集成電路陣列和用于制造集成電路陣列的方法
【專利摘要】公開了一種集成電路陣列，尤其是用于諸如超聲成像系統(tǒng)的二維傳感器陣列。所述集成電路陣列(10)包括：多個(gè)集成電路元件(12)，其每一個(gè)被形成在基板(14)中，其中，所述基板彼此分離。所述陣列包括柔性和/或可伸展連接層(22)，其被連接到所述集成電路元件用于將所述集成電路元件彼此柔性連接。所述陣列還包括多個(gè)電互連(18)，用于將所述集成電路元件彼此電連接，其中，所述電互連與所述集成電路元件的集成互連整體地形成為金屬線。
【專利說明】
集成電路陣列和用于制造集成電路陣列的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種集成電路陣列，尤其是用于諸如超聲成像系統(tǒng)的二維傳感器陣列，以及制造相應(yīng)的集成電路陣列的方法。本發(fā)明還涉及一種超聲換能器，例如用于血管內(nèi)超聲系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]在二維傳感器陣列領(lǐng)域中，通常已知，通過可彎曲的和/或可伸展的電互連來連接電路和傳感器，以便提供柔性和/或可伸展的傳感器陣列。這種可伸展和/或可彎曲的電路和傳感器在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中具有日益增長的重要性，這是因?yàn)樗鼈兡軌蛞赃@種方式形成或定形:它們與人體匹配，例如圓柱血管內(nèi)超聲換能器或植入式傳感器陣列(如視網(wǎng)膜植入性光學(xué)傳感器)。
[0003]在微創(chuàng)醫(yī)學(xué)儀器的領(lǐng)域中，柔性和可伸展的電路對(duì)于形成高性能傳感器系統(tǒng)是重要的，如能夠被附接到圓柱形或球形儀器上的成像系統(tǒng)。對(duì)于可伸展的電容式微加工超聲換能器(CMUT)陣列，將剛性芯片變薄并圍繞儀器彎曲，這導(dǎo)致?lián)Q能器陣列內(nèi)的機(jī)械應(yīng)力。對(duì)于制造可伸展的CMUT陣列，通常在硅晶片上制造個(gè)體換能器元件，并將其附接到柔性層或襯箔上，并且通過蝕刻處理彼此分離。個(gè)體傳感器設(shè)備通常通過在分離過程步驟中被連接到每個(gè)傳感器的電互連而彼此電連接。用于導(dǎo)管的相應(yīng)電容式微加工超聲換能器陣列例如可以從WO 2012/066477 Al獲知。
[0004]已知的電路陣列和傳感器陣列的缺點(diǎn)在于:完成后處理步驟期間的電互連的連接，使得增加用于制造電路陣列和/或傳感器陣列的技術(shù)工作量。
[0005]根據(jù)WO98/32595，已知一種并入微機(jī)電設(shè)備的柔性皮膚，其中，柔性皮膚包括被封裝到聚酰亞胺薄膜中的硅島，其中，所述硅島是通過經(jīng)由濕蝕刻來將硅晶片蝕刻到期望厚度并經(jīng)由反應(yīng)離子蝕刻從后側(cè)圖案化而形成的。
[0006]根據(jù)US 2006/0255433 Al，已知一種包含半導(dǎo)體的柔性皮膚，其適于在智能紡織品應(yīng)用中使用，包括金屬層、絕緣層以及夾在第一柔性聚合物層與第二柔性聚合物層之間的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體島。
