有機(jī)發(fā)光二極管器件中的電流分布的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有發(fā)光區(qū)域的電極片(1)和與電極片(1)接觸的電極接觸部(12)的有機(jī)發(fā)光二極管器件、用于形成這種OLED器件的方法和操作這種OLED器件的方法。為了提供對于熱點(diǎn)的發(fā)生具有減少的趨勢的這種OLED器件，本發(fā)明提供了減少在照明器件的操作中在界面的拐角區(qū)域中流過電極片和電極接觸部之間的界面的電流的局部和/或平均區(qū)域性電流密度。
【專利說明】
有機(jī)發(fā)光二極管器件中的電流分布
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管器件，其具有發(fā)光區(qū)域的電極片和與該電極片接觸的電極接觸部。更具體地，本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管器件的發(fā)光區(qū)域中的電流分布。本發(fā)明進(jìn)一步涉及針對具有發(fā)光區(qū)域的電極片和與該電極片接觸的電極接觸部的這種有機(jī)發(fā)光二極管器件的形成方法以及針對具有發(fā)光區(qū)域的電極片和與該電極片接觸的電極接觸部的這種有機(jī)發(fā)光二極管器件的操作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管器件(0LED器件)的照明區(qū)域(或者發(fā)光區(qū)域)上的亮度均勻性對器件的審美感知和可靠性兩者有影響。由于亮度與電流密度成比例，因此在器件的壽命內(nèi)具有很尚的殼度均勾性是關(guān)鍵的。
[0003]OLED器件的特定方面是在整個(gè)發(fā)光區(qū)域發(fā)射光。
[0004]用此方法涉及的缺點(diǎn)是器件對電流不均勻性非常敏感。有機(jī)堆疊的電阻在高電流密度下更低，這迫使流過陽極表面的電流的大部分經(jīng)過被稱為“熱點(diǎn)”的低電阻區(qū)域。結(jié)果，低電阻區(qū)域?qū)⒎浅？焖偌訜岵⑶沂Э丨h(huán)(runaway loop)過程將在電流和T°之間啟動(dòng)，從而導(dǎo)致壽命的減少以及可能地在器件的使用中很早就導(dǎo)致?lián)p壞和失效。器件上的應(yīng)力加速該過程。
[0005]因此，期望防止這種弱點(diǎn)(weakspot)出現(xiàn)并且在器件的壽命期間盡可能保持電流均勻性良好。
[0006]實(shí)踐中，具有高局部電流密度的小區(qū)域可能容易地直接出現(xiàn)，如果器件在照明區(qū)域內(nèi)未被均勻地冷卻的話:例如，如果在垂直布置的情況下器件經(jīng)受從下至上的強(qiáng)制區(qū)域?qū)α?forced nat1nal convect1n)的話，在不適當(dāng)?shù)靥幹帽热缭趨^(qū)域上使用具有不同熱特性的材料來保持該器件的情況下或者簡單地如果更好的冷卻被應(yīng)用在器件的部件的有限部分上。器件的照明區(qū)域上的能量的簡單局部輸入(比如，例如，局部地為點(diǎn)的光反射)也能夠是熱點(diǎn)的原因。
[0007]此外，也期望設(shè)計(jì)器件實(shí)現(xiàn)對機(jī)械的、熱的和電的應(yīng)力的較低敏感性。這可以通過適當(dāng)?shù)囊r底布局設(shè)計(jì)和系統(tǒng)架構(gòu)來完成?；旧希Ｒ?guī)的解決方案在于限制照明區(qū)域的大小和限制電流應(yīng)力以防止達(dá)到其中電流和熱之間的失控環(huán)啟動(dòng)的水平。第二可能性是經(jīng)由適當(dāng)?shù)囊r底布局設(shè)計(jì)改進(jìn)電流分布。在這種情況下，基本原理是減少高電阻ITO陽極的功率損耗。實(shí)踐中，為了減少功率損耗，由OLED制造商應(yīng)用若干解決方案。典型的解決方案是電極接觸區(qū)域的形狀和尺寸的優(yōu)化并且也是陽極導(dǎo)電性的優(yōu)化。
