一種晶圓級芯片封裝方法及封裝件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶圓級芯片封裝方法及封裝件，該封裝方法在形成有再布線層的晶片正面表面開設溝槽，將多個器件裸芯分隔，然后安裝金屬凸塊，再形成第一保護層以包裹晶片的正面、側面，并填充在溝槽中，隨后對晶片進行背面研磨減薄，使填充在溝槽中的第一保護層露出，在減薄后的晶片背面形成第二保護層，將分隔開的每個器件裸芯密封，最后切割使每個被密封的器件裸芯分離成單個的封裝件。本發(fā)明的封裝方法實現了IC晶片的三維保護，解決了IC晶片切割后易被外界環(huán)境污染和破壞的問題，可有效避免焊接部位在后期的工序中受損，且流程簡單，易于實施，大大地提高了生產效率和產品良率。制得的封裝件具有三維保護，不易損壞，可靠性高。
【專利說明】
一種晶圓級芯片封裝方法及封裝件
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及微電子技術領域，特別是涉及一種晶圓級芯片封裝方法及封裝件。
【背景技術】
[0002]晶圓級芯片封裝方式(WaferLevel Chip Scale Packaging，簡稱WLCSP)，通過在整片晶圓上進行封裝和測試，然后切割成一個個IC顆粒，封裝后的芯片體積基本等同于IC裸晶的原尺寸，具有高密度、體積小、可靠性高、電熱性能優(yōu)良等優(yōu)點。
[0003]專利申請?zhí)枮镃N201210193788.3的專利文獻公開了一種制造WLCSP的方法和通過該方法制得的晶圓級芯片尺寸封裝件，該封裝件包括半導體器件、模件、再分布層(RDL)結構、凸塊下金屬化(UBM)層以及密封環(huán)結構，其中，半導體器件包括具有觸點焊盤的有源表面，模件覆蓋半導體器件的側面，RDL結構包括與觸點焊盤電連接并在半導體器件的有源表面上延伸的第一后鈍化層互連(PPI)線，UBM層位于第一 PPI線上方并與第一 PPI線電連接，密封環(huán)結構圍繞模件上的半導體器件的上部外圍延伸，并包括一密封層，密封層與第一 PPI線和UBM層中的至少一個在相同的水平面上延伸。該發(fā)明通過在模制半導體器件上同時形成互連線和密封層而形成再布線層壓結構?；ミB線與觸點焊盤電連接。密封層與互連線分隔并在模件上延伸。金屬凸塊安裝在觸點焊盤上。
[0004]然而，目前的WLCSP工藝通常在安裝金屬凸塊后就進行IC晶片的切割，晶圓切割后使得IC晶片的四周暴露在外部環(huán)境中，只有在安裝了金屬凸塊的一面設有保護材料，而芯片的其他表面很容易被外界污染和破壞，極大的影響了芯片的壽命。

【發(fā)明內容】

[0005]鑒于以上所述現有技術，本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓級芯片封裝方法及封裝件，用于解決現有技術中WLCSP工藝的IC晶片切割后易被外界環(huán)境污染和破壞的問題。
[0006]為實現上述目的及其他相關目的，本發(fā)明提供一種晶圓級芯片封裝方法，包括以下步驟:
[0007]提供具有多個器件裸芯的晶片，所述晶片具有正面表面、背面表面和側面，所述多個器件裸芯位于所述晶片的正面表面，所述器件裸芯具有觸點焊盤；
[0008]在所述晶片的正面表面形成再布線層，使所述再布線層與所述器件裸芯的觸點焊盤電連接以實現觸點焊盤的再分布；
[0009]在形成有所述再布線層的正面表面開設溝槽，所述溝槽將所述多個器件裸芯一一分隔；
[0010]在開設有溝槽的所述晶片正面表面安裝金屬凸塊，使所述金屬凸塊通過所述再布線層與所述器件裸芯的觸點焊盤電連接；
[0011]在安裝了所述金屬凸塊的所述晶片正面表面形成第一保護層，使所述第一保護層包裹所述晶片的正面表面、側面，并填充在所述溝槽中，僅露出所述金屬凸塊；
[0012]對所述晶片的背面表面進行研磨減薄，使填充在所述溝槽中的所述第一保護層露出；
[0013]在減薄后的所述晶片的背面表面形成第二保護層，所述第二保護層與所述第一保護層相連，將分隔開的每個器件裸芯密封；
[0014]對所述晶片進行切割，以使每個被密封的器件裸芯分離成單個的封裝件。
[0015]優(yōu)選地，所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線與所述器件裸芯的觸點焊盤連接，并與安裝后的所述金屬凸塊電連接。
[0016]優(yōu)選地，所述金屬連線包括一層或多層互連金屬層，所述介電層包括一層或多層介電材料層。
[0017]優(yōu)選地，所述金屬連線包含多層互連金屬層時，所述介電材料層設于所述多層互連金屬層之間將每層互連金屬層隔開，所述多層互連金屬層之間通過通孔實現電連接。
[0018]優(yōu)選地，所述再布線層還包括金屬凸塊下金屬層，所述金屬凸塊下金屬層與所述金屬連線連接，所述金屬凸塊安裝在所述金屬凸塊下金屬層上。
