一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法、顯示裝置。該有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板包括：襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的有機(jī)發(fā)光二極管器件和薄膜封裝層，所述薄膜封裝層用于封裝所述有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括相互交替設(shè)置的至少一層無(wú)機(jī)薄膜層和至少一層有機(jī)薄膜層，還包括：具有微納結(jié)構(gòu)的疏水擋墻，設(shè)置于所述襯底基板上，且位于所述薄膜封裝層的外圍。在形成有機(jī)薄膜層之前形成疏水擋墻，在采用噴墨打印工藝制備有機(jī)薄膜層時(shí)，疏水擋墻能夠阻擋噴墨打印所用的墨水的流動(dòng)性，從而限制了有機(jī)薄膜層的爬坡距離，為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示產(chǎn)品的窄邊框化提供了工藝確保。
【專利說(shuō)明】
一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]封裝技術(shù)是有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)，目前幾乎所有的顯示面板廠商都在開(kāi)發(fā)薄膜封裝技術(shù)(thin film encapsulat1n，TFE)。薄膜封裝結(jié)構(gòu)一般為兩層或者兩層以上的多層薄膜堆疊結(jié)構(gòu)，按照作用來(lái)分包括無(wú)機(jī)薄膜層、有機(jī)薄膜層兩類。
[0003]無(wú)機(jī)薄膜層的主要作用是阻水阻氧，有機(jī)薄膜層主要作用是為后續(xù)形成的無(wú)機(jī)薄膜層提供平坦化的薄膜沉積條件、以及提供優(yōu)異的微粒(particle)包覆性效果。有機(jī)薄膜層的形成方式一般包括閃蒸、絲網(wǎng)印刷、Inkjet(噴墨)打印等，噴墨打印的工藝方法因沉積速度快、均勻性好、設(shè)備投資低等優(yōu)點(diǎn)成為新興的薄膜封裝工藝方法。
[0004]噴墨打印的墨水為紫外(UV)固化油墨，一般的，主要成分有可UV光固化的單官能度單體、雙官能度單體和三官能度單體，調(diào)節(jié)墨水粘度&表面張力的一定分子量低聚物，光引發(fā)劑，流平劑以及表面助劑等等。雖然符合噴墨工藝要求的墨水都有大致相當(dāng)?shù)恼扯戎岛捅砻鎻埩?水的粘度約IcP(厘泊)，可固化UV墨水的粘度一般為10-20cP ；水的表面張力約72mN/m(毫牛/米)，可固化UV墨水的表面張力范圍一般為25 — 45mN/m)，但墨水(ink)打印后在基板的擴(kuò)散速度卻主要依賴于墨水成分的化學(xué)結(jié)構(gòu)差異，例如有的墨水?dāng)U散速度甚至達(dá)到另外墨水的100倍以上。因此，噴墨打印后的有機(jī)薄膜層的爬坡距離差異性很大。請(qǐng)參考圖1-圖3，圖1-圖3分別是環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂制作的有機(jī)薄膜層的爬坡距離示意圖，從圖中可以看出，同樣是4um(微米)的有機(jī)薄膜，其爬坡距離分別為1.5mm(毫米)、
2.2mm、0.4mm，圖2和圖3中，即使都是由丙稀酸樹(shù)脂材料制成，但由于配方中的單體、低聚物、流平劑等種類&比例不同，爬坡距離也會(huì)存在差異。圖中，橫坐標(biāo)表示有機(jī)薄膜層的寬度，縱坐標(biāo)表示有機(jī)薄膜層的膜厚，爬坡距離是指縱坐標(biāo)從O升到最大值時(shí)橫坐標(biāo)的跨度距離。
[0005]目前，窄邊框化是顯示產(chǎn)品發(fā)展的趨勢(shì)，因而需要向內(nèi)壓縮產(chǎn)品結(jié)構(gòu)中的各個(gè)組成膜層的邊界，所以如何限制有機(jī)薄膜層的爬坡距離成為亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板及其制作方法、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板上的封裝薄膜層中的有機(jī)薄膜層爬坡距離大的問(wèn)題。
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，包括:襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的有機(jī)發(fā)光二極管器件和薄膜封裝層，所述薄膜封裝層用于封裝所述有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括相互交替設(shè)置的至少一層無(wú)機(jī)薄膜層和至少一層有機(jī)薄膜層，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板還包括:具有微納結(jié)構(gòu)的疏水擋墻，設(shè)置于所述襯底基板上，且位于所述薄膜封裝層的外圍。
