用于背接觸背結(jié)太陽能電池的鈍化觸點的制作方法
【專利摘要】提供用于背接觸背結(jié)太陽能電池的鈍化觸點結(jié)構(gòu)和制造方法。根據(jù)一個示例性實施方案，描述具有半導(dǎo)體光吸收層的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，所述半導(dǎo)體光吸收層具有正面和包括基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)的背面。鈍化介電絕緣層位于所述基極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)上。第一導(dǎo)電觸點接觸所述鈍化介電絕緣層，兩者一起具有適合于選擇性收集電子的功函數(shù)，所述功函數(shù)緊密匹配所述光吸收層的導(dǎo)帶。第二導(dǎo)電觸點接觸所述鈍化介電絕緣層，兩者一起具有適合于選擇性收集電子的功函數(shù)，所述功函數(shù)緊密匹配所述光吸收層的價帶。
【專利說明】用于背接觸背結(jié)太陽能電池的鐘化觸點
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2013年12月2日提交的美國臨時專利申請61/910,936的權(quán)益，所述臨 時專利申請?zhí)卮薟引用的方式整體并入。 發(fā)明領(lǐng)域
[0003] 本公開總體上設(shè)及光伏(PV)太陽能電池的領(lǐng)域，并且更具體地說設(shè)及用于太陽能 電池的純化觸點。
[0004] 背景
[0005] 隨著光伏太陽能電池技術(shù)在日益廣泛的規(guī)模上用作能源產(chǎn)生解決方案，需要與太 陽能電池效率、金屬化、材料消耗W及制造有關(guān)的制造和效率改進(jìn)。制造成本和轉(zhuǎn)換效率因 素促使太陽能電池吸收體的厚度越來越薄并且面積越來越大，從而增加機(jī)械脆弱性、效率 并且使運(yùn)些基于薄吸收體的太陽能電池的加工和處理復(fù)雜化，其中脆弱性的影響尤其相對 于晶體娃吸收體有所增加。
[0006] 通常，太陽能電池觸點結(jié)構(gòu)包括基極和發(fā)射極擴(kuò)散區(qū)域上的導(dǎo)電金屬化，例如侶 金屬化，其分別通過相對重的憐和棚區(qū)域來連接基極和發(fā)射極觸點區(qū)域中的娃。
[0007] 經(jīng)?？赡苄枰鄬χ氐臐B雜來得到與娃的低接觸電阻（小于每平方厘米1毫歐姆 (mohm-cm2)的電阻率）。與娃直接接觸的金屬的費(fèi)米能級可被固定在娃的帶隙的中間，一定 程度上由于非常高的表面態(tài)密度而與金屬的真空功函數(shù)無關(guān)。運(yùn)可能對載流子穿過造成大 勢壘，從而促成高接觸電阻。為了應(yīng)對運(yùn)一問題，并得到良好的接觸電阻，可采用重滲雜。運(yùn) 允許載流子遂穿，盡管存在大勢壘，運(yùn)降低了接觸電阻。除了幫助降低接觸電阻之外，觸點 下的重滲雜還可拒絕不促成光電流的載流子類型(拒絕基極觸點區(qū)域中的空穴和發(fā)射極觸 點區(qū)域中的電子）。然而，運(yùn)種重滲雜可能要付出代價，例如，促成載流子損失的俄歇復(fù)合 (auger recombination)顯著增加并且復(fù)合有所增加，運(yùn)進(jìn)而減少JscW及Voc。另外，因為 拒絕界面并不突然，所W拒絕比并不完美。
[0008] 圖1是薄晶體娃太陽能電池的截面圖。圖1示出具有雙級金屬化的薄背板支撐式背 接觸背結(jié)太陽能電池的截面，其具有第一級金屬M(fèi)l和第二級金屬M(fèi)2。在2013年9月5日公布 的美國專利公布2013/0228221中詳細(xì)描述了此電池的特征，所述專利公布W引用的方式整 體并入本文。圖1的電池不具有純化的基極或發(fā)射極觸點，并且Ml與重n擴(kuò)散和P擴(kuò)散直接接 觸。圖1的電池具有背板，所述背板允許通過線W高產(chǎn)率支撐薄電池?？勺⒁獾剑琈U例如， 侶)分別通過相對重的憐和棚滲雜區(qū)域在基極和發(fā)射極觸點區(qū)域中與娃連接。
[0009] 發(fā)明概述
[0010] 因此，已經(jīng)出現(xiàn)對于改進(jìn)背接觸背結(jié)太陽能電池制造工藝并且提供提高的太陽能 電池性能的觸點的需要。根據(jù)所公開主題，為背接觸背結(jié)太陽能電池提供實質(zhì)上消除或減 少與先前開發(fā)的觸點相關(guān)聯(lián)的缺點和不足的純化觸點。
[0011] 提供用于背接觸背結(jié)太陽能電池的純化觸點結(jié)構(gòu)和制造方法。根據(jù)一個示例性實 施方案，描述具有半導(dǎo)體光吸收層的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，所述半導(dǎo)體光吸收層具 有正面和包括基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)的背面。純化介電絕緣層位于基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)上。第一 導(dǎo)電觸點接觸純化介電絕緣層，兩者一起具有適合于選擇性收集電子的功函數(shù)，所述功函 數(shù)緊密匹配光吸收層的導(dǎo)帶。第二導(dǎo)電觸點接觸純化介電絕緣層，兩者一起具有適合于選 擇性收集電子的功函數(shù)，所述功函數(shù)緊密匹配光吸收層的價帶。