[0019]優(yōu)選地，所述金屬連線的形成方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍或化學鍍。
[°02°]優(yōu)選地，所述金屬連線的材料包括Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag中的一種或多種。
[0021]優(yōu)選地，所述介電層的形成方法為旋涂、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積。
[0022]優(yōu)選地，所述介電層的材料為聚苯并噁唑、磷硅玻璃、自旋玻璃、自旋聚合物、氧化娃、S i OxCy、娃碳復合材料中的一種或多種。
[0023]優(yōu)選地，在形成有所述再布線層的正面表面向下開設溝槽的方法為光刻、激光鉆孔、機械鉆孔或深度反應離子刻蝕。
[0024]優(yōu)選地，所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球;所述金屬凸塊在所述晶片上的投影輪廓為圓形、橢圓形或多邊形;所述金屬凸塊的形成方法為電鍍或植球。
[0025]優(yōu)選地，形成所述第一保護層和/或所述第二保護層的方法為旋涂、壓模成型、印刷、傳遞模塑、液體模塑封裝或真空層壓。
[0026]優(yōu)選地，所述第一保護層和所述第二保護層的材料為固化封裝材料。
[0027]優(yōu)選地，所述第一保護層和/或所述第二保護層的材料為聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0028]為實現上述目的及其他相關目的，本發(fā)明還提供一種采用上述方法封裝的晶圓級芯片封裝件，包括:
[0029]器件裸芯，所述器件裸芯具有觸點焊盤；
[0030]再布線層，所述再布線層設置于所述器件裸芯上；
[0031]金屬凸塊，所述金屬凸塊安裝在所述再布線層上，通過所述再布線層與所述觸點焊盤電連接；
[0032]保護層，所述保護層將所述器件裸芯及再布線層包裹密封，僅露出部分金屬凸塊。
[0033]優(yōu)選地，所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線與所述器件裸芯的觸點焊盤連接，并與安裝后的所述金屬凸塊電連接。
[0034]優(yōu)選地，所述金屬連線包括一層或多層互連金屬層，所述介電層包括一層或多層介電材料層。
[0035]優(yōu)選地，所述金屬連線包含多層互連金屬層時，所述介電材料層設于所述多層互連金屬層之間將每層互連金屬層隔開，所述多層互連金屬層之間通過通孔實現電連接。
[0036]優(yōu)選地，所述再布線層還包括金屬凸塊下金屬層，所述金屬凸塊下金屬層與所述金屬連線連接，所述金屬凸塊安裝在所述金屬凸塊下金屬層上。
[OO37 ]優(yōu)選地，所述金屬連線的材料包括Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag中的一種或多種。
[0038]優(yōu)選地，所述介電層的材料為聚苯并噁唑、磷硅玻璃、自旋玻璃、自旋聚合物、氧化娃、S i OxCy、娃碳復合材料中的一種或多種。
[0039]優(yōu)選地，所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球;所述金屬凸塊在所述晶片上的投影輪廓為圓形、橢圓形或多邊形;所述金屬凸塊的形成方法為電鍍或植球。
[0040]優(yōu)選地，所述保護層的材料為固化封裝材料。
[0041]優(yōu)選地，所述保護層的材料為聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0042]如上所述，本發(fā)明的晶圓級芯片封裝方法及封裝件，具有以下有益效果:
[0043]本發(fā)明的晶圓級芯片封裝方法通過開設溝槽，形成包裹器件裸芯正面、側面和背面的隔離保護層，再進行切割分離，實現了 IC晶片的三維保護，解決了 IC晶片切割后易被外界環(huán)境污染和破壞的問題。此外，本發(fā)明的封裝方法在安裝金屬凸塊之前開設溝槽，在安裝金屬凸塊之后通過保護層進行保護，可有效避免焊接部位在后期的工序中受損，且流程簡單，易于實施，大大地提高了生產效率和產品良率。制得的封裝件具有三維保護，不易被外界污染和破壞，便于運輸，在后續(xù)組裝應用中不易損壞，封裝效果好，器件可靠性高。
【附圖說明】
[0044]圖1顯示為本發(fā)明提供的晶圓級芯片封裝方法的示意圖。
[0045]圖2a_2h顯示為本發(fā)明實施例提供的晶圓級芯片封裝方法的工藝流程示意圖。
[0046]圖3顯示為本發(fā)明實施例提供的晶圓級芯片封裝件的結構示意圖。
[0047]元件標號說明
[0048]I器件裸芯
[0049]101 觸點焊盤
