半導(dǎo)體發(fā)光元件以及發(fā)光裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種抑制光強(qiáng)度下降的半導(dǎo)體發(fā)光元件以及發(fā)光裝置。實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括：半導(dǎo)體襯底，包含：第一面、與所述第一面為相反側(cè)的第二面、及與所述第一面及所述第二面相連的第三面；第一光反射膜，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的所述第三面的至少一部分；以及積層體，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二面?zhèn)?，包含：第一半?dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層。
【專利說明】
半導(dǎo)體發(fā)光元件以及發(fā)光裝置[0001][相關(guān)申請][0002]本申請案享受以日本專利申請2014-187332號(申請日:2014年9月16日)為 基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的所有內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件以及發(fā)光裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0004]包括LED (Light Emitting D1de，發(fā)光二極管)等半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光裝置發(fā)出使從半導(dǎo)體發(fā)光元件的發(fā)光層發(fā)射的光、與從熒光體發(fā)射的光混合而成的混合色。熒光體例如被分散在設(shè)置于半導(dǎo)體發(fā)光元件周圍的樹脂層中。
[0005]然而，從發(fā)光層發(fā)射的光照射到被分散在樹脂層中的焚光體而被激發(fā)，但一部分由熒光體或構(gòu)成樹脂的成分反射。因此，從發(fā)光層發(fā)射的光在樹脂層內(nèi)散射。如果該散射的光照射到半導(dǎo)體發(fā)光元件的襯底，則有當(dāng)襯底為半導(dǎo)體襯底時光被襯底吸收而導(dǎo)致發(fā)光裝置的光強(qiáng)度下降的情況。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的課題在于，提供一種具有高發(fā)光強(qiáng)度的半導(dǎo)體發(fā)光元件以及發(fā)光裝置。[〇〇〇7]實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件包括:半導(dǎo)體襯底，包含:第一面、與所述第一面為相反側(cè)的第二面、及與所述第一面及所述第二面相連的第三面；第一光反射膜，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的所述第三面的至少一部分；以及積層體，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二面?zhèn)龋?包含:第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層?！靖綀D說明】
[0008]圖1 (a)是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性剖視圖，圖1 (b)是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性俯視圖。
[0009]圖2 (a)?圖2 (c)是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造過程的示意性剖視圖。
[0010]圖3(a)?圖3(c)是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造過程的示意性剖視圖。
[0011]圖4是表示第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0012]圖5是表示第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0013]圖6(a)是表示第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性剖視圖，圖6(b)是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件以及載置半導(dǎo)體發(fā)光元件的襯底的立體示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0014]下面，一邊參照附圖，一邊對實(shí)施方式進(jìn)行說明。在下面的說明中，對相同的部件標(biāo)示相同的符號，對已進(jìn)行過一次說明的部件適當(dāng)?shù)厥÷云湔f明。
