陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，所述制作方法包括：形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形，所述源極包括源極金屬部和源極歐姆接觸部，所述漏極包括漏極金屬部和漏極歐姆接觸部；形成非晶硅半導(dǎo)體層；以各個所述薄膜晶體管的源極和漏極為對位標記，利用選擇性激光退火工藝至少對所述非晶硅半導(dǎo)體層中位于各個薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分進行退火；進行構(gòu)圖工藝，以形成包括各個薄膜晶體管的有源層的圖形，所述有源層位于退火區(qū)域內(nèi)；形成包括各個薄膜晶體管的柵極的圖形。本發(fā)明能夠解決多晶硅薄膜晶體管的歐姆接觸的問題，減小源漏極與有源層之間的接觸電阻。
【專利說明】
陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示 裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 低溫多晶娃半導(dǎo)體器件的電子遷移率較高，能夠提高器件的開態(tài)電流，從而在較 短的時間內(nèi)完成充放電，進而使得利用低溫多晶娃半導(dǎo)體器件的顯示裝置達到較高的分辨 率和頻率。但是，低溫激光退火工藝對退火面積有限制，難W應(yīng)用在高世代線生產(chǎn)大尺寸產(chǎn) 品。
[0003] 針對該問題，人們提出了對非晶娃進行選擇性激光退火的方法（Micro Lens Array，MLA)，W進行一次局部激光照射代替現(xiàn)有的掃描整面照射，激光經(jīng)過多層透鏡聚焦， 具有較高的能量，一次照射即可完成烙融結(jié)晶，W該方法制備的半導(dǎo)體成為部分激光退火 娃基半導(dǎo)體(Partial laser Anneal Silica,PLAS)器件，該方法既能使半導(dǎo)體器件達到較 高的遷移率，并且適合高世代線生產(chǎn)，工藝窗口較寬。但是該技術(shù)進行部分退火時須靠圖形 對位，在退火前必須已經(jīng)完成一次圖層的制作，因此該技術(shù)更傾向底柵結(jié)構(gòu)，W柵極作為對 位圖形，但是底柵結(jié)構(gòu)的晶體管存在一些不足:半導(dǎo)體與柵極層的界面容易形成很多缺陷， W此界面作為溝道會導(dǎo)致晶體管性能不穩(wěn)定;另外，由于底柵結(jié)構(gòu)中，半導(dǎo)體層難W進行源 漏滲雜，導(dǎo)致源漏極與半導(dǎo)體層的接觸電阻大，運就需要設(shè)置歐姆接觸層，而如果歐姆接觸 層厚度較大，就會大幅增大漏電流，如果歐姆接觸層厚度較小，在刻蝕源漏極時又容易導(dǎo)致 溝道短路或斷路。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種陣列基板及其 制作方法、顯示面板、顯示裝置，從而在保證部分激光退火娃基晶體管正常工作的情況下， 降低其源漏極與有源層之間的接觸電阻。
[0005] 為了解決上述技術(shù)問題之一，本發(fā)明提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0006] 形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形，所述源極包括源極金屬部和設(shè)置 在所述源極金屬部上的源極歐姆接觸部，所述漏極包括漏極金屬部和設(shè)置在所述漏極金屬 部上的漏極歐姆接觸部；
[0007] 形成非晶娃半導(dǎo)體層；
[0008] W各個所述薄膜晶體管的源極和漏極為對位標記，利用選擇性激光退火工藝至少 對所述非晶娃半導(dǎo)體層中位于各個所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分進行退火，W 使得退火區(qū)域的非晶娃形成為多晶娃；
[0009] 進行構(gòu)圖工藝，W形成包括各個所述薄膜晶體管的有源層的圖形，所述有源層位 于所述退火區(qū)域內(nèi)，且與相應(yīng)的所述源極歐姆接觸部和所述漏極歐姆接觸部相連；
[0010] 形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形。
[0011] 優(yōu)選地，形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形的步驟包括：
[0012] 形成源漏金屬層和歐姆接觸材料層；
[0013] 進行構(gòu)圖工藝，W形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形。
[0014] 優(yōu)選地，形成包括各個所述薄膜晶體管的有源層的圖形的步驟和形成包括各個所 述薄膜晶體管的柵極的圖形的步驟之間還包括:形成柵極絕緣層；
[0015] 形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形的步驟之后還包括：
[0016] 形成純化層；
