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三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器的制造方法

文檔序號:10728295閱讀:464來源:國知局
三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器包括該偏振轉(zhuǎn)換器由多個偏振三維單元組成,多個偏振三維單元呈水平放置,且多個偏振三維單元的上下表面均在同一個水平面上;每個偏振三維單元包括位于最底層的金層、位于中間層的二氧化硅隔離層和位于最上面層的石墨烯層,金層、二氧化硅隔離層和石墨烯層三者由下至上依次固定,且石墨烯層上開設(shè)有多個打孔。本發(fā)明該結(jié)構(gòu)的改進(jìn),使得該偏振轉(zhuǎn)換器在工作頻段內(nèi)有三個可工作頻率,在每個工作頻率處的偏振轉(zhuǎn)化率在75%以上,而且其中兩個工作頻率接近100%,且偏振工作頻帶可調(diào)諧。
【專利說明】
H個頻率工作可調(diào)諧的石墨稀偏振轉(zhuǎn)換器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及光電子技術(shù)領(lǐng)域,尤其設(shè)及一種=個頻率工作可調(diào)諧的石墨締偏振轉(zhuǎn) 換器。
【背景技術(shù)】
[0002] W微納米技術(shù)制造的光電子器件,其性能大大優(yōu)于傳統(tǒng)的電子器件,其具有如下 優(yōu)勢:1.工作速度快,納米光電子器件的工作速度是娃器件的1000倍,因而可使產(chǎn)品性能大 幅度提高。2.功耗低,微納米光電子器件的功耗僅為娃器件的1/1000。而隨著中紅外(波長 3-30WI1)科學(xué)和技術(shù)的快速發(fā)展,對該波段的關(guān)鍵性微納器件,包括激光器、探測器、調(diào)制器 W及各類功能器件的需求也在不斷上升。
[0003] 偏振轉(zhuǎn)換器是中紅外技術(shù)的其中一項關(guān)鍵器件。電磁超材料由于能夠通過結(jié)構(gòu)、 尺寸和材料等選擇對中紅外波的振幅、相位、偏振W及傳播實現(xiàn)靈活多樣的控制,提供了一 種實現(xiàn)不同類型和參數(shù)中紅外偏振轉(zhuǎn)換器件的有效途徑。對于中紅外波偏振態(tài)的調(diào)控,可 W利用超材料的各向異性、手性和雙各向異性實現(xiàn)中紅外波偏振形態(tài)的改變,即實現(xiàn)偏振 轉(zhuǎn)換。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)中,化a Cheng等人提出一種基于心型等離子體平面天線的偏振轉(zhuǎn)換器。 該技術(shù)方案采用心型石墨締,實現(xiàn)了可在單個頻率垂直方向的線偏振光的轉(zhuǎn)換。
[0005] Jun Ding等人曾基于提出另一種基于L型等離子體平面天線的偏振轉(zhuǎn)換器。該技 術(shù)方案采用單層石墨締的L型挖槽,實現(xiàn)了兩個頻率的垂直方向的線偏振光的轉(zhuǎn)換。
[0006] 但是目前的市面上還不存在中紅外多頻率可調(diào)諧偏振轉(zhuǎn)換器,而且不能實現(xiàn)=個 頻率同時工作。
[0007] 2004年,英國曼徹斯特大學(xué)物理學(xué)家安德烈.海姆和康斯坦下.諾沃肖洛夫,成 功地在實驗中從石墨中分離出石墨締,從而證實它可W單獨存在,從此學(xué)術(shù)界和工程界開 始了對石墨締應(yīng)用的探索。作為一種電磁超材料,石墨締已成為中紅外技術(shù)領(lǐng)域的研究熱 點。
[000引偏振轉(zhuǎn)化率的英文縮寫為PCR,英文為polarization conversion ratio。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 針對上述技術(shù)中存在的不足之處,本發(fā)明提供一種=個頻率工作可調(diào)諧的石墨締 偏振轉(zhuǎn)換器,該偏振轉(zhuǎn)換器在工作頻段內(nèi)有=個可工作頻率,在每個工作頻率處的偏振轉(zhuǎn) 化率在75% W上,而且其中兩個工作頻率接近100%,且偏振工作頻帶可調(diào)諧。
[0010] 為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種=個頻率工作可調(diào)諧的石墨締偏振轉(zhuǎn)換器,該 偏振轉(zhuǎn)換器由多個偏振=維單元組成,多個偏振=維單元呈水平放置,且多個偏振=維單 元的上下表面均在同一個水平面上;
