一種應(yīng)用于pi膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料及其制備方法，該厚膜漿料包括粘接相、有機(jī)載體、氧化鑭或氧化釔、高純納米銀粉；粘結(jié)相由Bi2O3、SiO2、Al2O3組成，有機(jī)載體由溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑，溶劑混合物由溶劑、PVB混合而成；該厚膜漿料具有燒結(jié)溫度低、燒結(jié)時間短、電阻值低、附著力好、可焊性好的優(yōu)點(diǎn)。該制備方法包括：a、粘結(jié)相制備；b、有機(jī)載體制備；c、將粘接相、有機(jī)載體、高純納米銀粉、氧化鑭或氧化釔混合研磨，過篩后獲得厚膜漿料；該制備方法能夠有效地生產(chǎn)制備上述厚膜漿料。
【專利說明】
一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電子材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于Pi膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]電路漿料是制造厚膜元件的基礎(chǔ)材料，是一種由固體粉末和有機(jī)溶劑經(jīng)過三輥乳制混合均勻的膏狀物(可聯(lián)想成牙膏、油漆等樣子)；其中，根據(jù)用途的不同，電路漿料可以分為介質(zhì)漿料、電阻漿料和導(dǎo)體漿料:根據(jù)基片種類的不同，電路漿料又可以分為陶瓷基片、聚合物基片、玻璃基片、金屬絕緣基片電路漿料等;根據(jù)燒結(jié)溫度的不同，電路漿料又可以分為高溫、中溫和低溫烘干電路漿料;根據(jù)用途的不同，電路漿料又可以分為通用電路漿料(制作一般性的厚膜電路)和專用電路漿料(不銹鋼基板電路漿料、熱敏電阻漿料)；根據(jù)導(dǎo)電相的價格不同，電路漿料又可以分為貴金屬電路漿料(銀鈀、釕系和金漿等)和賤金屬電路漿料(鉬錳漿料)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中存在各式各樣的電路漿料產(chǎn)品；然而，對于現(xiàn)有的電路漿料產(chǎn)品而言，其很難同時具備燒結(jié)溫度低、燒結(jié)時間短、電阻值低、附著力好、可焊性好的綜合性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，該應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料具有以下優(yōu)點(diǎn):1、該厚膜漿料為納米級的稀土導(dǎo)電發(fā)熱漿料，顆粒最大粒徑< Ιμπι; 2、有較低的燒結(jié)溫度，燒結(jié)溫度在4000C-500°C ; 3、燒結(jié)時間短，燒結(jié)峰值時間在10 min-30min ； 4、具有較低的方阻，方阻值在5m Ω /□ -200 m Ω /口；5、可實(shí)現(xiàn)電阻漿料在柔性基材上的低溫?zé)Y(jié);6、附著力好且具有好的可焊性，無裂紋和針氣孔等缺陷;7、發(fā)熱強(qiáng)度高，每平方厘米可達(dá)20瓦。
[0005]本發(fā)明的另一目的在于提供一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，該應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法能夠有效地生產(chǎn)制備上述厚膜漿料。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。
[0007]—種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，包括有以下重量份的物料，具體為:
粘接相10%-40%
有機(jī)載體10%-30%
氧化鑭或氧化釔 1%_5%
高純納米銀粉 45%-75%;
其中，粘結(jié)相為低溫?zé)Y(jié)玻璃粉，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的粒徑值為500 nm -800 nm，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的熔化溫度小于400°C，且低溫?zé)Y(jié)玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為20%-40%、40%-50%、10%-30%;
有機(jī)載體由溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%-95%、1%-5%、0.5%-3%、0.5%_2%，溶劑混合物由溶劑與PVB混合而成，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%-70%、30%-50%。
[0008]其中，所述溶劑為二乙二醇丁醚醋酸酯、己二酸二甲酯、松油醇或者DBE。
[0009]其中，所述增稠劑為氧化聚乙烯蠟。
[0010]其中，所述觸變劑為聚酰胺蠟。
[0011 ]其中，所述消泡劑為疏水改性二氧化硅與礦物油的混合物。
[0012]其中，所述高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm。
[0013]—種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，包括有以下工藝步驟，具體為:
a、粘結(jié)相制備:將低溫熔化玻璃粉置于星型球磨機(jī)中研磨10小時-12小時，經(jīng)星型球磨機(jī)研磨后的低溫熔化玻璃粉過1000目的超聲波振動篩，以得到粒徑值為500nm-800 nm的400°C以內(nèi)熔化的低溫熔化玻璃粉，其中，低溫熔化玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為ΖΟ^?^Οα/?^Οα/ο-δΟα/?κΙΟΟ/ο-βΟΟ/ο;
