倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法，包括依次層疊的基底、陰極、電子傳輸層、藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層、藍(lán)光能量傳遞層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極；所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為15nm～30nm；所述藍(lán)光能量傳遞層的厚度為0.2nm～2.5nm。這種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，采用藍(lán)光能量傳遞層作為發(fā)光激子形成的輔助層，使得藍(lán)光發(fā)光激子除了直接注入的方式形成外，還可通過能量傳遞的方式形成，藍(lán)光發(fā)光激子在藍(lán)光能量傳遞層形成后通過能量傳遞的方式再到達(dá)藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層上使其發(fā)光，從而解決了倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的空穴注入勢壘較高的問題。
【專利說明】
倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及薄膜電致發(fā)光器件領(lǐng)域，特別是涉及一種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]量子點(diǎn)(quantumdots，QDs)是由有限數(shù)目的原子組成，三個維度尺寸均在納米數(shù)量級。量子點(diǎn)一般為球形或類球形，是由半導(dǎo)體材料(通常由Π B?VIA或ΙΠΑ?VA元素組成)制成的、穩(wěn)定直徑在2?20nm的納米粒子。量子點(diǎn)是在納米尺度上的原子和分子的集合體，既可由一種半導(dǎo)體材料組成，如由118.￥1六族元素(如0(13、0(136、0仉6、21136等)或IIIA.VA族元素(如InP、InAs等)組成，也可以由兩種或兩種以上的半導(dǎo)體材料組成。作為一種新穎的半導(dǎo)體納米材料，量子點(diǎn)具有許多獨(dú)特的納米性質(zhì)，并且可以應(yīng)用作為薄膜電致發(fā)光器件的發(fā)光層。
[0003]然而，由于薄膜電致發(fā)光器件常用的透明陽極ITO功函數(shù)為4.8eV，其與QDs的HOMO能級(>6.0eV)相差較遠(yuǎn)，因此造成QLED器件中空穴注入勢皇普遍較高，需要高HOMO能級的空穴注入材料來幫助空穴的注入，然而當(dāng)前常用的空穴注入材料其HOMO能級一般為5.2eV?6.0eV，對于紅光QDs (?6.0eV)來說基本能滿足空穴注入的要求，然而對于綠光QDs (?6.5eV)和藍(lán)光QDs(?6.8eV)來說，由于空穴注入勢皇較高，很難滿足空穴注入的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種能夠解決空穴注入勢皇較高的問題的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底、陰極、電子傳輸層、藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層、藍(lán)光能量傳遞層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極；
[0006]所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為藍(lán)光量子點(diǎn)，所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為15nm?30nm;
[0007]所述藍(lán)光能量傳遞層的材料為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料，所述藍(lán)光能量傳遞層的厚度為
0.2nm ?2.5nm。
[0008]在一個實施例中，所述藍(lán)光量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu)的CMSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)或核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)，所述核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為3nm?6nm，所述核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為8nm?15nm，其中，“CdSeOZnS”為ZnS包覆CdSe，uZnCdSiZnS"為 ZnS 包覆 ZnCdS。
[0009]在一個實施例中，所述藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料選自氨基取代的聯(lián)苯乙烯基衍生物、四溴苯酚酞乙酯鉀鹽、4，4’_(二(9-乙基-3乙烯咔唑聯(lián)苯和雙(4，6_ 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥中的至少一種。
[0010]在一個實施例中，所述陰極的材料為IT0、FT0、AZ0或ΙΖ0，所述陰極的厚度為80nm?200nm。[0011 ]在一個實施例中，所述電子傳輸層的材料選自氧化鋅和二氧化鈦中的至少一種，所述電子傳輸層的厚度為30nm?50nmo
[0012]在一個實施例中，所述空穴傳輸層的材料選自4，4’ -雙(9-咔唑-9-基)聯(lián)苯、N，Y -二( 1-萘基)-N，N7 -二苯基-1，I7 -聯(lián)苯-4-V -二胺和2-羥基-3-甲基-2-環(huán)戊烯-1-酮中的至少一種，所述空穴傳輸層的厚度為30nm?60nmo
