一種分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)和溝槽肖特基二極管及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)，包括：所述分柵柵極溝槽的底部及側(cè)壁上淀設(shè)有一第一柵氧化層，且所述第一柵氧化層內(nèi)淀設(shè)一多晶硅柵，且所述多晶硅柵的頂部凸出所述第一柵氧化層；還包括一第二柵氧化層，且所述第二柵氧化層淀設(shè)于所述柵極溝槽的上方側(cè)壁上，所述第二柵氧化層處于所述第一柵氧化層及所述第一多晶硅柵的上方，一第二多晶硅柵淀設(shè)于所述第二柵氧化層的內(nèi)部。本發(fā)明在傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管結(jié)構(gòu)中引入分柵結(jié)構(gòu)，增加的反向耐壓，同時(shí)通過特殊的終端設(shè)計(jì)，保證了終端的耐壓。本發(fā)明可以有效的提升溝槽肖特基二極管的反向耐壓，使得在相同耐壓情況下，可以選擇更低電阻率的外延，來降低肖特基二極管的正向?qū)▔航怠?br>【專利說明】
一種分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)和溝槽肖特基二極管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更確切地說是一種分柵柵極溝槽和溝槽肖特基二極管及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管的最大電場通常位于溝槽底部，如要降低電場、增加反向耐壓，通常有兩種方法:一是犧牲正向?qū)妷?，選用大電阻率的外延層;二是增加氧化層厚度，減小溝槽間距，降低了外延層的利用率，同樣犧牲了正向?qū)妷骸?br>[0003]傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管是利用溝槽結(jié)構(gòu)的橫向耗盡，來提升二極管的反向擊穿，這樣外延層電阻率可以更低，二極管的正向?qū)妷阂簿透 ?br>[0004]在反向偏置時(shí)，傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管的溝槽底部和側(cè)壁的外延層中，由于電位差的影響，會(huì)產(chǎn)生耗盡層，側(cè)壁方向的耗盡層展寬使得相鄰溝槽間的外延層全部耗盡，使在縱向方向的耗盡層厚度大大增加，從而提高肖特基二極管的反向擊穿電壓。而在溝槽底部，由于受相鄰溝槽橫向耗盡層的影響很小，因此其耗盡層厚度相對(duì)比較窄，電場集中，器件的反向耐壓也就受限于該位置的擊穿電壓。
[0005]傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管如要增加反向耐壓，通常有兩種方法:一是增加外延層的電阻率，這樣外延層的摻雜濃度降低，溝槽底部的耗盡層更寬，反向耐壓提升，但是正向?qū)▔航瞪?二是增加氧化層的厚度，氧化層厚度增加，則氧化層內(nèi)的電場降低，根據(jù)高斯定律，與其相鄰的外延層的電壓也會(huì)相應(yīng)降低，但該方法同時(shí)也降低了溝槽側(cè)壁的耗盡層寬度，如相鄰溝槽的耗盡層無法連接，則無法升高反向耐壓值，反而會(huì)使耐壓值降低。
[0006]傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管的最大電場通常位于溝槽底部，如要降低電場、增加反向耐壓，通常有兩種方法:一是犧牲正向?qū)妷?，選用大電阻率的外延層;二是增加氧化層厚度，減小溝槽間距，降低了外延層的利用率，同樣犧牲了正向?qū)妷骸?br>
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明的目的是提供一種分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)和溝槽肖特基二極管及其制備方法，其可以解決現(xiàn)有技術(shù)中反向耐壓差的缺點(diǎn)。