[0012] 根據(jù)本文所提供的描述，將明白所公開主題的運(yùn)些和其他方面W及額外的新穎特 征。本概述的意圖并非是對所主張主題的全面描述，而是提供對本主題的某些功能性的簡 短綜述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在查閱W下圖式和詳述之后將明白運(yùn)里提供的其他系統(tǒng)、方法、特 征和優(yōu)點。
[0013] 附圖簡述
[0014] 結(jié)合附圖來看，根據(jù)W下陳述的詳述，所公開主題的特征、性質(zhì)和優(yōu)點可變得更明 白，在附圖中，相同參考數(shù)字指示相同特征，并且其中：
[0015] 圖1是薄晶體娃太陽能電池的截面圖；
[0016] 圖2是平帶條件下的n型觸點的帶圖；
[0017] 圖3是平帶條件下的P型觸點的帶圖；
[0018] 圖4是純化觸點實施方案的示意圖；
[0019] 圖5是用于制造薄背板支撐式背接觸背結(jié)電池的代表性非純化觸點工藝流程;并 且
[0020] 圖6是示例性純化觸點薄背板支撐式背接觸背結(jié)太陽能電池的截面圖。
[0021] 詳述
[0022] W下描述不應(yīng)在限制意義上理解，而是出于描述本公開的一般原理的目的而進(jìn) 行。本公開的范圍應(yīng)參考權(quán)利要求書來確定。本公開的示例性實施方案在附圖中示出，相同 數(shù)字用來指代各個附圖的相同和對應(yīng)部分。所提供附圖的尺寸不是按比例示出的。
[0023] 并且，盡管參考特定實施方案和部件(諸如背接觸背結(jié)(BCBJ)太陽能電池)來描述 本公開，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可將本文所論述的原理應(yīng)用到其他太陽能電池結(jié)構(gòu)太陽能電池 半導(dǎo)體材料(諸如神化嫁，化合物III-V材料）、制造工藝(諸如各種沉積、觸點開口 W及擴(kuò)散 方法和材料），W及吸收體/純化/金屬化材料和形成、技術(shù)領(lǐng)域和/或?qū)嵤┓桨付鵁o需過度 實驗。
[0024] 具體地說，所提供的基于背板的背接觸背結(jié)工藝流程可擴(kuò)展到CZ單晶或多晶起始 材料W及外延生長半導(dǎo)體(例如，娃)薄背板支撐式BCBJ太陽能電池。此外，運(yùn)里描述的觸點 類型一般也適用于使用CZ單晶或多晶起始材料W及外延生長薄半導(dǎo)體（例如，娃）的規(guī)則 (非基于背板的)互相交叉背接觸（IBC)太陽能電池。
[0025] 所描述的具有純化觸點的基于薄晶體娃的背接觸背結(jié)(BCBJ)太陽能電池提供了 設(shè)及使用絕緣體、寬帶隙（且半絕緣的）半導(dǎo)體或運(yùn)兩者的組合的純化方案。所描述的純化 解決方案可提供W下兩個關(guān)鍵優(yōu)點:第一，純化觸點減少了觸點下的復(fù)合，并且因此幫助增 加Voc;第二，如果純化W高效方式執(zhí)行，那么純化可顯著減少工藝步驟的數(shù)量并且減少某 些太陽能電池和制造加工的成本。
[0026] 所提供的用于薄BCBJ太陽能電池的純化觸點顯著改進(jìn)在電池金屬化下的表面復(fù) 合速度而不損害接觸電阻。所描述的創(chuàng)新方面包括并且可應(yīng)用于：
[0027] -純化觸點的結(jié)構(gòu)W及純化觸點與薄(例如，厚度在1 Oum至1 OOum之間）BCB J背板支 撐式太陽能電池的集成。
[0028] -用來實現(xiàn)所期望高效率太陽能電池性能的純化及其與上覆金屬的組合的各種不 同及特定的實施方案。例如，純化可W是寬帶隙半導(dǎo)體、薄絕緣體或者運(yùn)兩者的組合，其來 自諸如41203、11'02、1'10義、^0義^及2110義的材料。例如，有利的沉積方案是原子層沉積 (ALD)。金屬例如可W是侶(A1)、鐵(Ti)和儀(Ni),其與適合類型的純化組合W獲得產(chǎn)生期 望結(jié)果的裝置物理性質(zhì)。
[0029] -與制造基于純化觸點的BCBJ太陽能電池(具有前述材料組）（具體地，具有用于處 理的背板的基于純化觸點的薄BCBJ太陽能電池)相關(guān)的特定方法。運(yùn)些方法常常具有減少 工藝步驟的額外益處。
[0030] 通常，所提供的用于基極和發(fā)射極的純化觸點滿足W下關(guān)鍵條件。
[0031] -對促成光電流的載流子類型(針對n型基極的電子和針對P型發(fā)射極的空穴)提供 非常低的接觸電阻。注意，本文在n型娃太陽能電池的情況下描述基極和發(fā)射極，對于P型太 陽能電池，基極和發(fā)射極的極性將反轉(zhuǎn)。
[0032] -提供優(yōu)異純化，其中在一些情況下，表面復(fù)合速度(SRV)是lOcm/s-lOOcm/s。
[0033] -提供對不促成光電流的載流子類型（即，針對基極的空穴和針對發(fā)射極的電子） 的突然且優(yōu)異的拒絕。
[0034] 另外，針對基極和/或發(fā)射極兩者，在較重滲雜（大于lel7cm-3)或較輕滲雜（小于 lel7cm-3)的娃上提出純化觸點。在一些情況下，并且將是明顯的，較輕滲雜襯底觸點可減 少工藝步驟;然而，較重滲雜可能是實現(xiàn)接觸電阻目標(biāo)所期望的。提出=個種類的介電材 料。通過帶隙加W區(qū)分的每個種類具有若干特定可能性并且通常將與特定金屬一起工作。