[0050]201 金屬連線[0051 ]202 介電層
[0052]3金屬凸塊
[0053]401 第一保護層
[0054]402 第二保護層
[0055]4保護層
[0056]SI ?S8 步驟
【具體實施方式】
[0057]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，以下實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0058]需要說明的是，以下實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關的組件而非按照實際實施時的組件數目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復雜。
[0059]請參閱圖1，本發(fā)明提供一種晶圓級芯片封裝方法，包括以下步驟:
[0060]SI提供具有多個器件裸芯的晶片，所述晶片具有正面表面、背面表面和側面，所述多個器件裸芯位于所述晶片的正面表面，所述器件裸芯具有觸點焊盤；
[0061]S2在所述晶片的正面表面形成再布線層，使所述再布線層與所述器件裸芯的觸點焊盤電連接以實現觸點焊盤的再分布；
[0062]S3在形成有所述再布線層的正面表面開設溝槽，所述溝槽將所述多個器件裸芯一一分隔；
[0063]S4在開設有溝槽的所述晶片正面表面安裝金屬凸塊，使所述金屬凸塊通過所述再布線層與所述器件裸芯的觸點焊盤電連接；
[0064]S5在安裝了所述金屬凸塊的所述晶片正面表面形成第一保護層，使所述第一保護層包裹所述晶片的正面表面、側面，并填充在所述溝槽中，僅露出所述金屬凸塊；
[0065]S6對所述晶片的背面表面進行研磨減薄，使填充在所述溝槽中的所述第一保護層露出；
[0066]S7在減薄后的所述晶片的背面表面形成第二保護層，所述第二保護層與所述第一保護層相連，將分隔開的每個器件裸芯密封；
[0067]S8對所述晶片進行切割，以使每個被密封的器件裸芯分離成單個的封裝件。
[0068]該封裝方法通過開設溝槽在器件裸芯的正面、側面和背面制作保護層，裸芯被隔離之后再進行切割分離，從而可以實現IC晶片的三維保護，解決了現有WLCSP工藝中IC晶片切割后裸芯四周暴露在外界，易被環(huán)境污染和破壞的問題。
[0069]此外，本發(fā)明的封裝方法不同于現有WLCSP工藝在植入金屬凸塊之后切割，而是在金屬凸塊安裝之前開槽，并在安裝金屬凸塊之后通過保護層進行保護，有效避免了焊接部位在后期工序中的損傷，且流程簡單，易于實施。
[0070]下面通過具體的實例來詳細說明本發(fā)明的技術方案。
[0071 ] 實施例一
[0072]請參閱圖2a_2g，本實施提供一種晶圓級芯片封裝方法。
[0073]首先，提供具有多個器件裸芯I的晶片，如圖2a所示，所述晶片具有正面表面、背面表面和側面，所述多個器件裸芯I位于所述晶片的正面表面，所述器件裸芯I具有觸點焊盤101。這里的晶片可以是晶圓，或其他承載器件裸芯I的載體。所述器件裸芯I可以是具有多個半導體器件和電路的IC芯片或分立半導體器件等。
[0074]然后，如圖2b所示，在所述晶片的正面表面形成再布線層，使所述再布線層與所述器件裸芯I的觸點焊盤101電連接以實現觸點焊盤的再分布。
[0075]具體地，所述再布線層包括金屬連線201以及設于所述金屬連線201周圍的介電層202，所述金屬連線201與所述器件裸芯I的觸點焊盤1I連接，以實現觸點焊盤的再分布。其中，所述金屬連線201可以包括一層或者多層互連金屬層，所述介電層202也可以包括一層或多層介電材料層。優(yōu)選地，當所述金屬連線201包含多層互連金屬層時，所述介電材料層可以設置于所述多層互連金屬層之間，從而可將每層互連金屬層隔開。在所述多層互連金屬層之間可以通過形成通孔的方式實現電連接。優(yōu)選地，所述再布線層還可以包括金屬凸塊下金屬層(UBM)，所述金屬凸塊下金屬層與所述金屬連線201連接，可作為再分布后的新焊盤用于安裝金屬凸塊。
[0076]具體地，形成所述金屬連線201的方法可以為物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍、化學鍍、或其他適合的金屬沉積工藝。優(yōu)選地，所述金屬連線201的材料包括Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag中的一種或多種，或其他適合的導電金屬材料。例如，金屬連線201可以為Cu線，制作Cu線的種子層可以為Ti/Cu層。