[0008]然而，甚至在布局的優(yōu)化之后，電流分布從未完全均勻并且總是產(chǎn)生具有對外部應(yīng)力(電流、溫度)的水平高敏感性的弱區(qū)域。
[0009]因此，存在針對設(shè)計(jì)具有減少數(shù)量的熱點(diǎn)的OLED器件的可能性的需求。
[0010]發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)經(jīng)常位于發(fā)光區(qū)域的拐角中。為了解決這個(gè)問題，已知的解決方案提供切割發(fā)光區(qū)域的拐角或者增加拐角的半徑。該方法的特定缺點(diǎn)是器件的視覺感知被設(shè)計(jì)的不規(guī)則性干擾，同時(shí)切割拐角和/或增加拐角半徑限制使用器件的設(shè)計(jì)選項(xiàng)。
[0011]US-2013/009199公開了一種具有有源層的有機(jī)發(fā)光器件，該有源層具有鄰接拐角邊緣的第一和第二側(cè)表面，其中第一側(cè)表面具有鄰接拐角邊緣的凹陷區(qū)。為了將電荷載流子注入到有源層中，器件具有金屬接觸層，該金屬接觸層沿著有源層的第一側(cè)表面延伸并且包括三角形結(jié)構(gòu)使得它越近地接近凹陷區(qū)，它就從有源層的第一側(cè)表面凹陷得越多，使得從金屬接觸層到有源層中的電荷載流子的注入被抑制在凹陷區(qū)中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的目的是提供具有發(fā)光區(qū)域的電極片和與該電極片接觸的電極接觸部的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)器件，具有針對熱點(diǎn)的發(fā)生的減少的趨勢同時(shí)避免了通過修改器件的拐角的幾何形狀的已知方法提供的劣勢和限制。本發(fā)明的目的也是提供用于制造這種OLED器件的方法。
[0013]在本發(fā)明的第一方面，通過有機(jī)發(fā)光二極管器件實(shí)現(xiàn)目的，該有機(jī)發(fā)光二極管器件具有發(fā)光區(qū)域的電極片和與該電極片接觸的電極接觸部，使得在電極片和電極接觸部之間存在界面，其中電極片和電極接觸部通過分離器局部分離，該分離器由絕緣材料和/或具有高于電極接觸部的薄層電阻的薄層電阻的材料形成，并且其中該分離器被布置在界面的拐角區(qū)域中，該拐角區(qū)域是由該界面的部分限定的兩個(gè)平面之間的交叉部附近的區(qū)域，并且該分離器被布置在離該交叉部的距離(L1，L2)處。該有機(jī)發(fā)光二極管器件被布置為使得在界面的拐角區(qū)域中在OLED器件的操作中流過界面的電流的局部和/或平均區(qū)域性電流密度降低。
[0014]本發(fā)明基于下面理解:
[0015]由電流密度確定OLED的亮度，其進(jìn)而取決于器件堆疊的電阻。具有低電阻的區(qū)域?qū)⒕哂懈唠娏髅芏?。因此，它將作為亮點(diǎn)出現(xiàn)，并且它由于增加的溫度將更快地退化。這種高電流密度區(qū)域被稱為“熱點(diǎn)”。在OLED器件中，熱點(diǎn)通常形成在光發(fā)射區(qū)域的拐角處。該事實(shí)的解釋是，拐角很可能在電荷注入從兩側(cè)發(fā)生時(shí)具有熱點(diǎn)。這由切割拐角或增加拐角的半徑的常規(guī)方法解決。
[0016]本發(fā)明目的在于限制發(fā)生在拐角區(qū)域中的電流以用于解決熱點(diǎn)的問題。如果電流密度被局部地減少，則這對熱點(diǎn)發(fā)生的可能性有影響。