[0007]根據(jù)J.Chen 在2010年2月 I 曰的Journal of Micromechanics andmicroengineering，Vol.20，N0.2 中第 23001 頁的 “Topical Review； Capacitivemicromachined ultrasonic transducer arrays for minimally invasive medicalultrasound”，可獲知一種平面單片式CMUT陣列的組件，其中，成像板通過與換能器整體制造的柔性電介質(zhì)膜而被彼此連接。根據(jù)EP I 883 107 A2，已知一種封裝的微電子設(shè)備，其包括至少一個(gè)電極，所述電極包括被嵌入封包的芯片，其中所述芯片通過柔性電互連而被彼此連接。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是提供一種改善的柔性或可伸展的集成電路陣列，其能夠以較低的技術(shù)工作量來制造。本發(fā)明的另一目的在于提供一種用于以較低技術(shù)工作量來制造集成電路的柔性和/或可伸展陣列的改善方法。本發(fā)明的最后的目的是提供一種可以以較低技術(shù)工作量制造的柔性和/或可伸展的超聲換能器組件。
[0009]在本發(fā)明的第一方面，提供一種集成電路陣列，尤其是用于諸如超聲成像系統(tǒng)的二維傳感器陣列，所述集成電路陣列包括:
[0010]-多個(gè)集成電路元件，每個(gè)集成電路元件被形成在基板部分中，其中，所述基板部分彼此分尚，
[0011]-柔性和/或可伸展的連接層，其耦合到所述集成電路元件用于將所述集成電路元件彼此柔性連接，以及
[0012]-多個(gè)電互連，用于將所述集成電路元件彼此電耦合，其中，所述電互連與所述集成電路元件的集成互連整體地被形成為金屬線。
[0013]在本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造集成電路的陣列的方法，尤其是用于諸如超聲成像系統(tǒng)的二維傳感器陣列，所述方法包括以下步驟:
[0014]-提供基板，所述基板包括通過被形成為集成金屬線的電互連而被彼此電耦合的多個(gè)集成電路元件；
[0015]-暴露所述電互連；
[0016]-將柔性和/或可伸展的連接層耦合到與所述電互連分離的所述集成電路元件，以提供所述集成電路元件之間的柔性連接;以及
[0017]-機(jī)械地使包括所述集成電路元件的基板部分彼此分離，使得所述集成電路元件通過所述柔性連接層而被柔性地連接。
[0018]在本發(fā)明的另一方面，提供一種超聲換能器，例如用于血管內(nèi)超聲系統(tǒng)，所述超聲換能器包括:換能器陣列，所述換能器陣列包括多個(gè)超聲換能器元件，用于發(fā)出和/或接收超聲波；以及，根據(jù)本發(fā)明的集成電路陣列，用于驅(qū)動(dòng)所述換能器元件。
[0019]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例被定義在從屬權(quán)利要求中。應(yīng)當(dāng)理解，所要求保護(hù)的方法具有與所要求保護(hù)的設(shè)備以及從屬權(quán)利要求中限定的類似和/或相同的優(yōu)選實(shí)施例。
[0020]本發(fā)明基于這樣的想法:使用集成互連將分離的集成電路彼此電連接，以將集成電路柔性地彼此連接。在IC過程中，集成互連與集成電路一起被形成為集成金屬線，并且當(dāng)基板部分彼此分離時(shí)暴露所述集成互連。由于在IC過程期間已經(jīng)處理了電互連，因此能夠省略在連接到柔性連接層之后在后處理中集成電路的電連接。因此，能夠減少用于制造集成電路陣列的制造工作量。根據(jù)本發(fā)明，術(shù)語“柔性”意味著集成電路在任意方向可以相對(duì)彼此移動(dòng)，例如，可以相對(duì)彼此彎曲和/或伸展。在制造過程期間，電互連可以部分或全部暴Mo
[0021]在優(yōu)選實(shí)施例中，電互連與連接層分離。這可以用較低的技術(shù)工作量在集成電路元件之間形成可彎曲和可伸展的電連接。
[0022]在優(yōu)選實(shí)施例中，電互連通過隔離層彼此電隔離。這可以簡單地提供彼此相距較短距離的多個(gè)電互連，同時(shí)確保集成電路元件的電功能。