[0013]在一個實施例中，所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢、氧化釩和鈦菁銅中的至少一種，所述空穴注入層的厚度為3nm?15nm。
[0014]在一個實施例中，所述陽極的材料為鋁、銀、金或鉑，所述陽極的厚度為80nm?150nmo
[0015]上述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0016]提供基底并對所述基底進(jìn)行清洗；
[0017]在清洗干凈的所述基底上形成陰極；
[0018]在所述陰極上通過溶液旋涂法依次形成電子傳輸層和藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層，其中，所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為藍(lán)光量子點(diǎn)，所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為15nm?30nm;以及
[0019]在所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層上通過真空蒸鍍法依次形成藍(lán)光能量傳遞層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，其中，所述藍(lán)光能量傳遞層的材料為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料，所述藍(lán)光能量傳遞層的厚度為0.2nm?2.5nm。
[0020]這種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，采用藍(lán)光能量傳遞層作為發(fā)光激子形成的輔助層，使得藍(lán)光發(fā)光激子除了直接注入的方式形成外，還可通過能量傳遞的方式形成，藍(lán)光發(fā)光激子在藍(lán)光能量傳遞層形成后通過能量傳遞(ET，Energy Transfer)的方式再到達(dá)藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層上使其發(fā)光，從而解決了倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的空穴注入勢皇較高的問題。
[0021 ]同時，藍(lán)光能量傳遞層的厚度為0.2nm?2.5nm，從而使得藍(lán)光能量傳遞層無法形成自身的強(qiáng)烈發(fā)光，不影響藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜及其色純度，解決倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的空穴注入勢皇較高的問題。
【附圖說明】
[0022]圖1為一實施方式的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為如圖1所示的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0024]圖3為實施例1?實施例3以及對比例制得的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的發(fā)光性能對比圖。
【具體實施方式】
[0025]下面主要結(jié)合附圖及具體實施例對倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的制備方法作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0026]如圖1所示的一實施方式的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基底10、陰極20、電子傳輸層30、藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40、藍(lán)光能量傳遞層50、空穴傳輸層60、空穴注入層70以及陽極80。
[0027]基底10通常選擇透過率較高的玻璃。
[0028]陰極20的材料為銦錫氧化物(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁的氧化鋅(AZO)或摻銦的氧化鋅(IZO)。
[0029]陰極20的厚度為80nm?200nm。
[0030 ]電子傳輸層30的材料選自氧化鋅(ZnO)和二氧化鈦(T i02)中的至少一種。
[0031 ] 電子傳輸層30的厚度為20nm?50nm。
[0032]藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的材料為藍(lán)光量子點(diǎn)。優(yōu)選的，藍(lán)光量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)或核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)，核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為3nm?6nm，核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為8nm?15nm，其中，“CdSeOZnS”為ZnS包覆CdSe，“ZnCdS@ZnS”為ZnS包覆ZnCdS。核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)和核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)均可以直接購買得到。
[0033]藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的厚度為15nm?30nmo