[0077]具體地，形成所述介電層202的方法可以為旋涂法、化學氣相沉積、等離子增強化學氣相沉積、或其他適合的介質沉積工藝。優(yōu)選地，所述介電層202的材料可以為低k介電材料，即低介電常數材料，此種材料為本領域技術人員所習知，故在此不一一列舉。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述介電層202的材料可以選自聚苯并噁唑(PBO)、磷硅玻璃(PSG)、自旋玻璃(Spin-On-Glass，S0G)、自旋聚合物(Spin-On-PoIymer，S0P)、氧化娃、S1xCy、娃碳復合材料中的一種或多種，或其他適合的介電材料。
[0078]接下來，如圖2c所示，在形成有所述再布線層的正面表面向下開設溝槽，所述溝槽將所述多個器件裸芯I一一分隔。優(yōu)選地，在形成有所述再布線層的正面表面開設溝槽的方法可以為光刻、激光鉆孔、機械鉆孔、深度反應離子刻蝕、或其他適合的工藝。開設所述溝槽的深度可根據實際需要具體確定，溝槽底部應當低于或齊平于器件裸芯I的底部，以滿足將器件裸芯I 分隔的需要。
[0079]如圖2d所示，在開設有溝槽的所述晶片正面表面安裝金屬凸塊3，使所述金屬凸塊3通過所述再布線層與所述器件裸芯I的觸點焊盤101電連接。
[0080]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述金屬凸塊3可以安裝在所述再布線層的所述金屬凸塊下金屬層上，而所述金屬凸塊下金屬層與所述金屬連線201連接，所述金屬連線201與所述器件裸芯I的觸點焊盤101連接，從而使所述金屬凸塊3與所述器件裸芯I的觸點焊盤101電連接，以實現焊盤位置的再分布。具體地，所述金屬凸塊3的材料可以選自41、511、附、八11、Ag、Pb、B1、Cu中的一種或多種，例如，所述金屬凸塊3可以為焊錫球、銅球或錫銅合金球。所述焊錫球除了 Sn，還可以包括其他材料，如Ag、Cu等。所述金屬凸塊3在所述晶片上的投影輪廓可以為圓形、橢圓形或多邊形，如長方形、三角形等。所述金屬凸塊3的形成方法可以為電鍍或植球。
[0081]再接下來，如圖2e所示，在安裝了所述金屬凸塊3的所述晶片正面表面形成第一保護層401，使所述第一保護層401包裹所述晶片的正面表面、側面，并填充在所述溝槽中，僅露出所述金屬凸塊3。
[0082]具體地，形成所述第一保護層401的方法可以為旋涂、壓模成型、印刷、傳遞模塑、液體模塑封裝、真空層壓、或其他適合實施的方法。所述第一保護層401的材料可以為固化封裝材料，例如可以是聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、及這些材料的組合物、混合物或復合物等。
[0083]如圖2f所示，對所述晶片的背面表面進行研磨減薄，使填充在所述溝槽中的所述第一保護層401露出。對晶片進行背面減薄的方法為本領域技術人員所習知，故在此不做贅述。本領域技術人員可以根據實際情況選擇適合的工藝方法進行晶片的背面研磨減薄，本發(fā)明對此不作限制。
[0084]如圖2g所示，在減薄后的所述晶片的背面表面形成第二保護層402，所述第二保護層402與所述第一保護層401相連，將分隔開的每個器件裸芯I密封。
[0085]具體地，形成所述第二保護層402的方法可以為旋涂、壓模成型、印刷、傳遞模塑、液體模塑封裝、真空層壓、或其他適合實施的方法。所述第二保護層402的材料可以為固化封裝材料，例如可以選自聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0086]第一保護層401和第二保護層402應當采用非導電材料，用于保護器件裸芯I免收外界環(huán)境破壞和污染。第一保護層401和第二保護層402的材料可以相同，也可以不同；形成時可以采用相同的形成方法，也可以各自采用不同的方法制作，本發(fā)明對此不作限制。
[0087]最后，如圖2h所示，對所述晶片進行切割，以使每個被密封的器件裸芯I分離成單個的封裝件。
[0088]實施例二
[0089]請參閱圖3，本實施例提供一種采用實施例一的晶圓級芯片封裝方法制備得到的封裝件。該封裝件，包括:器件裸芯1、再布線層、金屬凸塊3和保護層4;所述器件裸芯I具有觸點焊盤101，所述再布線層設置于所述器件裸芯I上，所述金屬凸塊3安裝在所述再布線層上，通過所述再布線層與所述觸點焊盤I電連接，所述保護層4將所述器件裸芯I及再布線層包裹密封，僅露出部分金屬凸塊3。
[0090]具體地，所述器件裸芯I可以是具有多個半導體器件和電路的IC芯片或分立半導體器件等器件的裸芯。
[0091]具體地，所述再布線層包括金屬連線201以及設于所述金屬連線201周圍的介電層202，所述金屬連線201與所述器件裸芯I的觸點焊盤1I連接，以實現觸點焊盤的再分布。其中，所述金屬連線201可以包括一層或者多層互連金屬層，所述介電層202也可以包括一層或多層介電材料層。優(yōu)選地，當所述金屬連線201包含多層互連金屬層時，所述介電材料層可以設置于所述多層互連金屬層之間，從而可將每層互連金屬層隔開。在所述多層互連金屬層之間可以通過形成通孔的方式實現電連接。優(yōu)選地，所述再布線層還可以包括金屬凸塊下金屬層(UBM)，所述金屬凸塊下金屬層與所述金屬連線201連接，可作為再分布后的新焊盤用于安裝金屬凸塊3。
