的刻蝕選擇 比較高，可W在對多晶娃快速刻蝕的同時，保證氧化娃不被刻蝕損傷。
[0047] 本實施例中，側(cè)墻204的厚度范圍可W為50A~200A。形成側(cè)墻204是了為防止 后續(xù)工藝（包括第一柵介質(zhì)層形成前的清洗工藝和隧穿介質(zhì)層形成前的清洗工藝等）對凹 槽2021的側(cè)壁造成損害，因此，側(cè)墻204需要具有一定的厚度，W起到相應(yīng)的保護作用。為 此，設(shè)置側(cè)墻204的厚度在50A W上，W滿足在后續(xù)相應(yīng)工藝過程起到保護淺溝槽隔離結(jié) 構(gòu)201的作用。然而，如果側(cè)墻204的厚度太大，會造成凹槽2021的寬度太小，不利于后續(xù) 浮柵填充在凹槽2021中。因此，需要將側(cè)墻204的厚度控制在200A W下，從而保證后續(xù)浮 柵能夠較好地填充在凹槽2021中，并且防止浮柵內(nèi)部出現(xiàn)空桐。
[0048] 請參考圖6,在核屯、區(qū)域和周邊區(qū)域的半導(dǎo)體襯底200上形成第一柵介質(zhì)層（未示 出），并去除位于核屯、區(qū)域中的第一柵介質(zhì)層。由于圖6示出的是半導(dǎo)體襯底200的核屯、區(qū) 域，因此，第一柵介質(zhì)層未在各圖中顯示。具體的，在工藝過程中，是在圖6所示凹槽2021 的底部形成所述第一柵介質(zhì)層，然后又采用去除工藝去除所述第一柵介質(zhì)層。
[0049] 第一柵介質(zhì)層通常為高壓柵介質(zhì)層，運是因為第一柵介質(zhì)層通常用于周邊區(qū)域的 器件中，而周邊區(qū)域的器件所采用的柵極電極較高。
[0050] 需要說明的是，在圖6所示凹槽2021的底部形成所述第一柵介質(zhì)層之前，通常還 包括對凹槽2021的清洗步驟。如果沒有形成側(cè)墻204,所述清洗步驟會對凹槽2021兩側(cè)的 淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201造成侵蝕，導(dǎo)致凹槽2021側(cè)壁向兩側(cè)凹陷。但是，由于本實施例中，形 成了側(cè)墻204,側(cè)墻204能夠在所述清洗步驟中保護淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201不受清洗工藝的影 響，從而保證凹槽2021的形貌良好。
[0051] 需要說明的是，在圖6所示凹槽2021的底部形成所述第一柵介質(zhì)層之前，通常還 包括去除凹槽2021的底部的墊氧化層202的步驟。如果沒有形成側(cè)墻204,所述去除凹槽 2021底部墊氧化層202的步驟會對凹槽2021兩側(cè)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201造成侵蝕，導(dǎo)致凹 槽2021側(cè)壁向兩側(cè)凹陷。但是，由于本實施例中，形成了側(cè)墻204,側(cè)墻204能夠在所述去 除步驟中保護淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201不受相應(yīng)刻蝕工藝的影響，從而保證凹槽2021的形貌良 好。
[0052] 本實施例中，具體可W采用爐管氧化工藝形成所述第一柵介質(zhì)層，采用爐管氧化 工藝形成所述第一柵介質(zhì)層還能夠同時對多晶娃材料的側(cè)墻204進行一定的氧化作用，達 到節(jié)省工藝時間的效果。并且，當(dāng)形成第一柵介質(zhì)層的爐管氧化工藝的氧化時間足夠時，可 W直接在形成所述第一柵介質(zhì)層的過程中，同時氧化側(cè)墻204,使側(cè)墻204的材料由多晶娃 全部轉(zhuǎn)化為氧化娃。
[0053] 需要說明的是，在本發(fā)明的其它實施例中，也可W采用高溫?zé)嵫趸ㄐ纬伤龅?一柵介質(zhì)層。
[0054] 請繼續(xù)參考圖6,在去除所述第一柵介質(zhì)層之后（此時凹槽2021底部的墊氧化層 202已經(jīng)被去除），在凹槽2021底部形成隧穿介質(zhì)層202曰。 陽化5] 同樣的，形成隧穿介質(zhì)層202a之前，通常需要對凹槽2021進行清洗的步驟。如果 沒有形成側(cè)墻204,所述清洗步驟會對凹槽2021兩側(cè)的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201造成侵蝕，導(dǎo) 致凹槽2021側(cè)壁向兩側(cè)凹陷。但是，由于本實施例中，形成了側(cè)墻204,側(cè)墻204能夠在所 述清洗步驟中保護淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201不受清洗工藝的影響，從而保證凹槽2021的形貌良 好。
[0056] 本實施例中，隧穿介質(zhì)層202a的材料可W為氧化娃。隧穿介質(zhì)層202a的厚度可 W 為 50A ~150A。