[0034]藍(lán)光能量傳遞層50的材料為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料，其中，藍(lán)光能量傳遞層50的能帶寬度略高于藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的能帶寬度或者二者的能帶寬度相近。具體的，藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料選自BCzVB(氨基取代的聯(lián)苯乙烯基衍生物)、四溴苯酚酞乙酯鉀鹽(TBPe)、4，4 ’ -(二 (9-乙基-3乙烯咔唑聯(lián)苯(BCzVBi)和雙(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(Firpic)中的至少一種。
[0035]藍(lán)光能量傳遞層50的厚度為0.2nm?2.5nm，從而使得藍(lán)光能量傳遞層50無法形成自身的強(qiáng)烈發(fā)光，不影響藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的發(fā)光光譜和色純度。
[0036]空穴傳輸層60的材料選自4，4 ’ -雙(9-咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、N，Y -二( 1-萘基)-N1N7 -二苯基-1,1。聯(lián)苯-4-4。二胺(NPB)和2-羥基-3-甲基-2-環(huán)戊烯-1-酮(mCP)中的至少一種。
[0037]空穴傳輸層60的厚度為30nm?60nm。
[0038]空穴注入層70的材料選自三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(V2O5)和鈦菁銅(CuPc)中的至少一種。
[0039]空穴注入層70的厚度為3nm?15nm。
[0040]陽極80的材料為鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)等高功函數(shù)金屬。
[0041 ] 陽極80的厚度為80nm?150nm。
[0042]這種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，采用藍(lán)光能量傳遞層50作為藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40發(fā)光激子形成的輔助層，使得藍(lán)光發(fā)光激子除了直接注入的方式形成外，還可通過能量傳遞的方式形成，藍(lán)光發(fā)光激子在藍(lán)光能量傳遞層50形成后通過能量傳遞(ET，Energy Transfer)的方式再到達(dá)藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40上使其發(fā)光，從而緩解了倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的空穴注入勢皇較高的問題。同時，藍(lán)光能量傳遞層50的厚度為
0.2nm?2.5nm，從而使得藍(lán)光能量傳遞層50無法形成自身的強(qiáng)烈發(fā)光，不影響藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜及其色純度，達(dá)到解決倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的空穴注入勢皇較高的問題。
[0043]如圖2所示的上述倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0044]S10、提供基底10并對基底10進(jìn)行清洗。
[0045]基底10通常選擇透過率較高的玻璃。
[0046]對基底10進(jìn)行清洗的操作為:對基底10依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲處理15min。
[0047]S20、在SI O得到的清洗干凈的基底上形成陰極20。
[0048]陰極20的材料為銦錫氧化物(ITO)、摻氟氧化錫(FTO)、摻鋁的氧化鋅(AZO)或摻銦的氧化鋅(IZO)。
[0049]陰極20的厚度為80nm?200nm。
[0050]在SlO得到的清洗干凈的基底上形成陰極20的操作中，陰極20的形成方法包括蒸鍍、噴鍍、濺射、電化學(xué)蒸發(fā)沉積、電化學(xué)方式等，優(yōu)選為濺射。
[0051]S20還包括對形成有陰極20的基板10依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲處理15min，再進(jìn)行UV-ozone作15min處理的操作。
[0052]S30、在S20形成的陰極20上通過溶液旋涂法依次形成電子傳輸層30和藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40。
[0053 ]電子傳輸層30的材料選自氧化鋅(ZnO)和二氧化鈦(T i02)中的至少一種。
[0054]電子傳輸層30的厚度為20nm?50nm。
[0055]藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的材料為藍(lán)光量子點(diǎn)。優(yōu)選的，藍(lán)光量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)或核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)，核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為3nm?6nm，核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為8nm?15nm，其中，“CdSeOZnS”為ZnS包覆CdSe，“ZnCdS@ZnS”為ZnS包覆ZnCdS。核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)和核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)均可以直接購買得到。
[0056]藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的厚度為15nm?30nmo