[0092]具體地，所述金屬連線201的材料優(yōu)選為Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag中的一種或多種。所述介電層202的材料優(yōu)選為低k介電材料。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述介電層202的材料可以為磷硅玻璃(PSG)、自旋玻璃(SOG)、自旋聚合物(SOP)、氧化硅、S1xCy，硅碳復合材料中的一種或多種，或其他適合的介電材料。
[0093]具體地，所述金屬凸塊3的材料可以選自Al、Sn、N1、Au、Ag、Pb、B1、Cu中的一種或多種。所述金屬凸塊3優(yōu)選為焊錫球、銅球或錫銅合金球;所述焊錫球還可以包括其他材料，如Ag、Cu等。述金屬凸塊3在所述晶片上的投影輪廓可以為圓形、橢圓形或多邊形，如長方形、三角形等。所述金屬凸塊3的形成方法可以為電鍍或植球。優(yōu)選地，所述保護層4的材料為固化封裝材料，用于保護并密封器件裸芯。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述保護層4的材料可以為聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0094]綜上所述，本發(fā)明的晶圓級芯片封裝方法實現了IC晶片的三維保護，解決了 IC晶片切割后易被污染和破壞的問題。在金屬凸塊安裝之前開槽，有效避免了焊接部位在后期工序中的損傷，且流程簡單，易于實施，大大地提高了生產效率和產品良率。利用本發(fā)明方法制得的封裝件具有三維保護，不易被外界污染和破壞，便于運輸，在后續(xù)組裝應用中不易損壞，具有封裝效果好，器件壽命長、可靠性高等優(yōu)點。
[0095]所以，本發(fā)明有效克服了現有技術中的種種缺點而具高度產業(yè)利用價值。
[0096]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術領域中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權利要求所涵蓋。
【主權項】
1.一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供具有多個器件裸芯的晶片，所述晶片具有正面表面、背面表面和側面，所述多個器件裸芯位于所述晶片的正面表面，所述器件裸芯具有觸點焊盤； 在所述晶片的正面表面形成再布線層，使所述再布線層與所述器件裸芯的觸點焊盤電連接以實現觸點焊盤的再分布； 在形成有所述再布線層的正面表面開設溝槽，所述溝槽將所述多個器件裸芯一一分隔； 在開設有溝槽的所述晶片正面表面安裝金屬凸塊，使所述金屬凸塊通過所述再布線層與所述器件裸芯的觸點焊盤電連接； 在安裝了所述金屬凸塊的所述晶片正面表面形成第一保護層，使所述第一保護層包裹所述晶片的正面表面、側面，并填充在所述溝槽中，僅露出所述金屬凸塊； 對所述晶片的背面表面進行研磨減薄，使填充在所述溝槽中的所述第一保護層露出； 在減薄后的所述晶片的背面表面形成第二保護層，所述第二保護層與所述第一保護層相連，將分隔開的每個器件裸芯密封； 對所述晶片進行切割，以使每個被密封的器件裸芯分離成單個的封裝件。2.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線與所述器件裸芯的觸點焊盤連接，并與安裝后的所述金屬凸塊電連接。3.根據權利要求2所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述金屬連線包括一層或多層互連金屬層，所述介電層包括一層或多層介電材料層。4.根據權利要求3所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述金屬連線包含多層互連金屬層時，所述介電材料層設于所述多層互連金屬層之間將每層互連金屬層隔開，所述多層互連金屬層之間通過通孔實現電連接。5.根據權利要求2所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述再布線層還包括金屬凸塊下金屬層，所述金屬凸塊下金屬層與所述金屬連線連接，所述金屬凸塊安裝在所述金屬凸塊下金屬層上。6.根據權利要求2所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述金屬連線的形成方法為物理氣相沉積、化學氣相沉積、電鍍或化學鍍。7.根據權利要求2所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述金屬連線的材料包括Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag 中的一種或多種。