[0008]優(yōu)選地，所述疏水擋墻為圍繞所述薄膜封裝層設(shè)置的封閉圖形或非封閉圖形。
[0009]優(yōu)選地，所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板包括一道所述疏水擋墻。
[0010]優(yōu)選地，所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板包括至少兩道所述疏水擋墻，相鄰兩道所述疏水擋墻之間具有預(yù)定間隔。
[0011]優(yōu)選地，所述至少兩道所述疏水擋墻中，至少最靠近所述薄膜封裝層的一道疏水擋墻為封閉圖形。
[0012]優(yōu)選地，最靠近所述薄膜封裝層的一道疏水擋墻與所述顯示區(qū)域之間具有預(yù)定距離。
[0013]優(yōu)選地，所述預(yù)定距離為300_500um。
[0014]優(yōu)選地，所述至少一層無(wú)機(jī)薄膜層中包括第一無(wú)機(jī)薄膜層，所述第一無(wú)機(jī)薄膜層在遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)還設(shè)置有有機(jī)薄膜層，所述第一無(wú)機(jī)薄膜層不覆蓋所述疏水擋
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[0015]優(yōu)選地，所述疏水擋墻上具有多個(gè)微米尺度的孔洞。
[0016]優(yōu)選地，所述疏水擋墻的寬度為100-500um，厚度為0.5-10um，所述孔洞的寬度為20_80um。
[0017]優(yōu)選地，所述疏水擋墻的材料選用金屬氧化物、聚合物或稀土磷酸鹽中的任意一種或任意多種的組合。
[0018]本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，包括在一襯底基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管器件和薄膜封裝層的步驟，所述薄膜封裝層用于封裝所述有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括相互交替設(shè)置的至少一層無(wú)機(jī)薄膜層和至少一層有機(jī)薄膜層，所述有機(jī)薄膜層采用噴墨工藝打印而成，其中，在形成所述有機(jī)薄膜層之前還包括:
[0019]在所述薄膜封裝層所在區(qū)域的外圍形成具有微納結(jié)構(gòu)的疏水擋墻。
[0020]優(yōu)選地，所述方法具體包括:
[0021]提供一襯底基板；
[0022]在所述襯底基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管器件；
[0023]在所述襯底基板上形成疏水擋墻；
[0024]形成所述薄膜封裝層。
[0025]優(yōu)選地，所述形成疏水擋墻的步驟包括:
[0026]形成疏水擋墻本體；
[0027]采用UV光刻、X射線直寫(xiě)、納米壓印、離子束刻蝕、熱塌陷成型、金剛石磨削、溶膠_凝膠或電紡絲工藝，在所述疏水擋墻本體上形成多個(gè)微米尺度的孔洞。
[0028]本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板。
[0029]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0030]由于在形成用于封裝的有機(jī)薄膜層之前形成了上表面具有疏水性能的疏水擋墻，因而在采用噴墨打印工藝制備有機(jī)薄膜層時(shí)，疏水擋墻能夠阻擋噴墨打印所用的墨水的流動(dòng)性，從而限制了有機(jī)薄膜層的爬坡距離，為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示產(chǎn)品的窄邊框化提供了工藝確保。
【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1-圖3是采用噴墨打印工藝制作的不同有機(jī)薄膜層的爬坡距離示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的剖視圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實(shí)施例一的疏水擋墻的俯視圖；
[0034]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的包括三層膜層結(jié)構(gòu)薄膜封裝層的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖7為本發(fā)明實(shí)施例的包括五層膜層結(jié)構(gòu)薄膜封裝層的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖8為本發(fā)明實(shí)施例二的疏水擋墻的俯視圖；