[0057]S40、在S30形成的藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40上通過真空蒸鍍法依次形成藍(lán)光能量傳遞層50、空穴傳輸層60、空穴注入層70和陽極80。
[0058]藍(lán)光能量傳遞層50的材料為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料，其中，藍(lán)光能量傳遞層50的能帶寬度略高于藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的能帶寬度或者二者的能帶寬度相近。具體的，藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料選自BCzVB(氨基取代的聯(lián)苯乙烯基衍生物)、四溴苯酚酞乙酯鉀鹽(TBPe)、4，4 ’ -(二 (9-乙基-3乙烯咔唑聯(lián)苯(BCzVBi)和雙(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(Firpic)中的至少一種。
[0059]藍(lán)光能量傳遞層50的厚度為0.2nm?2.5nm，從而使得藍(lán)光能量傳遞層50無法形成自身的強(qiáng)烈發(fā)光，不影響藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層40的發(fā)光光譜和色純度。
[0060]空穴傳輸層60的材料選自4，4 ’ -雙(9-咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、N，Y -二( 1-萘基)-N1N7 -二苯基-1,1。聯(lián)苯-4-4。二胺(NPB)和2-羥基-3-甲基-2-環(huán)戊烯-1-酮(mCP)中的至少一種。
[0061 ] 空穴傳輸層60的厚度為30nm?60nm。
[0062]空穴注入層70的材料選自三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、氧化釩(V2O5)和鈦菁銅(CuPc)中的至少一種。
[0063]空穴注入層70的厚度為3nm?15nm。
[0064]陽極80的材料為鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)等高功函數(shù)金屬。
[0065]陽極80的厚度為80nm?150nm。
[0066]這種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，工藝簡單，操作便利，可以適用于倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的制備。
[0067]以下為具體實施例。
[0068]實施例1
[0069]先將玻璃基底依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲處理15min。然后玻璃基板上派射一層厚度為150nm的ITO導(dǎo)電膜，再進(jìn)行UV-ozone作15min處理。
[0070]接著采用溶液旋涂法在充滿氮?dú)馇宜鹾繕O低的手套箱內(nèi)，采用20mg/mL的ZnO納米顆粒乙醇溶液，制備電子傳輸層，轉(zhuǎn)速為1500rpm，150°C下退火30min，厚度為40nm。之后制備量子點(diǎn)發(fā)光層，采用10mg/mL的藍(lán)光CdSeOZnS量子點(diǎn)甲苯溶液，轉(zhuǎn)速2000rpm，150°C下退火30min，厚度為20nm，得到半成品。
[0071]之后將半成品轉(zhuǎn)移至壓力為10—4Pa下的高真空腔體內(nèi)，依次真空蒸鍍0.8nm的TBPe作為藍(lán)光能量傳遞層，50nm的CBP作為空穴傳輸層，8nm的MoO3作為空穴注入層，最后蒸鍍10nm的Al電極作為陽極，得到所需的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件。
[0072]實施例2
[0073]先將玻璃基底依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲處理15min。然后玻璃基板上派射一層厚度為150nm的ITO導(dǎo)電膜，再進(jìn)行UV-ozone作15min處理。
[0074]接著采用溶液旋涂法在充滿氮?dú)馇宜鹾繕O低的手套箱內(nèi)，采用20mg/mL的ZnO納米顆粒乙醇溶液，制備電子傳輸層，轉(zhuǎn)速為3000rpm，150°C下退火30min，厚度為30nm。之后制備量子點(diǎn)發(fā)光層，采用10mg/mL的藍(lán)光CdSeOZnS量子點(diǎn)甲苯溶液，轉(zhuǎn)速2000rpm，150°C下退火30min，厚度為20nm，得到半成品。
[0075]之后將半成品轉(zhuǎn)移至壓力為10—4Pa下的高真空腔體內(nèi)，依次真空蒸鍍1.5nm的BCzVB作為藍(lán)光能量傳遞層，40nm的CBP作為空穴傳輸層，8nm的MoO3作為空穴注入層，最后蒸鍍10nm的Al電極作為陽極，得到所需的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件。
[0076]實施例3
[0077]先將玻璃基底依次用洗滌劑、丙酮、乙醇和異丙醇各超聲處理15min。然后玻璃基板上派射一層厚度為150nm的ITO導(dǎo)電膜，再進(jìn)行UV-ozone作15min處理。
[0078]接著采用溶液旋涂法在充滿氮?dú)馇宜鹾繕O低的手套箱內(nèi)，采用20mg/mL的ZnO納米顆粒乙醇溶液，制備電子傳輸層，轉(zhuǎn)速為100rpm，150 °C下退火30min，厚度為50nm。之后制備量子點(diǎn)發(fā)光層，采用10mg/mL的藍(lán)光CdSeOZnS量子點(diǎn)甲苯溶液，轉(zhuǎn)速2000rpm，150°C下退火30min，厚度為20nm，得到半成品。
[0079]之后將半成品轉(zhuǎn)移至壓力為IO—4Pa下的高真空腔體內(nèi)，依次真空蒸鍍0.3nm的Firpi c作為藍(lán)光能量傳遞層，60nm的CBP作為空穴傳輸層，8nm的M0O3作為空穴注入層，最后蒸鍍10nm的Al電極作為陽極，得到所需的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件。