[0011] 每個偏振=維單元包括位于最底層的金層、位于中間層的二氧化娃隔離層和位于 最上面層的石墨締層,所述金層、二氧化娃隔離層和石墨締層=者由下至上依次固定,且所 述石墨締層上開設(shè)有多個打孔。
[0012] 其中,所述金層的厚度在0.1皿左右,所述二氧化娃隔離層的厚度為1.1皿,且其介 電常數(shù)為2.1。
[0013] 其中,所述石墨締層的制備方法為:將邊長P = O. 175WI1的正方形石墨締,對稱割去 兩塊寬w = 65nm,長L=HOnm,相聚d = IOnm的長方形石墨締后得到該石墨締層。
[0014] 其中,所述寬w = 65nm,長L=140nm,相聚d = IOnm的長方形石墨締即為該打孔;且 所述打孔為矩形狀;且所述打孔與石墨締層之間形成箭頭結(jié)構(gòu)。
[0015] 其中,在頻率35THZ-40.7THZ的范圍內(nèi),該偏振轉(zhuǎn)換器的偏振轉(zhuǎn)化率具有S個峰 值;且運(yùn)S個峰值分別為35THZ、38THZ和40.7THZ。
[0016] 其中,所述峰值35THZ的偏振轉(zhuǎn)化率大約為80% ;所述峰值38THZ的偏振轉(zhuǎn)化率接 近100%,且所述峰值40.7THZ的也偏振轉(zhuǎn)化率接近100%。
[0017] 本發(fā)明的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的=個頻率工作可調(diào)諧的石 墨締偏振轉(zhuǎn)換器,偏振轉(zhuǎn)換器由多個偏振=維單元組成,且每個偏振=維單元包括位于最 底層的金層、位于中間層的二氧化娃隔離層和位于最上面層的石墨締層,石墨締層上開設(shè) 有多個打孔。該結(jié)構(gòu)的改進(jìn),使得該偏振轉(zhuǎn)換器在工作頻段內(nèi)有=個可工作頻率,在每個工 作頻率處的偏振轉(zhuǎn)化率在75% W上,而且其中兩個工作頻率接近100%,且偏振工作頻帶可 調(diào)諧。
【附圖說明】
[0018] 圖1為本發(fā)明中偏振S維單元的結(jié)構(gòu)圖;
[0019] 圖2為本發(fā)明中=個頻率工作可調(diào)諧的石墨締偏振轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)圖;
[0020] 圖3為本發(fā)明中石墨締層的結(jié)構(gòu)圖;
[0021 ]圖4為本發(fā)明中偏振轉(zhuǎn)換器的PCR結(jié)果圖;
[0022] 圖5為本發(fā)明中偏振轉(zhuǎn)換器的反射率效果圖;
[0023] 圖6為本發(fā)明中偏振轉(zhuǎn)換器的費米能級調(diào)控后的PCR結(jié)果圖;
[0024] 圖7為本發(fā)明中偏振轉(zhuǎn)換器的=個共振頻率處的磁場分布圖;
[0025] 圖8為本發(fā)明中偏振轉(zhuǎn)換器SOP-A和SOP-B的吸收圖。
[00%]主要元件符號說明如下:
[0027] 1、偏振轉(zhuǎn)換器10、偏振=維單元
[00巧]101、金層 102、二氧化娃隔離層
[00巧]103、石墨締層1031、打孔。
【具體實施方式】
[0030] 為了更清楚地表述本發(fā)明,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地描述。
[0031] 請參閱圖1-3,本發(fā)明的=個頻率工作可調(diào)諧的石墨締偏振轉(zhuǎn)換器,該偏振轉(zhuǎn)換器 1由多個偏振=維單元10組成,多個偏振=維單元10呈水平放置,且多個偏振=維單元10的 上下表面均在同一個水平面上;
[0032] 每個偏振=維單元0包括位于最底層的金層101、位于中間層的二氧化娃隔離層 102和位于最上面層的石墨締層103,金層101、二氧化娃隔離層102和石墨締層103 =者由下 至上依次固定,且石墨締層上開設(shè)有多個打孔1031。
[0033] 相較于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明提供的=個頻率工作可調(diào)諧的石墨締偏振轉(zhuǎn)換 器,偏振轉(zhuǎn)換器1由多個偏振=維單元10組成,且每個偏振=維單元10包括位于最底層的金 層101、位于中間層的二氧化娃隔離層102和位于最上面層的石墨締層103,石墨締層103上 開設(shè)有多個打孔1031。該結(jié)構(gòu)的改進(jìn),使得該偏振轉(zhuǎn)換器在工作頻段內(nèi)有=個可工作頻率, 在每個工作頻率處的偏振轉(zhuǎn)化率在75% W上,而且其中兩個工作頻率接近100%,且偏振工 作頻帶可調(diào)諧。