[0017]在OLED照明器件的典型設(shè)計(jì)中，陽極接觸區(qū)域處處圍繞照明區(qū)域以支持透明陽極材料的高電阻(見圖1)。陽極接觸區(qū)域允許在整個(gè)照明區(qū)域的輪廓均勻地分布電流并且無損耗。該布置的缺點(diǎn)是接近照明區(qū)域的拐角產(chǎn)生熱點(diǎn)，因?yàn)殡娏髯⑷胙刂鴮蔷€更高。這些熱點(diǎn)匹配其中邊緣之間的距離最小的位置，即對角線。“陽極接觸區(qū)域”指代一般的空間，在該空間中可以存在不同種類的層，比如透明導(dǎo)電氧化物(TC0)、金屬化和附加電流分布層以支持金屬化的導(dǎo)電性。例如，使用附加層以支持金屬化的導(dǎo)電性是已知的。通常，這將是PCB板、PCB輪廓框、銅帶、彎曲箔等。這種附加層通常被放置在接觸陽極的電極的外側(cè)上。
[0018]照明區(qū)域和環(huán)境之間的T°過渡是連續(xù)完成的，但僅有幾毫米，因此溫度在照明區(qū)域的邊緣和接觸區(qū)域之間以高斜率減少。結(jié)果，熱點(diǎn)不是直接位于照明區(qū)域的拐角中而是向其中Τ°更高的照明區(qū)域的中心偏移幾毫米。圖2示出接近照明區(qū)域的拐角的熱點(diǎn)的計(jì)算示例。對于該示例，使用沒有金屬化的接觸區(qū)域。測量的器件的布局是10.4乘10.4cm的方形照明區(qū)域，其具有用于陽極層上分布電流的接觸區(qū)域的三側(cè)和用于陰極層的一側(cè)。
[0019]如果，偏離以上示例，在拐角的至少一側(cè)的幾毫米處，在陽極接觸區(qū)域和照明區(qū)域之間提供絕緣體，則減少在該區(qū)域中的總體注入并由此減少熱點(diǎn)的發(fā)生。
[0020]分離器由絕緣材料和/或具有高于電極接觸部的薄層電阻的薄層電阻的材料形成。
[0021]絕緣材料可直接用于在預(yù)定區(qū)域中選擇性地阻斷電流，使得可相應(yīng)地調(diào)整電流密度。具有較低導(dǎo)電性(即具有較高薄層電阻)的區(qū)域象發(fā)光區(qū)域和接觸區(qū)域(具有高導(dǎo)電性)之間的高電阻一樣。結(jié)果，將存在較高的下降電壓且接近具有較低導(dǎo)電性的區(qū)域注入的電流將下降，從而減少拐角中的熱點(diǎn)。
[0022]分離器被布置在由電極片和電極接觸部之間的界面的部分限定的兩個(gè)平面之間的交叉部附近的區(qū)域中。該區(qū)域被稱為“拐角區(qū)域”，并且兩個(gè)平面之間的交叉部被稱為“拐角”。分離器被布置在拐角的至少一側(cè)上、離拐角一距離處。
[0023]發(fā)現(xiàn)以下情況是有利的:不完全阻斷從拐角到分離器的范圍的電流，尤其在分離器被提供在拐角的兩側(cè)上的情況下。
[0024]分離器的尺寸優(yōu)選地關(guān)聯(lián)于在未圖案化的情況下發(fā)生的熱點(diǎn)的位置。對于具有高效熱擴(kuò)散的器件，熱點(diǎn)的位置通常不依賴于OLED大小。由于可以假設(shè)熱點(diǎn)大部分定位于遠(yuǎn)離拐角約5到10_，所以對于拐角的每側(cè)以高于或等于5mm的長度阻斷電流是優(yōu)選的。隔離的長度區(qū)域的總和應(yīng)當(dāng)?shù)扔诨虼笥?_的設(shè)計(jì)規(guī)則可能用于拐角的每側(cè)。
[0025]分離器也可以形成為，使得對于分離器的至少一部分，在垂直于界面的方向上的分離器的寬度隨著離拐角增加的距離而減小。
[0026]形成具有在遠(yuǎn)離拐角的方向上減小的深度(垂直于界面的方向上的厚度)的非絕緣分離器允許具有在分離器上的電壓降(和相應(yīng)地是電流分布)的梯度，從而提供了設(shè)計(jì)上的附加自由度的機(jī)會。
[0027]電極片和電極接觸部也可以僅由分離器沿著垂直于發(fā)光區(qū)域的平面的方向部分地分離。
[0028]沒有必要的是，分離器完全插入在電極片和電極接觸部之間以對電流密度有影響?？紤]到電極接觸部(或者電極片)的全部范圍作為界面的總高度，根據(jù)本實(shí)施例，分離器被提供用于該總高度的僅僅一部分。