[0008]本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0009]一種分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)，包括分柵柵極溝槽:所述分柵柵極溝槽的底部淀設(shè)有一第一柵氧化層，且所述第一柵氧化層內(nèi)淀設(shè)一第一多晶硅柵，且所述第一多晶硅柵的頂部凸出所述第一柵氧化層;還包括一第二柵氧化層，且所述第二柵氧化層淀設(shè)于所述柵極溝槽的上方側(cè)壁上，所述第二柵氧化層處于所述第一柵氧化層及所述第一多晶硅柵的上方，一第二多晶硅柵淀設(shè)于所述第二柵氧化層的內(nèi)部。
[0010]所述第一柵氧化層的厚度厚于所述第二柵氧化層。
[0011]—種溝槽肖特基二極管，含有上述的分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)。
[0012]還包括一結(jié)端環(huán)結(jié)構(gòu)，所述分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)和所述的結(jié)端環(huán)結(jié)構(gòu)形成于一外延層內(nèi)。
[0013]還包括一基片層，且所述外延層形成于一基片的一側(cè)。
[0014]終端環(huán)溝槽的側(cè)壁和底部淀設(shè)有第二柵氧化層，所述第二柵氧化層上淀設(shè)有第二多晶硅柵，且第二多晶硅柵淀設(shè)于所述終端環(huán)溝槽的側(cè)壁及底部外圍上。
[0015]—介質(zhì)層淀設(shè)于終端環(huán)溝槽側(cè)壁的第二多晶硅柵上及終端環(huán)溝槽底部的第二柵氧化層上，且介質(zhì)層未淀設(shè)滿所述終端環(huán)溝槽，所述介質(zhì)層還淀于所述終端環(huán)溝槽和分柵柵極溝槽之間的外延層上及所述終端環(huán)結(jié)構(gòu)的分柵柵極溝槽與終端環(huán)溝槽相鄰一側(cè)的第二柵氧化層的上方并向另一側(cè)延伸至終端環(huán)溝槽的第二多晶硅柵的中間。
[0016]還包括第一金屬層，其淀設(shè)于外延層、所述分柵柵極溝槽的第二多晶硅柵和第二柵氧層及介質(zhì)層上，且所述第一金屬層淀設(shè)于終端環(huán)溝槽一半的介質(zhì)層上。
[0017]還包括一第二金屬層，其淀設(shè)于所述第一金屬層上。
[0018]—種溝槽肖特基二極管的制備方法，包括以下步驟:
[0019]在外延層上淀積掩蔽層，并進(jìn)行溝槽光刻，刻蝕掩蔽層，形成溝槽刻蝕窗口；
[0020]進(jìn)行溝槽刻蝕，形成溝槽和終端環(huán)溝槽；
[0021]生長第一柵氧化層；
[0022]淀積第一多晶硅柵，填充溝槽和終端環(huán)溝槽；
[0023]進(jìn)行多晶硅柵刻蝕，保留溝槽底部的第一多晶硅柵，終端環(huán)溝槽內(nèi)的多晶硅全部刻蝕掉；
[0024]進(jìn)行第一氧化層刻蝕，刻蝕掉第一氧化層，表面掩蔽層也被刻蝕掉，終端環(huán)溝槽的氧化層全部被刻蝕掉；
[0025]生長一層第二柵氧化層，作為溝槽上半部分的隔離層；
[0026]淀積第二多晶硅柵，填充溝槽和終端環(huán)溝槽；
[0027]進(jìn)行多晶硅柵刻蝕，刻蝕掉外延層表面的第二多晶硅柵，保留溝槽內(nèi)部的第二多晶硅柵，大溝槽的側(cè)壁上有第二多晶硅柵保留；
[0028]淀積介質(zhì)層，并進(jìn)行接觸孔刻蝕，去除介質(zhì)和外延層表面的氧化層，接觸孔邊緣設(shè)于終端環(huán)溝槽相鄰的小溝槽中央；
[0029]淀積第一金屬層，并進(jìn)行退火，使其與外延層形成肖特基接觸；
[0030]淀積第二金屬層，并對(duì)進(jìn)行光刻、刻蝕，將終端環(huán)溝槽中央到芯片邊緣的第一、第一.金屬層去除；
[0031 ]對(duì)基片背面進(jìn)行減薄，淀積背面金屬層，用于封裝引出。
