用于處理引線框表面的方法及具有經(jīng)處理的引線框表面的裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種用于制造集成電路裝置的方法。提供引線框，其具有經(jīng)配置以接納集成電路裸片的裸片支撐區(qū)域及與所述裸片支撐區(qū)域相鄰的多個(gè)引線框指狀件，每一引線框指狀件包含所述引線框指狀件的一端處的指狀件尖端區(qū)域。所述引線框經(jīng)遮蔽使得所述引線框的一或多個(gè)區(qū)域被覆蓋且所述引線框的一或多個(gè)區(qū)域暴露，其中針對(duì)每一引線框指狀件，所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的第一區(qū)由所述遮蔽覆蓋且所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的第二區(qū)暴露。將所述引線框的所述一或多個(gè)暴露區(qū)域鍍銀，使得針對(duì)每一引線框指狀件，所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的所述第二區(qū)鍍銀且所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的所述第一區(qū)不鍍銀。
【專利說(shuō)明】用于處理引線框表面的方法及具有經(jīng)處理的引線框表面的裝置
[0001 ] 相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考
[0002]本申請(qǐng)案主張2013年12月27日申請(qǐng)的第61/921,141號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案的權(quán)益，所述美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案的全文并入本文中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特定來(lái)說(shuō)，涉及一種用于處理引線框表面的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]許多或大多數(shù)集成電路(“1C”)封裝在如由JEDECMSL( “水分敏感度等級(jí)”)測(cè)試所指定的85°C及85%濕度的水分負(fù)載要求達(dá)168個(gè)小時(shí)的持續(xù)時(shí)間后遇到分層。在此上下文中，分層是指歸因于模制化合物與鍍銀區(qū)域之間的較差黏著，在鍍銀引線指狀件區(qū)域與模制化合物之間的分離。已知鍍銀具有光滑表面，且因此模制化合物常無(wú)法正確黏著到鍍敷區(qū)域。分層可影響IC封裝，從而導(dǎo)致可靠性測(cè)試((例如)在對(duì)封裝施加壓力時(shí))期間例如歸因于水分、溫度或濕度的封裝及線接合缺陷。分層還可導(dǎo)致產(chǎn)品現(xiàn)場(chǎng)故障，例如損壞或抬升的線接合。
[0005]因此，需要消除IC封裝(例如(舉例來(lái)說(shuō))8LS0IC&28S0IC半導(dǎo)體裝置外殼)中的引線指狀件分層。JH)EC要求規(guī)定在MSL I下使用涂鈀銅線的線接合區(qū)域上的零分層，MSL I分級(jí)指示裝置不對(duì)水分敏感。必須在允許時(shí)間周期(袋外車間壽命)內(nèi)安裝且回焊組件。減少或消除引線指狀件分層的一個(gè)方式是將裝置降級(jí)到MSL3，所述分級(jí)定義裝置被組裝于PCB上前最多暴露到環(huán)境條件一周。然而，此通常對(duì)零件添加大量成本，且當(dāng)從水分障壁袋取出零件時(shí)需要消費(fèi)者特殊處理零件。
[0006]意在解決此問(wèn)題的另一方法是移除引線框上的鍍銀以允許模制化合物增大與引線框的銅表面的黏著。此有助于減少分層，但并未解決問(wèn)題，因?yàn)榫€接合需要鍍銀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]根據(jù)各種實(shí)施例，可消除引線框分層，且使線接合工藝更可靠。根據(jù)一些實(shí)施例，使用機(jī)械遮蔽以用于引線框的鍍銀，所述遮蔽使在引線尖端處暴露銅區(qū)域，所述區(qū)域因此并不鍍銀。此減小鍍銀區(qū)域，且增大引線尖端處的銅區(qū)域以允許模制化合物(其在IC裸片安裝且連接到引線框后施加)完全黏著于引線指狀件的銅表面，此可產(chǎn)生并不分層的“鎖定”機(jī)構(gòu)。