[0035] 介電純化觸點。第一種類的純化觸點由已知會提供娃上的高質(zhì)量純化的絕緣體組 成(本文中被稱為純化觸點I型或介電純化觸點）。1型背后的原則指導(dǎo)是在娃與金屬之間沉 積非常薄的（例如，〇.5nm至4nm，并且在一些情況下，更具體地是Inm至2皿）、受控制的已知 高質(zhì)量純化絕緣層。盡管是超薄的，但是運(yùn)個層足夠厚來拔掉金屬的費(fèi)米能級并且將金屬 從大致固定在娃帶隙的中隙處帶向其自然真空功函數(shù)級別。因此，通過正確選擇金屬的真 空功函數(shù)，可實質(zhì)上減小載流子遂穿的勢壘高度，從而實現(xiàn)低接觸電阻。注意，絕緣體應(yīng)保 持足夠薄，使得絕緣體本身不成為遂穿的障礙和阻力。應(yīng)優(yōu)化絕緣體的厚度來獲得最小接 觸電阻。另外，多數(shù)絕緣體還在非常低厚度值范圍內(nèi)的較大厚度下表現(xiàn)出較好純化質(zhì)量。例 如，眾所周知，在厚度開始下降到低于2nm時，諸如ALD沉積A1203SRV的電介質(zhì)增加。因此，絕 緣體厚度的最優(yōu)選擇應(yīng)考慮接觸電阻優(yōu)化W及純化質(zhì)量要求兩者。
[0036] 提供娃上的高質(zhì)量純化的絕緣體的實例是諸如Al 203、Hf Ox、ZnOx W及Si 02的材 料。運(yùn)些實例不應(yīng)在限制意義上理解，而是被提供作為指導(dǎo)性材料選擇，并且還可使用可形 成娃上的高質(zhì)量純化并且具有絕緣性質(zhì)的替代材料。沉積運(yùn)些電介質(zhì)的有利方法是原子層 沉積(ALD)，因為它可允許對沉積厚度的埃級精確控制（諸如可能是隧穿電流控制所需要 的），并且對于此工藝當(dāng)前存在高容量、太陽能級、價格低廉的制造工具。還可使用改進(jìn)純化 質(zhì)量的各種表面預(yù)處理，例如HF最后工藝。
[0037] 在n型觸點的情況下，其中觸點必須提供對電子的低電阻，金屬應(yīng)被選擇成具有接 近娃的導(dǎo)帶的真空功函數(shù)。運(yùn)些金屬的若干實例包括侶（功函數(shù)為~4. lev)、鐵(功函數(shù)為 ~4.3eV似及瓣射的氧化銅錫(~4.25eV)。對于P型觸點的情況，金屬的真空功函數(shù)應(yīng)更接 近娃的價帶W提供空穴的自由傳輸。在運(yùn)里，諸如儀和銷的材料可W是有利的，并且也可選 擇具有接近娃的價帶的功函數(shù)的金屬。圖2示出平帶條件下的n型觸點的帶圖，在所述條件 下電子容易遂穿。具體地，圖2是示出平帶條件、具有到n型區(qū)域的I型純化觸點的帶圖的圖。 圖3示出平帶條件下的P型觸點的此情況。具體地，圖3是示出平帶條件、具有到P型區(qū)域的I 型純化觸點的帶圖的圖。
[0038] 基于寬帶隙半導(dǎo)體的純化觸點。在此類型的純化觸點（本文中被稱為純化觸點II 型或基于寬帶隙半導(dǎo)體的純化觸點）中，使用諸如Ti化、NiOx或化0的寬帶隙半導(dǎo)體來提供 娃上的純化。觸點堆疊由W下組成:娃(重或輕P或n型滲雜或無滲雜），之后是有利于如本文 描述的觸點的特定寬帶隙半導(dǎo)體，之后是所選擇的金屬。寬帶隙半導(dǎo)體具有特定電中性級 (CNL)，所述C化是指材料的帶隙中的能級，并且其中鄰接的金屬往往會獨(dú)立于金屬的真空 能級功函數(shù)將其費(fèi)米能級排隊。
[0039] 對于到n型娃的觸點，其中電子需要在低電阻下流過觸點，可選擇具有接近娃的導(dǎo) 帶的C化的寬帶隙材料。例如，T i Ox可W是運(yùn)種應(yīng)用的理想材料，因為T i化具有幾乎與娃對 準(zhǔn)的導(dǎo)帶，而在價帶方面存在與娃的很大帶不連續(xù)性。TiOx的C化級非常接近其導(dǎo)帶邊緣， 所述導(dǎo)帶邊緣也恰好接近娃的導(dǎo)帶邊緣。當(dāng)諸如Al或Ti的金屬沉積在TiOx的頂部上時，金 屬的功函數(shù)與Ti化的C化對準(zhǔn)，從而創(chuàng)建針對電子的非常小、甚至不存在的勢壘，因此允許 對電子的非常低接觸電阻。金屬功函數(shù)趨近并接近C化的程度可取決于TiOx的厚度，例如， 隨著Ti化變厚，金屬功函數(shù)更接近其CNL。通常，在一些情況下，2皿至3皿的Ti化使金屬的功 函數(shù)接近其CNL。另一方面，由于與娃的很大價帶不連續(xù)性，TiOx提供針對空穴(在n型觸點 內(nèi)部不想要空穴)的優(yōu)異拒絕勢壘。因此，有非常高的可能性會妨礙和拒絕趨近運(yùn)個界面的 空穴，將它們保持在娃內(nèi)部并且使它們有機(jī)會朝向P型觸點（其構(gòu)成光電流)移動并且進(jìn)入P 型觸點。TiOx在退火時或者在Ti存在(在頂部上)時變得缺氧。運(yùn)創(chuàng)建了氧空位，所述氧空位 繼而具有滲雜Ti化的效果，使得其變?yōu)閚型半導(dǎo)體并且導(dǎo)致Ti化成為導(dǎo)電的。另外，TiOx的 電阻率可W低至le-2ohm-cm的范圍。
[0040] 如同絕緣純化觸點（I型)一樣，TiOx的最優(yōu)厚度可使接觸電阻最小化。運(yùn)種最優(yōu)出 現(xiàn)，是因為隨著厚度增加，金屬的費(fèi)米能級更接近Ti化的CNL，從而降低針對電子的遂穿勢 壘。另一方面，太厚的Ti化層呈現(xiàn)高電阻遂穿勢壘。不同于絕緣勢壘的是，由于Ti化的導(dǎo)電 性，最小接觸電阻的最優(yōu)厚度趨于更大。為了運(yùn)個目的，也可使用具有接近娃的導(dǎo)帶的CNL 并且允許電子的高質(zhì)量遂穿的其他寬帶隙半導(dǎo)體。
[0041] 對于P型觸點，合適的寬帶隙材料是諸如Ni化的材料。NiOx價帶趨于與娃的價帶對 準(zhǔn)，其中C化也接近/趨近運(yùn)個級別，從而為空穴提供良好的傳導(dǎo)路徑。另一方面，由于比娃 大得多的帶隙（在大約3.3eV的范圍中），在價帶中可能存在大的帶不連續(xù)性。因此，從娃側(cè) 撞擊在運(yùn)個界面上的娃中電子可能遇到非常大的勢壘并且具有高拒絕。如同Ti化一樣，存 在Ni化的使接觸電阻最小化的最優(yōu)厚度。例如，NiOx頂部上的合適金屬是Ni。