[0037]圖9為本發(fā)明實(shí)施例三的疏水擋墻的俯視圖；
[0038]圖10為本發(fā)明實(shí)施例的疏水擋墻的局部放大俯視圖。
[0039]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0040]401襯底基板;402有機(jī)發(fā)光二極管器件;403薄膜封裝層;4031無(wú)機(jī)薄膜層;4032有機(jī)薄膜層;404疏水擋墻;4041孔洞。
【具體實(shí)施方式】
[0041]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0042]請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例一的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的剖視圖，本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板包括:襯底基板401，設(shè)置于所述襯底基板401上的有機(jī)發(fā)光二極管器件402、薄膜封裝層403和疏水擋墻404，所述薄膜封裝層403用于封裝所述有機(jī)發(fā)光二極管器件402，包括相互交替設(shè)置的一層無(wú)機(jī)薄膜層4031和一層有機(jī)薄膜層4032。所述疏水擋墻404設(shè)置于所述襯底基板401上，且位于所述薄膜封裝層403的外圍。
[0043]請(qǐng)同時(shí)參考圖5，圖5為本發(fā)明實(shí)施例一的疏水擋墻的俯視圖，從圖5中可以看出，所述疏水擋墻404為圍繞所述薄膜封裝層403設(shè)置的封閉圖形。
[0044]所述疏水擋墻404具有微納結(jié)構(gòu)，所謂微納結(jié)構(gòu)是指所述疏水擋墻404的上表面具有多個(gè)微米尺度的孔洞4041(請(qǐng)參考圖4和圖10)，且用于制作所述疏水擋墻404的材料本身固化后具有納米尺寸的多孔微觀結(jié)構(gòu)，該種微納結(jié)構(gòu)具有疏水性能，且其疏水性能可根據(jù)微納結(jié)構(gòu)的形貌進(jìn)行調(diào)節(jié)。圖10為本發(fā)明實(shí)施例的疏水擋墻的局部放大俯視圖。
[0045]優(yōu)選地，疏水擋墻的寬度為100-500um，更優(yōu)選的為100-300um。厚度為0.5-10um，更優(yōu)選的為3_8um0
[0046]本發(fā)明實(shí)施例中，所述孔洞的橫截面為正方形，寬度可以為20-80um，更優(yōu)選為30-60um。在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，所述孔洞的橫截面也可以為圓形，長(zhǎng)方形或其他圖形。
[0047]請(qǐng)參考圖10，本發(fā)明實(shí)施例中，疏水擋墻404上表面的多個(gè)孔洞4041呈矩陣方式排列，且分布密度相同，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，多個(gè)孔洞也可以采用漸進(jìn)密度分布，或者以特定指數(shù)方式密度分布，或者以其他方式分布。
[0048]所述疏水擋墻404的材料可以選用金屬氧化物、聚合物或稀土磷酸鹽中的任意一種或者任意多種的組合，或者，其他符合條件的材料，金屬氧化物例如可以為氧化鋁、氧化鋅等，聚合物例如可以為聚酰亞胺、聚苯乙烯等，優(yōu)選地，疏水擋墻404的材料選用高分子聚合物或氧化鋁。
[0049]當(dāng)采用噴墨打印工藝制作薄膜封裝層403中的有機(jī)薄膜層4032時(shí)，因在襯底基板401上設(shè)置了上述疏水擋墻404，噴墨打印的絕大部分墨水會(huì)被限定在疏水擋墻404以里的封裝區(qū)域內(nèi)，絕少部分的墨水為了實(shí)現(xiàn)疏水擋墻的潤(rùn)濕-去潤(rùn)濕平衡，陷在了疏水擋墻的微納結(jié)構(gòu)中，從而限制了有機(jī)薄膜層4032的爬坡距離，為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示產(chǎn)品的窄邊框化提供了工藝確保。
[0050]上述實(shí)施例中，薄膜封裝層包括相互交替設(shè)置的一層無(wú)機(jī)薄膜層和一層有機(jī)薄膜層，為兩層結(jié)構(gòu)，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，薄膜封裝層不限于為兩層結(jié)構(gòu)，例如，在一實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖6，薄膜封裝層為三層結(jié)構(gòu)，包括兩層無(wú)機(jī)薄膜層4031和一層有機(jī)薄膜層4032，無(wú)機(jī)薄膜層4031和有機(jī)薄膜層4032交替設(shè)置，在另一實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖7，薄膜封裝層為五層結(jié)構(gòu)，包括三層無(wú)機(jī)薄膜層4031和兩層有機(jī)薄膜層4032，無(wú)機(jī)薄膜層4031和有機(jī)薄膜層4032交替設(shè)置。也就是說(shuō)，薄膜封裝層可以包括相互交替設(shè)置的至少一層無(wú)機(jī)薄膜層和至少一層有機(jī)薄膜層。