[0008]揭示提供一種用于制造集成電路裝置的方法的一個(gè)實(shí)施例。提供引線框，其具有經(jīng)配置以接納集成電路裸片的裸片支撐區(qū)域及與裸片支撐區(qū)域相鄰的多個(gè)引線框指狀件，每一引線框指狀件包含引線框指狀件的一個(gè)端處的指狀件尖端區(qū)域。引線框經(jīng)遮蔽使得引線框的一或多個(gè)區(qū)域被覆蓋且引線框的一或多個(gè)區(qū)域暴露，其中針對(duì)每一引線框指狀件，相應(yīng)線接合區(qū)域的第一區(qū)由所述遮蔽覆蓋且相應(yīng)線接合區(qū)域的第二區(qū)暴露。將引線框的一或多個(gè)暴露區(qū)域鍍銀，使得針對(duì)每一引線框指狀件，相應(yīng)線接合區(qū)域的第二區(qū)鍍銀且相應(yīng)線接合區(qū)域的第一區(qū)不鍍銀。
[0009]在又一實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包含:將集成電路裸片附接到引線框的裸片支撐區(qū)域;將集成電路裸片線接合到多個(gè)引線框指狀件，其包含將線接合到每一引線框指狀件的線接合區(qū)域的鍍銀區(qū)，且將模制材料施加于引線框及集成電路裸片上方，使得模制材料直接接觸每一引線框指狀件的線接合區(qū)域的第一、非鍍銀區(qū)。
[0010]在又一實(shí)施例中，針對(duì)多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，引線框指狀件從靠近引線框的裸片支撐區(qū)域的第一端延伸到距裸片支撐區(qū)域較遠(yuǎn)的第二端或區(qū)域，且線接合區(qū)域的第一、非鍍銀區(qū)定位于靠近裸片支撐區(qū)域的引線框指狀件的第一端處。
[0011]在又一實(shí)施例中，針對(duì)多個(gè)引線框指狀件的至少一者，線接合區(qū)域的第一、非鍍銀區(qū)按幾何形狀定位于線接合區(qū)域的第二、鍍銀區(qū)與引線框的裸片支撐區(qū)域之間。
[0012]在又一實(shí)施例中，遮蔽步驟包括遮蔽引線框，使得針對(duì)引線框指狀件中的至少一者，相應(yīng)線接合區(qū)域的第一區(qū)由所述遮蔽覆蓋，且相應(yīng)線接合區(qū)域的至少兩個(gè)第二區(qū)暴露，所述至少兩個(gè)第二區(qū)彼此間隔開(kāi)。
[0013]在又一實(shí)施例中，遮蔽步驟包括遮蔽引線框，使得針對(duì)引線框指狀件中的至少一者，相應(yīng)線接合區(qū)域的第一區(qū)由所述遮蔽覆蓋，且相應(yīng)線接合區(qū)域的一對(duì)第二區(qū)暴露，其中第一覆蓋區(qū)定位于所述對(duì)第二區(qū)之間。
[0014]在又一實(shí)施例中，引線框包含具有線接合區(qū)域的至少一個(gè)額外引線框指狀件，所述線接合區(qū)域完全鍍銀或完全不鍍銀。
[0015]另一實(shí)施例提供一種集成電路結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包含引線框，所述引線框包括經(jīng)配置以接納集成電路裸片的裸片支撐區(qū)域及與裸片支撐區(qū)域相鄰的多個(gè)引線框指狀件，每一引線框指狀件包含引線框指狀件的一個(gè)端處的指狀件尖端區(qū)域。每一引線框指狀件的線接合區(qū)域包含表面，所述表面包含鍍銀的第一區(qū)及不鍍銀的第二區(qū)。
[0016]在又一實(shí)施例中，集成電路結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含:集成電路裸片，其被安裝到引線框的裸片支撐區(qū)域;線接合連接，其在集成電路裸片與每一線接合區(qū)域的第一、鍍銀區(qū)之間；及模制材料，其被施加于引線框及集成電路裸片上方，其中模制材料直接接觸每一線接合區(qū)域的第二、非鍍銀區(qū)。