[0017] 形成貫穿所述純化層和所述柵極絕緣層的過孔；
[0018] 形成包括多個像素電極的圖形，多個所述像素電極與多個薄膜晶體管一一對應(yīng)， 所述像素電極通過所述過孔與相應(yīng)薄膜晶體管的漏極相連。
[0019] 優(yōu)選地，形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形的同時，還形成包括多個 像素電極的圖形，多個所述像素電極與多個薄膜晶體管一一對應(yīng)，同時形成包括多個薄膜 晶體管的源極和漏極的圖形W及包括多個像素電極的圖形步驟包括：
[0020] 依次形成透明導(dǎo)電層、源漏金屬層、歐姆接觸材料層和光刻膠層；
[0021] 對所述光刻膠層進行曝光并顯影，W使得顯影后，第一區(qū)域的光刻膠厚度大于第 二區(qū)域的光刻膠厚度、第Ξ區(qū)域的光刻膠被去除，其中，所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于所述包括多個 薄膜晶體管的源極和漏極的圖形所在區(qū)域，第二區(qū)域?qū)?yīng)于所述包括多個像素電極的圖形 所在區(qū)域，所述第Ξ區(qū)域為第一區(qū)域和第二區(qū)域W外的其他區(qū)域；
[0022] 進行第一次刻蝕，W去除所述第Ξ區(qū)域的透明導(dǎo)電層、源漏金屬層和歐姆接觸材 料層，形成包括多個像素電極的圖形；
[0023] 對剩余的光刻膠進行灰化，W使所述第二區(qū)域的光刻膠被去除、所述第一區(qū)域的 光刻膠保留一部分；
[0024] 進行第二次刻蝕，W去除所述第二區(qū)域的源漏金屬層和歐姆接觸材料層，形成包 括各個薄膜晶體管的源極和漏極圖形，其中，所述漏極設(shè)置在相應(yīng)的所述像素電極的表面。
[0025] 優(yōu)選地，形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形的步驟包括：
[0026] 依次形成柵極金屬層和防氧化層；
[0027] 對所述柵極金屬層和所述防氧化層進行構(gòu)圖工藝，W形成包括各個所述薄膜晶體 管的柵極的圖形。
[0028] 優(yōu)選地，所述防氧化層的材料包括金屬氧化物。
[0029] 優(yōu)選地，所述歐姆接觸材料層包括憐滲雜氨化非晶娃層。
[0030] 優(yōu)選地，所述有源層的兩端超出與該有源層對應(yīng)的柵極的邊緣，形成包括各個所 述薄膜晶體管的柵極的圖形的步驟之后還包括：
[0031] W所述柵極為掩膜，對所述有源層進行離子注入，W使所述有源層的超出相對應(yīng) 的柵極的部分形成輕滲雜區(qū)，注入的離子包括憐離子。
[0032] 優(yōu)選地，形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形之前，還包括：
[0033] 形成緩沖層。
[0034] 相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括 柵極、有源層、源極和漏極，形成所述有源層的材料包括對非晶娃材料經(jīng)過選擇性激光退火 得到的多晶娃材料，所述源極和漏極所在層位于所述有源層所在層的下方，所述源極包括 源極金屬部和設(shè)置在所述源極金屬部上的源極歐姆接觸部，所述漏極包括漏極金屬部和設(shè) 置在所述漏極金屬部上的漏極歐姆接觸部，所述有源層與所述源極歐姆接觸部和所述漏極 歐姆接觸部均相連，所述柵極位于所述有源層的上方。
[0035] 優(yōu)選地，所述源極歐姆接觸部和所述漏極歐姆接觸部的材料均包括憐滲雜氨化非 晶娃。
[0036] 優(yōu)選地，所述陣列基板還包括:位于所述有源層和所述柵極之間的柵極絕緣層、位 于所述薄膜晶體管上方的純化層、位于所述純化層上的多個像素電極，所述純化層和所述 柵極絕緣層上設(shè)置有對應(yīng)于所述漏極的過孔，多個像素電極與多個所述薄膜晶體管一一對 應(yīng)，所述像素電極通過所述過孔與相應(yīng)的薄膜晶體管的漏極相連。
[0037] 優(yōu)選地，所述陣列基板還包括多個像素電極，多個所述像素電極與多個所述薄膜 晶體管一一對應(yīng)，所述漏極設(shè)置在相應(yīng)的所述像素電極上。
[0038] 優(yōu)選地，所述柵極包括柵極金屬部和位于所述柵極金屬部上的防氧化部。
[0039] 優(yōu)選地，所述防氧化部的材料包括金屬氧化物。
[0040] 優(yōu)選地，所述有源層包括對應(yīng)于所述柵極的中間區(qū)和位于所述中間區(qū)兩側(cè)的輕滲 雜區(qū)，所述輕滲雜區(qū)的滲雜元素包括憐元素。
[0041] 優(yōu)選地，所述陣列基板還包括緩沖層，所述薄膜晶體管的源極和漏極設(shè)置在所述 緩沖層上。
[0042] 相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括本發(fā)明提供的上述陣列基板。
[0043] 相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括本發(fā)明提供的上述顯示面板。