b、有機(jī)載體制備:將溶劑、PVB在60°C-80 °C的水浴中用分散機(jī)分散2小時-5小時，分散完成后獲得混合均勻的溶劑混合物，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%-70%、30%-50%;待溶劑混合物制備完成后，將溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑置于60 0C -80 0C的水浴中用分散機(jī)分散1-3小時，以獲得有機(jī)載體，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%-95%、1%-5%、0.5%-3%、0.5%-2%；
c、將粘接相、有機(jī)載體、高純納米銀粉、氧化鑭或氧化釔混合置于三輥研磨機(jī)中研磨10-15遍，研磨后過800目篩，以獲得細(xì)度< Ιμπι的厚膜漿料，高純納米銀粉的粒徑值為200nm -800 nm，厚膜漿料中各組分的重量份依次為:
粘接相10%-40%
有機(jī)載體10%-30%
氧化鑭或氧化釔 1%_5%
高純納米銀粉 45%-75%。
[0014]其中，所述有機(jī)載體的粘度為80 dPa.s -100 dPa.s。
[0015]其中，所述厚膜漿料的粘度為500 dPa-s-800dPa-so
[0016]本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，其包括有以下重量份的物料:粘接相10%-40%、有機(jī)載體10%-30%、氧化鑭或氧化釔I %-5%、高純納米銀粉45%-75%;粘結(jié)相為低溫?zé)Y(jié)玻璃粉且粒徑值為500 nm -800 nm，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的熔化溫度小于400°C，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉由重量份為20%-40%的Bi203、40%-50%的Si02、10%-30%的Al2O3組成;有機(jī)載體由溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%-95%、1%-5%、0.5%-3%、0.5%_2%，溶劑混合物由溶劑與PVB混合而成，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%-70%、30%-50%。該應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料具有以下優(yōu)點(diǎn):1、該厚膜漿料為納米級的稀土導(dǎo)電發(fā)熱漿料，顆粒最大粒徑< Iym; 2、有較低的燒結(jié)溫度，燒結(jié)溫度在4000C-500°C ; 3、燒結(jié)時間短，燒結(jié)峰值時間在10 min-30min;4、具有較低的方阻，方阻值在5ι?Ω /口-200 ι?Ω /口；5、可實(shí)現(xiàn)電阻漿料在柔性基材上的低溫?zé)Y(jié);6、附著力好且具有好的可焊性，無裂紋和針氣孔等缺陷;7、發(fā)熱強(qiáng)度高，每平方厘米可達(dá)20瓦。
[0017]本發(fā)明的另一有益效果為:本發(fā)明所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟，具體為:
a、粘結(jié)相制備:將低溫熔化玻璃粉置于星型球磨機(jī)中研磨10小時-12小時，經(jīng)星型球磨機(jī)研磨后的低溫熔化玻璃粉過1000目的超聲波振動篩，以得到粒徑值為500nm-800 nm的400°C以內(nèi)熔化的低溫熔化玻璃粉，其中，低溫熔化玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為ΖΟ^?^Οα/?^Οα/ο-δΟα/?κΙΟΟ/ο-βΟΟ/ο;
b、有機(jī)載體制備:將溶劑、PVB在60°C-80 °C的水浴中用分散機(jī)分散2小時-5小時，分散完成后獲得混合均勻的溶劑混合物，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%-70%、30%-50%;待溶劑混合物制備完成后，將溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑置于60 0C -80 0C的水浴中用分散機(jī)分散1-3小時，以獲得有機(jī)載體，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%-95%、1%-5%、0.5%-3%、0.5%-2%；
c、將粘接相、有機(jī)載體、高純納米銀粉、氧化鑭或氧化釔混合置于三輥研磨機(jī)中研磨10-15遍，研磨后過800目篩，以獲得細(xì)度< Ιμπι的厚膜漿料，高純納米銀粉的粒徑值為200nm -800 nm，厚膜漿料中各組分的重量份依次為:
粘接相10%-40%
有機(jī)載體10%-30%
氧化鑭或氧化釔 1%_5%
高純納米銀粉 45%-75%;
通過上述工藝步驟設(shè)計(jì)，該一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法能夠有效地生產(chǎn)制備上述厚膜漿料。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合具體的實(shí)施方式來對本發(fā)明進(jìn)行說明。
[0019]實(shí)施例一，一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，包括有以下重量份的物料，具體為:
粘接相20%
有機(jī)載體25%
氧化鑭或氧化釔 5%
高純納米銀粉 60%;
其中，粘結(jié)相為低溫?zé)Y(jié)玻璃粉，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的粒徑值為500 nm -800 nm，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的熔化溫度小于400°C，且低溫?zé)Y(jié)玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為25%、50%、25%;