[0042] 可使用例如原子層沉積(ALD)來沉積Ti化和NI化。n型頂部上的太陽能電池金屬化 可W是例如Al和Ti,可使用諸如物理氣相沉積、噴墨W及絲網(wǎng)印刷的許多技術(shù)來沉積所述 Al和TinP型觸點頂部上的太陽能電池金屬化可W是例如Ni,并且也可使用諸如PVD或噴墨 的技術(shù)加W沉積。
[0043] 寬帶隙材料與絕緣材料的組合。一般用于太陽能電池和薄背接觸背結(jié)太陽能電池 的另一種類的純化觸點解決方案是絕緣體與寬帶隙半導(dǎo)體的組合，所述組合形成為金屬與 娃之間的薄夾層(本文被稱為III型純化觸點或組合觸點）。如前文一樣，娃可W是重滲雜、 輕滲雜或無滲雜的并且可W是P或n型。取決于娃的滲雜，應(yīng)滿足金屬和組合堆疊的選擇。因 此，觸點由W下組成:娃層，之后是絕緣層，之后是有利于特定觸點的類型的寬帶隙半導(dǎo)體， W及頂部上(也被適當(dāng)選擇來獲得良好的接觸電阻）的金屬(太陽能電池金屬化）。
[0044] 經(jīng)常，基于夾層的厚度，在純化觸點中存在純化質(zhì)量與接觸電阻之間的權(quán)衡。因此 具有薄絕緣體與寬帶隙半導(dǎo)體的組合開啟了在運(yùn)兩個合乎期望的度量之間的工藝窗口。例 如，發(fā)現(xiàn)在非常薄的A1203(絕緣體)的頂部上沉積薄Ti化(寬帶隙）層導(dǎo)致改進(jìn)的純化質(zhì)量。 接觸電阻可仍然非常合乎期望，因為Ti化是導(dǎo)電的并且其厚度仍然很小。例如，在運(yùn)種情況 下，載流子將遂穿絕緣體并且將在Ti化的導(dǎo)帶中行進(jìn)。
[0045] 例如像之后是Ti或Al的A1203/Ti0x的材料可用作n型觸點的堆疊。然而，例如像 A1203/Ni0x/Ni的材料可W是P型觸點的堆疊?？蛇x地，例如，還可考慮冊化而不是A1203來 用于組合堆疊。并且例如H?)x或A1203頂部上的化0可用于n型觸點?？稍?014年11月11日提 交的美國專利申請?zhí)?4/538760中發(fā)現(xiàn)組合純化堆疊的細(xì)節(jié)，所述申請W引用方式整體并 入本文。
[0046] 圖4是本文描述的純化觸點解決方案實施方案和制造工藝流程的示意圖。如圖4所 示，在頂級處對W下進(jìn)行:使用對基極觸點的輕滲雜n滲雜連同重滲雜的P型（發(fā)射極）的裝 置（圖4中示出為N-基極(低滲雜）），W及需要對基極觸點的重滲雜n(例如，憐或神)滲雜連 同重滲雜P型觸點(發(fā)射極)的太陽能電池（圖帥示出為N+基極僅滲雜））。在運(yùn)些類別的每 一個內(nèi)，存在使用激光工藝來雕刻并且限定不同基極和觸點區(qū)域的流程(圖4中示出為基于 Ns激光），W及使用硬掩模和濕法工藝來實現(xiàn)相同結(jié)果的另外組（圖4中示出為基于硬掩 膜）。在硬掩膜解決方案中，可使用激光來限定掩膜W減少或消除對娃襯底的損壞，因為燒 蝕是在遠(yuǎn)離娃表面處執(zhí)行。根據(jù)純化觸點是用于n觸點或P觸點還是n觸點和P觸點兩者來對 最后或最低級進(jìn)行分類。本文描述運(yùn)些變型W及若干其他組的變型，諸如1、11和HI型觸 點。
[0047] 圖5是用于制造薄背板支撐式背接觸背結(jié)電池的代表性非純化觸點工藝流程并且 被提供用于參考，所述工藝流程使用在電池背面(或非光明面)上的APCVD Al2〇3純化來進(jìn)行 發(fā)射極形成，并且使用ALD或PECVD Ab化純化來進(jìn)行正面（即，電池光接收或光明面)純化。 所述工藝流程遵循適合于使用背板和雙級金屬化制作薄娃太陽能電池的結(jié)構(gòu)，諸如3014年 10月30日公布的美國專利公布號2014/0318611中詳細(xì)描述的結(jié)構(gòu)，所述專利公布W引用方 式整體并入本文。運(yùn)包括層壓諸如預(yù)浸材料的背板(步驟10)，使用預(yù)浸對娃進(jìn)行回蝕并且 使其變薄到期望厚度W使得其變得有利于高效率(步驟11)，使用激光來隔離太陽能電池上 的子電池(步驟12)，運(yùn)在2014年11月6日公布的美國專利公布號2014/0326295中詳細(xì)描述， 并且是指在隔離之后隔離因預(yù)浸而黏合地保持在一起的若干單獨(dú)起作用的較小面積太陽 能電池的行為。
[0048] 圖5的流程被分成前端和后端。前端產(chǎn)生選擇性發(fā)射極，其中基于侶的金屬1直接 接觸n型和P型兩者的重擴(kuò)散W及非純化觸點，并且可導(dǎo)致制造出諸如圖1的截面圖中所示 電池的電池。在2014年12月1日提交的美國專利申請?zhí)?4/570096中詳細(xì)描述運(yùn)個流程的各 方面，所述申請W引用方式整體并入本文。本申請?zhí)峁に嚵鞒痰那岸?在圖5中的層壓 之前)的解決方案，其包括強(qiáng)調(diào)純化觸點結(jié)構(gòu)和方法的工藝流程。