[0017]在又一實(shí)施例中，針對(duì)多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，引線框指狀件從靠近引線框的裸片支撐區(qū)域的第一端延伸到距裸片支撐區(qū)域較遠(yuǎn)的第二端或區(qū)域，且線接合區(qū)域的第二、非鍍銀區(qū)定位于靠近裸片支撐區(qū)域的引線框指狀件的第一端處。
[0018]在又一實(shí)施例中，針對(duì)多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，線接合區(qū)域的第二、非鍍銀區(qū)按幾何形狀定位于線接合區(qū)域的第一、鍍銀區(qū)與引線框的裸片支撐區(qū)域之間。
[0019]在又一實(shí)施例中，針對(duì)多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，線接合區(qū)域的表面包含彼此間隔開(kāi)的至少一個(gè)第二、非鍍銀區(qū)。
[0020]在又一實(shí)施例中，針對(duì)多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，線接合區(qū)域的表面包含一對(duì)第二、非鍍銀區(qū)，其中第一、鍍銀區(qū)定位于所述對(duì)第二、非鍍銀區(qū)之間。
[0021]在又一實(shí)施例中，引線框包含具有線接合區(qū)域的至少一個(gè)額外引線框指狀件，所述線接合區(qū)域完全鍍銀或完全不鍍銀。
【附圖說(shuō)明】
[0022]下文參考圖式論述實(shí)例實(shí)施例，其中:
[0023]圖1展示用于安裝集成電路裸片以形成集成電路裝置(例如，芯片)的實(shí)例引線框；
[0024]圖2A說(shuō)明用于將引線框的引線指狀件尖端區(qū)域鍍銀的現(xiàn)存或常規(guī)遮蔽；
[0025]圖2B展示使用圖2A中展示的現(xiàn)存或常規(guī)遮蔽的引線框的所得鍍銀；
[0026]圖3A說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)例實(shí)施例用于將引線框的引線指狀件尖端區(qū)域鍍銀的實(shí)例遮蔽配置；
[0027]圖3B展示使用圖3A中展示的遮蔽的引線框的所得鍍銀，所述遮蔽界定引線指狀件尖端上的非鍍銀區(qū)域以改進(jìn)與模制化合物的黏著；
[0028]圖4A說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)例實(shí)施例用于將引線框的引線指狀件尖端區(qū)域鍍銀的另一實(shí)例遮蔽配置；
[0029]圖4B展示使用圖4A中展示的遮蔽的引線框的所得鍍銀，所述遮蔽界定引線指狀件尖端上的非鍍銀區(qū)域以改進(jìn)與模制化合物的黏著;及
[0030]圖5說(shuō)明根據(jù)實(shí)例實(shí)施例用于制造集成電路裝置的實(shí)例過(guò)程，所述集成電路裝置具有安裝到引線框的裸片、形成于結(jié)構(gòu)上方的模制化合物及模制化合物與引線指狀件尖端的非鍍銀區(qū)域之間的改進(jìn)的黏著。
【具體實(shí)施方式】
[0031]圖1展示在被處理(例如，通過(guò)對(duì)引線框鍍銀)、將集成電路(IC)裸片安裝到引線框、將IC裸片線接合到引線框、模制引線框且(例如)沿實(shí)例切割線CL從較大引線框陣列切割引線框之前的實(shí)例引線框10。圖1中展示形成有一圖案的實(shí)例引線框10，所述圖案界定經(jīng)配置以支撐安裝到其的集成電路裸片的裸片支撐區(qū)或板12、經(jīng)布置圍繞裸片支撐區(qū)12(且與之間隔開(kāi))的外圍的多個(gè)引線指狀件14及將裸片支撐區(qū)12物理連接到包含引線指狀件14的引線框10的剩余部分的一或多個(gè)連接結(jié)構(gòu)16。每一引線指狀件14包含尖端區(qū)20，尖端區(qū)20靠近裸片支撐區(qū)12且經(jīng)配置用于(例如，通過(guò)線接合)電連接到安裝于裸片支撐區(qū)12上的集成電路裸片。
[0032 ]引線框1可由任何適當(dāng)材料形成，例如，銅或銅合金、含有鎳、鈷或鉻的鐵合金、鎳或鎳合金或任何其它適當(dāng)材料。出于論述的目的，本文論述銅引線框;然而，應(yīng)理解，本文論述的概念不限于銅引線框，而適用于任何其它適當(dāng)材料的引線框。另外，圖1中展示的引線框10的形狀及圖案僅為實(shí)例；引線框10也可具有任何其它適當(dāng)圖案及形狀，其包含裸片支撐區(qū)或板12、引線指狀件14及連接結(jié)構(gòu)16的任何其它適當(dāng)布置。
