Oled玻璃基板制程設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種OLED玻璃基板制程設備，尤其是一種OLED玻璃基板制程中通入保護氣體的制程設備。
【背景技術】
[0002]在OLED玻璃基板的加工制程中，常常會利用加熱器對反應腔室內進行加熱，以達到制程所需的溫度要求，然而加熱器在對腔室內部進行加熱的同時會受氧濃度的影響，氧濃度過高，加熱器會被氧化，其加熱性能會受到影響，而且使用壽命也會縮短。因此，通常會在腔室21內通入保護氣體(如N2或稀有氣體等)，圖1所示，OLED玻璃基板20置于腔室21內，減小腔室21內氧氣的濃度，保護加熱器22不被氧化，延長加熱器22的使用壽命。但是，保護氣體(如N2或稀有氣體等)是在常溫下直接通入高溫腔室21中的，會對腔室21的實際溫度的穩(wěn)定和均勻性都會有影響，從而影響OLED玻璃基板的TTP及電性等特性。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種能夠改善低溫N2在高溫制程中對溫度和均勻性的影響，同時提高加熱器的使用壽命的OLED玻璃基板制程設備。
[0004]為實現(xiàn)上述技術效果，本實用新型公開了一種OLED玻璃基板制程設備，包括一第一腔室，所述第一腔室上設有一用以向所述第一腔室內通入保護氣體的第一氣體通道，所述第一腔室內設有一第二腔室，所述第二腔室上設有一用以向所述第二腔室內通入保護氣體的第二氣體通道，所述第一腔室與所述第二腔室之間形成一中間層，所述中間層內設有一加熱器。
[0005]本實用新型進一步的改進在于，所述中間層內還設有一用以過濾所述保護氣體的過濾器，用于去除循環(huán)加熱過程中產(chǎn)生的顆粒雜質。
[0006]本實用新型進一步的改進在于，所述保護氣體為N2或稀有氣體，減小腔室內氧氣的密度，避免加熱器被氧氣氧化，影響加熱效果。
[0007]本實用新型由于采用了以上技術方案，使其具有以下有益效果是:在第一腔室內增設第二腔室，將加熱器設于第一腔室與第二腔室間的中間層內，使得保護氣體(如N2)在中間層內循環(huán)加熱后再進入第二腔室進行工藝制作，改善了常溫保護氣體(如N2)進入高溫腔室中后對腔室內溫度和均勻性的影響。
【附圖說明】
[0008]圖1是傳統(tǒng)OLED玻璃基板制程設備的不意圖。
[0009]圖2是本實用新型OLED玻璃基板制程設備的示意圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖以及【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細的說明。
[0011]參閱圖2所示，本實用新型公開了一種OLED玻璃基板制程設備，包括一第一腔室11，第一腔室上11開設有一用以向第一腔室11內通入保護氣體(N2或稀有氣體)的第一氣體通道110，常溫的保護氣體自該第一氣體通道110通入，第一腔室11內設有一第二腔室12，OLED玻璃基板10設于該第二腔室12內，第二腔室12上開設有一用以向第二腔室12內通入保護氣體(N2或稀有氣體)的第二氣體通道120，第一腔室11與第二腔室12之間形成一中間層13，中間層13內設有一加熱器14和一過濾器15，提供加熱器14提供設備內溫度，向加熱器14所處的中間層13內通入保護氣體(N2或稀有氣體)，減小中間層13內的氧氣密度，從而達到避免加熱器14被氧化而影響其加熱效果的目的。同時，通過設置的中間層13，使得N2或稀有氣體等保護氣體通過加熱器14在中間層13內進行循環(huán)加熱，以確保后續(xù)進入第二腔室12內接觸OLED玻璃基板的保護氣體具有穩(wěn)定的溫度，改善了常溫保護氣體進入高溫腔室中后對腔室內溫度和均勻性的影響。并且保護氣體在進入第二腔室12前還經(jīng)過過濾器15，去除N2循環(huán)加熱過程中產(chǎn)生的顆粒雜質，有益于提高OLED玻璃基板的出品質量。
[0012]本實用新型高溫熱N2制程設備在使用時，將常溫保護氣體(N2或稀有氣體)自第一氣體通道I1通入第一腔室上11與第二腔室12間的中間層13，加熱器14加熱使得保護氣體在中間層13內循環(huán)加熱，并且通過過濾器15過濾保護氣體去除循環(huán)加熱過程中產(chǎn)生的顆粒雜質，最后經(jīng)加熱過濾后的保護氣體通過第二氣體通道120進入到第二腔室12中進行OLED玻璃基板工藝制作，改善了常溫保護氣體進入高溫制程中后對設備內溫度和均勻性的影響。
[0013]以上結合附圖實施例對本實用新型進行了詳細說明，本領域中普通技術人員可根據(jù)上述說明對本實用新型做出種種變化例。因而，實施例中的某些細節(jié)不應構成對本實用新型的限定，本實用新型將以所附權利要求書界定的范圍作為本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種OLED玻璃基板制程設備，其特征在于:所述設備包括一第一腔室，所述第一腔室上設有一用以向所述第一腔室內通入保護氣體的第一氣體通道，所述第一腔室內設有一第二腔室，所述第二腔室上設有一用以向所述第二腔室內通入保護氣體的第二氣體通道，所述第一腔室與所述第二腔室之間形成一中間層，所述中間層內設有一加熱器。
2.如權利要求1所述的OLED玻璃基板制程設備，其特征在于:所述中間層內還設有一用以過濾所述保護氣體的過濾器。
3.如權利要求1所述的OLED玻璃基板制程設備，其特征在于:所述保護氣體為N2或稀有氣體。
【專利摘要】本實用新型公開了一種OLED玻璃基板制程設備，包括一第一腔室，所述第一腔室上設有一用以向所述第一腔室內通入保護氣體的第一氣體通道，所述第一腔室內設有一第二腔室，所述第二腔室上設有一用以向所述第二腔室內通入保護氣體的第二氣體通道，所述第一腔室與所述第二腔室之間形成一中間層，所述中間層內設有一加熱器。本實用新型的一種OLED玻璃基板制程設備通過在第一腔室內增設第二腔室，將加熱器設于第一腔室與第二腔室間的中間層內，使得保護氣體在中間層內循環(huán)加熱后再進入第二腔室進行工藝制作，改善了常溫保護氣體進入高溫腔室中后對腔室內溫度和均勻性的影響。
【IPC分類】H01L51-56
【公開號】CN204538091
【申請?zhí)枴緾N201520253541
【發(fā)明人】劉沖, 彭思君, 徐平
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年4月22日