[0015](第一實(shí)施方式)
[0016]圖1 (a)是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性剖視圖，圖1 (b)是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性俯視圖。
[0017]圖1(a)表示沿圖1(b)的A-A’線的位置處的剖面。而且，在下面所示的附圖中導(dǎo)入三維坐標(biāo)。
[0018]第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1包括半導(dǎo)體襯底10、第一光反射膜(下文中例如為光反射膜20)、積層體30、以及含金屬的膜40。
[0019]半導(dǎo)體襯底10具有第一面(下文中例如為下表面10d)、與下表面10d為相反側(cè)的第二面(下文中例如為上表面l〇u)、以及與下表面10d及上表面10u相連的第三面(下文中例如為側(cè)面l〇sw)。半導(dǎo)體襯底10的厚度例如為100 ym?300 ym。半導(dǎo)體襯底10包含硅(Si)。例如，半導(dǎo)體襯底10為從硅晶片單片化的硅襯底。
[0020]光反射膜20覆蓋半導(dǎo)體襯底10的下表面10d、及半導(dǎo)體襯底10的側(cè)面10sw的至少一部分。光反射膜20也可以與半導(dǎo)體襯底10的側(cè)面10sw的整個區(qū)域接觸。進(jìn)而，光反射膜20也可以與含金屬的膜40的側(cè)面40sw的至少一部分相接。
[0021]光反射膜20包含選自金(Au)、銀(Ag)、鋁(A1)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、硅(Si)、鍺(Ge)、 鉑(Pt)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、銅(Cu)、錫(Sn)、碳(C)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、碲(Te)、硒 (Se)、鈦(Ti)、氧(0)、氫(H)、鎢(W)、鉬(Mo)、陶瓷的群中的至少一個元素。
[0022]光反射膜20也可以為多層。在此情況下，在多層的各個層中，包含選自金(Au)、 銀(Ag)、鋁(A1)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、硅(Si)、鍺(Ge)、鉑(Pt)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、銅 (Cu)、錫(Sn)、碳(C)、鎂(Mg)、絡(luò)(Cr)、蹄(Te)、硒(Se)、鈦(Ti)、氧(0)、氫⑶、媽(W)、鉬 (Mo)、陶瓷的群中的至少一個元素。
[0023]為了提高光反射膜20的耐熱性、耐化學(xué)品性，作為光反射膜20的材料，還可以為包含所述金屬群中的至少兩個金屬的合金。
[0024]積層體30設(shè)置在半導(dǎo)體襯底10的上表面10u側(cè)。積層體30具有第一半導(dǎo)體層 (下文中例如為半導(dǎo)體層30p)、第二半導(dǎo)體層(下文中例如為半導(dǎo)體層30n)、以及發(fā)光層 (活性層)30e。半導(dǎo)體層30p為p側(cè)的包覆層，半導(dǎo)體層30n為n側(cè)的包覆層。
[0025]半導(dǎo)體層30p、發(fā)光層30e、及半導(dǎo)體層30n沿著從半導(dǎo)體襯底10的下表面10d朝向上表面l〇u的方向(圖1 (a)的Z方向)排列。發(fā)光層30e設(shè)置在半導(dǎo)體層30p與半導(dǎo)體層30n之間。
[0026]半導(dǎo)體層30p包含氮化物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體層30p例如包含鎂(Mg)作為摻雜劑。半導(dǎo)體層30n包含氮化物半導(dǎo)體。半導(dǎo)體層30n例如包含娃(Si)作為摻雜劑。發(fā)光層30e 包含氮化物半導(dǎo)體。發(fā)光層30e例如可具有單量子井(SQW:Single Quantum Well)結(jié)構(gòu)， 也可以具有多量子井(MQW:Multi Quantum Well)結(jié)構(gòu)。