[0051]上述實(shí)施例中，所述疏水擋墻404為圍繞所述薄膜封裝層403四周設(shè)置的封閉圖形(請(qǐng)參考圖5)，當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，疏水擋墻404也可以為圍繞所述薄膜封裝層403設(shè)置的非封閉圖形(請(qǐng)參考圖8)，其在一側(cè)具有開(kāi)口區(qū)域，該開(kāi)口區(qū)域可便于有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的數(shù)據(jù)線引線的引出。當(dāng)然，其對(duì)有機(jī)薄膜層的爬坡距離的限制效果要差于封閉圖形的疏水擋墻404。
[0052]上述實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板只包括一道疏水擋墻404，為提供更信賴的擋墻效果，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板可以包括至少兩道疏水擋墻，且相鄰兩道疏水擋墻之間具有預(yù)定間隔。優(yōu)選地，有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板包括兩道疏水擋墻。
[°°53]請(qǐng)參考圖9，圖9所示的實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板包括三道疏水擋墻404，其中，最靠近薄膜封裝層403的一道擋墻為第一道疏水擋墻404，位于中間的一道擋墻為第二道疏水擋墻404，最外側(cè)的一道擋墻為第三道疏水擋墻404，相鄰的兩道疏水擋墻404之間具有預(yù)定間隔，第一道和第二道疏水擋墻404均為封閉圖形，第三道疏水擋墻404為非封閉圖形。
[0054]在有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板包括至少兩道所述疏水擋墻的實(shí)施例中，優(yōu)選地，至少最靠近所述薄膜封裝層403的一道疏水擋墻404為封閉圖形，以保證良好的擋墻效果。
[0055]由于薄膜封裝層403中的無(wú)機(jī)薄膜層4031與疏水擋墻404相比更為親水，在形成無(wú)機(jī)薄膜層4031時(shí)，需要避免無(wú)機(jī)薄膜層4031覆蓋到疏水擋墻404，影響疏水擋墻404的疏水性能。本發(fā)明實(shí)施例，優(yōu)選地，可以將最靠近所述薄膜封裝層403的一道疏水擋墻404與所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的顯示區(qū)域之間預(yù)留預(yù)定距離，由于預(yù)留了該預(yù)定距離，從而避免無(wú)機(jī)薄膜層4031覆蓋到疏水擋墻404上方。優(yōu)選地，所述預(yù)定距離為300-500um。
[0056]薄膜封裝層包括至少一層無(wú)機(jī)薄膜層，優(yōu)選地，所述至少一層無(wú)機(jī)薄膜層中包括第一無(wú)機(jī)薄膜層，所述第一無(wú)機(jī)薄膜層在遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)還設(shè)置有有機(jī)薄膜層(即第一無(wú)機(jī)薄膜層不是薄膜封裝層中的最外層的膜層，其外側(cè)還具有有機(jī)薄膜層)，由于有機(jī)薄膜層還未制備完成，因而所述第一無(wú)機(jī)薄膜層不覆蓋所述疏水擋墻，從而避免對(duì)疏水擋墻的疏水性能造成影響。
[0057]在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，所述至少一層無(wú)機(jī)薄膜層中還可以包括第二無(wú)機(jī)薄膜層，所述第二無(wú)機(jī)薄膜層在遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)還設(shè)置有有機(jī)薄膜層(即第二無(wú)機(jī)薄膜層不是薄膜封裝層中的最外層的膜層，其外側(cè)還具有有機(jī)薄膜層)，與上述第一無(wú)機(jī)薄膜層不同的是，所述第二無(wú)機(jī)薄膜層覆蓋所述疏水擋墻，覆蓋在所述疏水擋墻之上的第二無(wú)機(jī)薄膜層為采用等離子氣體進(jìn)行親水性破壞后的無(wú)機(jī)薄膜層，由于覆蓋在所述疏水擋墻之上的第二無(wú)機(jī)薄膜層采用了等離子氣體進(jìn)行親水性破壞，因而，覆蓋在所述疏水擋墻之上的第二無(wú)機(jī)薄膜層對(duì)疏水擋墻的疏水性能造成的影響降低。