[0032]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是:本發(fā)明在傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管結(jié)構(gòu)中引入分柵結(jié)構(gòu)，增加的反向耐壓，同時(shí)通過特殊的終端設(shè)計(jì)，保證了終端的耐壓。本發(fā)明可以有效的提升溝槽肖特基二極管的反向耐壓，使得在相同耐壓情況下，可以選擇更低電阻率的外延，來降低肖特基二極管的正向?qū)▔航怠?br>【附圖說明】
[0033]下面結(jié)合實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明，其中:
[0034]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0035]圖2至圖13是本發(fā)明的中間體的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步闡述本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】:
[0037]如圖1所示，一種分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)，包括分柵柵極溝槽24，所述分柵柵極溝槽的底部淀設(shè)有一第一柵氧化層31，且所述第一柵氧化層31內(nèi)淀設(shè)一第一多晶硅柵41，且第一多晶硅柵41的頂部凸出所述第一柵氧化層31;還包括一第二柵氧化層32，所述第二柵氧化層32淀設(shè)于所述分柵柵極溝槽的上方側(cè)壁上，且所述第二柵氧化層32處于所述第一柵氧化層31及所述第一多晶硅柵41的上方，一第二多晶硅柵42淀設(shè)于所述第二柵氧化層32的內(nèi)部，所述第一柵氧化層的厚度厚于所述第二柵氧化層。
[0038]本發(fā)明還公開了一種溝槽肖特基二極管，包括若干上述的分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)和結(jié)端環(huán)結(jié)構(gòu)，所述分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)和所述的結(jié)端環(huán)結(jié)構(gòu)形成于一外延層20內(nèi)，且所述外延層形成于一基片10的一側(cè)。
[0039]結(jié)端環(huán)結(jié)構(gòu)包括一上述的分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)，且所述終端環(huán)結(jié)構(gòu)還包括一終端環(huán)溝槽23，終端環(huán)溝槽的側(cè)壁和底部淀設(shè)有第二柵氧化層32，所述第二柵氧化層32上淀設(shè)有第二多晶硅柵42，且第二多晶硅柵42淀設(shè)于所述終端環(huán)溝槽的側(cè)壁及底部外圍上；一介質(zhì)層50淀設(shè)于終端環(huán)溝槽側(cè)壁的第二多晶硅柵42上及終端環(huán)溝槽底部的第二柵氧化層上，且介質(zhì)層未淀設(shè)滿所述終端環(huán)溝槽，所述介質(zhì)層50還淀于所述終端環(huán)溝槽23和分柵柵極溝槽24之間的外延層上及所述終端環(huán)結(jié)構(gòu)的分柵柵極溝槽24與終端環(huán)溝槽相鄰一側(cè)的第二柵氧化層的上方并向另一側(cè)延伸至終端環(huán)溝槽24的第二多晶硅柵42的中間。
[0040]本發(fā)明還包括第一金屬層60，其淀設(shè)于外延層10、所述分柵柵極溝槽24的第二多晶硅柵42和第二柵氧層32及介質(zhì)層50上，所述第一金屬層60還淀設(shè)于終端環(huán)結(jié)構(gòu)的分柵柵極溝槽遠(yuǎn)離終端環(huán)溝槽一側(cè)的第二柵氧化層上、終端環(huán)結(jié)構(gòu)的分柵柵極溝槽未淀設(shè)有介質(zhì)層的第二柵氧化層上以及介質(zhì)層并向終端環(huán)溝槽方向延伸至終端環(huán)溝槽一半的介質(zhì)層50上。
[0041]本發(fā)明還包括一第二金屬層70，其淀設(shè)于所述第一金屬層60上。
[0042]—種溝槽肖特基二極管的制備方法，包括以下步驟:
[0043]在外延層20上淀積掩蔽層，并進(jìn)行溝槽光刻，刻蝕掩蔽層21，形成溝槽刻蝕窗口22;根據(jù)肖特基二極管的特性需求選擇合適的圓片，該圓片由低電阻率的基片10和特定電阻率的外延層20組成;在外延層上生長一層掩蔽層21，該掩蔽層的作用是為后面的溝槽刻蝕提供掩蔽，掩蔽層材料的成分為二氧化硅，也可用其他材料替代;進(jìn)行溝槽光刻，并對(duì)掩蔽層進(jìn)行刻蝕，刻蝕出溝槽刻蝕窗口 22，如圖2所示。
[0044]進(jìn)行溝槽刻蝕，形成溝槽;進(jìn)行溝槽刻蝕，在掩蔽層的掩蔽作用下形成溝槽23、終端環(huán)溝槽24，圖中的終端環(huán)溝槽24為大尺寸溝槽，如圖3所示。
[0045]生長第一柵氧化層;進(jìn)行犧牲氧化，并去掉氧化層;先生長一層較厚的第一柵氧化層31，形成下層分柵的厚氧化層，如圖4所示。
[0046]淀積第一多晶硅，填充溝槽;并對(duì)多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s，降低電阻率，如圖5所示。
[0047]進(jìn)行多晶硅刻蝕，保留溝槽底部特定厚度的第一多晶硅柵40，終端環(huán)溝槽內(nèi)的多晶硅全部刻蝕掉;刻蝕掉多余的多晶硅，形成分柵的柵極，如圖6所示。
[0048]進(jìn)行柵氧化層刻蝕，刻蝕掉厚第一柵氧化層，表面掩蔽層也會(huì)被刻蝕掉，終端環(huán)溝槽的第一柵氧化層全部被刻蝕掉;進(jìn)行氧化層刻蝕，去掉溝槽上半部分的第一柵氧化層和外延表面的掩蔽層;為了保證柵氧化層被刻蝕干凈，柵氧化層刻蝕有一定的過腐蝕量，因此在分柵表面邊緣的氧化層有一部分被刻蝕掉，形成小凹槽;如圖7所示。
[0049]生長一層第二柵氧化層，作為溝槽上半部分的隔離層;生長一層較薄的柵氧化層，作為溝槽上半部分與外延層和分柵的隔離層，如圖8所示。
[0050]淀積第二多晶硅柵，填充溝槽;淀積多晶硅柵，填充溝槽，并對(duì)多晶硅柵進(jìn)行重?fù)诫s，降低電阻率，如圖9所示。
[0051]進(jìn)行多晶硅柵刻蝕，刻蝕掉外延層表面的多晶硅柵，保留溝槽內(nèi)部的多晶硅柵，大溝槽的側(cè)壁上有多晶硅柵保留;進(jìn)行多晶硅柵刻蝕，刻蝕掉外延表面的多晶硅柵，保留溝槽內(nèi)的多晶硅柵，終端環(huán)溝槽內(nèi)的側(cè)壁上由于各向異性的刻蝕特性，保留有多晶硅柵，如圖10所示。
[0052]淀積介質(zhì)層，其成分為二氧化硅，并進(jìn)行接觸孔光刻、刻蝕，去除接觸孔內(nèi)的介質(zhì)層和氧化層，并且接觸孔的邊界不同于傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管的設(shè)計(jì)，將接觸孔的邊界放在終端環(huán)溝槽相鄰的分柵柵極溝槽中央；由于終端環(huán)溝槽內(nèi)不存在分柵結(jié)構(gòu)，如與陽極接觸，則在器件反向偏置時(shí)會(huì)降低整個(gè)器件的反向耐壓，因此終端的多晶硅應(yīng)處于浮動(dòng)狀態(tài)，提高終端耐壓，如圖11所示。
[0053]淀積第一金屬層，并進(jìn)行退火，使其與外延層形成肖特基接觸，其中第一金屬層的材料可以為鈦、鈷、鎳、銀、鉑或鈦與氮化鈦的復(fù)合層等任何可以與外延層形成肖特基接觸的材料，如圖12所示。
[0054]淀積第二金屬層，并對(duì)進(jìn)行光刻、刻蝕，將終端環(huán)溝槽中央到芯片邊緣的第一、第二金屬層去除，如圖13所示。
[0055]對(duì)基片背面進(jìn)行減薄，并在背面淀積背面金屬層，用于背面封裝引出，金屬材料的選擇與封裝工藝有關(guān)。