有機(jī)載體由溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%、5%、3%、2%，溶劑混合物由溶劑與PVB混合而成，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%、50%。
[0020]其中，溶劑為二乙二醇丁醚醋酸酯、己二酸二甲酯、松油醇或者DBE，增稠劑為氧化聚乙烯蠟，觸變劑為聚酰胺蠟，消泡劑為疏水改性二氧化硅與礦物油的混合物，高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm。
[0021]通過上述物料配比，本實(shí)施例一的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料具有以下優(yōu)點(diǎn):1、該厚膜漿料為納米級的稀土導(dǎo)電發(fā)熱漿料，顆粒最大粒徑<1μπι;2、有較低的燒結(jié)溫度，燒結(jié)溫度在400 0C-500 °C ; 3、燒結(jié)時間短，燒結(jié)峰值時間在1 min-30min ； 4、具有較低的方阻，方阻值在5m Ω / □ -200 m Ω /口； 5、可實(shí)現(xiàn)電阻漿料在柔性基材上的低溫?zé)Y(jié);6、附著力好且具有好的可焊性，無裂紋和針氣孔等缺陷;7、發(fā)熱強(qiáng)度高，每平方厘米可達(dá)20瓦。
[0022]需進(jìn)一步指出，本實(shí)施例一的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料可采用以下制備方法生產(chǎn)制備而成，具體的，一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟，具體為:
a、粘結(jié)相制備:將低溫熔化玻璃粉置于星型球磨機(jī)中研磨10小時-12小時，經(jīng)星型球磨機(jī)研磨后的低溫熔化玻璃粉過1000目的超聲波振動篩，以得到粒徑值為500nm-800 nm的400°C以內(nèi)熔化的低溫熔化玻璃粉，其中，低溫熔化玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為25%、50%、25%;
b、有機(jī)載體制備:將溶劑、PVB在60°C-80 °C的水浴中用分散機(jī)分散2小時-5小時，分散完成后獲得混合均勻的溶劑混合物，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%、50%;待溶劑混合物制備完成后，將溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑置于60 0C-80 0C的水浴中用分散機(jī)分散1-3小時，以獲得有機(jī)載體且有機(jī)載體的粘度為80 dPa-s -100 dPa-s,有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%、5%、3%、2%;
c、將粘接相、有機(jī)載體、高純納米銀粉、氧化鑭或氧化釔混合置于三輥研磨機(jī)中研磨10-15遍，研磨后過800目篩，以獲得細(xì)度< Iym且粘度為500 dPa.s_800dPa.s的厚膜漿料，高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm，厚膜漿料中各組分的重量份依次為:
粘接相20%
有機(jī)載體25%
氧化鑭或氧化釔 5%
高純納米銀粉 60%。
[0023]通過上述工藝步驟設(shè)計(jì)，該應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法能夠有效地生產(chǎn)制備本實(shí)施例一的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料。
[0024]
實(shí)施例二，一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，包括有以下重量份的物料，具體為: 粘接相13%
有機(jī)載體15%
氧化鑭或氧化釔 2%
高純納米銀粉 70%;
其中，粘結(jié)相為低溫?zé)Y(jié)玻璃粉，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的粒徑值為500 nm -800 nm，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的熔化溫度小于400°C，且低溫?zé)Y(jié)玻璃粉由Bi2O3、S12、Al2O3三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為30%、40%、30%;
有機(jī)載體由溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為95%、2%、1.5%、1.5%，溶劑混合物由溶劑與PVB混合而成，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為70%、30%。
[0025]其中，溶劑為二乙二醇丁醚醋酸酯、己二酸二甲酯、松油醇或者DBE，增稠劑為氧化聚乙烯蠟，觸變劑為聚酰胺蠟，消泡劑為疏水改性二氧化硅與礦物油的混合物，高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm。
[0026]通過上述物料配比，本實(shí)施例二的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料具有以下優(yōu)點(diǎn):1、該厚膜漿料為納米級的稀土導(dǎo)電發(fā)熱漿料，顆粒最大粒徑<1μπι;2、有較低的燒結(jié)溫度，燒結(jié)溫度在400 0C-500 °C ; 3、燒結(jié)時間短，燒結(jié)峰值時間在1 min-30min ； 4、具有較低的方阻，方阻值在5m Ω / □ -200 m Ω /口； 5、可實(shí)現(xiàn)電阻漿料在柔性基材上的低溫?zé)Y(jié);6、附著力好且具有好的可焊性，無裂紋和針氣孔等缺陷;7、發(fā)熱強(qiáng)度高，每平方厘米可達(dá)20瓦。