[0033]引線指狀件尖端區(qū)域20可經(jīng)涂覆或鍍敷有任何適當(dāng)材料以提供安裝到引線框10的IC裸片與引線指狀件14的材料(在本文論述的實(shí)例中為銅)之間的所要電及機(jī)械接觸(例如，經(jīng)由線接合)。在(例如)如本文論述的一些實(shí)施例中，引線指狀件尖端區(qū)域20可經(jīng)涂覆或鍍敷有銀。在(例如)如本文論述的其它實(shí)施例中，引線指狀件尖端區(qū)域20可經(jīng)涂覆或鍍敷有另一適當(dāng)材料。
[0034]圖2A及2B說(shuō)明用于將引線框10的引線指狀件尖端區(qū)域20鍍銀的現(xiàn)存或常規(guī)技術(shù)。為施加鍍銀，使用任何適當(dāng)遮蔽設(shè)備及技術(shù)來(lái)遮蔽引線框10，且接著，將鍍銀施加到引線框1的暴露區(qū)域。圖2A展示實(shí)例遮蔽，其中遮蔽在遮蔽邊界30b內(nèi)側(cè)的區(qū)域及在遮蔽邊界30a外側(cè)的區(qū)域，因此暴露在邊界線30a與30b之間的引線框10的區(qū)域。圖2B展示使用圖2A的遮蔽配置的鍍銀的結(jié)果。如展示，在每一引線指狀件尖端20上界定鍍銀區(qū)40。
[0035]圖2A及2B說(shuō)明用于將引線框10的引線指狀件尖端區(qū)域20鍍銀的現(xiàn)存或常規(guī)技術(shù)。為施加鍍銀，使用任何適當(dāng)遮蔽設(shè)備及技術(shù)來(lái)遮蔽引線框10，且接著，將鍍銀施加到引線框1的暴露區(qū)域。圖2A展示實(shí)例遮蔽，其中遮蔽在遮蔽邊界30b內(nèi)側(cè)的區(qū)域及在遮蔽邊界30a外側(cè)的區(qū)域，因此暴露在邊界線30a與30b之間的引線框10的區(qū)域。圖2B展示使用圖2A的遮蔽配置的鍍銀的結(jié)果。如展示，在每一引線指狀件尖端20上界定鍍銀區(qū)40。
[0036]圖3A及3B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)例實(shí)施例用于將引線框10的引線指狀件尖端區(qū)域20鍍銀的改進(jìn)的技術(shù)的實(shí)例。為施加鍍銀，使用一或多個(gè)物理或機(jī)械遮蔽來(lái)遮蔽引線框10，使得針對(duì)每一引線框指狀件14，指狀件尖端區(qū)域20的第一區(qū)被遮蔽且指狀件尖端區(qū)域20的至少一個(gè)第二區(qū)通過(guò)遮蔽暴露。圖3A展示物理遮蔽的實(shí)例，所述遮蔽界定包含由邊界線50a及50b界定的一對(duì)開(kāi)口的遮蔽圖案。根據(jù)此遮蔽，針對(duì)每一引線框指狀件14，最接近裸片支撐區(qū)12的指狀件尖端區(qū)域20的區(qū)(指示為區(qū)52)經(jīng)遮蔽以防止那個(gè)區(qū)鍍銀。如展示，每一指狀件尖端區(qū)域20的遮蔽區(qū)52可相對(duì)于裸片支撐區(qū)域12定位于相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域20的暴露區(qū)域內(nèi)。
[0037]圖3B展示使用圖3A的實(shí)例遮蔽圖案的鍍銀的結(jié)果。如展示，鍍銀區(qū)域60界定于每一引線指狀件尖端20上，且非鍍銀區(qū)62(對(duì)應(yīng)于圖3A中展示的遮蔽區(qū)52)相對(duì)于裸片支撐區(qū)12界定于鍍銀區(qū)60內(nèi)的每一引線指狀件尖端20上。在一些實(shí)施例中，遮蔽圖案可在每一指狀件尖端區(qū)域20上界定定位于一對(duì)遮蔽區(qū)之間的暴露區(qū)，使得在鍍銀后，每一指狀件尖端區(qū)域20包含定位于兩個(gè)非鍍銀區(qū)62之間的鍍銀區(qū)60，其中相對(duì)于裸片支撐區(qū)12，一個(gè)非鍍銀區(qū)62定位于鍍銀區(qū)60內(nèi)，且另一個(gè)非鍍銀區(qū)62定位于鍍銀區(qū)62外。