[0029]對于分離器的至少一部分，分離器沿著垂直于發(fā)光區(qū)域的平面的方向的比率可以隨著離拐角的增加的距離而減小。
[0030]類似于以上討論的隨著離拐角的距離的深度的變化，分離器(其也可以是絕緣體)的高度上的變化也允許設(shè)計(jì)OLED器件中的附加的自由度。
[0031]界面、電極片和/或電極接觸部可以被布置為使得在拐角區(qū)域中電極片和電極接觸部之間的局部和/或平均區(qū)域性接觸電阻高于電極片和電極接觸部之間的總體平均接觸電阻。
[0032]作為對提供以上討論的分離器的替代方案或者連同提供以上討論的分離器，相關(guān)區(qū)中的接觸電阻可以被增加以調(diào)整局部或區(qū)域性電流密度。接觸電阻的差異優(yōu)選地是10—6Ω m2或更多。
[0033]增加的局部和/或平均區(qū)域性接觸電阻的區(qū)段可以被提供在拐角的至少一側(cè)上、離拐角一距離處。
[0034]在優(yōu)選實(shí)施例中，電極片形成有機(jī)發(fā)光二極管的陽極。
[0035]應(yīng)當(dāng)注意到本發(fā)明也可被應(yīng)用于在陰極側(cè)上的電流分布。然而，通常，陰極側(cè)不太關(guān)鍵，因?yàn)殛帢O的薄層電阻約為1/30(這也被反映在用于陰極電流分布的OLED器件的僅一側(cè)中)。
[0036]如前面提及的，拐角區(qū)域是由電極片和電極接觸部之間的界面的部分限定的兩個(gè)平面之間的交叉部附近的區(qū)域。應(yīng)當(dāng)注意到兩個(gè)平面不必垂直從而在交叉部處提供的拐角不必具有90°的角度。拐角區(qū)域也可能是具有大于30°的角度的兩個(gè)接連平面的交叉部(照明區(qū)域邊緣的部分)附近的區(qū)域。
[0037]在本發(fā)明的第二方面，通過用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一方面的有機(jī)發(fā)光二極管器件的方法來實(shí)現(xiàn)目的，其中該方法包括在形成有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)堆疊之前和/或之后通過圖案化方法提供分離器的步驟。換句話說，該方法包括在電極片和電極接觸部之間的界面的拐角區(qū)域中提供在電極片和電極接觸部之間的分離器的步驟，其中該分離器由絕緣材料和/或具有高于電極接觸部的薄層電阻的薄層電阻的材料形成，和/或在拐角區(qū)域中提供高于電極片和電極接觸部之間的平均總體接觸電阻的電極片和電極接觸部之間的局部和或平均區(qū)域性接觸電阻。
[0038]在優(yōu)選實(shí)施例中，圖案化方法包括激光消融和/或光刻圖案化。
[0039]增加接觸電阻的可能性是減少所涉及層之間的接觸區(qū)域。通過在所涉及層之間添加具有低導(dǎo)電性或者基本上沒有導(dǎo)電性的材料圖案(2D圖案)能夠減少接觸區(qū)域。絕緣體材料可以用比如例如帶狀圖案、格柵圖案等的任何圖案沉積。
[0040]應(yīng)當(dāng)理解的是，根據(jù)本發(fā)明的第一方面的有機(jī)發(fā)光二極管器件以及根據(jù)本發(fā)明的第二方面的方法具有類似的和/或相同的優(yōu)選實(shí)施例，尤其如可以在相應(yīng)從屬權(quán)利要求中限定的那樣。
[0041]本發(fā)明不限于僅僅OLED照明器件，并可以例如也被采用在OLED顯示器件的情境中，尤其其中(子)像素的均勻性是重要的，如在露天大型運(yùn)動(dòng)場或街道上使用的用于廣告等的大OLED顯示屏中情況可能是這樣。
[0042]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例也可以是從屬權(quán)利要求或以上實(shí)施例與相應(yīng)獨(dú)立權(quán)利要求的任何組合。
[0043]本發(fā)明的這些和其他方面將根據(jù)以下描述的實(shí)施例是顯而易見的并且參考以下描述的實(shí)施例來闡明。