8.根據權利要求2所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述介電層的形成方法為旋涂、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積。9.根據權利要求2所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述介電層的材料為聚苯并噁唑、磷硅玻璃、自旋玻璃、自旋聚合物、氧化硅、S1xCy、硅碳復合材料中的一種或多種。10.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:在形成有所述再布線層的正面表面向下開設溝槽的方法為光刻、激光鉆孔、機械鉆孔或深度反應離子刻蝕。11.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球;所述金屬凸塊在所述晶片上的投影輪廓為圓形、橢圓形或多邊形;所述金屬凸塊的形成方法為電鍍或植球。12.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:形成所述第一保護層和/或所述第二保護層的方法為旋涂、壓模成型、印刷、傳遞模塑、液體模塑封裝或真空層壓。13.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述第一保護層和所述第二保護層的材料為固化封裝材料。14.根據權利要求1所述的晶圓級芯片封裝方法，其特征在于:所述第一保護層和/或所述第二保護層的材料為聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。15.—種采用權利要求1所述方法封裝的晶圓級芯片封裝件，其特征在于，包括: 器件裸芯，所述器件裸芯具有觸點焊盤； 再布線層，所述再布線層設置于所述器件裸芯上； 金屬凸塊，所述金屬凸塊安裝在所述再布線層上，通過所述再布線層與所述觸點焊盤電連接； 保護層，所述保護層將所述器件裸芯及再布線層包裹密封，僅露出部分金屬凸塊。16.根據權利要求15所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述再布線層包括金屬連線以及設于所述金屬連線周圍的介電層，所述金屬連線與所述器件裸芯的觸點焊盤連接，并與安裝后的所述金屬凸塊電連接。17.根據權利要求16所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述金屬連線包括一層或多層互連金屬層，所述介電層包括一層或多層介電材料層。18.根據權利要求16所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述金屬連線包含多層互連金屬層時，所述介電材料層設于所述多層互連金屬層之間將每層互連金屬層隔開，所述多層互連金屬層之間通過通孔實現電連接。19.根據權利要求16所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述再布線層還包括金屬凸塊下金屬層，所述金屬凸塊下金屬層與所述金屬連線連接，所述金屬凸塊安裝在所述金屬凸塊下金屬層上。20.根據權利要求16所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述金屬連線的材料包括Al、Cu、Sn、N1、Au、Ag 中的一種或多種。21.根據權利要求16所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述介電層的材料為聚苯并噁唑、磷硅玻璃、自旋玻璃、自旋聚合物、氧化硅、S1xCy、硅碳復合材料中的一種或多種。22.根據權利要求15所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述金屬凸塊為焊錫球、銅球或錫銅合金球;所述金屬凸塊在所述晶片上的投影輪廓為圓形、橢圓形或多邊形;所述金屬凸塊的形成方法為電鍍或植球。23.根據權利要求15所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述保護層的材料為固化封裝材料。24.根據權利要求15所述的晶圓級芯片封裝件，其特征在于:所述保護層的材料為聚合物基材料、樹脂基材料、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
【文檔編號】H01L21/60GK105938804SQ201610486850
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年6月28日
【發(fā)明人】仇月東, 林正忠
【申請人】中芯長電半導體（江陰）有限公司