[0023]在另一優(yōu)選實(shí)施例中，隔離層包括聚對(duì)二甲苯(parylene)層。這可以以較低技術(shù)工作量向電互連施加均勻的無針孔隔離層，所述電互連還是可生物相容的，從而集成電路陣列能夠用于醫(yī)學(xué)應(yīng)用。
[0024]在另一實(shí)施例中，隔離層是原子層沉積所沉積的層。
[0025]在優(yōu)選實(shí)施例中，集成電路元件中的每一個(gè)被連接到傳感器元件，用于檢測測量值。這可以簡單地提供具有較小尺寸的二維測量陣列，例如用于血管內(nèi)應(yīng)用，這是因?yàn)榧呻娐吩軌蛴糜隍?qū)動(dòng)傳感器元件并用于評(píng)估所檢測到的測量值。
[0026]在另一優(yōu)選實(shí)施例中，傳感器元件是超聲換能器元件，用于發(fā)出和/或接收超聲波。這可以提供柔性和/或可伸展的超聲換能器陣列，例如用于血管內(nèi)超聲系統(tǒng)，其能夠適用于例如圓柱或球形儀器。
[0027]在另一優(yōu)選實(shí)施例中，電互連被形成為亞微米金屬線。這可以在具有減小尺寸的集成電路元件之間實(shí)現(xiàn)高速或大容量的數(shù)據(jù)連接，因?yàn)樵诩呻娐吩g能夠連接多條平行金屬線。
[0028]在優(yōu)選實(shí)施例中，電互連在俯視圖中至少具有分段的彎曲形狀，用于將所述集成電路元件彼此柔性和/或可伸展地連接。這可以在集成電路元件之間實(shí)現(xiàn)可彎曲或可伸展的電連接，從而能夠以高的靈活性將集成電路陣列應(yīng)用到不同表面。
[0029]在優(yōu)選實(shí)施例中，電互連被形成在布置于彼此之上的多個(gè)水平上，其中，不同水平的電互連通過隔離層(尤其是通過氧化物層)彼此至少部分地機(jī)械連接。電互連可以分段地被彼此連接，從而隔離層在電互連之間形成支柱。這可以增加電互連的機(jī)械穩(wěn)定性。
[0030]在方法的優(yōu)選實(shí)施例中，電互連由包括聚對(duì)二甲苯的隔離層所涂布。這可以用可靠的無針孔層以較低技術(shù)工作量彼此隔離電互連，所述電互連是可生物相容的，從而集成電路陣列能夠用于醫(yī)學(xué)應(yīng)用。
[0031]在方法的另一優(yōu)選實(shí)施例中，在連接所述柔性連接層之前，通過可移除的保護(hù)模具嵌入或成型所述互連。這可以避免電互連被集成或附接到柔性和/或可伸展的連接層，使得能夠提供集成電路陣列的可靠的制造方法。
[0032]在優(yōu)選實(shí)施例中，所述保護(hù)模具被移除以暴露所述電互連。這可以提供獨(dú)立的能夠被伸展和彎曲的電互連，從而能夠提供可靠的柔性集成電路陣列。
[0033]在優(yōu)選實(shí)施例中，所述方法還包括以下步驟:將傳感器元件連接到集成電路元件中的每個(gè)，用于檢測測量值。這可以提供具有減小尺寸的二維傳感器陣列，這是因?yàn)榧呻娐吩軌蛴糜隍?qū)動(dòng)傳感器元件并用于評(píng)估測量值。
[0034]在優(yōu)選實(shí)施例中，所述傳感器元件是超聲換能器元件，用于發(fā)出和/或接收超聲波。這可以提供柔性或可伸展的超聲換能器陣列。
[0035]還優(yōu)選的是，通過在與所暴露的互連的位置對(duì)應(yīng)的位置處斷開基板部分，而使得集成電路彼此機(jī)械分離。這可以簡單地使集成電路元件彼此斷開，并提供集成電路的柔性二維陣列。
[0036]如上所述，由于集成電路元件通過電互連而電連接，其中所述電互連是在集成電路元件與集成電路元件的集成互連整體的集成電路過程期間產(chǎn)生的，在附接柔性連接層之前，能夠以低技術(shù)工作量制造所述電互連，從而能夠減少用于制造集成電路的柔性陣列的所有技術(shù)工作量。
【附圖說明】
[0037]根據(jù)并參考后文描述的實(shí)施例的說明，本發(fā)明的這些和其它方面將是顯而易見的。在附圖中
[0038]圖1示出了柔性集成電路陣列的示意性截面圖；