【附圖說明】
[0044]在下面附圖中:
[0045]圖1示出常規(guī)OLED照明器件的拐角的圖示，
[0046]圖2示出圖1中示出的OLED照明器件的亮度分布的圖示，
[0047]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的OLED照明器件的拐角，
[0048]圖4示出如圖2中示出的常規(guī)OLED照明器件和圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的OLED照明器件的比較，
[0049 ]圖5示出OLED照明器件的部分橫截面，
[0050]圖6示出OLED照明器件的拐角，
[0051]圖7圖示OLED照明器件的電極接觸部和電極片之間的界面的部分截面，
[0052]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的OLED照明器件的拐角，
[0053]圖9示出圖示制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的OLED器件的方法的流程圖，和
[0054]圖10示出圖示操作OLED器件的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0055]圖1示出常規(guī)OLED照明器件的拐角的圖示。
[0056]OLED照明器件包括具有OLED照明器件的照明區(qū)域的電極片I，其被電極接觸部2(陽極)(部分地)圍繞，使得在電極片I和電極接觸部2之間存在界面3。在OLED照明器件的操作中，電流通過該界面流動(dòng)，如箭頭4所圖示的那樣。
[0057 ]圖2示出圖1中示出的OLED照明器件的亮度分布的圖示。
[0058]圖2中示出的OLED照明器件包括電極片I，其被用于陽極的電極接觸部2在三個(gè)側(cè)上圍繞?；旧戏叫蔚碾姌O片I的第四側(cè)被提供有用于陰極的電極接觸部6。陽極和陰極通過分離部7分離。電極片I和接觸電極2共享界面4，在操作中電流通過界面4流動(dòng)，如箭頭4圖示的那樣。由于拐角的布置(其左下角對應(yīng)圖1中示出的拐角)，電流密度導(dǎo)致在拐角區(qū)域中的更高電流注入，從而導(dǎo)致在每個(gè)拐角中的熱點(diǎn)5 ο針對電極片I的圖2中示出的亮度分布基于借助于2D照相機(jī)針對10.4cm X 10.4cm的方形OLED照明區(qū)域測量的實(shí)際分布。
[0059]圖3示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的OLED照明器件的拐角。
[0060]圖3中部分示出的OLED照明器件包括具有與常規(guī)電極片基本相同的結(jié)構(gòu)的電極片
I。電極片I由電極接觸部12(如圖1中也是陽極)(部分地)圍繞，使得在電極片I和電極接觸部12之間存在界面13。在OLED照明器件的操作中，電流通過該界面流動(dòng)，如箭頭4圖示的那樣。不同于圖1中示出的器件，在拐角區(qū)域中提供在電極接觸部12和電極片I之間提供的分離器18的兩部分。分離器18減少局部電流密度，如由箭頭4圖示的那樣。分離器18的部分分別被提供在離拐角本身的距離L1和1^處，且分別具有L3和L4的延伸或長度。
[0061]在圖3中示出的實(shí)施例中，分離器18被形成為絕緣體，從而有效地阻斷通過其部分的所有電流?？商鎿Q地，分離器也可被形成為具有與電極接觸部12相比增加的薄層電阻，因而仍允許某些電流流過分離器。
[0062]在圖示的實(shí)施例中，此外，分離器的部分被提供在離拐角的距離(LjPL2)處，盡管也有可能將分離器延伸在整個(gè)拐角區(qū)域上(即，也在拐角本身提供分離器)。這也適用于下面討論的其它實(shí)施例。
[0063]圖4示出如圖2中示出的常規(guī)OLED照明器件和圖3中示出的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的OLED照明器件的比較。