[0044] 在本發(fā)明中，源極和漏極在形成非晶娃半導(dǎo)體層之前制作，因此，可源極和漏 極作為對位標記對非晶娃半導(dǎo)體層進行選擇性激光退火，增大工藝窗口，提高生產(chǎn)效率;另 夕h和現(xiàn)有技術(shù)中底柵結(jié)構(gòu)的多晶娃薄膜晶體管相比，本發(fā)明的薄膜晶體管的源極金屬部 與有源層之間設(shè)置有源極歐姆接觸部、漏極金屬部與有源層之間設(shè)置有漏極歐姆接觸部， W使源極和漏極與有源層之間形成歐姆接觸，從而降低源極、漏極與有源層之間的接觸電 阻，提高薄膜晶體管的開態(tài)電流;并且，由于源極和漏極在多晶娃有源層之前制作，因此，即 使源極歐姆接觸部和漏極歐姆接觸部的厚度較小，也不會因為刻蝕源漏極而造成溝道短路 或斷路的問題；除此之外，由于在退火結(jié)晶時，晶粒是由下向上結(jié)晶的，越靠近有源層上方， 缺陷越少，因此，將柵極設(shè)置在有源層上方時，有源層與柵極的界面的缺陷較少，W此界面 作為溝道能夠提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性，從而提高陣列基板和顯示裝置的產(chǎn)品質(zhì)量。
【附圖說明】
[0045] 附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具 體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0046] 圖1至圖9是本發(fā)明的實施例中提供的陣列基板的第一種制作方法的過程示意圖；
[0047] 圖10至圖19是本發(fā)明的實施例中提供的陣列基板的第二種制作方法的過程示意 圖。
[004引其中，附圖標記為：
[0049] 10、襯底基板;21、源極;21a、源極金屬部；2化、源極歐姆接觸部；22、漏極;22曰、漏 極金屬部;2化、漏極歐姆接觸部;23、驅(qū)動信號線;51、傳輸信號線;211、源漏金屬層;212、歐 姆接觸材料層;30、非晶娃半導(dǎo)體層;31、有源層;31a、輕滲雜區(qū)；31b、中間區(qū)；40、柵極絕緣 層;50、柵極;50曰、柵極金屬部;50b、防氧化部;60、純化層;70、平坦化層;80、像素電極;80曰、 透明導(dǎo)電層;81、像素電極殘留部;90、緩沖層;100、光刻膠層。
【具體實施方式】
[0050] W下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描 述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0051 ]作為本發(fā)明的一方面，提供一種陣列基板的制作方法，包括：
[0052] 形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形，所述源極包括源極金屬部和設(shè)置 在所述源極金屬部上的源極歐姆接觸部，所述漏極包括漏極金屬部和設(shè)置在所述漏極金屬 部上的漏極歐姆接觸部；
[0053] 形成非晶娃半導(dǎo)體層，可W理解的是，該非晶娃半導(dǎo)體層為一整層；
[0054] W各個所述薄膜晶體管的源極和漏極為對位標記，利用選擇性激光退火工藝至少 對所述非晶娃半導(dǎo)體層中位于各個所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分進行退火，W 使得退火區(qū)域的非晶娃形成為多晶娃；
[0055] 進行構(gòu)圖工藝，W形成包括各個所述薄膜晶體管的有源層的圖形，所述有源層位 于所述退火區(qū)域內(nèi)，且與相應(yīng)的源極歐姆接觸部和漏極歐姆接觸部相連；
[0056] 形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形。
[0057] 利用選擇性激光退火工藝對非晶娃半導(dǎo)體層進行退火工藝時，至少對所述非晶娃 半導(dǎo)體層中位于各個薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分進行退火是指，利用選擇性激光 退火設(shè)備檢測出源極和漏極的位置，然后進行局部退火，退火的區(qū)域至少覆蓋源極和漏極 之間的部分，且不完全覆蓋非晶娃半導(dǎo)體層。實際退火時，退火區(qū)域可W同時覆蓋源極和漏 極的區(qū)域，W保證后續(xù)形成的有源層全部為非晶娃材料。由于進行局部激光照射，激光經(jīng)過 多層透鏡聚焦，具有較高的能量，一次照射即可完成烙融結(jié)晶，可使晶核在退火區(qū)域邊緣形 成，然后向內(nèi)橫向生長，能夠使得薄膜晶體管達到較高的遷移率，并且，選擇性激光退火工 藝的工藝窗口較大，滿足大尺寸產(chǎn)品的生產(chǎn)需求。