[0027]而且，半導(dǎo)體層30n的上表面30nu成為凹凸，以提高從發(fā)光層30e發(fā)出的光的提取效率。
[0028]含金屬的膜40設(shè)置在積層體30與半導(dǎo)體襯底10之間。半導(dǎo)體發(fā)光元件1是通過利用含金屬的膜40使積層體30與半導(dǎo)體襯底10接合而形成(下文敘述)。含金屬的膜 40包含金屬、或金屬的化合物。
[0029]在積層體30與含金屬的膜40之間，設(shè)置著第二光反射膜(下文中例如為光反射膜 41)。
[0030]光反射膜41包含選自金(Au)、銀(Ag)、鋁(A1)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、硅(Si)、鍺(Ge)、 鉑(Pt)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、銅(cu)、錫(Sn)、碳(C)、鎂(Mg)、鉻(Cr)、碲(Te)、硒 (Se)、鈦(Ti)、氧(0)、氫⑶、鎢(W)、鉬(Mo)的群中的至少一個元素。[〇〇31] 光反射膜41也可以為多層。在此情況下，在多層的各個層中，包含選自金(Au)、 銀(Ag)、鋁(A1)、鋅(Zn)、鋯(Zr)、硅(Si)、鍺(Ge)、鉑(Pt)、銠(Rh)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、銅 (Cu)、錫(Sn)、碳(C)、鎂(Mg)、絡(luò)(Cr)、蹄(Te)、硒(Se)、鈦(Ti)、氧(0)、氫⑶、媽(W)、鉬 (Mo)的群中的至少一個元素。
[0032]為了提高光反射膜41的耐熱性、耐化學(xué)品性，作為光反射膜41的材料，還可以為包含所述金屬群中的至少兩個金屬的合金。
[0033]對半導(dǎo)體層30n連接n側(cè)的電極50n。當(dāng)從Z方向觀察半導(dǎo)體發(fā)光元件1時，電極 50n位于半導(dǎo)體發(fā)光元件1的大致中央。而且，對含金屬的膜40連接p側(cè)的電極50p。
[0034]電極50p、50n例如包含選自鋁(A1)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鎢(W)、金(Au)等的群中的至少一個。
[0035]而且，在積層體30的側(cè)部上、以及從積層體30的側(cè)部到積層體30的內(nèi)部的一部分設(shè)置著保護(hù)膜70。
[0036]圖2 (a)?圖3 (c)是表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造過程的示意性剖視圖。
[0037]如圖2 (a)所示，使結(jié)構(gòu)體60A與結(jié)構(gòu)體60B相向。在結(jié)構(gòu)體60A中，在半導(dǎo)體襯底 10上設(shè)置著含金屬的膜40A。在結(jié)構(gòu)體60B中，在半導(dǎo)體襯底11下設(shè)置積層體30,在積層體30下選擇性地設(shè)置光反射膜41，在積層體30及光反射膜41下設(shè)置著含金屬的膜40B。 半導(dǎo)體襯底11為硅襯底、藍(lán)寶石襯底等。
[0038]接下來，如圖2 (b)所示，使含金屬的膜40A與含金屬的膜40B接觸，在半導(dǎo)體襯底 10與積層體30之間形成含金屬的膜40,并且在半導(dǎo)體襯底10與光反射膜41之間形成含金屬的膜40。也就是說，由含金屬的膜40接合半導(dǎo)體襯底10與積層體30并且接合半導(dǎo)體襯底10與光反射膜41。
[0039]接下來，如圖2 (c)所示，從積層體30剝離半導(dǎo)體襯底11。
[0040]接下來，如圖3 (a)所示，例如通過干式蝕刻將設(shè)置在含金屬的膜40上及光反射膜 41上的積層體30分割。而且，將包含在積層體30的半導(dǎo)體層30n的上表面30nu加工成凹凸。
[0041]接下來，如圖3(b)所示，將具有半導(dǎo)體襯底10、含金屬的膜40、光反射膜41、及積層體30的結(jié)構(gòu)體60C載置到切割片80上。此處，使半導(dǎo)體襯底10與切割片80接觸。
[0042]接著，通過切割去除位于相鄰的積層體30間的含金屬的膜40的一部分、及進(jìn)而其下的半導(dǎo)體襯底10的一部分。通過該切割而在結(jié)構(gòu)體60C中形成溝槽61。也就是說，結(jié)構(gòu)體60C被單片化成多個結(jié)構(gòu)體60D。
[0043]接下來，如圖3(c)所示，準(zhǔn)備樹脂片81。樹脂片81具有粘著性、彈性等。接著，將積層體30側(cè)的結(jié)構(gòu)體60D壓抵于樹脂片81。進(jìn)而，使樹脂片81沿著樹脂片81的片材面伸縮，調(diào)整相鄰的結(jié)構(gòu)體60D的間隔d。