[0038]在一些實(shí)施例中，遮蔽完全覆蓋或完全暴露至少一個(gè)引線指狀件尖端20，使得至少一個(gè)引線指狀件尖端20經(jīng)完全鍍銀或完全不鍍銀。另外，取決于特定實(shí)施例，遮蔽可或可不暴露任何連接區(qū)16的(若干)區(qū)域。
[0039]引線指狀件尖端20的非鍍銀區(qū)62減小引線指狀件尖端20上的鍍銀區(qū)域，且提供用于在引線指狀件尖端20的非鍍銅表面與模制化合物之間直接接觸的區(qū)域，所述模制化合物隨后在IC裸片安裝到引線框10且電連接(例如，線接合)到每一尖端20上鍍銀區(qū)60處的每一引線指狀件尖端20后施加到結(jié)構(gòu)。模制化合物可靠黏著到引線指狀件尖端20(在非鍍銀區(qū)62處)的暴露銅，且不同于在模制化合物與鍍銀之間傾向于隨著時(shí)間而分層的接口，所述模制化合物不分層。特定來(lái)說(shuō)，通過(guò)在朝向尖端20的最遠(yuǎn)端(靠近裸片支撐區(qū)12)的方向上，在每一引線指狀件尖端20的端部分處(S卩，超過(guò)相應(yīng)鍍銀區(qū)60)提供非鍍銀區(qū)62，非鍍銀區(qū)62與模制化合物之間的直接接觸產(chǎn)生引線指狀件14的“鎖定”機(jī)構(gòu)，所述機(jī)構(gòu)減少或防止相應(yīng)鍍銀區(qū)60與模制化合物分層。在引線指狀件尖端20與模制化合物之間的此牢固連接允許IC裸片到引線指狀件14隨著時(shí)間的可靠線接合(例如，使用涂鈀銅或金線接合)。
[0040]圖4A及4B說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)例實(shí)施例用于將引線框10的引線指狀件尖端區(qū)域20鍍銀的改進(jìn)的技術(shù)的另一實(shí)例。如在圖4A中展示，遮蔽界定數(shù)個(gè)開(kāi)口 50c到50h，所述開(kāi)口暴露下伏引線框10的特定區(qū)域。特定來(lái)說(shuō)，針對(duì)每一引線框指狀件尖端區(qū)域20，遮蔽圖案使得第一區(qū)暴露且在第一區(qū)的任一側(cè)上的一對(duì)第二區(qū)由遮蔽覆蓋。
[0041]圖4B展示使用圖4A的實(shí)例遮蔽圖案的鍍銀的結(jié)果。如展示，每一引線指狀件尖端區(qū)域20包含鍍銀區(qū)60、在鍍銀區(qū)60的相對(duì)側(cè)上的一對(duì)非鍍銀區(qū)62。非鍍銀區(qū)62提供用于引線指狀件尖端20的銅表面與隨后施加到結(jié)構(gòu)的模制化合物之間直接接觸的區(qū)域，此可產(chǎn)生引線指狀件14與模制化合物之間的“鎖定”機(jī)構(gòu)，所述機(jī)構(gòu)減少或防止鍍銀區(qū)60與模制化合物分層。
[0042]應(yīng)理解，在圖3A及4A中展示的遮蔽圖案僅為實(shí)例，且遮蔽可具有導(dǎo)致個(gè)別引線指狀件尖端區(qū)域20的一或多個(gè)非鍍銀區(qū)域以改進(jìn)與隨后施加的模制化合物的黏著的任何其它適當(dāng)圖案。
[0043]圖5說(shuō)明根據(jù)實(shí)例實(shí)施例用于制造集成電路裝置190的實(shí)例過(guò)程100。在步驟102提供界定IC裝置襯底陣列152的晶片150。在步驟104，例如使用環(huán)氧樹(shù)脂及/或安裝帶將晶片150安裝到晶片安裝件154。在步驟106，如由切割線160指示，使用晶片鋸切割晶片。在步驟108，在晶片上執(zhí)行遮蔽及鍍銀工藝，使得每一引線框10的引線框指狀件尖端20具有一或多個(gè)非鍍銀區(qū)域62(例如，如上文論述)。舉例來(lái)說(shuō)，可在步驟108使用例如在圖3A或4A的實(shí)例實(shí)施例中展示的遮蔽。
[0044]在步驟110，IC裸片經(jīng)挑選且(例如，使用環(huán)氧樹(shù)脂170及固化過(guò)程)附接到每一引線框10的裸片支撐區(qū)12。在步驟112，每一裸片(例如，使用涂鈀銅或金線接合180)線接合到相應(yīng)引線框10的每一引線框指狀件尖端20的鍍銀區(qū)60。在步驟114，在塑料或其它適當(dāng)模制化合物中模制結(jié)構(gòu)。如上文論述，引線框指狀件尖端20的非鍍銀區(qū)域62直接接觸模制化合物，且提供牢固黏著，從而將模制化合物鎖定到引線框指狀件14。在步驟116，晶片經(jīng)標(biāo)記且分割，而導(dǎo)致多個(gè)離散IC裝置/芯片190。