[0058] 在本發(fā)明中，源極和漏極在形成非晶娃半導(dǎo)體層之前制作，因此，可源極和漏 極作為對位標記對非晶娃半導(dǎo)體層進行選擇性激光退火，增大工藝窗口，提高生產(chǎn)效率;另 夕h和現(xiàn)有技術(shù)中底柵結(jié)構(gòu)的多晶娃薄膜晶體管相比，本發(fā)明的薄膜晶體管的源極金屬部 與有源層之間設(shè)置有源極歐姆接觸部、漏極金屬部與有源層之間設(shè)置有漏極歐姆接觸部， W使源極和漏極與有源層之間形成歐姆接觸，從而降低源極、漏極與有源層之間的接觸電 阻，提高薄膜晶體管的開態(tài)電流;并且，由于源極和漏極在多晶娃有源層之前制作，因此，即 使源極歐姆接觸部和漏極歐姆接觸部的厚度較小，也不會因為刻蝕源漏極而造成溝道短路 或斷路的問題；除此之外，由于在退火結(jié)晶時，晶粒是由下向上結(jié)晶的，越靠近有源層上方， 缺陷越少，因此，將柵極設(shè)置在有源層上方時，有源層與柵極的界面的缺陷較少，W此界面 作為溝道能夠提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性。
[0059] 圖1至圖9為本發(fā)明提供的陣列基板的第一種制作方法的過程示意圖，下面結(jié)合圖 1至圖9對第一種制作方法進行具體說明。
[0060] 首先，該第一制作方法包括上述形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形的 步驟，具體包括：
[0061] Slla、形成源漏金屬層和歐姆接觸材料層，其中，源漏金屬層可W為單層金屬，例 如，鋼(Mo)、銅(化）、鶴(W);也可W為雙層金屬，例如，欽侶合金(AlNd)/鋼(Mo)、侶(A1)/鋼 (Mo);也可W為Ξ層金屬層，例如，鋼(Mo)/欽侶合金(AlNd)/鋼(Mo)、鐵(Ti)/侶(A1)/鐵 (Ti);所述歐姆接觸材料層包括憐滲雜氨化非晶娃層。
[0062] Sllb、對所述源漏金屬層和所述歐姆接觸材料層進行構(gòu)圖工藝，W在襯底基板10 上形成包括多個薄膜晶體管的源極21和漏極22的圖形，源極21包括源極金屬部21a和源極 歐姆接觸部21b，漏極22包括漏極金屬部22a和漏極歐姆接觸部22b，如圖1所示。
[0063] 之后，所述制作方法包括上述形成有源層的步驟、形成柵極的步驟，還包括形成柵 極絕緣層的步驟、形成純化層的步驟和形成像素電極的步驟。即，第一種制作方法在步驟 S1化之后，還包括：
[0064] S12、形成非晶娃半導(dǎo)體層30(如圖2所示），之后可W對非晶娃半導(dǎo)體層30進行加 熱去氨處理。
[0065] S13、W各個薄膜晶體管的源極21和漏極22為對位標記，利用選擇性激光退火工藝 至少對非晶娃半導(dǎo)體層30的位于各個薄膜晶體管的源極21和漏極22之間的部分進行退火， W使得退火區(qū)域B的非晶娃形成為多晶娃，如圖3所示。
[0066] S14、進行構(gòu)圖工藝，W形成包括各個薄膜晶體管的有源層31的圖形，有源層31為 位于所述退火區(qū)域內(nèi)，且與相應(yīng)薄膜晶體管的源極歐姆接觸部2化和漏極歐姆接觸部22b相 連，如圖4所示。
[0067] S15、形成柵極絕緣層40，如圖5所示。
[0068] S16、形成包括各個薄膜晶體管的柵極50的圖形，如圖5所示。
[0069] 其中，有源層31的兩端超出與該有源層31對應(yīng)的柵極50的邊緣。步驟S16之后還包 括：
[0070] S17、w柵極50為掩膜，對有源層31進行離子注入，注入的離子包括憐離子，通過調(diào) 節(jié)離子注入設(shè)備的功率，能夠控制注入的離子穿過柵極絕緣層40而進入有源層31，W使得 有源層31的超出柵極50的部分形成輕滲雜區(qū)31曰，如圖6所示，有源層31即包括對應(yīng)于柵極 50的中間區(qū)3化和中間區(qū)3化兩側(cè)的輕滲雜區(qū)31曰。
[0071] S18、形成純化層60,并形成貫穿純化層60和柵極絕緣層40的過孔，如圖7所示。
[0072] S19、形成包括多個像素電極80的圖形，多個像素電極80與多個薄膜晶體管一一對 應(yīng)，像素電極80通過所述過孔與相應(yīng)薄膜晶體管的漏極22相連，如圖9所示。
[0073] 其中，步驟S17中W薄膜晶體管自身的柵極50作為掩膜進行輕滲雜工藝，不需要單 獨制作掩膜板，簡化了制作工藝;經(jīng)過輕滲雜后的有源層形成了一對PN結(jié)，并能夠降低熱電 子效應(yīng)，從而降低薄膜晶體管的漏電流，改善薄膜晶體管的性能。另外，在步驟S18和S19之 間還可W包括形成平坦化層70(如圖8所示）的步驟，平坦化層70上形成有過孔，且平坦化層 70的過孔與純化層60的過孔相連通，像素電極80設(shè)置在平坦化層70上，當(dāng)然，也可W根據(jù)實 際要求省略平坦化層70,直接使得像素電極80設(shè)置在純化層60上。
[0074] 圖10至圖19給出了陣列基板的第二種制作方法的制作過程，下面結(jié)合圖10至圖19 對第二種制作方法進行具體介紹。
[0075] 首先，在該第二種制作方法中，在形成包括多個薄膜晶體管的源極21和漏極22的 圖形的同時還形成包括多個像素電極80的步驟，多個像素電極80與多個薄膜晶體管一一對 應(yīng)。也就是說，包括源極21和漏極22的圖形W及包括像素電極80的圖形在制作時，是利用同 一個掩膜板進行了一次曝光后形成的。具體地，同時形成包括多個薄膜晶體管的源極21和 漏極22的圖形W及包括多個像素電極80的步驟包括：