[0057] 在上述清洗步驟之后，可W采用爐管氧化工藝形成隧穿介質(zhì)層202a。采用爐管氧 化工藝形成隧穿介質(zhì)層202a還能夠同時對側(cè)墻204進行進一步的氧化作用，達到節(jié)省工藝 時間的效果。并且，當(dāng)形成隧穿介質(zhì)層202a的爐管氧化工藝的氧化時間足夠時，可W直接 在形成隧穿介質(zhì)層202a的過程中，同時氧化側(cè)墻204,從而使側(cè)墻204被完全氧化。
[0058] 需要說明的是，在本發(fā)明的其它實施例中，也可W采用高溫?zé)嵫趸ㄐ纬伤泶┙?質(zhì)層202曰。
[0059] 當(dāng)形成第一柵介質(zhì)層和形成隧穿介質(zhì)層202a的過程中，未對側(cè)墻204進行氧化時 (例如第一柵介質(zhì)層和形成柵介質(zhì)層均采用沉積方法形成時），或者未完全氧化側(cè)墻204中 的多晶娃時，可W單獨采用爐管氧化工藝對側(cè)墻204進行氧化，從而形成側(cè)墻205。
[0060] 前面提到，本發(fā)明中，或者在形成第一柵介質(zhì)層和形成隧穿介質(zhì)層202a的兩個步 驟中氧化側(cè)墻204, W形成氧化娃的側(cè)墻205,或者在形成第一柵介質(zhì)層和形成隧穿介質(zhì)層 202a的其中一個步驟中氧化側(cè)墻204, W形成氧化娃的側(cè)墻205,再或者在形成第一柵介 質(zhì)層和形成隧穿介質(zhì)層202a的兩個步驟之后，單獨采用氧化工藝氧化側(cè)墻204, W形成氧 化娃的側(cè)墻205。運是為了保證使多晶娃材料的側(cè)墻204全部氧化成為氧化娃材料的側(cè)墻 205,從而使得側(cè)墻205可W在后續(xù)去除淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201頂部時一并被去除，進而避免 側(cè)墻205對閃存結(jié)構(gòu)造成任何影響。
[0061] 請參考圖7,在凹槽2021內(nèi)形成填充滿凹槽2021的浮柵206,浮柵206覆蓋側(cè)墻 205和隧穿介質(zhì)層202曰。
[0062] 本實施例中，浮柵206的材料可W為多晶娃。浮柵206的形成過程可W為：形成浮 柵材料層（未示出）填充凹槽2021，并且浮柵材料層覆蓋在各淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201上表面， 即在各淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201和各隧穿介質(zhì)層202a上形成浮柵材料層；然后，可W采用化學(xué) 機械研磨工藝對所述浮柵材料層進行平坦化，從而形成上表面與各溝槽隔離結(jié)構(gòu)上表面齊 平的浮柵206。
[0063] 請參考圖8,去除淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201的頂部，形成溝槽207。在此步驟中，側(cè)墻 205也會被同時去除，因為側(cè)墻205已經(jīng)變成氧化娃，與淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201的材質(zhì)相同。 W64] 本實施例中，可W采用濕法刻蝕工藝，去除淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201的頂部。所述濕法 刻蝕工藝采用的溶液可W為氨氣酸（HF)。氨氣酸的濕法刻蝕工藝對各淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201 的刻蝕均一性比較好，形成的各溝槽207深度大小較為均一。 陽0化]需要說明的是，在本發(fā)明的其它實施例中，也可W采用其它方法去除淺溝槽隔離 結(jié)構(gòu)201的頂部，例如采用緩沖氧化娃刻蝕工藝度犯）或者干法刻蝕。
[0066] 請參考圖9,在溝槽207的底部和側(cè)壁W及浮柵206上表面形成柵介質(zhì)層208。 陽067] 本實施例中，柵介質(zhì)層208的材料可W為氧化娃層或者是氮化娃-氧化娃-氮化 石圭（oxide-nitride-oxide，0N0)層。
[0068] 請參考圖10,在柵介質(zhì)層208上形成控制柵209,控制柵209填充滿溝槽207。 W例本實施例中，控制柵209的材料可W為多晶娃。