[0044]接下來，例如通過濺鍍法，在結(jié)構(gòu)體60D的半導(dǎo)體襯底10的下表面10d、及側(cè)面 10sw的至少一部分形成光反射膜20。在濺鍍時，光反射膜20除了形成在半導(dǎo)體襯底10的下表面10d外，還回繞到半導(dǎo)體襯底10的側(cè)面10sw。此處，適當(dāng)?shù)卣{(diào)整間隔d或?yàn)R鍍條件， 以使光反射膜20形成在半導(dǎo)體襯底10的下表面10d、及側(cè)面10sw的至少一部分。
[0045]此后，在結(jié)構(gòu)體60D形成電極50p、50n、保護(hù)膜70等，從而形成半導(dǎo)體發(fā)光元件1。
[0046]圖4是表示第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0047]第一實(shí)施方式的發(fā)光裝置100包括容器200、襯底201p、襯底201n、半導(dǎo)體發(fā)光元件1、樹脂層202、熒光體203、導(dǎo)線204p、以及導(dǎo)線204n。包含在發(fā)光裝置100中的半導(dǎo)體發(fā)光元件并不限定于第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件1，還可以為下文敘述的半導(dǎo)體發(fā)光元件。
[0048]容器200為上側(cè)開口的樹脂容器。容器200具有凹部200c。襯底201p及襯底 201n設(shè)置在凹部200c內(nèi)。半導(dǎo)體發(fā)光元件1設(shè)置在襯底201p上。襯底201p及襯底201n 例如包含銅(Cu)。
[0049]半導(dǎo)體發(fā)光元件1設(shè)置在容器200的凹部200c內(nèi)。半導(dǎo)體發(fā)光元件1的光反射膜20例如通過焊接、銀漿等連接于襯底20 lp。
[0050]半導(dǎo)體發(fā)光元件1的電極50p經(jīng)由導(dǎo)線204p而電連接于襯底201p。也就是說，從發(fā)光裝置100的外部施加給襯底201p的電位經(jīng)由導(dǎo)線204p而傳導(dǎo)到半導(dǎo)體發(fā)光元件1的電極50p。此處，電極50p連接于半導(dǎo)體發(fā)光元件1的p側(cè)半導(dǎo)體層30p。也就是說，施加給襯底201p的電位傳導(dǎo)到p側(cè)半導(dǎo)體層30p。
[0051]半導(dǎo)體發(fā)光元件1的電極50n經(jīng)由導(dǎo)線204n而電連接于襯底201n。也就是說，從發(fā)光裝置100的外部施加給襯底201n的電位經(jīng)由導(dǎo)線204n而傳導(dǎo)到半導(dǎo)體發(fā)光元件1的電極50n。此處，電極50n連接于半導(dǎo)體發(fā)光元件1的n側(cè)半導(dǎo)體層30n。也就是說，施加給襯底201n的電位傳導(dǎo)到n側(cè)半導(dǎo)體層30n。
[0052]樹脂層202設(shè)置在襯底201p上、襯底201n上、及半導(dǎo)體發(fā)光元件1上。樹脂層 202設(shè)置在容器200的凹部200c內(nèi)。樹脂層202包含熒光體203。熒光體203分散在樹脂層202中。也可以在樹脂層202中分散填料。
[0053]對發(fā)光裝置100的作用進(jìn)行說明。
[0054]如果對p側(cè)的電極50p施加高于n側(cè)的電極50n的電位，則對p側(cè)的半導(dǎo)體層30p 及n側(cè)的半導(dǎo)體層30n施加順向偏壓。由此，在半導(dǎo)體發(fā)光元件1的發(fā)光層30e內(nèi)電子空穴與電子再結(jié)合。如果在發(fā)光層30e內(nèi)電子空穴與電子再結(jié)合，貝lj發(fā)光層30e發(fā)出藍(lán)色光 90(例如，波長為450nm)。
[0055]藍(lán)色光90為發(fā)光裝置100的初級光。從發(fā)光層30e向上側(cè)發(fā)出的藍(lán)色光90通過半導(dǎo)體層30n向半導(dǎo)體發(fā)光元件1的上側(cè)發(fā)出。從發(fā)光層30e向下側(cè)發(fā)出的藍(lán)色光90通過半導(dǎo)體層30p而由光反射膜41反射，從而向半導(dǎo)體發(fā)光元件1的上側(cè)發(fā)出。
[0056]如果藍(lán)色光90照射到熒光體203,則熒光體203吸收藍(lán)色光90,例如發(fā)射黃色光 91。黃色光91為發(fā)光裝置100的次級光。從發(fā)光裝置100發(fā)射作為初級光的藍(lán)色光90與作為次級光的黃色光91混色而成的白色光。