[0076] S21、依次形成透明導(dǎo)電層80a、源漏金屬層211、歐姆接觸材料層212和光刻膠層 100,如圖10所示。其中，透明導(dǎo)電層80a可W為氧化銅錫層；源漏金屬層211可W為單層金 屬，如鋼(Mo)、銅(Cu)、鶴(W);也可W為雙層金屬，例如，欽侶合金(AlNd)/鋼(Mo)、侶(A1)/ 鋼(Mo);也可W為Ξ層金屬層，例如，鋼(Mo)/欽侶合金(AlNd)/鋼(Mo)、鐵(Ti)/侶(A1)/鐵 (Ti);歐姆接觸材料層212與第一種制作方法中材料相同。
[0077] S22、對光刻膠層100進行曝光并顯影，W使得顯影后，第一區(qū)域A1的光刻膠厚度大 于第二區(qū)域A2的光刻膠厚度，第Ξ區(qū)域(第一區(qū)域A1和第二區(qū)域A2W外的區(qū)域)的光刻膠被 去除，其中，第一區(qū)域A1對應(yīng)于所述包括多個薄膜晶體管的源極21和漏極22的圖形所在區(qū) 域，第二區(qū)域A2對應(yīng)于所述包括多個像素電極80的圖形所在區(qū)域，第Ξ區(qū)域為第一區(qū)域A1 和第二區(qū)域A2W外的其他區(qū)域，如圖11所示。其中，曝光時采用掩膜板可W為半色調(diào)化alf- tone)掩膜板，當(dāng)光刻膠為負性光刻膠時，半色調(diào)掩膜板的透光部對應(yīng)于第一區(qū)域A1、半色 調(diào)掩膜板的半透光部對應(yīng)于第二區(qū)域A2、半色調(diào)掩膜板的不透光部對應(yīng)于第Ξ區(qū)域A3。
[0078] S23、進行第一次刻蝕，W去除第Ξ區(qū)域的透明導(dǎo)電層80a、源漏金屬層211和歐姆 接觸材料層212，形成包括多個像素電極80的圖形，形成的圖形中包括像素電極80和多個像 素電極殘留部81，如圖12所示。
[0079] S24、對剩余的光刻膠進行灰化，W使第二區(qū)域A2的光刻膠被去除、第一區(qū)域A1的 光刻膠保留一部分，如圖13所示。
[0080] S25、進行第二次刻蝕，W去除第二區(qū)域A2的源漏金屬層211和歐姆接觸材料層 212, W形成包括多個薄膜晶體管的源極21和漏極22的圖形，其中，漏極22設(shè)置在相應(yīng)的像 素電極80的表面，源極21位于其中一個像素電極殘留部81上，如圖14所示。
[0081] 之后，再將剩余的光刻膠剝離。
[0082] 和第一種制作方法相同地，在形成源極21和漏極22之后，再形成有源層31，即，在 步驟S25之后還包括：
[0083] S26、形成非晶娃半導(dǎo)體層30,如圖15所示。
[0084] S27、W各個所述薄膜晶體管的源極21和漏極22為對位標記，利用選擇性激光退火 工藝至少對非晶娃半導(dǎo)體層30中位于各個薄膜晶體管的源極21和漏極22之間的部分進行 退火，W使得退火區(qū)域B的非晶娃形成為多晶娃，如圖16所示；
[0085] S28、進行構(gòu)圖工藝，W形成包括有源層31的圖形，有源層31位于退火區(qū)域B內(nèi)，且 與源極歐姆接觸部2化和漏極歐姆接觸部22b均相連，如圖17所示。
[0086] 之后再形成柵極絕緣層40(如圖18所示)和包括各個薄膜晶體管的柵極50的圖形， 形成包括各個薄膜晶體管的柵極50的圖形具體包括：
[0087] S29、依次形成柵極金屬層和防氧化層；
[0088] S291、對所述柵極金屬層和所述防氧化層進行構(gòu)圖工藝，W形成包括各個薄膜晶 體管的柵極50的圖形，如圖19所示，即，形成雙層結(jié)構(gòu)(柵極金屬部50a和防氧化部50b)的柵 極50。其中，所述防氧化層的材料包括金屬氧化物，其中，所述金屬氧化物的具體種類不作 限定，只要不易發(fā)生氧化即可，例如，所述金屬氧化物為氧化銅錫。
[0089] 在第二種制作方法中，柵極50為雙層結(jié)構(gòu)，防氧化層能夠起到對金屬層的保護作 用，防止陣列基板制作或陣列基板進行綁定(bonding)工藝時金屬接觸水汽后被氧化而影 響薄膜晶體管的性能。
[0090] 和第一種制作方法相同地，在第二種制作方法中，有源層31的兩端均超出柵極50 的邊緣，在形成柵極50之后還包括：W柵極50為掩膜，對有源層31進行離子注入，W使有源 層31的超出柵極50的部分形成輕滲雜區(qū)31曰，此時，有源層31包括對應(yīng)于柵極50的中間區(qū) 3化和位于中間區(qū)3化兩側(cè)的輕滲雜區(qū)31曰，注入的離子包括憐原子，如圖19所示。
[0091] 需要說明的是，在實際生產(chǎn)中，通常在陣列基板的非顯示區(qū)設(shè)置有與柵極50同層 的傳輸信號線51和與源極21、漏極22同層設(shè)置的驅(qū)動信號線23,如圖19所示。其中，傳輸信 號線51可W與顯示區(qū)的薄膜晶體管的柵極相連，驅(qū)動信號線23可W與驅(qū)動電路相連，傳輸 信號線51和驅(qū)動信號線23電連接，W將驅(qū)動電路的信號提供給陣列基板。而與柵極50同層 的傳輸信號線51與柵極50是同步形成的，與源極21、漏極22同層的驅(qū)動信號線23是與源極 21和漏極22同步形成的，為了使得后續(xù)步驟中傳輸信號線51和驅(qū)動信號線23能夠?qū)崿F(xiàn)電連 接，在步驟S28和步驟S29之間還包括:對柵極絕緣層40對應(yīng)于驅(qū)動信號線23的位置形成過 孔(如圖18所示），從而使得與柵極50同層的傳輸信號線51可W和驅(qū)動信號線23通過過孔相 連。其中，驅(qū)動信號線23也包括上下兩部分(金屬部和位于金屬部上的歐姆接觸殘留部），在 柵極絕緣層40形成的過孔可W同時貫穿驅(qū)動信號線23的歐姆接觸殘留部，也可W僅貫穿柵 極絕緣層40。