[0027]需進(jìn)一步指出，本實(shí)施例二的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料可采用以下制備方法生產(chǎn)制備而成，具體的，一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟，具體為:
a、粘結(jié)相制備:將低溫熔化玻璃粉置于星型球磨機(jī)中研磨10小時-12小時，經(jīng)星型球磨機(jī)研磨后的低溫熔化玻璃粉過1000目的超聲波振動篩，以得到粒徑值為500nm-800 nm的400°C以內(nèi)熔化的低溫熔化玻璃粉，其中，低溫熔化玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為30%、40%、30%;
b、有機(jī)載體制備:將溶劑、PVB在60°C-80 °C的水浴中用分散機(jī)分散2小時-5小時，分散完成后獲得混合均勻的溶劑混合物，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為70%、30%;待溶劑混合物制備完成后，將溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑置于60 0C-80 0C的水浴中用分散機(jī)分散1-3小時，以獲得有機(jī)載體且有機(jī)載體的粘度為80 dPa-s -100 dPa-s,有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為95%、2%、1.5%、1.5%；
C、將粘接相、有機(jī)載體、高純納米銀粉、氧化鑭或氧化釔混合置于三輥研磨機(jī)中研磨10-15遍，研磨后過800目篩，以獲得細(xì)度< Iym且粘度為500 dPa.s_800dPa.s的厚膜漿料，高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm，厚膜漿料中各組分的重量份依次為:
粘接相13%
有機(jī)載體15%
氧化鑭或氧化釔 2%
高純納米銀粉 70%。
[0028]通過上述工藝步驟設(shè)計(jì)，該應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法能夠有效地生產(chǎn)制備本實(shí)施例二的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料。
[0029]
實(shí)施例三，一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，包括有以下重量份的物料，具體為: 粘接相30%
有機(jī)載體19%
氧化鑭或氧化釔 1%
高純納米銀粉 50%;
其中，粘結(jié)相為低溫?zé)Y(jié)玻璃粉，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的粒徑值為500 nm -800 nm，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的熔化溫度小于400°C，且低溫?zé)Y(jié)玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為40%、50%、10%;
有機(jī)載體由溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為92%、4%、2%、2%，溶劑混合物由溶劑與PVB混合而成，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為70%、30%。
[0030]其中，溶劑為二乙二醇丁醚醋酸酯、己二酸二甲酯、松油醇或者DBE，增稠劑為氧化聚乙烯蠟，觸變劑為聚酰胺蠟，消泡劑為疏水改性二氧化硅與礦物油的混合物，高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm。
[0031]通過上述物料配比，本實(shí)施例三的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料具有以下優(yōu)點(diǎn):1、該厚膜漿料為納米級的稀土導(dǎo)電發(fā)熱漿料，顆粒最大粒徑<1μπι;2、有較低的燒結(jié)溫度，燒結(jié)溫度在400 0C-500 °C ; 3、燒結(jié)時間短，燒結(jié)峰值時間在1 min-30min ； 4、具有較低的方阻，方阻值在5m Ω / □ -200 m Ω /口； 5、可實(shí)現(xiàn)電阻漿料在柔性基材上的低溫?zé)Y(jié);6、附著力好且具有好的可焊性，無裂紋和針氣孔等缺陷;7、發(fā)熱強(qiáng)度高，每平方厘米可達(dá)20瓦。
[0032]需進(jìn)一步指出，本實(shí)施例三的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料可采用以下制備方法生產(chǎn)制備而成，具體的，一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，其包括有以下工藝步驟，具體為:
a、粘結(jié)相制備:將低溫熔化玻璃粉置于星型球磨機(jī)中研磨10小時-12小時，經(jīng)星型球磨機(jī)研磨后的低溫熔化玻璃粉過1000目的超聲波振動篩，以得到粒徑值為500nm-800 nm的400°C以內(nèi)熔化的低溫熔化玻璃粉，其中，低溫熔化玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為40%、50%、10%;