[0064]圖4的左側(cè)部分示出如圖2中示出的常規(guī)OLED照明器件(沒有亮度分布，而突出了熱點(diǎn)5的位置)。
[0065]根據(jù)本實(shí)施例的OLED照明器件10對應(yīng)于常規(guī)OLED照明器件，除了如圖3中示出的分離器18的提供以外。
[0066]根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，直接進(jìn)入照明區(qū)域的拐角的電流被限制。對此，位于接近照明區(qū)域的拐角的幾毫米的小條借助于分離器18來隔離。目的是減少進(jìn)入到其中Vole3d和T°之間的差異最大的區(qū)域中的電流。通過這種方式，位于接近照明區(qū)域邊緣的拐角的熱點(diǎn)5被顯著地減少。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，隔離每個(gè)拐角的兩個(gè)邊緣，從而留下每個(gè)隔離邊緣之間的幾毫米的空間以便于減少拐角中的電流注入但也防止在照明區(qū)域的拐角中完全沒有注入。
[0067]作為示例，完成了具有和不具有根據(jù)本發(fā)明圖案化的拐角的矩形器件(10.3cmX10.3cm)的電-熱仿真。具有和不具有圖案化拐角的仿真器件的布局配置被示出在圖4中。對于該示例，照明區(qū)域I的拐角2個(gè)側(cè)上以16mm(L3 = L4 = 16mm)隔離，具有6mm(L1+L2)的小孔徑。
[0068]作為仿真的結(jié)果，可以發(fā)現(xiàn)拐角中的亮度的最大值在沒有任何功率損耗的情況下被減少大約10% (從7700到7000Cd/m2)。
[0069]位于接近照明區(qū)域的拐角的熱點(diǎn)減少的該概念可被應(yīng)用于其中照明區(qū)域的拐角通過相同的電極供給的任何器件中。
[0070]應(yīng)當(dāng)注意到降低熱點(diǎn)不針對顯著改進(jìn)視覺感知但是主要針對改進(jìn)對外部應(yīng)力的敏感性并且因此針對改進(jìn)潛在的可靠性問題。
[0071]通常，在下述假設(shè)下:熱點(diǎn)的位置不取決于OLED大小(對于具有適度地高效熱擴(kuò)散的器件)以及熱點(diǎn)通常位于離拐角約5到10毫米的距離處，優(yōu)選地，分離器的部分的長度大于5mm(L3彡3mm，L4彡3mm)。此外，優(yōu)選的是，分離器部分離拐角的距離在3到45mm的范圍內(nèi)。
[0072]以上也適用于下面討論的實(shí)施例。
[0073]圖5示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的OLED照明器件的部分橫截面。
[0074]圖5中示出的OLED照明器件被提供在玻璃襯底20上，在玻璃襯底20上提供照明區(qū)域24和具有低導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層21。在TCO層21的頂部提供具有高導(dǎo)電性的金屬化層22，其中在金屬化層22的頂部且在金屬化層22和照明區(qū)域24之間提供阻擋層23用于將金屬化層22與照明區(qū)域24分離，并且進(jìn)一步的陰極和有機(jī)層26、27被提供在阻擋層23的頂部。在照明區(qū)域22和電接觸區(qū)域25之間提供薄膜封裝(TFE)層28。
[0075]OLED照明區(qū)域的邊緣29由阻擋層23的內(nèi)邊緣限定。阻擋層23是在所有蒸發(fā)層底下的環(huán)狀輪廓以便防止任何短路。金屬化層22的內(nèi)邊緣30被阻擋層23覆蓋。因此，在阻擋邊緣29和金屬化邊緣30之間存在空間，其中只有借助于具有低導(dǎo)電性的TCO層21的電極連接。該空間可在幾微米和幾毫米之間變化。根據(jù)本發(fā)明，該空間的尺寸被調(diào)諧(位于金屬化和照明區(qū)域的邊緣之間)以便限制在特定位置處比如接近拐角的電流注入。