[0092] 進一步地，在上述兩種制作方法中，形成包括多個薄膜晶體管的源極21和漏極22 的步驟之前，還包括:形成緩沖層90,如圖10所示，W防止襯底基板10中的金屬離子擴散至 薄膜晶體管的有源層31中，從而減少有源層31產(chǎn)生的缺陷，并降低漏電流。其中，該緩沖層 90的材料可W包括娃的氧化物(SiOx)、娃的氮化物(SiNx)、娃的氮氧化物(SiON)等中的任意 一種形成的單層膜或任意多種形成的復(fù)合膜層。
[0093] 作為本發(fā)明的另一方面，提供一種陣列基板，包括多個薄膜晶體管，如圖9和圖19 所示，所述薄膜晶體管包括柵極50、有源層31、源極21和漏極22,形成有源層31的材料包括 對非晶娃材料經(jīng)過選擇性激光退火得到的多晶娃材料，源極21和漏極22所在層位于有源層 31所在層的下方，源極21包括源極金屬部21a和設(shè)置在所述源極金屬部21a上的源極歐姆接 觸部2化，漏極22包括漏極金屬部2?和設(shè)置在漏極金屬部2?上的漏極歐姆接觸部22b，柵 極50所在層位于有源層31的上方。
[0094] 在陣列基板的制作過程中進行選擇性激光退火工藝時，可源極21和漏極22作 為對位標記圖形對非晶娃半導(dǎo)體進行選擇性激光退火；另外，源極21和漏極22與有源層31 之間均能夠形成歐姆接觸，從而可W降低源極21、漏極22與有源層31之間的接觸電阻，提高 薄膜晶體管的開態(tài)電流;并且，由于在退火結(jié)晶時，晶粒是由下向上結(jié)晶的，越靠近有源層 上方，缺陷越少，因此，當(dāng)柵極50設(shè)置在有源層31上方時，有源層31與柵極50的界面的缺陷 減少，W此界面作為溝道能夠提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性。
[0095] 其中，源極歐姆接觸部21b和漏極歐姆接觸部22b的材料均包括憐滲雜氨化非晶 娃，其厚度可W在400又~5()0A之間。
[0096] 本發(fā)明提供的陣列基板的第一種結(jié)構(gòu)如圖10所示，所述陣列基板還包括:位于有 源層31和柵極50之間的柵極絕緣層40、位于所述薄膜晶體管上方的純化層60、位于純化層 60上的多個像素電極80,純化層60和柵極絕緣層40上設(shè)置有對應(yīng)于漏極22的過孔，多個像 素電極80與多個薄膜晶體管一一對應(yīng)，像素電極80通過所述過孔與相應(yīng)的薄膜晶體管的漏 極22相連。其中，像素電極80可W直接設(shè)置在純化層60上，也可W在純化層60上設(shè)置平坦化 層70,平坦化層70上設(shè)置有過孔，且該過孔與純化層60的過孔連通，如圖10所示，像素電極 80設(shè)置在平坦化層70上。
[0097] 本發(fā)明提供的陣列基板的第二種結(jié)構(gòu)如圖19所示，所述陣列基板包括上述柵極 50、源極21、漏極22和有源層31，所述陣列基板還包括多個像素電極80,多個像素電極70與 多個薄膜晶體管一一對應(yīng)，漏極22設(shè)置在相應(yīng)地像素電極80上。所述陣列基板還包括與像 素電極80同層的多個像素電極殘留部81，源極21位于其中一個像素電極殘留部81上，運樣， 在陣列基板的制作過程中，在制作源極21、漏極22和像素電極80時，可W只利用一張掩膜板 進行一次曝光，從而簡化了制作工藝，減少了掩膜板的使用，降低了生產(chǎn)成本，具體利用一 次曝光制作源極21、漏極22和像素電極80的步驟在上文的實施方式中已經(jīng)描述，運里不再 寶述。
[0098] 所述陣列基板的非顯示區(qū)還設(shè)置有與源漏極同層設(shè)置的驅(qū)動信號線23、與柵極50 同層設(shè)置的傳輸信號線51，驅(qū)動信號線23位于另一個像素電極殘留部81上。通常，為了對陣 列基板進行驅(qū)動，需要將傳輸信號線51與柵極50電連接、將傳輸信號線51與驅(qū)動信號線23 電連接，為此，如圖18和圖19所示，柵極絕緣層40對應(yīng)于驅(qū)動信號線23的位置形成有過孔， 傳輸信號線51通過該過孔與驅(qū)動信號線23相連。和源極21結(jié)構(gòu)相類似地，驅(qū)動信號線23也 可W包括金屬部和設(shè)置在金屬部上的歐姆接觸殘留部，傳輸信號線51可W與驅(qū)動信號線的 歐姆接觸殘留部相連，也可W與驅(qū)動信號線的金屬部相連。
[0099] 在陣列基板的第二種結(jié)構(gòu)中，如圖19所示，柵極50包括柵極金屬部50a和位于柵極 金屬部50a上的防氧化部50b，從而防止在陣列基板的制作過程中柵極金屬部50a的金屬材 料直接暴露在空氣中發(fā)生氧化，W防止薄膜晶體管的性能受到影響。其中，防氧化部50b的 材料包括金屬氧化物，例如，氧化銅錫。