[0049] 參考圖5,在金屬化之后，工藝流程的后端遵循適合于使用背板和雙級金屬化制作 薄娃太陽能電池的結(jié)構(gòu)，諸如3014年10月30日公布的美國專利公布號2014/0318611中詳細(xì) 描述的，所述專利公布W引用方式整體并入本文。運(yùn)包括層壓諸如預(yù)浸材料的背板(步驟 10) ，使用預(yù)浸對娃進(jìn)行回蝕并且使其變薄到期望厚度W使得其變得有利于高效率(步驟 11) ，使用激光來隔離太陽能電池上的子電池(步驟12)，運(yùn)在2014年11月6日公布的美國專 利公布號2014/0326295中詳細(xì)描述，并且是指在隔離之后隔離因預(yù)浸而黏合地保持在一起 的若干單獨(dú)起作用的較小面積太陽能電池的行為。在島狀電池切割之后，可對電池進(jìn)行紋 理化(步驟13)。紋理化行為還可移除碎片并且清除由島狀電池激光切割創(chuàng)建的任何激光損 壞。在紋理化之后，可使用許多技術(shù)來沉積前純化(步驟14和15)。隨后，使用C02激光W非常 高的速度在背部鉆探出通孔(步驟16)。通孔在下面的侶漿處停止。運(yùn)之后是，第二級金屬沉 積(金屬2或M2)的最后步驟，所述步驟例如通過使用激光的PVD和金屬姻案化(在步驟17和 18中示出）進(jìn)行。在一些情況下，沉積金屬可W是侶，之后是儀。M2厚度可W在2um至6um的范 圍中，如設(shè)計需要所指定的。M2圖案化激光可W是例如納秒綠色或UV激光。
[0050] 如先前指出的，本申請?zhí)峁に嚵鞒痰那岸?在圖5中的層壓之前）的解決方案 來顯示形成純化觸點的各種方法。表1示出用于制作純化觸點(基于絕緣體/金屬)薄背板支 撐式背接觸背結(jié)太陽能電池的工藝流程的前端。所使用的純化觸點方案是在諸如A1203或 H?)x的絕緣體的情況下，使用具有n型基極上的Ti或ALW及P型發(fā)射極上的Ni的ALD。 「AAC 4 1
[0052] 表1 .n觸點和P觸點兩者上的前端流程(ns激光)雙純化觸點。
[0053] 表1的工藝流程是在n型晶片的情況下描述的，所述n型晶片稍后在后端流程中變 薄到一定厚度，運(yùn)個厚度被優(yōu)化來給出最好的可能效率(例如，變薄到小于IOOum的厚度）。 創(chuàng)新方面也適用于P型晶片，其中本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解對應(yīng)變化。
[0054] 圖6是示例性純化觸點薄背板支撐式背接觸背結(jié)太陽能電池(諸如可根據(jù)表1的工 藝流程來制造的太陽能電池)的截面圖。圖6的特定太陽能電池具有在P+區(qū)域和n-區(qū)域上的 純化觸點，W及具有對應(yīng)的不同基極金屬和發(fā)射極金屬的第一級金屬。注意，在此實施方案 中，基極觸點和發(fā)射極觸點均被純化，并且純化方案是I型。觸點是到n-表面和P+表面，并且 絕緣材料(在圖6中示出為A1203或H?)x)可具有大約0.5nm至3nm的范圍中的厚度。圖6是示 例性太陽能電池饋如可根據(jù)表1的工藝流程來制造的太陽能電池)的截面圖。
[0055] 重要的是，在僅基極純化的觸點或僅發(fā)射極純化的觸點的情況下，金屬1可W是相 同材料。例如，n型襯底具有僅利用A1203的純化基極觸點，并且侶Ml層具有圖案化的電隔離 基極和發(fā)射極金屬化。換句話講，可使用絲網(wǎng)印刷或諸如噴墨或氣溶膠印刷的其他手段來 沉積圖案化的侶。也可使用PVD Al,之后是圖案化(例如，通過激光)來雕刻基極和發(fā)射極金 屬圖案。
[0056] 參考表1，在步驟1中對娃襯底（例如，CZ晶片，或者在一些情況下是外延生長的娃 層，其不需要銀損移除）執(zhí)行銀損移除SDR之后，在步驟2中沉積A1203的APCVD層。用棚對運(yùn) 個層進(jìn)行滲雜，使得其用作滲雜劑源。在表1中的工藝流程的給出實例中，運(yùn)個層被示出為 棚滲雜的A1203,然而，其還可W是諸如棚滲雜的Si化層的材料，所述棚滲雜的SWx層也可 使用APCVD進(jìn)行沉積。在步驟3中，用UV ns激光對滲雜劑源進(jìn)行圖案化W打開發(fā)射極和基極 觸點區(qū)域兩者。納秒UV可W是有利的，因為其在與某一種類的APCVD A1203薄膜一起使用時 可對塊狀娃造成減少到零的損壞。如果使用APCVD來沉積棚滲雜的Si化層，那么可能需要皮 秒激光而不是納秒激光來進(jìn)行圖案化。并且盡管可導(dǎo)致塊狀娃中的損壞，但是可在用皮秒 激光打開娃之后通過濕法蝕刻娃來在一定程度上修復(fù)運(yùn)個損壞。納秒UV激光在燒蝕滲雜的 AL203APCVD層時可留下具有大約4nm厚度的殘留物，所述殘留物是滲雜的但富含娃、非化學(xué) 計量的Al化。層厚度相對好控制并且是均勻的，因為界面A1203層的燒蝕闊值顯著增加，其 中它里面的娃含量略有增加。盡管運(yùn)個殘留層可用于用作發(fā)射極觸點的P型滲雜劑源，但是 對于n觸點區(qū)域可將運(yùn)個殘留層完全移除W形成到原始n襯墊的觸點。運(yùn)可通過在n型基極 觸點區(qū)域上使用皮秒激光（已知其在一些情況下完全燒蝕AL203而不留下殘留物）來實現(xiàn)， 如表1的步驟4中所示出。皮秒激光不觸碰發(fā)射極觸點區(qū)域，并且因此發(fā)射極觸點區(qū)域保留 殘留的4nm的A1203層。與皮秒一起使用的功率的量可足夠低，使得其不對娃造成損壞。在高 容量制造中，皮秒和ns激光可組合在單個激光工具中。在此燒蝕之后，執(zhí)行高溫退火來驅(qū)動 圖案化區(qū)域中的棚滲雜劑，如表1的步驟5中所示出。由于基極上的ns和選擇性皮秒，用棚對 背表面進(jìn)行連續(xù)滲雜，除了在皮秒激光完全移除Al 203時存在基極觸點開口之處。發(fā)射極觸 點區(qū)域中的滲雜量可比發(fā)射極的剩余部分中的滲雜量低，因為運(yùn)些區(qū)域中的滲雜劑源(例 如，A1203)的厚度大約為4nm。然而，滲雜濃度仍然足夠大/高來與頂部上的遂穿絕緣體/金 屬組合進(jìn)行高質(zhì)量接觸。