[0057]此處，從半導(dǎo)體發(fā)光元件1發(fā)射的藍(lán)色光90被熒光體203吸收，并且因熒光體203 或填料散射。而且，存在如下情況:藍(lán)色光90被容器200的內(nèi)壁或樹脂層202與大氣的界面反射，而再次在樹脂層202內(nèi)行進(jìn)。
[0058]如果此種散射光或反射光再次照射到熒光體203,則熒光體203再次發(fā)出黃色光 91，從而使作為次級光的黃色光的光強(qiáng)度變高。由此，發(fā)光裝置100的發(fā)光強(qiáng)度變高。
[0059]此處，假設(shè)從半導(dǎo)體發(fā)光元件1卸除光反射膜20的結(jié)構(gòu)。如果從半導(dǎo)體發(fā)光元件 1卸除光反射膜20,則半導(dǎo)體襯底10露出于樹脂層202。如果半導(dǎo)體襯底10露出于樹脂層202,則藍(lán)色光的散射光或反射光直接照射到半導(dǎo)體襯底10。因此，從半導(dǎo)體發(fā)光元件1發(fā)射的藍(lán)色光的一部分被半導(dǎo)體襯底10吸收。
[0060]由此，從半導(dǎo)體發(fā)光元件1發(fā)射的藍(lán)色光90的光強(qiáng)度變低，并且作為初級光的藍(lán)色光90的光強(qiáng)度變低，因此從熒光體203發(fā)出的黃色光91的光強(qiáng)度也變低。也就是說，卸除光反射膜20的發(fā)光裝置的光強(qiáng)度變?nèi)?，而無法獲得如半導(dǎo)體發(fā)光元件1程度的發(fā)光強(qiáng)度。
[0061]相對于此，在半導(dǎo)體發(fā)光元件1中，光反射膜20與半導(dǎo)體襯底10的側(cè)面10sw的至少一部分相接。因此，藍(lán)色光的散射光或反射光不會直接照射到半導(dǎo)體襯底10。因此，半導(dǎo)體襯底10變得難以吸收藍(lán)色光的散射光或反射光。
[0062]進(jìn)而，在半導(dǎo)體發(fā)光元件1中，由光反射膜20反射的藍(lán)色光90再次照射到熒光體203。由此，熒光體203吸收藍(lán)色光90,熒光體203再次發(fā)射黃色光91。該黃色光91有助于增加發(fā)光裝置100的光強(qiáng)度。
[0063](第二實(shí)施方式)
[0064]圖5是表示第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置的示意性剖視圖。
[0065]第二實(shí)施方式的發(fā)光裝置101包括半導(dǎo)體發(fā)光元件2。
[0066]半導(dǎo)體發(fā)光元件2的電極50n經(jīng)由導(dǎo)線204n而電連接于襯底201n。也就是說，從發(fā)光裝置101的外部施加給襯底201n的電位經(jīng)由導(dǎo)線204n而傳導(dǎo)到半導(dǎo)體發(fā)光元件2的電極50n。也就是說，施加給襯底201n的電位經(jīng)由電極50n而傳導(dǎo)到半導(dǎo)體發(fā)光元件2的 n側(cè)半導(dǎo)體層30n。
[0067]而且，半導(dǎo)體發(fā)光元件2的半導(dǎo)體襯底10的導(dǎo)電率設(shè)定為高于半導(dǎo)體發(fā)光元件1 的半導(dǎo)體襯底10的導(dǎo)電率。此處，光反射膜20除光反射膜外還成為p側(cè)的電極。因此，從發(fā)光裝置101的外部施加給襯底201p的電位經(jīng)由光反射膜20、含金屬的膜40、及光反射膜 41而傳導(dǎo)到半導(dǎo)體發(fā)光元件2的p側(cè)半導(dǎo)體層30p。
[0068]也就是說，在半導(dǎo)體發(fā)光元件2中，通過對襯底20 lp施加高于襯底20 In的電位， 而可在電極50n與位于電極50n下側(cè)的光反射膜20之間通電。
[0069]由此，從p側(cè)的半導(dǎo)體層30p流向n側(cè)的半導(dǎo)體層30n的電流與在半導(dǎo)體發(fā)光元件1中相比更均勻地分散。因此，半導(dǎo)體發(fā)光元件2的光強(qiáng)度與半導(dǎo)體發(fā)光元件1的光強(qiáng)度相比增加。也就是說，發(fā)光裝置101的光強(qiáng)度與發(fā)光裝置100的光強(qiáng)度相比增加。
[0070]在第二實(shí)施方式中，理想的是光反射膜20與半導(dǎo)體襯底10的側(cè)面10sw的一部分接觸，而不與含金屬的膜40的側(cè)面40sw相接。由此，Z方向的電流量增加，從p側(cè)的半導(dǎo)體層30p流向n側(cè)的半導(dǎo)體層30n的電流更均勻地分散。
[0071]在第二實(shí)施方式中，由于將光反射膜20用作p側(cè)的電極，因此無需p側(cè)的電極 50p。因此，元件設(shè)計的自由度增加。另外，也可以不從半導(dǎo)體發(fā)光元件2中去除電極50p 而將其用作檢查用端子。