[0039]圖2示出了圖1所示的柔性集成電路陣列的截面俯視圖；
[0040]圖3a_i示出了用于制造圖1的柔性集成電路陣列的制造步驟的序列；以及[0041 ]圖4a_c示出了在示意性透視圖中暴露的電互連的不同實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0042]圖1示出了通常以10表示的柔性集成電路陣列的示意性截面圖。集成電路陣列10包括多個(gè)集成電路元件12，這些元件中的每一個(gè)都被形成于基板14中。集成電路元件12中的每個(gè)被連接到傳感器設(shè)備16，該傳感器設(shè)備16在特定實(shí)施例中被形成為超聲換能器元件16，例如，電容式微加工超聲換能器(CMUT)元件。集成電路元件12包括在CMOS制造期間形成的多個(gè)層中的集成電路。集成電路是在硅基板14內(nèi)通過集成電路過程形成的。集成電路元件的基板14彼此分離，其中，集成電路元件12或集成電路元件12的集成電路通過多個(gè)電互連18被彼此電連接。電互連18是金屬線，且在集成電路制造過程期間與集成電路元件12的集成電互連19 一起被形成，因此，與集成電互連19整體被形成為整體。電互連18上覆蓋有形成為聚對(duì)二甲苯層的隔離層20。聚對(duì)二甲苯是涂層，其在低壓和室溫下由化學(xué)氣相沉積(CVD)施加。聚對(duì)二甲苯提供了保形沉積，并且是無針孔層，并能夠被形成具有50-100nm的厚度。聚對(duì)二甲苯還是可生物相容的，從而這種材料能夠用于醫(yī)學(xué)應(yīng)用，并且尤其是長期植入物。
[0043]電互連18在集成電路元件12的集成金屬線的制造過程期間被形成為電金屬互連，并通過后續(xù)描述的蝕刻過程暴露，從而電互連18是在集成電路元件12之間的獨(dú)立式電連接。電互連18在俯視圖中具有曲折線形狀或馬蹄鐵形狀，從而電互連18易于彎曲或伸展。電互連18優(yōu)選是在多個(gè)層中形成的亞微米互連(例如，總線)，從而能夠提供數(shù)據(jù)連接以提交大量數(shù)據(jù)，例如圖像數(shù)據(jù)。電互連18還可以用于向集成電路元件12提供電功率。
[0044]集成電路元件12被連接到柔性連接層22，該柔性連接層22優(yōu)選通過聚二甲硅氧烷(PDMS)層來形成，用于集成電路元件12與彼此的柔性連接。
[0045]由于基板14彼此機(jī)械分離，或者換言之，由于集成電路元件12不具有剛性連接，且由于柔性連接層22被連接到集成電路元件12，集成電路陣列10能夠被提供作為集成電路元件12的二維柔性陣列。由于電互連18是可彎曲和可伸展的，柔性集成電路陣列10能夠被形成并幾乎能夠被變形為任意形狀，例如，以覆蓋例如血管內(nèi)傳感器或內(nèi)窺鏡的圓柱或球形表面。由于傳感器元件16被直接接觸到集成電路元件12，能夠通過集成電路元件12驅(qū)動(dòng)傳感器元件16，并且能夠直接評(píng)估由傳感器元件16提供并且經(jīng)由電互連18傳輸?shù)臏y量值，從而能夠以較小尺寸提供二維傳感器陣列。
[0046]在優(yōu)選實(shí)施例中，傳感器元件16被形成為電容式微機(jī)械換能器元件，用于發(fā)出和接收超聲波，從而能夠以小尺寸提供柔性超聲圖像傳感器陣列，例如用于血管內(nèi)傳感器應(yīng)用。在備選實(shí)施例中，傳感器元件16是光學(xué)傳感器，例如，用于提供成像陣列的光電二極管。
[0047]在圖2中示意性示出了圖1所示的集成電路陣列10的截面俯視圖。相同的元件用相同的附圖標(biāo)記來表示，其中，這里僅詳細(xì)描述不同之處。
[0048]集成電路元件12經(jīng)由電互連18而被彼此連接，電互連18具有曲折線形狀，從而電互連18能夠被彎曲和伸展，使得集成電路陣列10能夠被覆蓋幾乎任何非平坦表面，并且可以靈活使用集成電路陣列10。