[0056]本發(fā)明的本發(fā)明的分柵肖特基二極管結(jié)構(gòu)在傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管的底部引入分柵結(jié)構(gòu)，降低了溝槽底部的大電場；同時(shí)保留了溝槽上半部分側(cè)壁的橫向耗盡效果，使得本發(fā)明結(jié)構(gòu)的肖特基二極管可以更有效的利用溝槽的橫向耗盡效果，而不會(huì)受到溝槽底部的大電場限制。傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管的最大電場通常位于溝槽底部，如要降低電場、增加反向耐壓，通常有兩種方法:一是犧牲正向?qū)妷?，選用大電阻率的外延層;二是增加氧化層厚度，減小溝槽間距，降低了外延層的利用率，同樣犧牲了正向?qū)妷骸?br>[0057]本發(fā)明在溝槽的底部引入分柵結(jié)構(gòu)，分柵電位由于是感應(yīng)電位，在反偏時(shí)其電位在陰極的高電位和陽極的低電位之間，相比傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管結(jié)構(gòu)，電位差降低，從而降低了分柵附近的電場。而溝槽的上半部分，采用較傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管更薄的氧化層厚度，增強(qiáng)溝槽側(cè)壁的橫向耗盡效果，使溝槽的間隔可以更大，提升外延層的利用率。
[0058]本發(fā)明在傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管結(jié)構(gòu)中引入分柵結(jié)構(gòu)，增加的反向耐壓，同時(shí)通過特殊的終端設(shè)計(jì)，保證了終端的耐壓。本發(fā)明可以有效的提升溝槽肖特基二極管的反向耐壓，使得在相同耐壓情況下，可以選擇更低電阻率的外延，來降低肖特基二極管的正向?qū)▔航怠?br>[0059]本發(fā)明在溝槽的底部引入分柵結(jié)構(gòu)，分柵電位由于是感應(yīng)電位，在反偏時(shí)其電位在陰極的高電位和陽極的低電位之間，相比傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管結(jié)構(gòu)，電位差降低，從而降低了分柵附近的電場。而溝槽的上半部分，采用較傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管更薄的氧化層厚度，增強(qiáng)溝槽側(cè)壁的橫向耗盡效果，使溝槽的間隔可以更大，提升外延層的利用率。
[0060]本發(fā)明的分柵肖特基二極管結(jié)構(gòu)在傳統(tǒng)溝槽肖特基二極管的底部引入分柵結(jié)構(gòu)，降低了溝槽底部的大電場；同時(shí)保留了溝槽上半部分側(cè)壁的橫向耗盡效果，使得本發(fā)明結(jié)構(gòu)的肖特基二極管可以更有效的利用溝槽的橫向耗盡效果，而不會(huì)受到溝槽底部的大電場限制。
[0061 ]本發(fā)明通過終端環(huán)結(jié)構(gòu)將原有終端環(huán)溝槽相鄰的溝槽納入到終端環(huán)結(jié)構(gòu)中，使兩個(gè)溝槽間的N型硅外延層表面不與金屬層接觸，N型硅外延層中的電場可以延伸到介質(zhì)層中，根據(jù)高斯定律可以知道，介質(zhì)層中的電場強(qiáng)度遠(yuǎn)大于N型娃外延層表面的電場，這樣便可以改善N型硅外延層中溝槽底部的電場分布。原有結(jié)構(gòu)中第三溝槽側(cè)壁的多晶硅形貌不穩(wěn)定，且條寬很小在后續(xù)的接觸孔的光刻對(duì)位和刻蝕時(shí)會(huì)導(dǎo)致側(cè)壁的多晶硅與金屬層接觸不好，或者接觸孔刻蝕將側(cè)壁的多晶硅周圍氧化物層刻蝕掉的情況，導(dǎo)致器件特性不穩(wěn)定，本發(fā)明可以對(duì)此有很好的改善。
[0062]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括分柵柵極溝槽:所述分柵柵極溝槽的底部淀設(shè)有一第一柵氧化層，且所述第一柵氧化層內(nèi)淀設(shè)一第一多晶硅柵，且所述第一多晶硅柵的頂部凸出所述第一柵氧化層;還包括一第二柵氧化層，且所述第二柵氧化層淀設(shè)于所述分柵柵極溝槽的上方側(cè)壁上，所述第二柵氧化層處于所述第一柵氧化層及所述第一多晶硅柵的上方，一第二多晶硅柵淀設(shè)于所述第二柵氧化層的內(nèi)部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵氧化層的厚度厚于所述第二柵氧化層。