[0045]上文的教示可提供各種優(yōu)點(diǎn)。首先，可消除或?qū)嵸|(zhì)上減少引線框與模制化合物之間的分層。因此，產(chǎn)生的裝置可更可能滿足JEDEC MSLl可靠性標(biāo)準(zhǔn)。此外，產(chǎn)生的IC裝置的產(chǎn)品可靠性及壽命可延長(zhǎng)。可實(shí)質(zhì)上減少或消除現(xiàn)場(chǎng)故障中抬升、損壞線接合的發(fā)生及對(duì)應(yīng)的消費(fèi)者申訴。此外，相較于例如將裝置降級(jí)到MSL3的解決方案，所揭示的解決方案可(例如)通過(guò)消除干燥封裝的需要，提供封裝方法中的成本節(jié)省。最后，歸因于無(wú)烘烤過(guò)程，可減少生產(chǎn)周期時(shí)間。
[0046]盡管在本發(fā)明中詳細(xì)描述所揭示的實(shí)施例，但應(yīng)理解，在不背離所述實(shí)施例的精神及范圍的情況下可對(duì)其做出各種改變、替換及更改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制造集成電路裝置的方法，所述方法包括: 提供引線框，其包括: 裸片支撐區(qū)域，其經(jīng)配置以接納集成電路裸片;及 多個(gè)引線框指狀件，其與所述裸片支撐區(qū)域相鄰，每一引線框指狀件包含所述引線框指狀件的一端處的指狀件尖端區(qū)域； 遮蔽所述引線框，使得所述引線框的一或多個(gè)區(qū)域被覆蓋且所述引線框的一或多個(gè)區(qū)域暴露，其中針對(duì)每一引線框指狀件，所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的第一區(qū)由所述遮蔽覆蓋且所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的第二區(qū)暴露;及 將所述引線框的所述一或多個(gè)暴露區(qū)域鍍銀，使得針對(duì)每一引線框指狀件，所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的所述第二區(qū)鍍銀且所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的所述第一區(qū)不鍍銀。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括: 將所述集成電路裸片附接到所述引線框的所述裸片支撐區(qū)域； 將所述集成電路裸片線接合到所述多個(gè)引線框指狀件，此包含將線接合到每一引線框指狀件的所述指狀件尖端區(qū)域的所述鍍銀區(qū);及 在所述引線框及集成電路裸片上方施加模制材料，使得所述模制材料直接接觸每一引線框指狀件的所述指狀件尖端區(qū)域的所述第一、非鍍銀區(qū)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，針對(duì)所述多個(gè)引線框指狀件中的至少一者: 所述引線框指狀件從靠近所述引線框的所述裸片支撐區(qū)域的第一端延伸到距所述裸片支撐區(qū)域較遠(yuǎn)的第二端或區(qū)域;及 所述指狀件尖端區(qū)域的所述第一、非鍍銀區(qū)定位于靠近所述裸片支撐區(qū)域的所述引線框指狀件的所述第一端處。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，針對(duì)所述多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，所述指狀件尖端區(qū)域的所述第一、非鍍銀區(qū)按幾何形狀定位于所述指狀件尖端區(qū)域的所述第二、鍍銀區(qū)與所述引線框的所述裸片支撐區(qū)域之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述遮蔽步驟包括遮蔽所述引線框，使得針對(duì)所述引線框指狀件中的至少一者，所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的第一區(qū)由所述遮蔽覆蓋，且所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