[0057] 在退火和棚被驅(qū)動之后，在各處，除了基部觸點開口區(qū)域，部署濕法蝕刻來將大約 4nm的殘留A1203層從發(fā)射極移除W便使區(qū)域?qū)τ诒〗^緣體沉積是原始的（如表1的步驟6中 所示出）。注意，如果在濕法蝕刻期間發(fā)生輕微底切，那么運(yùn)不是高結(jié)果。在相同濕法蝕刻期 間，使用HF最后工藝來預(yù)處理表面。運(yùn)之后是沉積薄絕緣層，其發(fā)生在各處，包括基極和發(fā) 射極觸點開口 W及場區(qū)域中（如表1的步驟7所示出）。絕緣層材料包括諸如A1203和Hf化的 材料，并且可使用例如像原子層沉積ALD的技術(shù)加W沉積。也可使用替代性高質(zhì)量純化絕緣 體，例如使用ALD對其進(jìn)行沉積。如參考I型純化觸點所描述的，薄絕緣體層拔掉上覆金屬的 費(fèi)米能級并且將金屬帶向其真空功函數(shù)。取決于裝置要求額外考慮和裝置，〇.5nm至化m的 范圍中的最優(yōu)絕緣體厚度可使接觸電阻最小化并且使純化質(zhì)量最大化。
[0058] 在絕緣體沉積之后，沉積太陽能電池金屬化(也被稱為第一級金屬，金屬1或Ml)， 如表1的步驟8中所示出。用于基極觸點的理想金屬是具有接近娃的導(dǎo)帶的真空功函數(shù)的金 屬，例如像Al和Ti的金屬。用于發(fā)射極觸點的理想功金屬是真空功函數(shù)接近娃中價帶的真 空功函數(shù)的金屬，例如像Ni的金屬?？墒褂酶鞣N沉積方案將金屬沉積在基極和發(fā)射極觸點 區(qū)域中。例如，諸如噴墨或氣溶膠和絲網(wǎng)印刷的圖案化沉積方案可W有利于減少工藝步驟 (即，不需要金屬圖案化）。然而，也可使用基于PVD的金屬沉積。如表1步驟8的金屬化方案中 所示出，使用噴墨印刷在n型基極區(qū)域的頂部上印刷圖案化的Al并且在P型基極區(qū)域上印刷 圖案化的Ni。運(yùn)之后是熱處理來激活兩個薄膜。注意，在一些情況下，取決于溫度要求，熱處 理可W是依序的。通常，運(yùn)可構(gòu)成前端工藝流程的結(jié)束，并且隨后可部署常見后端工藝流 程，諸如圖5中提供的后端工藝流程，來完成太陽能電池。然而，在一些情況下，可利用較厚 的金屬1層來為后端工藝流程（圖5)期間的通孔鉆探步驟創(chuàng)建優(yōu)越的通孔鉆探停止層。并且 在一些情況下，較厚的金屬1還可用來改進(jìn)金屬1層的線性電阻。在運(yùn)些情況下，可在金屬1 的頂部上添加絲網(wǎng)印刷的Al臺階，其利用僅在通孔鉆探區(qū)域下的墊或者利用實線，如表1的 步驟9中所示出。
[0059] 變型種類1:存在金屬1的若干可能變型。例如，在發(fā)射極上沖擊圖案化的噴墨Ni并 且將其激活，運(yùn)之后是在基極和發(fā)射極兩者上絲網(wǎng)印刷Al?；蛘呖蛇x地，發(fā)射極的圖案化Ni 噴墨之后是Al的毯覆PVD。運(yùn)之后可W是基于激光將PVD AK頂部上可能的Ni用作用于激光 的ARC)分成隔離的基極和發(fā)射極線。在金屬1沉積的又一變型中，可使用Ni和AL的全PVD沉 積W及濕法蝕刻圖案化。絲網(wǎng)印刷、噴墨（或氣溶膠印刷）W及PVD的其他組合是隱含的。在 Ml金屬化之后，可使用后端加工，諸如圖5中描述的后端加工，來完成太陽能電池。
[0060] 變型種類2:在表2中示出的另一變型中，在高溫退火之前僅打開基極觸點。運(yùn)可確 保在基極觸點將由n基極制成的情況下不存在P型滲雜劑源。在高溫退火和滲雜劑驅(qū)動之 后，使用皮秒激光打開發(fā)射極觸點。皮秒激光可用于打開，因為A1203薄膜可因高溫退火而 致密化并且不再有利于使用皮秒(ns)激光打開。在打開發(fā)射極和基極觸點兩者并且驅(qū)進(jìn)滲 雜劑之后，使用HF來清潔表面W移除自然氧化物并且確保隨后的ALD沉積薄絕緣體(A1203 或H?)x)保留優(yōu)異的表面質(zhì)量。最后，如先前描述來執(zhí)行金屬化的，其包括變型。
[0061]
[0062]
[0063] 表2. n觸點和P觸點兩者上的前端流程(ns激光)雙純化觸點。
[0064] 變型種類3:表3示出前端流程的又一實施方案，其中僅基極(n-)觸點被純化。P+發(fā) 射極觸點是正常觸點，其中金屬在直接接觸娃而中間不存在任何絕緣體。重要的是，注意金 屬化方案中的細(xì)微差異。因為發(fā)射極不是純化觸點，所W直接侶也可在重滲雜P型襯底上起 作用，換句話說，用于基極和發(fā)射極的第一級金屬化可W是相同的材料，諸如侶，其中具有 圖案化的電隔離基極和發(fā)射極金屬化?？蛇x地，發(fā)射極的其他選擇是鐵和儀?；鶚O金屬選擇 類似于針對純化觸點所描述的:侶和鐵?？蒞產(chǎn)生類似變型，其中僅發(fā)射極被純化。 「OOASl
LUUOOJ 巧3.1 乂仕n艦點上的刖瑞'侃巧化S微化；州化艦點。
[0067] 變型種類4:在又一變型中，可使用硬掩膜和濕法加工來限定發(fā)射極和基極區(qū)域， 如表4中的工藝流程中所示出。表4示出使用硬掩膜來制造具有雙純化觸點的薄背板支撐式 背接觸背結(jié)太陽能電池的前端工藝流程。
[0068] 參考表4,第一步驟是沉積圖案化的無滲雜層，所述層可用來僅在基極觸點所在的 特定區(qū)域中阻擋棚滲雜劑(步驟2)。運(yùn)個圖案化的無滲雜層的寬度可與基極觸點的預(yù)期寬 度大約相同，并且應(yīng)覆蓋基極觸點預(yù)期所在的所有區(qū)域。所述層的最小厚度應(yīng)使得其完全 阻擋來自隨后上覆的滲雜氧化物的棚滲雜劑通過而到達(dá)娃。例如，SiOx層可具有在50nm至 IOOnm范圍中的最小厚度，然而，最小厚度可W是取決于材料的。另一方面，最大厚度應(yīng)使得 其可在隨后加工中移除/取出而沒有太大難度。例如，使用濕法工藝的移除應(yīng)不引起嚴(yán)重底 切。沉積方法包括有利于在大約70um至IOOum圖案寬度(例如，互相交叉的指寬度)的尺寸中 沉積圖案化(或者毯覆，之后是圖案化)50nm至500nm厚度薄膜的方法。無滲雜層材料選擇包 括例如使用諸如噴墨和絲網(wǎng)印刷的方法來沉積的諸如無滲雜SWx、其他氧化物或者氮化物 的材料。
