雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，包括芯片、與芯片連接的引腳以及包裹在芯片外部的保護層，所述的芯片與保護層之間設置有防水層；所述的防水層包封整個芯片表面。本發(fā)明在極薄(0.005mm)的情況下具備超強的防水性能，不增加產品大?。磺乙虿捎门c芯片同種膨脹系數的陶瓷粉末，該電子組件表面保護材料可以穩(wěn)定與芯片保持相同的收縮比，并且在波峰焊接過程中不會發(fā)生變形、龜裂，可持久的阻絕水汽進入，藉此使電子組件達到防水汽、抗酸堿的功效。
【專利說明】
雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器
技術領域
[0001] 本發(fā)明設及一種負溫度系數熱敏電阻器，尤其是一種雙層樹脂包封防水型負溫度 熱敏電阻器。
【背景技術】
[0002] 樹脂包封型負溫度熱敏電阻器，在家電、醫(yī)用、等領域有廣泛應用。其靈敏度高、體 積小、價格低廉、反應迅速，使用方便，不必考慮引入引線電阻和接線方式，且功率小、可靠 性高，已成為家電行業(yè)溫度傳感器的主流。其具備制造工藝簡單、價格低廉、應用廣泛等眾 多優(yōu)點，在溫度感知、量測方面起著不可替代的作用。但是同時因其結構、組成的限制，隔絕 水汽能力較弱，會有因電極(銀)遷移造成產品失效的風險。
[0003] 所謂的銀遷移(migration)，是指金屬銀電極等在電流、電壓存在時，與各種絕緣 材料接合情況下，因為絕緣材料的吸濕或者伴隨著水的吸付，導致金屬銀于該表面或者內 部產生移行現象.由于運種現象，其最終將產生絕緣不良的異常，更有可能產生整個系統(tǒng)的 致命性破壞。因此，隨著電子組件的小型化的同時，電極間距離也跟著減少，如何降低因遷 移現象使性能降低或失效將是重要的課題。

【發(fā)明內容】

[0004] 本發(fā)明要解決的技術問題是：提出一種雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器， 通過涂裝材料優(yōu)化解決銀遷移等問題。
[0005] 本發(fā)明所采用的技術方案為:一種雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，包括 忍片、與忍片連接的引腳W及包裹在忍片外部的保護層，所述的忍片與保護層之間設置有 防水層;所述的防水層包封整個忍片表面。
[0006] 進一步的說，本發(fā)明所述的防水層由防水膠體材料中添加有機粘合劑W及與忍片 陶瓷成分相同的陶瓷粉末混合而成;所述的防水膠體材料占總重的89~93%;有機粘合劑 占總重的2~6 %;陶瓷粉末占總重的3~7 %。
[0007] 再進一步的說，本發(fā)明所述的防水膠體材料由亞克力樹脂粉和固化劑按照3:1比 例配制;所述的有機粘合劑有松油醇、流平劑、分散劑按照3:1:1比例配制;所述的陶瓷粉末 由過渡態(tài)金屬元素氧化物組成的兩種或多種陶瓷混合而成;總粒徑為0.1~10WI1。
[000引再進一步的說，本發(fā)明所述的防水層的制備工藝為：
[0009] 1)配料:按照忍片陶瓷的成分配制粉料，得到金屬氧化物的混合物；
[0010] 2)磨細:將配好的粉料，采用酒精作為介質球磨，磨細成D50 = 0.4wii漿料；
[0011] 3)烘干、粉碎:采用35°C對漿料緩慢烘干處理、粉碎、2000目過篩；
[0012] 4)成瓷:采用實際溫度1290~1310°C燒結成瓷；
[OOU] 5)磨細:采用酒精作為介質球磨，磨細成D50 = 0.1~10皿的漿料；
[0014] 6)烘干、粉碎:對漿料緩慢烘干處理、粉碎、1000目過篩；
[0015] 7)制膠:按照比例將亞克力樹脂粉、溶劑、瓷粉混合制作成防水層。
[0016] 再進一步的說，本發(fā)明所述的保護層為環(huán)氧樹脂或娃樹脂。
[0017] 本發(fā)明的有益效果是:在極薄(0.005mm)的情況下具備超強的防水性能，不增加產 品大小;且因采用與忍片同種膨脹系數的陶瓷粉末，該電子組件表面保護材料可W穩(wěn)定與 忍片保持相同的收縮比，并且在波峰焊接過程中不會發(fā)生變形、龜裂，可持久的阻絕水汽進 入，藉此使電子組件達到防水汽、抗酸堿的功效。
【附圖說明】
[0018] 下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
[0019] 圖1是本發(fā)明的結構示意圖；
[0020] 圖中：1、忍片;2、引腳;3、保護層;4、防水層。
【具體實施方式】
[0021] 現在結合附圖和優(yōu)選實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明。運些附圖均為簡化的 示意圖，僅W示意方式說明本發(fā)明的基本結構，因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。