[0100] 優(yōu)選地，在上述兩種結(jié)構(gòu)的陣列基板中，有源層31包括對應(yīng)于柵極50的中間區(qū)50b 和位于中間區(qū)50b兩側(cè)的輕滲雜區(qū)50a，輕滲雜區(qū)50a的滲雜元素包括憐元素，輕滲雜區(qū)50a 是向有源層31進行離子輕滲雜后形成的，從而減少薄膜晶體管的漏電流，改善薄膜晶體管 的性能。
[0101] 上述兩種結(jié)構(gòu)的陣列基板中還可W包括緩沖層90,如圖10至圖19所示，所述薄膜 晶體管的源極21和漏極22設(shè)置在緩沖層90上，緩沖層90的設(shè)置可W防止襯底基板10中的金 屬離子擴散至薄膜晶體管的有源層31中，從而減少缺陷中屯、和減少漏電流。其中，緩沖層90 的材料可W包括娃的氧化物(SiOx)、娃的氮化物(SiNx)、娃的氮氧化物(SiON)等中的任意一 種形成的單層膜或任意多種形成的復(fù)合膜層。附圖中僅在圖10至圖19中示意出了緩沖層 90,應(yīng)當(dāng)理解的是，圖1至圖9中的陣列基板中也可W在薄膜晶體管的源極21和漏極22與襯 底基板10之間設(shè)置緩沖層90。
[0102] 作為本發(fā)明的第Ξ個方面，提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。所述顯示面板 可W為液晶顯示面板，即，還包括與陣列基板對盒的對盒基板和位于陣列基板與對盒基板 之間的液晶層;所述顯示面板還可W為有機電致發(fā)光顯示面板，即，還包括有機發(fā)光單元。
[0103] 作為本發(fā)明的第四個方面，提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0104] 由于所述陣列基板中，薄膜晶體管形成頂柵結(jié)構(gòu)，因此，容易設(shè)置厚度較小的源極 歐姆接觸部和漏極歐姆接觸部來形成源漏極與有源層之間的歐姆接觸，改善薄膜晶體管的 性能，而頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管并不影響選擇性激光退火工藝，另外還可W利用柵極作為 掩膜進行輕滲雜工藝，降低漏電流，因此，和現(xiàn)有技術(shù)中底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管相比，本發(fā) 明中薄膜晶體管的性能相對提高，從而有利于提高顯示面板和顯示裝置的分辨率，改善顯 示效果。
[0105] 可W理解的是，W上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實質(zhì)的情況下，可W做出各種變型和改進，運些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括： 形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形，所述源極包括源極金屬部和設(shè)置在所 述源極金屬部上的源極歐姆接觸部，所述漏極包括漏極金屬部和設(shè)置在所述漏極金屬部上 的漏極歐姆接觸部； 形成非晶硅半導(dǎo)體層； 以各個所述薄膜晶體管的源極和漏極為對位標記，利用選擇性激光退火工藝至少對所 述非晶硅半導(dǎo)體層中位于各個所述薄膜晶體管的源極和漏極之間的部分進行退火，以使得 退火區(qū)域的非晶硅形成為多晶硅； 進行構(gòu)圖工藝，以形成包括各個所述薄膜晶體管的有源層的圖形，所述有源層位于所 述退火區(qū)域內(nèi)，且與相應(yīng)的所述源極歐姆接觸部和所述漏極歐姆接觸部相連； 形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏 極的圖形的步驟包括： 形成源漏金屬層和歐姆接觸材料層； 進行構(gòu)圖工藝，以形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成包括各個所述薄膜晶體管的有源 層的圖形的步驟和形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形的步驟之間還包括:形成柵 極絕緣層； 形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形的步驟之后還包括： 形成鈍化層； 形成貫穿所述鈍化層和所述柵極絕緣層的過孔； 形成包括多個像素電極的圖形，多個所述像素電極與多個薄膜晶體管一一對應(yīng)，所述 像素電極通過所述過孔與相應(yīng)薄膜晶體管的漏極相連。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏 極的圖形的同時，還形成包括多個像素電極的圖形，多個所述像素電極與多個薄膜晶體管 一一對應(yīng)，同時形成包括多個薄膜晶體管的源極和漏極的圖形以及包括多個像素電極的圖 形步驟包括： 依次形成透明導(dǎo)電層、源漏金屬層、歐姆接觸材料層和光刻膠層； 對所述光刻膠層進行曝光并顯影，以使得顯影后，第一區(qū)域的光刻膠厚度大于第二區(qū) 域的光刻膠厚度、第三區(qū)域的光刻膠被去除，其中，所述第一區(qū)域?qū)?yīng)于所述包括多個薄膜 晶體管的源極和漏極的圖形所在區(qū)域，第二區(qū)域?qū)?yīng)于所述包括多個像素電極的圖形所在 區(qū)域，所述第三區(qū)域為第一區(qū)域和第二區(qū)域以外的其他區(qū)域； 進行第一次刻蝕，以去除所述第三區(qū)域的透明導(dǎo)電層、源漏金屬層和歐姆接觸材料層， 形成包括多個像素電極的圖形； 對剩余的光刻膠進行灰化，以使所述第二區(qū)域的光刻膠被去除、所述第一區(qū)域的光刻 膠保留一部分； 進行第二次刻蝕，以去除所述第二區(qū)域的源漏金屬層和歐姆接觸材料層，形成包括各 個薄膜晶體管的源極和漏極圖形，其中，所述漏極設(shè)置在相應(yīng)的所述像素電極的表面。