[0069] 在無滲雜層之后，沉積用于發(fā)射極的基于APCVD的棚滲雜層(步驟3)。運(yùn)個棚滲雜 層可W是滲雜A1203(如表4中所示出）或者諸如棚滲雜SiOx的材料。在一些情況下，滲雜 A1203層可具有優(yōu)越發(fā)射極飽和電流密度的優(yōu)勢。注意，盡管滲雜A1203相比前述滲雜Si化 層仍然具有優(yōu)勢，但在一些情況下，與使用激光進(jìn)行圖案化的情況(如表2中所示出）相比， 在硬掩膜加上濕法加工(如表4中所示出）的情況下使用A1203可能不太有利。例如，當(dāng)使用 激光時，可僅用可能損壞下面娃的皮秒激光對滲雜Si化層進(jìn)行圖案化，而在一些情況下，使 用激光圖案化的硬掩膜加上濕法加工，對娃的損壞是最小的，甚至是零。表4中的步驟4是高 溫滲雜劑從上覆滲雜劑源驅(qū)動到娃中W形成P型發(fā)射極區(qū)域。關(guān)鍵是在無滲雜層被沉積的 情況下，棚滲雜劑被阻擋并且表面在運(yùn)些區(qū)域中保持n-。運(yùn)之后是由硬掩膜沉積組成的步 驟5。例如，運(yùn)可W是諸如陽CVD沉積的a-Si或a-Si/SIC的材料(例如，具有5皿至50皿范圍中 的厚度)并且具有兩個重要性質(zhì)：1)其有利于通過脈沖激光被圖案化成基極和發(fā)射極，而不 會通過滲雜劑源氧化物對下面娃造成損壞；W及2)選擇性使用濕法蝕刻來圖案化下面的滲 雜劑源(例如，基于HF的蝕刻化學(xué)）。例如，硬掩膜材料諸如陽CVD a-Si，并且在一些情況下， ALD沉積的氮化物。
[0070] 表4中的步驟6由使用皮秒激光來圖案化硬掩膜組成。皮秒激光可W是最優(yōu)的來選 擇性燒蝕陽CVD a-SI/a-SiC，而不通過下面的滲雜劑源。步驟7由W下組成:使用a-Si層作 為硬掩膜來濕法蝕刻基極和發(fā)射極區(qū)域中的滲雜劑源，所述硬掩膜保護(hù)所述區(qū)域的剩余部 分免受蝕刻。步驟8和9分別由W下組成:清潔表面W使其處于原始狀態(tài)(通常是HF浸潰），之 后是針對純化觸點沉積諸如A1203或HfOx的絕緣層。運(yùn)之后是如步驟10和11中所示出的金 屬沉積。注意，在表1上的情況下論述的金屬1沉積的所有變型是同等適用的。在Ml金屬化之 后，可使用后端加工，諸如圖5中所描述的后端加工，來完成太陽能電池。
[0071]
[0072] 表4.針對發(fā)射極和基極兩者的前端流程(硬掩膜)雙純化觸點。
[0073] 變型種類5:注意，當(dāng)僅一個類型的觸點(n或P型）需要被純化而另一個仍然是直接 金屬到娃觸點時，可容易從表4推論得出硬掩膜加上濕法工藝的變型。
[0074] 變型種類6:注意，所有前述的到基極的純化觸點設(shè)及接觸輕滲雜(n-基極）。在粗 略檢查中，到n-區(qū)的接觸可能容易造成高電阻，然而，諸如A1203或H?)x的適當(dāng)絕緣體的插 入可減少隧穿勢壘，減少的程度即使在n襯底的情況下也足W產(chǎn)生低接觸電阻（例如，減少 到lel5至lel7范圍的電阻范圍）。然而，如果需要較低接觸電阻，那么可能通過使用具有純 化觸點的重滲雜n+基極層來進(jìn)一步改進(jìn)接觸電阻。運(yùn)將需要創(chuàng)建局部擴(kuò)散的n+層，作為圖5 中示出的太陽能電池結(jié)構(gòu)的變型。表5到7中提供關(guān)于此變型的=個示例性工藝流程。并且 盡管每個流程使用基于激光的圖案化并且可容易推斷出到硬掩膜工藝的擴(kuò)展。表5是示出 到P+發(fā)射極和n+基極兩者的雙觸點純化的示例性流程。表6是示出僅到基極n+的單個觸點 純化的示例性流程。表7是示出僅到P+發(fā)射極的單個觸點純化的示例性流程。
[0075]
[0076] 表5.針對基極和發(fā)射極兩者的前端流程(激光)雙純化觸點，到化的基極觸點。
[0077] W上表5示出用于制作到發(fā)射極和基極兩者的雙純化觸點的前端工藝流程，其中 所述基極是重滲雜的。
[007引
[0079] 表6.僅針對基極的前端流程(激光)單個純化觸點，到化的基極觸點。
[0080] W上表6示出用于制作僅到基極的純化觸點的前端工藝流程，其中基極是重滲雜 的。
[0081]
[0082] 表7.僅針對發(fā)射極的前端流程(激光)單個純化觸點。
[0083] W上表7示出用于制作僅到發(fā)射極的純化觸點的前端工藝流程，其中基極是重滲 雜的。
[0084] 重要的是，注意金屬化方案可取決于兩個觸點均被純化還是其中的一個被純化而 改變。當(dāng)P型材料頂部上存在純化觸點時，上覆材料應(yīng)當(dāng)是具有接近娃的價帶的功函數(shù)的金 屬，諸如儀。當(dāng)P型材料上不存在純化觸點時，上覆金屬可W是儀、侶或鐵。對于基極，類似的 是，純化觸點應(yīng)當(dāng)是諸如侶或鐵的材料。非純化觸點將金屬化材料增加為除了侶和鐵之外 還包括儀。在W上約束內(nèi)，盡管未明確描述，但可使用金屬類型和沉積方案兩者的不同變 型。此外，可從表4、5、6和7容易理解用于n+純化觸點的工藝流程的硬掩膜和濕法加工版本。