b、有機(jī)載體制備:將溶劑、PVB在60°C-80 °C的水浴中用分散機(jī)分散2小時-5小時，分散完成后獲得混合均勻的溶劑混合物，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為70%、30%;待溶劑混合物制備完成后，將溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑置于60 0C-80 0C的水浴中用分散機(jī)分散1-3小時，以獲得有機(jī)載體且有機(jī)載體的粘度為80 dPa-s -100 dPa-s,有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為92%、4%、2%、2%;
c、將粘接相、有機(jī)載體、高純納米銀粉、氧化鑭或氧化釔混合置于三輥研磨機(jī)中研磨10-15遍，研磨后過800目篩，以獲得細(xì)度< Iym且粘度為500 dPa.s_800dPa.s的厚膜漿料，高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm，厚膜漿料中各組分的重量份依次為:
粘接相30%
有機(jī)載體19%
氧化鑭或氧化釔 1%
高純納米銀粉 50%。
[0033]通過上述工藝步驟設(shè)計(jì)，該應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法能夠有效地生產(chǎn)制備本實(shí)施例三的應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料。
[0034]以上內(nèi)容僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，其特征在于，包括有以下重量份的物料，具體為: 粘接相10%-40% 有機(jī)載體10%-30% 氧化鑭或氧化釔 1%_5% 高純納米銀粉 45%-75%; 其中，粘結(jié)相為低溫?zé)Y(jié)玻璃粉，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的粒徑值為500 nm -800 nm，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉的熔化溫度小于400°C，且低溫?zé)Y(jié)玻璃粉由Bi2O3、S12、Al2O3三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為20%-40%、40%-50%、10%-30%; 有機(jī)載體由溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%-95%、1%-5%、0.5%-3%、0.5%_2%，溶劑混合物由溶劑與PVB混合而成，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%-70%、30%-50%。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，其特征在于:所述溶劑為二乙二醇丁醚醋酸酯、己二酸二甲酯、松油醇或者DBE。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，其特征在于:所述增稠劑為氧化聚乙烯蠟。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，其特征在于:所述觸變劑為聚酰胺蠟。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，其特征在于:所述消泡劑為疏水改性二氧化硅與礦物油的混合物。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料，其特征在于:所述高純納米銀粉的粒徑值為200 nm -800 nm。7.—種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，其特征在于，包括有以下工藝步驟，具體為: a、粘結(jié)相制備:將低溫熔化玻璃粉置于星型球磨機(jī)中研磨10小時-12小時，經(jīng)星型球磨機(jī)研磨后的低溫熔化玻璃粉過1000目的超聲波振動篩，以得到粒徑值為500nm-800 nm的400°C以內(nèi)熔化的低溫熔化玻璃粉，其中，低溫熔化玻璃粉由Bi203、Si02、Al203三種物料組成，低溫?zé)Y(jié)玻璃粉中Bi203、Si02、Al203三種物料的重量份依次為ΖΟ^?^Οα/?^Οα/ο-δΟα/?κΙΟΟ/ο-βΟΟ/ο; b、有機(jī)載體制備:將溶劑、PVB在600C-80 0C的水浴中用分散機(jī)分散2小時-5小時，分散完成后獲得混合均勻的溶劑混合物，溶劑混合物中溶劑、PVB兩種物料的重量份依次為50%-70%、30%-50%;待溶劑混合物制備完成后，將溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑置于60 0C -80 0C的水浴中用分散機(jī)分散1-3小時，以獲得有機(jī)載體，有機(jī)載體中溶劑混合物、增稠劑、觸變劑、消泡劑四種物料的重量份依次為90%-95%、1%-5%、0.5%-3%、0.5%-2%； c、將粘接相、有機(jī)載體、高純納米銀粉、氧化鑭或氧化釔混合置于三輥研磨機(jī)中研磨10-15遍，研磨后過800目篩，以獲得細(xì)度<1μπι的厚膜漿料，高純納米銀粉的粒徑值為200nm -800 nm，厚膜漿料中各組分的重量份依次為: 粘接相10%-40% 有機(jī)載體10%-30% 氧化鑭或氧化釔 1%_5% 高純納米銀粉 45%-75%。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，其特征在于:所述有機(jī)載體的粘度為80 dPa.s -100 dPa-s。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種應(yīng)用于PI膜的低溫?zé)Y(jié)厚膜漿料的制備方法，其特征在于:所述厚膜漿料的粘度為500 dPa.s-800dPa.s。
【文檔編號】H01B13/00GK105869706SQ201610306525
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年5月11日
【發(fā)明人】張念柏, 蘇冠賢
【申請人】東莞珂洛赫慕電子材料科技有限公司