[0072](第三實(shí)施方式)
[0073]圖6(a)是表示第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件的示意性剖視圖，圖6(b)是第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件及載置半導(dǎo)體發(fā)光元件的襯底的立體示意圖。
[0074]第三實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光元件3包括半導(dǎo)體襯底10、光反射膜20、積層體30、含金屬的膜40、樹脂層202、以及熒光體203。在半導(dǎo)體發(fā)光元件3中，可在電極50n與光反射膜20之間通電。
[0075]樹脂層202與光反射膜20、半導(dǎo)體襯底10、含金屬的膜40、以及積層體30相接。 也就是說，光反射膜20、半導(dǎo)體襯底10、含金屬的膜40、以及積層體30由樹脂層202密封。 而且，與半導(dǎo)體襯底10的下表面l〇d相接的光反射膜20、以及與半導(dǎo)體襯底10的側(cè)面10sw 相接的光反射膜20的一部分從樹脂層202露出。
[0076]在半導(dǎo)體發(fā)光元件3中，光反射膜20與半導(dǎo)體襯底10的側(cè)面10sw的至少一部分相接。因此，藍(lán)色光的散射光或反射光不會直接照射到半導(dǎo)體襯底10。因此，半導(dǎo)體襯底 10變得難以吸收藍(lán)色光的散射光或反射光。也就是說，半導(dǎo)體發(fā)光元件3發(fā)揮與半導(dǎo)體發(fā)光元件1相同的效果。
[0077]而且，在圖6(b)中，表示半導(dǎo)體發(fā)光元件3、及設(shè)置著凹部201c的襯底201p。半導(dǎo)體發(fā)光元件3的光反射膜20與襯底20lp的凹部201c是通過使半導(dǎo)體發(fā)光元件3朝向凹部201c下降而嵌合。而且，半導(dǎo)體發(fā)光元件3中無需容器200。因此，實(shí)現(xiàn)發(fā)光裝置的小型化。
[0078]而且，在實(shí)施方式中，在發(fā)光層30e的下側(cè)設(shè)置n型半導(dǎo)體層30n、并且在發(fā)光層 30e的上側(cè)設(shè)置p型半導(dǎo)體層30p的結(jié)構(gòu)也包含在實(shí)施方式中。
[0079]而且，半導(dǎo)體襯底10及積層體30的平面形狀并不限定于矩形，也可以為圓形。
[0080]而且，在實(shí)施方式中，所謂“積層”，除了彼此相接重疊的情況以外，還包含其間插入其他層而重疊的情況。而且，所謂“設(shè)置在上方”，除了直接相接設(shè)置的情況以外，還包含其間插入其他層而設(shè)置的情況。
[0081]而且，在實(shí)施方式中，所謂“氮化物半導(dǎo)體”，包含在匕11^1私1_:!_￥_ zN(0蘭x蘭1、0蘭y蘭1、0蘭z蘭l、x+y+z蘭1)的化學(xué)式中使組成比x、y、及z在各自的范圍內(nèi)變化的所有組成的半導(dǎo)體。而且，進(jìn)而如下半導(dǎo)體也包含在“氮化物半導(dǎo)體”中:在所述化學(xué)式中還包含除N(氮)以外的V族元素的半導(dǎo)體、還包含為了控制導(dǎo)電型等各種物性而添加的各種元素的半導(dǎo)體、以及還包含意外地含有的各種元素的半導(dǎo)體。
[0082]上面，一邊參照具體例，一邊對實(shí)施方式進(jìn)行了說明。然而，實(shí)施方式并不限定于這些具體例。也就是說，業(yè)者對這些具體例適當(dāng)?shù)厥┘釉O(shè)計變更而成的具體例只要具備實(shí)施方式的特征，則也包含在實(shí)施方式的范圍內(nèi)。所述各具體例所包括的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸等并不限定于所例示的內(nèi)容，而可適當(dāng)?shù)刈兏?br>[0083]而且，只要在技術(shù)上可實(shí)現(xiàn)，則可使所述各實(shí)施方式所包括的各要素復(fù)合，組合這些各要素而成的實(shí)施方式只要具備實(shí)施方式的特征，則也包含在實(shí)施方式的范圍內(nèi)。除此之外，在實(shí)施方式的思想范疇內(nèi)，只要為業(yè)者則可聯(lián)想到各種變更例及修正例，對于這些變更例及修正例，也應(yīng)理解為屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