[0085] 變型種類7:在前述工藝流程中，滲雜劑源層(侶和Si的氧化物)被保留并且成為太 陽能電池的永久部分。事實上，盡管W上滲雜劑源中大多數(shù)是基于APCVD的，但還可使用絲 網(wǎng)印刷的滲雜劑漿料來創(chuàng)建娃中的滲雜。然而，容易理解的是，在所有W上實施方案中，可 W剝除最初的滲雜層，并且可使用諸如ALD、APCVD或PECVD的方法來沉積諸如無滲雜A1203 或Si02的純化層。此沉積之后將是濕法蝕刻（基于硬掩膜的）或者基于激光的觸點打開。緊 隨其后并且沿著W上描述的流程的線，可使用基于ALD的AL203或HfOx型絕緣體在P型、n型 或兩種類型上創(chuàng)建純化觸點。運(yùn)些絕緣體的PECVD沉積也可用于純化觸點。一般來說，并且 如之前所描述的，運(yùn)些觸點容易適用于基極是n滲雜的或重滲雜的兩種一般情況。
[0086] 變型種類8:所有前述工藝流程是在I型純化觸點的情況下加^描述。如之前限定 的I型純化觸點具有夾在金屬與半導(dǎo)體之間的單個薄絕緣層。重要的是，提出在所有W上流 程中，還可使用II型和HI型純化觸點。
[0087] 固有地，因為每個觸點類型所需要的寬帶隙半導(dǎo)體類型是不同的，所W在基極和 發(fā)射極中僅一個需要被純化時，使用II型和III型觸點（運(yùn)兩者均包含寬帶隙半導(dǎo)體)可能 不那么復(fù)雜。當(dāng)在兩種觸點上使用II型和HI型觸點時，必須注意的是，對于電子(n型區(qū) 域），具有導(dǎo)帶處的CNL的寬帶隙半導(dǎo)體應(yīng)單獨(dú)使用或結(jié)合諸如A1203/Hf0x的薄絕緣體一起 使用。例如，TiOx本身或A1203/Ti0x的組合可在ALD反應(yīng)器中原位沉積，并且僅由A1203或 冊化ALD代替。然而，對于P型觸點，例如，NiOx本身或結(jié)合A1203和H?)x應(yīng)當(dāng)是II型和HI型 純化材料。另外，應(yīng)注意，當(dāng)同時純化n型和P型觸點兩者時，由于不同寬帶隙材料的要求，可 能需要增加寬帶隙材料的圖案化來將兩個種類放在正確地方。運(yùn)可能添加工藝流程步驟和 制造復(fù)雜性。因此，對于雙純化觸點，I型純化觸點可W是有利的。對于單個純化觸點（基極 或發(fā)射極上），因為寬帶隙材料是導(dǎo)電的，所W其還應(yīng)當(dāng)在場中被隔離，利用激光容易執(zhí)行 隔離圖案化。
[0088] W上所概述的工藝流程不應(yīng)在限制意義上理解。從W上詳細(xì)論述顯而易見的是， 有若干可能方式來創(chuàng)建運(yùn)些流程的更多變型。盡管未明確陳述，但是運(yùn)類變型是隱含的。
【主權(quán)項】
1. 一種背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其包括： 具有正面和背面的半導(dǎo)體光吸收層； 位于所述半導(dǎo)體光吸收層背面上的基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)； 位于所述基極區(qū)和所述發(fā)射極區(qū)上的鈍化介電絕緣層； 物理接觸所述鈍化介電絕緣層的第一導(dǎo)電觸點，所述第一導(dǎo)電觸點和所述鈍化介電絕 緣層一起具有適合于選擇性收集電子的功函數(shù)，所述功函數(shù)緊密匹配所述光吸收層的導(dǎo) 帶；以及 物理接觸所述鈍化介電絕緣層的第二導(dǎo)電觸點，所述第二導(dǎo)電觸點和所述鈍化介電絕 緣層一起具有適合于選擇性收集空穴的功函數(shù)，所述功函數(shù)緊密匹配所述光吸收層的價 帶。2. 如權(quán)利要求1所述的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其中所述鈍化介電絕緣層是氧化 鋁A1203。3. 如權(quán)利要求1所述的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其中所述鈍化介電絕緣層是氧化 鉿HfOx。4. 如權(quán)利要求1所述的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其中所述半導(dǎo)體光吸收層是η型， 并且所述第一導(dǎo)電觸點是鋁并且所述第二導(dǎo)電觸點是鎳。4. 一種背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其包括： 具有正面和背面的半導(dǎo)體光吸收層； 位于所述半導(dǎo)體光吸收層背面上的基極區(qū)和發(fā)射極區(qū)； 位于所述基極區(qū)上的鈍化介電絕緣層； 第一級金屬化，所述第一級金屬化接觸所述發(fā)射極區(qū)并且接觸位于所述基極區(qū)上的所 述鈍化介電絕緣層，所述第一級金屬化和所述鈍化介電絕緣層一起具有適合于選擇性收集 電子的功函數(shù)，所述功函數(shù)緊密匹配所述光吸收層的導(dǎo)帶； 位于所述第一級金屬化上的電絕緣背板； 第二級金屬化，其通過所述電絕緣介質(zhì)中的導(dǎo)電通孔來接觸所述第一級金屬化。5. 如權(quán)利要求4所述的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其中所述鈍化介電絕緣層是氧化 鋁Α1203。6. 如權(quán)利要求4所述的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其中所述鈍化介電絕緣層是氧化 鉿HfOx。7. 如權(quán)利要求4所述的背接觸背結(jié)光伏太陽能電池，其中所述第一級金屬化是鋁。
【文檔編號】H01L31/18GK105940503SQ201480074386
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2014年12月2日
【發(fā)明人】P·卡普爾, H·德沙哲, M·伊斯拉姆, M·M·莫斯勒希
【申請人】索萊克賽爾公司