[0080]對比例
[0081]對比例制備倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的過程與實施例1基本相同，唯一區(qū)別在于，對比例3中沒有藍(lán)光能量傳遞層。
[0082]對實施例1?3以及對比例中制得的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件分別進(jìn)行發(fā)光測試，得到圖3。
[0083]由圖3可以看出，實施例1?3制得的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件均具有較好的發(fā)光性能，并且實施例1?3制得的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的發(fā)光性能明顯高于比對比例制得的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件。
[0084]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底、陰極、電子傳輸層、藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層、藍(lán)光能量傳遞層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極； 所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為藍(lán)光量子點(diǎn)，所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為15nm?30nm； 所述藍(lán)光能量傳遞層的材料為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料，所述藍(lán)光能量傳遞層的厚度為0.2nm ?2.5nm02.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)或核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)，所述核殼結(jié)構(gòu)的CdSeOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為3nm?6nm，所述核殼結(jié)構(gòu)的ZnCdSOZnS藍(lán)光量子點(diǎn)的粒徑為8nm?15nm，其中，“CdSeOZnS” 為ZnS包覆CdSe，“ZnCdSOZnS” 為ZnS包覆ZnCdS03.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料選自氨基取代的聯(lián)苯乙烯基衍生物、四溴苯酚酞乙酯鉀鹽、4，4’_(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1，I，-聯(lián)苯和雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥中的至少一種。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極的材料為ITO、FTO、AZO或IZO，所述陰極的厚度為80nm?200nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自氧化鋅和二氧化鈦中的至少一種，所述電子傳輸層的厚度為30nm?50nmo6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自4，4’_雙(9-咔唑-9-基)聯(lián)苯、Ν，Υ -二(1-萘基)-N，Y - 二苯基-1，1。聯(lián)苯-4-47 -二胺和2-羥基-3-甲基-2-環(huán)戊烯-1-酮中的至少一種，所述空穴傳輸層的厚度為30nm?60nmo7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢、氧化釩和鈦菁銅中的至少一種，所述空穴注入層的厚度為3nm?15nm08.根據(jù)權(quán)利要求1所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料為招、銀、金或鈾，所述陽極的厚度為80nm?150nmo9.根據(jù)權(quán)利要求1?8中任一項所述的倒置藍(lán)光量子點(diǎn)薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 提供基底并對所述基底進(jìn)行清洗； 在清洗干凈的所述基底上形成陰極； 在所述陰極上通過溶液旋涂法依次形成電子傳輸層和藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層，其中，所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的材料為藍(lán)光量子點(diǎn)，所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層的厚度為15nm?30nm;以及 在所述藍(lán)光量子點(diǎn)發(fā)光層上通過真空蒸鍍法依次形成藍(lán)光能量傳遞層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，其中，所述藍(lán)光能量傳遞層的材料為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光材料，所述藍(lán)光能量傳遞層的厚度為0.2nm?2.5nm。
【文檔編號】H01L33/04GK105870272SQ201610213098
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月7日
【發(fā)明人】曹進(jìn), 周潔, 謝婧薇, 魏翔, 俞浩健
【申請人】上海大學(xué)