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極 的圖形的步驟包括： 依次形成柵極金屬層和防氧化層； 對所述柵極金屬層和所述防氧化層進行構(gòu)圖工藝，以形成包括各個所述薄膜晶體管的 柵極的圖形。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述防氧化層的材料包括金屬氧化 物。7. 根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的制作方法，其特征在于，所述歐姆接觸材料層包括磷摻雜 氫化非晶硅層。8. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的制作方法，其特征在于，所述有源層的兩端超 出與該有源層對應(yīng)的柵極的邊緣，形成包括各個所述薄膜晶體管的柵極的圖形的步驟之后 還包括： 以所述柵極為掩膜，對所述有源層進行離子注入，以使所述有源層的超出相對應(yīng)的柵 極的部分形成輕摻雜區(qū)，注入的離子包括磷離子。9. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項所述的制作方法，其特征在于，形成包括多個薄膜晶 體管的源極和漏極的圖形之前，還包括： 形成緩沖層。10. -種陣列基板，包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏 極，其特征在于，形成所述有源層的材料包括對非晶硅材料經(jīng)過選擇性激光退火得到的多 晶硅材料，所述源極和漏極所在層位于所述有源層所在層的下方，所述源極包括源極金屬 部和設(shè)置在所述源極金屬部上的源極歐姆接觸部，所述漏極包括漏極金屬部和設(shè)置在所述 漏極金屬部上的漏極歐姆接觸部，所述有源層與所述源極歐姆接觸部和所述漏極歐姆接觸 部均相連，所述柵極位于所述有源層的上方。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述源極歐姆接觸部和所述漏極歐 姆接觸部的材料均包括磷摻雜氫化非晶硅。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括:位于所述有 源層和所述柵極之間的柵極絕緣層、位于所述薄膜晶體管上方的鈍化層、位于所述鈍化層 上的多個像素電極，所述鈍化層和所述柵極絕緣層上設(shè)置有對應(yīng)于所述漏極的過孔，多個 像素電極與多個所述薄膜晶體管一一對應(yīng)，所述像素電極通過所述過孔與相應(yīng)的薄膜晶體 管的漏極相連。13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括多個像素電 極，多個所述像素電極與多個所述薄膜晶體管一一對應(yīng)，所述漏極設(shè)置在相應(yīng)的所述像素 電極上。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極包括柵極金屬部和位于所 述柵極金屬部上的防氧化部。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其特征在于，所述防氧化部的材料包括金屬氧化 物。16. 根據(jù)權(quán)利要求10至15中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層包括對 應(yīng)于所述柵極的中間區(qū)和位于所述中間區(qū)兩側(cè)的輕摻雜區(qū)，所述輕摻雜區(qū)的摻雜元素包括 磷元素。17. 根據(jù)權(quán)利要求10至15中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包 括緩沖層，所述薄膜晶體管的源極和漏極設(shè)置在所述緩沖層上。18. -種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求10至17中任意一項所述的陣列基板。19. 一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求18所述的顯示面板。
【文檔編號】H01L27/12GK105870135SQ201610340899
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年5月19日
【發(fā)明人】舒適, 何曉龍, 張斌, 薛建設(shè), 張鋒
【申請人】京東方科技集團股份有限公司