3.—種溝槽肖特基二極管，其特征在于，含有如權(quán)利要求1或2所述的分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于，還包括一結(jié)端環(huán)結(jié)構(gòu)，所述分柵柵極溝槽結(jié)構(gòu)和所述的結(jié)端環(huán)結(jié)構(gòu)形成于一外延層內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求4或3所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于，還包括一基片層，且所述外延層形成于一基片的一側(cè)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于，終端環(huán)溝槽的側(cè)壁和底部淀設(shè)有第二柵氧化層，所述第二柵氧化層上淀設(shè)有第二多晶硅柵，且第二多晶硅柵淀設(shè)于所述終端環(huán)溝槽的側(cè)壁及底部外圍上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于，一介質(zhì)層淀設(shè)于終端環(huán)溝槽側(cè)壁的第二多晶硅柵上及終端環(huán)溝槽底部的第二柵氧化層上，且介質(zhì)層未淀設(shè)滿所述終端環(huán)溝槽，所述介質(zhì)層還淀于所述終端環(huán)溝槽和分柵柵極溝槽之間的外延層上及所述終端環(huán)結(jié)構(gòu)的分柵柵極溝槽與終端環(huán)溝槽相鄰一側(cè)的第二柵氧化層的上方并向另一側(cè)延伸至終端環(huán)溝槽的第二多晶硅柵的中間。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于，還包括第一金屬層，其淀設(shè)于外延層、所述分柵柵極溝槽的第二多晶硅柵和第二柵氧層及介質(zhì)層上，且所述第一金屬層淀設(shè)于終端環(huán)溝槽一半的介質(zhì)層上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的溝槽肖特基二極管，其特征在于，還包括一第二金屬層，其淀設(shè)于所述第一金屬層上。10.—種溝槽肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在外延層上淀積掩蔽層，并進(jìn)行溝槽光刻，刻蝕掩蔽層，形成溝槽刻蝕窗口 ； 進(jìn)行溝槽刻蝕，形成溝槽和終端環(huán)溝槽； 生長第一柵氧化層； 淀積第一多晶硅柵，填充溝槽和終端環(huán)溝槽； 進(jìn)行多晶硅柵刻蝕，保留溝槽底部的第一多晶硅柵，終端環(huán)溝槽內(nèi)的多晶硅全部刻蝕掉； 進(jìn)行第一氧化層刻蝕，刻蝕掉第一氧化層，表面掩蔽層也被刻蝕掉，終端環(huán)溝槽的氧化層全部被刻蝕掉； 生長一層第二柵氧化層，作為溝槽上半部分的隔離層； 淀積第二多晶硅柵，填充溝槽和終端環(huán)溝槽； 進(jìn)行多晶硅柵刻蝕，刻蝕掉外延層表面的第二多晶硅柵，保留溝槽內(nèi)部的第二多晶硅柵，大溝槽的側(cè)壁上有第二多晶硅柵保留； 淀積介質(zhì)層，并進(jìn)行接觸孔刻蝕，去除介質(zhì)和外延層表面的氧化層，接觸孔邊緣設(shè)于終端環(huán)溝槽相鄰的小溝槽中央； 淀積第一金屬層，并進(jìn)行退火，使其與外延層形成肖特基接觸； 淀積第二金屬層，并對(duì)進(jìn)行光刻、刻蝕，將終端環(huán)溝槽中央到芯片邊緣的第一、第二金屬層去除； 對(duì)基片背面進(jìn)行減薄，淀積背面金屬層，用于封裝引出。
【文檔編號(hào)】H01L21/329GK105957884SQ201610470770
【公開日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年6月24日
【發(fā)明人】高盼盼, 代萌
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