[0049]集成電路陣列10被形成為如圖2所示的二維陣列，其中，每個(gè)內(nèi)集成電路元件12被連接到四個(gè)周圍的集成電路元件12。應(yīng)當(dāng)理解，在集成電路陣列10的邊緣處的集成電路元件12僅被連接到三個(gè)集成電路元件12，并且角落集成電路元件12僅被連接到兩個(gè)周圍的集成電路元件12。集成電路陣列10可以由更多或更少的連接的相鄰集成電路元件12形成，例如，六邊形陣列。通常，元件的形狀、大小和/或分布并不局限于圖中所示的實(shí)施例。
[0050]圖3a_i示出了用于制造集成電路陣列10的制造步驟的序列。相同的元件用相同的附圖標(biāo)記來表示，其中，這里僅詳細(xì)描述不同之處。
[0051]在圖3a中，示出了方法的開始點(diǎn)，其中提供了完全制造的IC晶片。集成電路元件12被集成到仍然被形成為整體的基板14中。集成電路元件12包括不同的電路層，其中，集成電路元件12通過電互連18而被電連接，所述電互連18在過程的該階段仍被集成到硅晶片中。在該開始點(diǎn)處的硅晶片可以被提供具有傳感器元件16，該傳感器元件16可以被連接到集成電路元件12中的每個(gè)，其中，傳感器元件16在圖3中未示出。
[0052]在圖3b所示的后續(xù)步驟中，將諸如光阻或硬膜層的阻擋層24應(yīng)用于硅晶片的表面26。該阻擋層是有圖案的，使得集成電路元件12被阻擋層24所覆蓋，并且在電互連18之上的表面26在集成電路元件12之間的部分被暴露。
[0053]在圖3c中示出的后續(xù)步驟中，對(duì)形成圍繞電互連18的金屬間電介質(zhì)的氧化物進(jìn)行蝕刻，從而暴露電互連18。蝕刻過程優(yōu)選是各向同性蝕刻過程，從而完全暴露電互連18并且移除所有金屬間電介質(zhì)。在備選實(shí)施例中，氧化物被部分移除，從而電互連18被部分暴露，使得電互連18通過剩余的氧化物層被部分地彼此連接。這可以通過干蝕刻過程來執(zhí)行。干蝕刻過程可以是反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，其關(guān)于電互連18的鋁選擇性地蝕刻氧化物。適當(dāng)?shù)臐裎g刻的例子是包括一份酸和兩份氟化銨的蝕刻液體。適當(dāng)?shù)腞IE的例子是基于CF4的化學(xué)反應(yīng)。
[0054]在蝕刻過程之后，如圖3d所示，移除阻擋層24。因?yàn)殡娀ミB18的小的尺寸和小的重量，電互連18保持懸停，而不在十幾微米的距離上彎曲。
[0055]在圖3e中，隔離層20被沉積在整個(gè)硅晶片上，其中隔離層由聚對(duì)二甲苯層形成，所述聚對(duì)二甲苯層是在低壓和室溫下通過化學(xué)氣相沉積(CVD)施加的涂層。聚對(duì)二甲苯層展現(xiàn)了在任意和圍繞每個(gè)暴露結(jié)構(gòu)的保形沉積增長，從而電互連18被聚對(duì)二甲苯層整體覆蓋和/或隔離。此外，聚對(duì)二甲苯對(duì)直到50-100nm的層是無針孔的。最后，聚對(duì)二甲苯是生物適合的，從而這樣涂布的元件能夠用于醫(yī)學(xué)應(yīng)用并用于長期移植。
[0056]在圖3f所示的后續(xù)步驟中，在集成電路元件12之間形成臨時(shí)阻擋結(jié)構(gòu)28，以便保護(hù)隔離的電互連18用于后續(xù)過程步驟。所述阻擋可以是光阻的，并可以通過旋轉(zhuǎn)涂布或噴霧涂布進(jìn)行施加，其中阻擋層28是例如通過光刻和顯影過程形成圖案的，從而暴露集成電路元件12的表面。
[0057]在圖3g所示的后續(xù)步驟中，由于與PDMS到硅氧化物的粘附相比PDMS到聚對(duì)二甲苯層的粘附較低，因此移除覆蓋集成電路元件的表面的隔離層20。
[0058]在圖3h所示的后續(xù)步驟中，將聚二甲硅氧烷層(PDMS)施加到硅晶片的表面，以便形成柔性連接層22以用于柔性地連接集成電路元件12WDMS層優(yōu)選通過旋轉(zhuǎn)涂布或噴霧涂布施加，或者取決于所需要的層厚度而建模。
