一種臺面型二極管的加工工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種臺面型二極管的加工工藝，該加工工藝包括以下步驟：擴(kuò)散片制作完成→次光刻溝槽→一次腐蝕圓形槽臺面→二次光刻溝槽→二次腐蝕圓形槽臺面→圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃鈍化→表面腐蝕清洗。該發(fā)明通過按體積比，將硝酸：氫氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結(jié)臺面溝槽，將臺面結(jié)構(gòu)二極管PN結(jié)幾何形狀腐蝕出成圓形狀，圓形具有平緩的弧形表面，可以有最高的擊穿電壓，有效的提高了器件的擊穿電壓效果。
【專利說明】
一種臺面型二極管的加工工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電子元件技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種臺面型二極管的加工工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]臺面型二極管，PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴(kuò)散臺面型。PN結(jié)幾何形狀和半導(dǎo)體表面電場對擊穿電壓的影響十分顯著。由于棱角電場和表面電場對擊穿電壓的不利影響，高壓二極管一般不采用平面結(jié)構(gòu)而常用臺面結(jié)構(gòu)。目前，現(xiàn)有的一般臺面結(jié)構(gòu)二極管PN結(jié)幾何形狀對提高器件的擊穿電壓效果較差。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種臺面型二極管的加工工藝，以解決現(xiàn)有的一般臺面結(jié)構(gòu)二極管PN結(jié)幾何形狀對提高器件的擊穿電壓效果較差的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種臺面型二極管的加工工藝，該加工工藝包括以下步驟:
[0005]擴(kuò)散片制作完成—次光刻溝槽—一次腐蝕圓形槽臺面—二次光刻溝槽—二次腐蝕圓形槽臺面—圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理—涂覆玻璃粉—烘焙玻璃粉—玻璃鈍化—表面腐蝕清洗。
[0006]S1、將擴(kuò)散出PN結(jié)的硅片根據(jù)所需芯片的尺寸規(guī)格進(jìn)行涂膠、前烘、曝光、顯影及堅(jiān)膜的光刻過程，做好光刻圓狀圖形；
[0007]S2、按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸= 5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結(jié)臺面溝槽，保持各芯片間連接而不斷離，再進(jìn)行去膠清洗；
[0008]S2、配制玻璃漿用溶劑:將乙基纖維素和稀釋劑按lg:1Oml的比例放在燒杯中加熱攪拌溶解，制成玻璃漿用溶劑；
[0009]S2、配制玻璃漿:將玻璃漿用溶劑和鉛系玻璃粉按3ml:5g比例倒入茄形瓶中進(jìn)行攪拌；
[0010]S3、將攪拌好的玻璃漿滴到腐蝕出溝槽的硅片表面，用不銹鋼勺子在硅片上涂敷，使玻璃漿均勻涂滿溝槽內(nèi)，再用不銹鋼刮刀將多余的玻璃漿從硅片表面輕輕刮下，隨后將此硅片放入石英舟內(nèi)；
[0011]S4、玻璃預(yù)燒:推入爐口烘12-18分鐘，推入預(yù)燒溫度為420-480 °C，推入預(yù)燒時(shí)間為25-28分鐘，同時(shí)燒去光刻膠層;預(yù)燒溫度調(diào)到565?575°C，將裝有涂敷好玻璃漿硅片的石英舟放入石英管中預(yù)燒，時(shí)間為25分鐘；
[0012]S5、擦拭預(yù)燒后硅片:將預(yù)燒后的硅片表面的玻璃粉擦拭干凈，且注意溝槽內(nèi)玻璃漿不要擦掉；
[0013]S6、玻璃燒成:對經(jīng)過表面玻璃粉擦拭的硅片進(jìn)行玻璃燒成，同時(shí)去光刻膠，燒成溫度為830-840°C，燒成時(shí)間為12-18分鐘，降溫至500-550°C，時(shí)間為30分鐘，自然降溫至200°C以下即可出爐；
[0014]S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；
[0015]S8、將玻璃鈍化后的硅片經(jīng)清洗、鍍鎳或鍍金合金化后進(jìn)行劃片，制成硅整流器件的芯片。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:該發(fā)明通過按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸= 5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結(jié)臺面溝槽，將臺面結(jié)構(gòu)二極管PN結(jié)幾何形狀腐蝕出成圓形狀，圓形具有平緩的弧形表面，可以有最高的擊穿電壓，有效的提高了器件的擊穿電壓效果。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0018]本發(fā)明提供一種技術(shù)方案:一種臺面型二極管的加工工藝，該加工工藝包括以下步驟:
[0019]擴(kuò)散片制作完成—次光刻溝槽—一次腐蝕圓形槽臺面—二次光刻溝槽—二次腐蝕圓形槽臺面—圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理—涂覆玻璃粉—烘焙玻璃粉—玻璃鈍化4表面腐蝕清洗，圓形槽臺面生長二氧化硅膜的厚度為1.5-2納米。
[0020]S1、將擴(kuò)散出PN結(jié)的硅片根據(jù)所需芯片的尺寸規(guī)格進(jìn)行涂膠、前烘、曝光、顯影及堅(jiān)膜的光刻過程，做好光刻圓狀圖形；
[0021]S2、按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸= 5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結(jié)臺面溝槽，保持各芯片間連接而不斷離，再進(jìn)行去膠清洗；
[0022]S2、配制玻璃漿用溶劑:將乙基纖維素和稀釋劑按lg:1Oml的比例放在燒杯中加熱攪拌溶解，制成玻璃漿用溶劑；
[0023]S2、配制玻璃漿:將玻璃漿用溶劑和鉛系玻璃粉按3ml:5g比例倒入茄形瓶中進(jìn)行攪拌；
[0024]S3、將攪拌好的玻璃漿滴到腐蝕出溝槽的硅片表面，用不銹鋼勺子在硅片上涂敷，使玻璃漿均勻涂滿溝槽內(nèi)，再用不銹鋼刮刀將多余的玻璃漿從硅片表面輕輕刮下，隨后將此硅片放入石英舟內(nèi)；
[0025]S4、玻璃預(yù)燒:推入爐口烘12-18分鐘，推入預(yù)燒溫度為420-480 °C，推入預(yù)燒時(shí)間為25-28分鐘，同時(shí)燒去光刻膠層;預(yù)燒溫度調(diào)到565?575°C，將裝有涂敷好玻璃漿硅片的石英舟放入石英管中預(yù)燒，時(shí)間為25分鐘；
[0026]S5、擦拭預(yù)燒后硅片:將預(yù)燒后的硅片表面的玻璃粉擦拭干凈，且注意溝槽內(nèi)玻璃漿不要擦掉；
[0027]S6、玻璃燒成:對經(jīng)過表面玻璃粉擦拭的硅片進(jìn)行玻璃燒成，同時(shí)去光刻膠，燒成溫度為830-840°C，燒成時(shí)間為12-18分鐘，降溫至500-550°C，時(shí)間為30分鐘，自然降溫至200°C以下即可出爐；
[0028]S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；
[0029]S8、將玻璃鈍化后的硅片經(jīng)清洗、鍍鎳或鍍金合金化后進(jìn)行劃片，制成硅整流器件的芯片。
[0030]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種臺面型二極管的加工工藝，其特征在于:該加工工藝包括以下步驟: 擴(kuò)散片制作完成4次光刻溝槽4一次腐蝕圓形槽臺面4二次光刻溝槽4二次腐蝕圓形槽臺面4圓形槽臺面生長二氧化硅膜及清洗處理4涂覆玻璃粉4烘焙玻璃粉4玻璃鈍化4表面腐蝕清洗。S1、將擴(kuò)散出PN結(jié)的硅片根據(jù)所需芯片的尺寸規(guī)格進(jìn)行涂膠、前烘、曝光、顯影及堅(jiān)膜的光刻過程，做好光刻圓狀圖形； S2、按體積比，將硝酸:氫氟酸:冰醋酸=5:3:1配制成混酸腐蝕液，然后將光刻后硅片放入混酸腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，腐蝕出各芯片的PN結(jié)臺面溝槽，保持各芯片間連接而不斷離，再進(jìn)行去膠清洗； S2、配制玻璃漿用溶劑:將乙基纖維素和稀釋劑按lg:1Oml的比例放在燒杯中加熱攪拌溶解，制成玻璃漿用溶劑； S2、配制玻璃漿:將玻璃漿用溶劑和鉛系玻璃粉按3ml: 5g比例倒入茄形瓶中進(jìn)行攪拌；S3、將攪拌好的玻璃漿滴到腐蝕出溝槽的硅片表面，用不銹鋼勺子在硅片上涂敷，使玻璃漿均勻涂滿溝槽內(nèi)，再用不銹鋼刮刀將多余的玻璃漿從硅片表面輕輕刮下，隨后將此硅片放入石英舟內(nèi)； S4、玻璃預(yù)燒:推入爐口烘12-18分鐘，推入預(yù)燒溫度為420-480°C，推入預(yù)燒時(shí)間為25-.28分鐘，同時(shí)燒去光刻膠層;預(yù)燒溫度調(diào)到565?575 V，將裝有涂敷好玻璃漿硅片的石英舟放入石英管中預(yù)燒，時(shí)間為25分鐘；S5、擦拭預(yù)燒后硅片:將預(yù)燒后的硅片表面的玻璃粉擦拭干凈，且注意溝槽內(nèi)玻璃漿不要?祭掉；S6、玻璃燒成:對經(jīng)過表面玻璃粉擦拭的硅片進(jìn)行玻璃燒成，同時(shí)去光刻膠，燒成溫度為830-840°C，燒成時(shí)間為12-18分鐘，降溫至500-550°C，時(shí)間為30分鐘，自然降溫至200°C以下即可出爐； S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍； S8、將玻璃鈍化后的硅片經(jīng)清洗、鍍鎳或鍍金合金化后進(jìn)行劃片，制成硅整流器件的芯片。
【文檔編號】H01L29/06GK106024865SQ201610566729
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月19日
【發(fā)明人】王志敏
【申請人】如皋市大昌電子有限公司