[0084]對本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為示例而提出，并非意欲限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式可通過其他各種形態(tài)實(shí)施，可在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式或其變形包含在發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
[0085][符號的說明]
[0086]1、2、3半導(dǎo)體發(fā)光元件
[0087]10、11半導(dǎo)體襯底
[0088]10d下表面
[0089]10sw側(cè)面
[0090]10u上表面
[0091]20,41光反射膜
[0092]30積層體
[0093]30e發(fā)光層
[0094]30n、30p半導(dǎo)體層
[0095]30nu上表面
[0096]40、40A、40B含金屬的膜
[0097]40 sw側(cè)面
[0098]50n、50p電極
[0099]60A、60B、60C、60D 結(jié)構(gòu)體
[0100]61溝槽
[0101]70保護(hù)膜
[0102]80切割片
[0103]81樹脂片
[0104]90藍(lán)色光
[0105]91黃色光
[0106]100、101發(fā)光裝置
[0107]200容器
[0108]200c、201c凹部
[0109]201n、201p襯底
[0110]202樹脂層
[0111]203熒光體
[0112]204n、204p導(dǎo)線
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于包括:半導(dǎo)體襯底，包含:第一面、與所述第一面為相反側(cè)的第二面、及與所述第一面及所述 第二面相連的第三面；第一光反射膜，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的所述第三面的至少一部分；以及積層體，設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底的所述第二面?zhèn)?，包?第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層、 及設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的發(fā)光層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:所述第一半導(dǎo)體層、所述發(fā)光 層、以及所述第二半導(dǎo)體層沿著從所述第一面朝向所述第二面的方向排列，并且所述半導(dǎo)體發(fā)光元件還包括電連接于所述第二半導(dǎo)體層的電極，可在所述電極與所述第一光反射膜之間通電。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于還包括:含金屬的膜，設(shè)置在所述積層體與所述半導(dǎo)體襯底之間；以及第二光反射膜，設(shè)置在所述積層體與所述含金屬的膜之間。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:還包括樹脂層，所述樹脂層與 所述第一光反射膜、所述半導(dǎo)體襯底、所述含金屬的膜、以及所述積層體相接，與所述半導(dǎo)體襯底的所述第一面相接的所述第一光反射膜、以及與所述半導(dǎo)體襯底的 所述第三面相接的所述第一光反射膜的一部分從所述樹脂層露出。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:所述樹脂層包含熒光體，所述 熒光體吸收從所述發(fā)光層發(fā)射的光而發(fā)射熒光。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于:所述半導(dǎo)體襯底包含硅。7.—種發(fā)光裝置，其特征在于包括:容器，包含凹部；襯底，設(shè)置在所述凹部內(nèi)；根據(jù)權(quán)利要求1至3、6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，設(shè)置在所述襯底上，并且設(shè)置 在所述凹部內(nèi)；以及樹脂層，設(shè)置在所述凹部內(nèi)，并且設(shè)置在所述襯底上及所述半導(dǎo)體發(fā)光元件上。
【文檔編號】H01L33/46GK105990490SQ201510101285
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月6日
【發(fā)明人】岡本倫太郎, 布谷伸仁
【申請人】株式會社東芝