的至少兩個(gè)第二區(qū)暴露，所述至少兩個(gè)第二區(qū)彼此間隔開(kāi)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述遮蔽步驟包括遮蔽所述引線框，使得針對(duì)所述引線框指狀件中的至少一者，所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的第一區(qū)由所述遮蔽覆蓋，且所述相應(yīng)指狀件尖端區(qū)域的一對(duì)第二區(qū)暴露，其中所述第一覆蓋區(qū)定位于所述一對(duì)第二區(qū)之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述引線框包含具有指狀件尖端區(qū)域的至少一個(gè)額外引線框指狀件，所述指狀件尖端區(qū)域完全鍍銀或完全不鍍銀。8.—種集成電路結(jié)構(gòu)，其包括: 引線框，其包括: 裸片支撐區(qū)域，其經(jīng)配置以接納集成電路裸片;及 多個(gè)引線框指狀件，其與所述裸片支撐區(qū)域相鄰，每一引線框指狀件包含所述引線框指狀件的一端處的指狀件尖端區(qū)域； 其中每一引線框指狀件的所述指狀件尖端區(qū)域包含表面，其包含: 第一區(qū)，其被鍍銀;及 第二區(qū)，其不鍍銀。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括: 集成電路裸片，其被安裝到所述引線框的所述裸片支撐區(qū)域； 線接合連接，其在所述集成電路裸片與每一引線框指狀件尖端區(qū)域的所述第一、鍍銀區(qū)之間；及 模制材料，其被施加于所述引線框及集成電路裸片上方，其中所述模制材料直接接觸每一引線框指狀件尖端區(qū)域的所述第二、非鍍銀區(qū)。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，針對(duì)所述多個(gè)引線框指狀件中的至少一者: 所述引線框指狀件從靠近所述引線框的所述裸片支撐區(qū)域的第一端延伸到距所述裸片支撐區(qū)域較遠(yuǎn)的第二端或區(qū)域;及 所述指狀件尖端區(qū)域的所述第二、非鍍銀區(qū)定位于靠近所述裸片支撐區(qū)域的所述引線框指狀件的所述第一端處。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，針對(duì)所述多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，所述指狀件尖端區(qū)域的所述第二、非鍍銀區(qū)按幾何形狀定位于所述指狀件尖端區(qū)域的所述第一、鍍銀區(qū)與所述引線框的所述裸片支撐區(qū)域之間。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，針對(duì)所述多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，所述指狀件尖端區(qū)域的所述表面包含彼此間隔開(kāi)的至少兩個(gè)第二、非鍍銀區(qū)。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，針對(duì)所述多個(gè)引線框指狀件中的至少一者，所述指狀件尖端區(qū)域的所述表面包含一對(duì)第二、非鍍銀區(qū)，其中所述第一、鍍銀區(qū)定位于所述一對(duì)第二、非鍍銀區(qū)之間。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中所述引線框包含具有指狀件尖端區(qū)域的至少一個(gè)額外引線框指狀件，所述指狀件尖端區(qū)域完全鍍銀或完全不鍍銀。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK105849900SQ201480070939
【公開(kāi)日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年12月23日
【發(fā)明人】J·D·費(fèi)爾南德斯, ?？烁卟瘛じ幽纤Z, G·佩爾扎諾斯基, T·順托內(nèi)維帕塔, O·馬布塔斯
【申請(qǐng)人】密克羅奇普技術(shù)公司