[0076]應(yīng)當(dāng)注意到以上描述的配置僅僅是示例。在其他實(shí)施例中，在阻擋邊緣29和金屬化邊緣30之間的分離器18可以非常小或者甚至不存在。在其他實(shí)施例中，不使用金屬化且僅PCB邊緣板沿著接觸區(qū)域(電流分布器)的輪廓放置。在這種情況中，電流分布保持與金屬化相同，除了減少電流的平均水平以外。
[0077]圖6示出根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例的OLED照明器件的拐角。
[0078]圖6中部分示出的OLED照明器件包括具有與常規(guī)電極片或與圖3中示出的電極片I基本相同的結(jié)構(gòu)的電極片I。電極片I被電極接觸部12(如圖1和3中也是陽極)(部分地)圍繞，使得在電極片I和電極接觸部12之間存在界面13。在OLED照明器件的操作中，電流通過該界面流動(dòng)。
[0079]不同于圖3中示出的實(shí)施例，在拐角區(qū)域中提供連續(xù)的分離器18，其被提供在電極接觸部12和電極片I之間。分離器18從拐角向外逐漸變細(xì)，使得垂直于界面13的方向上的厚度分別從拐角朝著分離器的末端減少。因?yàn)榉蛛x器18(其在該實(shí)施例中被提供為具有比電極接觸部12高的薄層電阻)僅僅減少流過界面13的相應(yīng)部分的電流密度，所以電流密度分布具有連續(xù)的梯度(對應(yīng)于分離器18和電極接觸部12的組合上的電壓降逐段剛好移至電極接觸部12)。
[0080]圖7圖示根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例的OLED照明器件的電極接觸部和電極片之間的界面的部分截面。
[0081]針對圖7提供的視圖垂直于圖1、3和6的視圖。在圖7中，OLED器件的拐角在所示出的界面的左側(cè)邊緣處。在OLED器件的操作期間流過界面13的電流是垂直于紙平面流動(dòng)的。在界面13處(更準(zhǔn)確來說，在電極接觸部12和電極片(未示出)之間)，提供分離器18。在高度方向上，分離器18具有楔形，其中該形狀提供類似于圖6中示出的實(shí)施例的總體電流分布的梯度。
[0082]圖8示出根據(jù)本發(fā)明的又進(jìn)一步實(shí)施例的OLED照明器件的拐角。
[0083]在圖8中部分示出的OLED照明器件包括具有與常規(guī)電極片或者與圖3和6中示出的電極片I基本相同的結(jié)構(gòu)的電極片I。電極片I被電極接觸部12(如圖1、3和6中也是陽極)(部分地)圍繞，使得在電極片I和電極接觸部12之間存在界面13。在OLED照明器件的操作中，電流通過該界面流動(dòng)。
[0084]不同于圖3或6中示出的實(shí)施例，替代在電極接觸部12和電極片I之間提供的分離器，在與拐角間隔某一距離的兩個(gè)部分19中，增加了電極接觸部12和電極片I之間的接觸電阻，使得在OLED器件的操作期間流過這些部分的電流的電流密度小于流過部分19外部的界面區(qū)域的電流的電流密度，由此減少熱點(diǎn)的發(fā)生，類似于其他實(shí)施例。
[0085]圖9示出圖示形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的OLED器件的方法的流程圖。
[0086]用于形成根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管器件的方法包括對應(yīng)于常規(guī)方法的若干步驟，其在本文中未示出，該若干步驟后面是下述步驟中的至少一個(gè):在OLED器件的電極片和電極接觸部之間的界面的拐角區(qū)域中提供在電極片和電極接觸部之間的分離器的分離步驟101，其中該分離器由絕緣材料和/或具有比電極接觸部的薄層電阻高的薄層電阻的材料形成；以及在拐角區(qū)域中提供比電極片和電極接觸部之間的平均總體接觸電阻高的電極片和電極接觸部之間的局部和或平均區(qū)域性接觸電阻的接觸電阻步驟102。在這些步驟之后，提供進(jìn)一步的步驟，再次對應(yīng)于常規(guī)方法。