[0022] 如圖1所示，一種雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，包括忍片1、與忍片1連 接的引腳2W及包裹在忍片外部的保護層3,保護層為環(huán)氧樹脂或娃樹脂，具備一定強度、初 性。忍片與保護層之間設置有防水層4;防水層包封整個忍片表面。其生產流程是： 忍片制備^焊接^樹脂包封防水層制備^包封內層新型自制樹脂包封防水層、固化^ 包封外層絕緣樹脂^制成成品
[0023] 防水層4由防水膠體材料中添加有機粘合劑W及與忍片陶瓷成分相同的陶瓷粉末 混合而成;所述的防水膠體材料占總重的89~93%;有機粘合劑占總重的2~6%;陶瓷粉末 占總重的3~7%。其不僅具備良好的防水性(其主體防水膠作用），還因其添加陶瓷粉末形 成收縮率、膨脹系數與忍片無限接近，造成其經過回流焊、浸焊機等不易變形、龜裂，長久維 持防水穩(wěn)定性。
[0024] 防水膠體材料由亞克力樹脂粉和固化劑按照3:1比例配制;所述的有機粘合劑有 松油醇、流平劑、分散劑按照3:1:1比例配制;所述的陶瓷粉末由過渡態(tài)金屬元素氧化物組 成的兩種或多種陶瓷混合而成;總粒徑為0.1~10皿。
[0025] 防水層比重共設計四種，如下表：
[0026]
[0027] 防水層的制備工藝為：
[0028] 1)配料:按照忍片陶瓷的成分配制粉料，得到金屬氧化物的混合物；
[0029] 2)磨細:將配好的粉料，采用酒精作為介質球磨，磨細成D50 = 0.4wii漿料；
[0030] 3)烘干、粉碎:采用35°C對漿料緩慢烘干處理、粉碎、2000目過篩；
[0031] 4)成瓷:采用實際溫度1290~131(TC燒結成瓷；
[0032] 5)磨細:采用酒精作為介質球磨，磨細成D50 = 0.1~10皿的漿料；
[0033] 6)烘干、粉碎:對漿料緩慢烘干處理、粉碎、1000目過篩；
[0034] 7)制膠:按照比例將亞克力樹脂粉、溶劑、瓷粉混合制作成防水層。
[0035] 通過涂裝材料優(yōu)化不僅解決了銀遷移問題，而且成本較采用"金(Au)、銷金(Pt)、 鈕(Pd)等金屬電極減弱銀遷移"的成本低35% W上，必將有廣闊的市場空間。
[0036] W上說明書中描述的只是本發(fā)明的【具體實施方式】，各種舉例說明不對本發(fā)明的實 質內容構成限制，所屬技術領域的普通技術人員在閱讀了說明書后可W對W前所述的具體 實施方式做修改或變形，而不背離本發(fā)明的實質和范圍。
【主權項】
1. 一種雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，包括芯片、與芯片連接的引腳以及包 裹在芯片外部的保護層，其特征在于:所述的芯片與保護層之間設置有防水層;所述的防水 層包封整個芯片表面。2. 如權利要求1所述的雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，其特征在于:所述的防 水層由防水膠體材料中添加有機粘合劑以及與芯片陶瓷成分相同的陶瓷粉末混合而成;所 述的防水膠體材料占總重的89~93 % ;有機粘合劑占總重的2~6 % ;陶瓷粉末占總重的3~ 7%。3. 如權利要求2所述的雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，其特征在于:所述的防 水膠體材料由亞克力樹脂粉和固化劑按照3:1比例配制;所述的有機粘合劑有松油醇、流平 劑、分散劑按照3:1:1比例配制;所述的陶瓷粉末由過渡態(tài)金屬元素氧化物組成的兩種或多 種陶瓷混合而成;總粒徑為〇. 1~?〇μπι。4. 如權利要求3所述的雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，其特征在于:所述的防 水層的制備工藝為： 1) 配料:按照芯片陶瓷的成分配制粉料，得到金屬氧化物的混合物； 2) 磨細:將配好的粉料，采用酒精作為介質球磨，磨細成D50 = 0.4ym衆(zhòng)料； 3) 烘干、粉碎:采用35 °C對漿料緩慢烘干處理、粉碎、2000目過篩； 4) 成瓷:采用實際溫度1290~1310°C燒結成瓷； 5) 磨細:采用酒精作為介質球磨，磨細成D50 = 0.1~ΙΟμπι的漿料； 6) 烘干、粉碎:對漿料緩慢烘干處理、粉碎、1000目過篩； 7) 制膠:按照比例將亞克力樹脂粉、溶劑、瓷粉混合制作成防水層。5. 如權利要求1所述的雙層樹脂包封防水型負溫度熱敏電阻器，其特征在于:所述的保 護層為環(huán)氧樹脂或硅樹脂。
【文檔編號】H01C1/024GK105845298SQ201610300724
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年5月9日
【發(fā)明人】張平, 張一平
【申請人】興勤（常州）電子有限公司