[0059]在圖3i所示的后續(xù)步驟中，通過蝕刻過程，優(yōu)選通過深反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)(其在圍繞電互連18的阻擋層28上停止)，移除在集成電路元件12之間的基板14或者在電互連18之下使集成電路元件12彼此剛性連接的基板14的部分和阻擋層28。
[0060]在最后的步驟，通過溶劑(例如，通過丙酮或顯影劑)移除阻擋層28，從而隔離的電互連18是獨(dú)立的，且集成電路元件12通過如圖1所示的柔性連接層22僅柔性地彼此連接。
[0061]最后，由于經(jīng)由電互連連接集成電路元件12(在集成電路過程期間形成為集成金屬線)，因此集成電路元件12與集成電路元件12的集成電互連19整體形成為整體，并在后續(xù)步驟期間被暴露，可以以較低技術(shù)工作量實(shí)現(xiàn)集成電路元件12之間的電連接。
[0062]圖4a_c示出了在示意性透視圖中暴露的電互連的不同實(shí)施例。相同的元件由相同的附圖標(biāo)記表示，其中這里僅詳細(xì)描述差別之處。
[0063]在圖4a中，電互連18被布置在彼此之上并被完全暴露，S卩，氧化物通過例如濕蝕刻過程或各向同性干蝕刻過程被完全移除。電互連18形成互連的堆?；蚨嗉?jí)互連。
[0064]在圖4b中，移除電互連18之上或旁邊的氧化物，其中電互連18之間以及電互連18之下的金屬間氧化物層29被保留。這些金屬間氧化物層29能夠防止電互連18之間的短路，并提供電互連18的增加的機(jī)械穩(wěn)定性。這些金屬間氧化物層19能夠通過干蝕刻過程(如，反應(yīng)離子蝕刻(RIE))來制造。
[0065]在圖4c中，電互連18之間的金屬間氧化物層29被部分或分段移除，從而電互連18通過氧化物的支柱彼此連接。這些支柱能夠防止電互連18之間短路，并提供電互連18的增加的機(jī)械穩(wěn)定性，同時(shí)電互連18仍是柔性的。
[ΟΟ??]在圖4a-c中，示出了集成電路陣列10的示意圖。出于清楚的原因，在圖4a_c中沒有示出柔性連接層22。可以理解的是，金屬間氧化物層29對(duì)于彎曲的電互連18以及對(duì)于更大尺寸的電路陣列也是可應(yīng)用的。
[0067]盡管在圖中和上述描述中圖示并描述了本發(fā)明，但是這些圖示和描述被認(rèn)為是說明性或示例性的而并非限制性的;本發(fā)明并不局限于所公開的實(shí)施例。根據(jù)研究附圖、公開和隨附權(quán)利要求，實(shí)踐所要求保護(hù)的發(fā)明的本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解和實(shí)踐所公開實(shí)施例的其它變型。
[0068]在權(quán)利要求中，詞語“包括”并不排除其它元件或步驟，并且不定冠詞“一”或“一個(gè)”并不排除復(fù)數(shù)形式。單個(gè)元件或其它單元可以完成權(quán)利要求中記敘的多個(gè)項(xiàng)目的功能。事實(shí)上，在相互不同的從屬權(quán)利要求中記敘的某些測量并不表示不能有利使用這些測量的組合。
[0069]在權(quán)利要求中的任意附圖標(biāo)記并不被解釋為限制范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種集成電路陣列(10)，尤其是用于諸如超聲成像系統(tǒng)的二維傳感器陣列，所述集成電路陣列包括: -多個(gè)集成電路元件(12)，每個(gè)所述集成電路元件被形成在基板部分(14)中，其中，所述基板部分彼此分尚， -柔性和/或可伸展連接層(22)，其被耦合到所述集成電路元件，用于將所述集成電路元件彼此柔性連接，以及 -多個(gè)電互連(18)，其用于將所述集成電路元件彼此電耦合，其中，所述電互連與所述集成電路元件的集成互連整體地被形成為金屬線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路陣列，其中，所述電互連(18)與所述連接層分離。