[0034] 在本實施例中,金層101的厚度在0.1皿左右,二氧化娃隔離層102的厚度為1.1皿, 且其介電常數(shù)為2.1。當(dāng)然,本案中并不局限于上述的厚度,可W根據(jù)實際需要進(jìn)行改進(jìn)。
[0035] 圖1是本發(fā)明基于矩形結(jié)構(gòu)的偏振轉(zhuǎn)化器的一個單元的=維示意圖;實際的偏振 轉(zhuǎn)換器是W該單元為周期,向四周延伸的模型,如圖2給出的3X3的效果。石墨締層的結(jié)構(gòu)比 較復(fù)雜,石墨締層103的制備方法為:將邊長P = O. 175皿的正方形石墨締,對稱割去兩塊寬W =65加1,長L= 140加1,相聚d= IOnm的長方形石墨締后得到該石墨締層。寬w = 65nm,長L = 14化m,相聚d=10nm的長方形石墨締即為該打孔;且打孔為矩形狀;且打孔與石墨締層之間 形成箭頭結(jié)構(gòu)。最終得到的如圖3所示。
[0036] 請進(jìn)一步參閱圖4,圖4給出了PCR值,由圖可知,在頻率35THZ-40.7THZ的范圍內(nèi), 該偏振轉(zhuǎn)換器的偏振轉(zhuǎn)化率PCR具有S個峰值;且運(yùn)S個峰值分別為35T化(A點)、38THZ (B 點)和40. n化(C點)S個峰值。其中PCR峰值A(chǔ)大約為80%,峰值B、C的PCR接近100%,意味著 運(yùn)=個頻率的入射光激發(fā)了矩形天線中的局域等離子體共振,共振峰處入射光絕大部分被 天線吸收后通過表面的微納結(jié)構(gòu)福射出垂直于原偏振方向的X方向線偏振光。圖5給出了反 射率的計算結(jié)果,可W看到,Rxx在=個頻率有極小值,即在=個頻率X偏振光被吸收。而Ryx 在對應(yīng)的=個頻率有極大值,說明X偏光在運(yùn)=個頻率處轉(zhuǎn)換為了 y偏光。由此說明,通過此 偏振轉(zhuǎn)換器太赫茲光可W在=個頻率發(fā)生偏振轉(zhuǎn)換。本發(fā)明正是因為采用了箭頭形天線結(jié) 構(gòu),使得工作模式的數(shù)量增加為=個。
[0037] 請進(jìn)一步參閱圖6,圖6是通過改變費米能級調(diào)諧帶寬的PCR結(jié)果圖(費米能級取 0.6eV,0.7eV,0. SeV,0.9eV,1. OeV),隨著費米能級增大,其工作寬帶右移。本偏振轉(zhuǎn)換器能 夠發(fā)生偏振轉(zhuǎn)換的原因可W由下圖說明。如圖7所示,從左到右分別是石墨締表面在A、B、C =個共振頻率處的磁場分布??蒞看到,對于每個共振頻率,都可W看做是箭頭內(nèi)部的磁場 禪合的效果,即石墨締表面等離子體震蕩所致。具體的證明公式可W參考文獻(xiàn)[3] ,Bludov Y V,Vasilevskiy M I,Peres N M R.Tunable graphene-based polarizer[J].Journal of Applied Physics,2012,112(8):084320-084320-5。
[003引如圖7所示,如果經(jīng)由兩束偏振方向分別與X軸呈45度(SOP-A)的和-45度(SOP-B) 的入射光,石墨締表面等離子體效應(yīng)使得運(yùn)兩束光有個共振吸收點,且如果共振吸收頻率 很靠近,則會發(fā)生禪合,產(chǎn)生偏振轉(zhuǎn)換效果。本偏振轉(zhuǎn)換器在此種條件下的計算結(jié)果如圖8 所示??蒞看出,兩束光的共振吸收點很靠近,且SOP-B有兩個共振吸收頻率,符合文獻(xiàn)[2] 所指出的效應(yīng)條件,從而進(jìn)一步證明我們的器件可W發(fā)生=個頻率偏振轉(zhuǎn)換。該文獻(xiàn)為: Jun Ding,et al.,Mid-Infrared Tunable Dual-Frequency Cross Polarization Converters Using Graphene-Based L-Shaped Nanoslot Array,(2015)10:351-356。
[0039]電磁波屬于橫波,其電矢量、磁矢量^及波矢方向滿足右手定則。其中,電矢量是 引起導(dǎo)體中載流子集體運(yùn)動W及引起介質(zhì)極化的主要原因。因此,可W通過入射電磁波和 反射電磁波電場強(qiáng)度的比值來定義反射率??紤]到電磁波可W分解為相互正交的兩個偏振 方向,反射率可W寫為反射矩陣的形式