[0087]圖10示出圖示操作根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的OLED器件的方法的流程圖。操作根據(jù)本發(fā)明的OLED器件的方法提供兩個(gè)方面，其在這里出于解釋的目的被示出為步驟，即使這些方面本身不是離散的并且連續(xù)地發(fā)生。在方面103中，流過電極片和電極接觸部之間的界面的電流的第一(局部的或平均區(qū)域性的)電流密度被提供在界面的拐角區(qū)域中。在方面104中，流過電極片和電極接觸部之間界面的電流的第二 (局部的或平均區(qū)域性的)電流密度被提供在界面的拐角區(qū)域外部。根據(jù)本發(fā)明，第一電流密度小于第二電流密度。
[0088]盡管已經(jīng)在附圖和前述描述中詳細(xì)圖示和描述本發(fā)明，但是這種圖示和描述要被認(rèn)為是說明性或示例性的，并且不是限制性的;本發(fā)明不限于公開的實(shí)施例。
[0089]可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員在實(shí)施要求保護(hù)的發(fā)明中、從附圖、公開內(nèi)容和所附權(quán)利要求的研究來理解和實(shí)現(xiàn)公開的實(shí)施例的其他變形。
[0090]在權(quán)利要求中，詞語“包括”不排除其他元素或步驟，并且不定冠詞“一”或“一個(gè)”不排除復(fù)數(shù)。
[0091]應(yīng)當(dāng)理解比如“一個(gè)值在下限和上限之間，包含下限和上限”的指示，并且該值可具有包括上限和下限的值的給定范圍內(nèi)部的任何值。
[0092]權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)解釋為限制范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管器件(10)，所述有機(jī)發(fā)光二極管器件(10)具有發(fā)光區(qū)域的電極片(I)和與電極片(I)接觸的電極接觸部(12)，使得在電極片(I)和電極接觸部(12)之間存在界面(13)， 其中電極片(I)和電極接觸部(12)通過由絕緣材料和/或具有高于電極接觸部(12)的薄層電阻的薄層電阻的材料形成的分離器(18)局部地分離，以及 其中分離器(18)被布置在界面(13)的拐角區(qū)域中，所述拐角區(qū)域是由界面(13)的部分(19)限定的兩個(gè)平面之間的交叉部附近的區(qū)域，并且分離器(18)被布置在離交叉部的距離(Ll，L2)處。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管器件(10)，其中電極片(I)形成有機(jī)發(fā)光二極管的陽極。3.—種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管器件(10)的方法，其中所述方法包括在形成有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)堆疊之前和/或之后通過圖案化方法提供(101)分離器(18)的步驟。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中圖案化方法包括激光消融和/或光刻圖案化。
【文檔編號】H01L51/52GK105993084SQ201480066513
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2014年11月19日
【發(fā)明人】F·莫內(nèi)斯蒂爾, C·比特納
【申請人】Oled工廠有限責(zé)任公司