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成電路陣列，其中，所述電互連借助于隔離層彼此電隔離。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成電路陣列，其中，所述隔離層包括聚對(duì)二甲苯層或由原子層沉積所沉積的層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路陣列，其中，所述集成電路元件中的每個(gè)被耦合到傳感器元件(16)，用于檢測測量值。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路陣列，其中，所述傳感器元件是超聲換能器元件，用于發(fā)出和接收超聲波。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路陣列，其中，所述電互連被形成為亞微米金屬線。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路陣列，其中，所述電互連在頂視圖中至少具有分段的彎曲形狀，用于將所述集成電路元件彼此柔性耦合。9.一種用于制造集成電路元件(12)的陣列(10)的方法，尤其是用于制造諸如超聲成像系統(tǒng)的二維傳感器陣列的方法，包括以下步驟: -提供基板(14)，所述基板包括借助于被形成為集成金屬線的電互連(18)而彼此電連接的多個(gè)集成電路元件， -暴露所述電互連， -將柔性和/或可伸展連接層(22)耦合到所述集成電路元件，以提供所述集成電路元件之間的柔性連接，并且 -機(jī)械地將包括所述集成電路元件的基板部分彼此分離，使得借助于所述柔性和/或可伸展連接層來柔性地耦合所述集成電路元件。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在耦合所述柔性連接層之前，借助于可移除的保護(hù)模具(28)嵌入所述互連。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述保護(hù)模具被移除以暴露所述電互連。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括將傳感器元件(16)連接到所述集成電路元件中的每個(gè)，用于檢測測量值。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述傳感器元件是超聲換能器元件，用于發(fā)出和/或接收超聲波。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，通過在與所暴露的互連的位置對(duì)應(yīng)的位置處斷開所述基板部分，所述集成電路被彼此機(jī)械地分離。15.—種超聲換能器，例如用于血管內(nèi)超聲系統(tǒng)，所述超聲換能器包括換能器陣列，所述換能器陣列包括:多個(gè)超聲換能器元件(16)，其用于發(fā)出和/或接收超聲波；以及，根據(jù)權(quán)利要求I至8中的任一項(xiàng)所述的集成電路陣列(10)，其用于驅(qū)動(dòng)所述換能器元件。
【文檔編號(hào)】A61N1/05GK105849890SQ201480061660
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年10月16日
【發(fā)明人】R·德克爾, V·A·亨內(nèi)肯, A·M·薩沃夫
【申請(qǐng)人】皇家飛利浦有限公司