[0040]
[0041]
[0042]
[0043] x,y為兩個相互正交的線偏振電磁波方向,i,r分別表示入射電磁波和反射電磁 波。Rmn等于反射電磁波m方向電場分量Emr與入射電磁波n方向電場分量化i的比值,d)皿為 相位。在我們的模型中,由于對稱性,故Rmn = Rnm
[0044] 定義R巧與R巧之間的相位差為:
[0045]
[0046] 設(shè)入射電磁波為y方向的線偏振電磁波,則偏振轉(zhuǎn)化率PCR可寫為
[0047]
[004引 Rxy = O時,PCR=O,意味著y方向偏振的入射光經(jīng)過反射后無X方向偏振光,無偏振 轉(zhuǎn)換效應(yīng)。Ryy = 0時,PCR= 1,意味著y方向偏振的入射光經(jīng)過反射后無 y方向偏振光,即所 有反射光均為X方向偏振,實現(xiàn)了相互垂直方向的線偏振光的100 %轉(zhuǎn)換效率。0<PCR<1時, 反射光含有兩種偏振方向分量,為楠圓偏振光。由于PCR直接反映了平面天線實現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)化 的水平,因此用來作為偏振轉(zhuǎn)化器的主要性能指標(biāo)。上述為發(fā)明中PCR的計算方法。且圖4、 圖5、圖6和圖8都是通過運(yùn)個計算方式得到的圖形。
[0049] W上公開的僅為本發(fā)明的幾個具體實施例,但是本發(fā)明并非局限于此,任何本領(lǐng) 域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器,其特征在于,該偏振轉(zhuǎn)換器由多個 偏振三維單元組成,多個偏振三維單元呈水平放置,且多個偏振三維單元的上下表面均在 同一個水平面上; 每個偏振三維單元包括位于最底層的金層、位于中間層的二氧化硅隔離層和位于最上 面層的石墨烯層,所述金層、二氧化硅隔離層和石墨烯層三者由下至上依次固定,且所述石 墨烯層上開設(shè)有多個打孔。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述 金層的厚度在0. Ιμπι左右,所述二氧化硅隔離層的厚度為Ι.?μπι,且其介電常數(shù)為2.1。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述 石墨稀層的制備方法為:將邊長ρ = 〇· 175μηι的正方形石墨稀,對稱割去兩塊寬w = 65nm,長L = 140nm,相聚d = 10nm的長方形石墨稀后得到該石墨稀層。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述 寬w = 65nm,長L = 140nm,相聚d = 10nm的長方形石墨稀即為該打孔;且所述打孔為矩形狀; 且所述打孔與石墨烯層之間形成箭頭結(jié)構(gòu)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器,其特征在于,在頻 率35THZ-40.7THz的范圍內(nèi),該偏振轉(zhuǎn)換器的偏振轉(zhuǎn)化率具有三個峰值;且這三個峰值分別 為35THz、38THz和40·7THz。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的三個頻率工作可調(diào)諧的石墨烯偏振轉(zhuǎn)換器,其特征在于,所述 峰值35THz的偏振轉(zhuǎn)化率大約為80% ;所述峰值38THz的偏振轉(zhuǎn)化率接近100%,且所述峰值 40.7THz的也偏振轉(zhuǎn)化率接近100%。
【文檔編號】H01Q15/24GK106099387SQ201610416043
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月8日 公開號201610416043.7, CN 106099387 A, CN 106099387A, CN 201610416043, CN-A-106099387, CN106099387 A, CN106099387A, CN201610416043, CN201610416043.7
【發(fā)明人】楊晨, 張楓
【申請人】安徽楓慧金屬股份有限公司
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