[0058]上述實(shí)施例所說(shuō)的覆蓋疏水擋墻包括全部覆蓋疏水擋墻和部分覆蓋疏水擋墻。
[0059]上述實(shí)施例中，如果一無(wú)機(jī)薄膜層是薄膜封裝層中的最外層的膜層，其外側(cè)未設(shè)置有機(jī)薄膜層，由于有機(jī)薄膜層已經(jīng)制備完成，該無(wú)機(jī)薄膜層則可以覆蓋所述疏水擋墻。
[0060]優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例中的有機(jī)薄膜層為有機(jī)平坦化層，無(wú)機(jī)薄膜層為無(wú)機(jī)阻水層。
[0061]優(yōu)選地，上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板為窄邊框的柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板。
[0062]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述任一實(shí)施例中所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板。所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置可以為:0LED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0063]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，包括在一襯底基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管器件和薄膜封裝層的步驟，所述薄膜封裝層用于封裝所述有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括相互交替設(shè)置的至少一層無(wú)機(jī)薄膜層和至少一層有機(jī)薄膜層，所述有機(jī)薄膜層采用噴墨工藝打印而成，其中，在形成所述有機(jī)薄膜層之前還包括:在所述薄膜封裝層所在區(qū)域的外圍形成具有微納結(jié)構(gòu)的疏水擋墻。
[0064]由于在形成用于封裝的有機(jī)薄膜層之前形成了上表面具有疏水性能的疏水擋墻，因而在采用噴墨打印工藝制備有機(jī)薄膜層時(shí)，噴墨打印的絕大部分墨水會(huì)被限定在疏水擋墻以里的封裝區(qū)域內(nèi)，絕少部分的墨水為了實(shí)現(xiàn)疏水擋墻的潤(rùn)濕-去潤(rùn)濕平衡，陷在了疏水擋墻的微納結(jié)構(gòu)中，從而限制了有機(jī)薄膜層的爬坡距離，為柔性有機(jī)發(fā)光二極管顯示產(chǎn)品的窄邊框化提供了工藝確保，且具有工藝簡(jiǎn)單、處理方便的優(yōu)點(diǎn)。另外，也可突破噴墨打印工藝墨水材料的選擇范圍窄的限制。
[0065]在本發(fā)明的一優(yōu)選實(shí)施例中，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的制作方法包括以下步驟:
[ΟΟ??]步驟S1:提供一襯底基板；
[0067]步驟S2:在所述襯底基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管器件；
[0068]步驟S3:在所述襯底基板上形成疏水擋墻；
[0069]步驟S4:形成所述薄膜封裝層。
[0070]也就是說(shuō)，上述實(shí)施例中，先形成有機(jī)發(fā)光二極管器件，再形成疏水擋墻，最后再形成薄膜封裝層。優(yōu)選地，薄膜封裝層的第一層無(wú)機(jī)薄膜層采用掩膜版實(shí)現(xiàn)成膜時(shí)的圖形化，使其不覆蓋疏水擋墻。
[0071]在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，也可以先形成疏水擋墻，再形成有機(jī)發(fā)光二極管器件。
[0072]在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，也可以先形成薄膜封裝層中的第一層無(wú)機(jī)薄膜層，再形成疏水擋墻。
[0073]本發(fā)明實(shí)施例中，所述形成疏水擋墻的步驟可以包括:
[0074]步驟S31:形成疏水擋墻本體；
[0075]步驟S32:采用UV光刻、X射線直寫(xiě)、納米壓印、離子束刻蝕、熱塌陷成型、金剛石磨肖IJ、溶膠-凝膠或電紡絲工藝，在所述疏水擋墻本體上形成多個(gè)具有微米尺度的孔洞。
[0076]優(yōu)選地，采用UV光刻、X射線直寫(xiě)或納米壓印工藝，在所述疏水擋墻本體上形成多個(gè)具有微米尺度的孔洞。