[0070] 圖中雖未顯示，但是，在形成控制柵209之后，還可W在半導(dǎo)體襯底200 (有源區(qū)） 上形成相應(yīng)的源區(qū)和漏區(qū)，W形成完整的閃存。 陽071] 本實施例所提供的閃存的形成方法中，在形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201之后，在相鄰 淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201構(gòu)成的凹槽2021側(cè)壁形成側(cè)墻204,側(cè)墻204可W在后續(xù)的多個清洗 和刻蝕步驟中保護淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201，從而防止凹槽2021的形貌發(fā)生不利的變化，從而 保證后續(xù)形成的浮柵206易于填充在凹槽2021中，并且防止所形成的浮柵206內(nèi)部出現(xiàn)空 桐，從而提高所形成的閃存的可靠性。并且在浮柵206形成之前，將多晶娃材料的側(cè)墻204 氧化成氧化娃材料的側(cè)墻205,從而使得側(cè)墻205在隨后去除淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)201頂部時一 并被去除，W防止對閃存的結(jié)構(gòu)造成不利影響。
[0072] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)W權(quán)利要求所 限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1. 一種閃存的形成方法，其特征在于，包括： 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底中形成多個分立的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，相鄰兩個所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu) 之間為凹槽； 在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻； 在所述凹槽的底部形成隧穿介質(zhì)層； 在所述凹槽內(nèi)形成填充滿所述凹槽的浮柵，所述浮柵覆蓋所述側(cè)墻和所述隧穿介質(zhì) 層。2. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的厚度范圍為50A、-200A。3. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成所述 側(cè)墻后，且在形成所述隧穿介質(zhì)層前，還包括對所述凹槽的清洗步驟。4. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述側(cè)墻包括以下步驟： 所述凹槽的底部和側(cè)壁以及所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)上表面形成側(cè)墻材料層； 采用干法刻蝕工藝回刻蝕所述側(cè)墻材料層，剩余位于凹槽側(cè)壁的所述側(cè)墻材料層保留 為所述側(cè)墻。5. 如權(quán)利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻材料層的材料為多晶硅。6. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述凹槽后，且在形成所述隧穿 介質(zhì)層前，還包括： 所述半導(dǎo)體襯底包括核心區(qū)域和周邊區(qū)域，在所述核心區(qū)域和所述周邊區(qū)域的所述半 導(dǎo)體襯底上形成第一柵介質(zhì)層； 去除位于所述核心區(qū)域中的第一柵介質(zhì)層。7. 如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一柵介質(zhì)層前，還包括對 所述半導(dǎo)體襯底進行清洗的步驟。8. 如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一柵介質(zhì)層和形成所述 隧穿介質(zhì)層過程中，同時氧化所述側(cè)墻。9. 如權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一柵介質(zhì)層或形成所述 隧穿介質(zhì)層過程中，同時氧化所述側(cè)墻。10. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述隧穿介質(zhì)層后，采用爐管 氧化工藝氧化所述側(cè)墻。
【文檔編號】H01L21/8247GK105826270SQ201510007252
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2015年1月7日
【發(fā)明人】陳建奇
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司