[0077]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，包括:襯底基板，設(shè)置于所述襯底基板上的有機(jī)發(fā)光二極管器件和薄膜封裝層，所述薄膜封裝層用于封裝所述有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括相互交替設(shè)置的至少一層無(wú)機(jī)薄膜層和至少一層有機(jī)薄膜層，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板還包括:具有微納結(jié)構(gòu)的疏水擋墻，設(shè)置于所述襯底基板上，且位于所述薄膜封裝層的外圍。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，所述疏水擋墻為圍繞所述薄膜封裝層設(shè)置的封閉圖形或非封閉圖形。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，包括一道所述疏水擋m ο4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，包括至少兩道所述疏水擋墻，相鄰兩道所述疏水擋墻之間具有預(yù)定間隔。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，所述至少兩道所述疏水擋墻中，至少最靠近所述薄膜封裝層的一道疏水擋墻為封閉圖形。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，最靠近所述薄膜封裝層的一道疏水擋墻與所述顯示區(qū)域之間具有預(yù)定距離。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，所述預(yù)定距離為300-500umo8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，所述至少一層無(wú)機(jī)薄膜層中包括第一無(wú)機(jī)薄膜層，所述第一無(wú)機(jī)薄膜層在遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)還設(shè)置有有機(jī)薄膜層，所述第一無(wú)機(jī)薄膜層不覆蓋所述疏水擋墻。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，所述疏水擋墻上具有多個(gè)微米尺度的孔洞。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，所述疏水擋墻的寬度為100-500um，厚度為0.5-1 Oum，所述孔洞的寬度為20_80um。11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板，其特征在于，所述疏水擋墻的材料選用金屬氧化物、聚合物或稀土磷酸鹽中的任意一種或任意多種的組合。12.—種有機(jī)發(fā)光二極管顯不基板的制作方法，包括在一襯底基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管器件和薄膜封裝層的步驟，所述薄膜封裝層用于封裝所述有機(jī)發(fā)光二極管器件，包括相互交替設(shè)置的至少一層無(wú)機(jī)薄膜層和至少一層有機(jī)薄膜層，所述有機(jī)薄膜層采用噴墨工藝打印而成，其特征在于，在形成所述有機(jī)薄膜層之前還包括: 在所述薄膜封裝層所在區(qū)域的外圍形成具有微納結(jié)構(gòu)的疏水擋墻。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其特征在于，具體包括: 提供一襯底基板； 在所述襯底基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管器件； 在所述襯底基板上形成疏水擋墻； 形成所述薄膜封裝層。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板的制作方法，其特征在于，所述形成疏水擋墻的步驟包括: 形成疏水擋墻本體； 采用UV光刻、X射線直寫(xiě)、納米壓印、離子束刻蝕、熱塌陷成型、金剛石磨削、溶膠-凝膠或電紡絲工藝，在所述疏水擋墻本體上形成多個(gè)微米尺度的孔洞。15.—種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，其特征在于，包括如1-11任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示基板。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK105914224SQ201610290519
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年5月4日
【發(fā)明人】黃維
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司