一種ddr3存儲(chǔ)器芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別涉及一種DDR3存儲(chǔ)器芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]DDR3P內(nèi)存芯片采用了 ODT (核心整合終結(jié)器)技術(shù)以及用于優(yōu)化性能的EMRS技術(shù),同時(shí)也允許輸入時(shí)鐘異步。在針腳定義方面,DDR3表現(xiàn)出很強(qiáng)的獨(dú)立性,對比DDR2系列有著絕對的優(yōu)勢.
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中,先對單個(gè)芯片進(jìn)行封裝和測試,然后再進(jìn)行貼片,所需設(shè)備、材料和人力費(fèi)用很大。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]針對現(xiàn)有DDR3芯片封裝中材料設(shè)備耗材大的問題,本實(shí)用新型提供一種DDR3存儲(chǔ)器芯片,為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:本實(shí)用新型包括晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7、環(huán)氧樹脂2、電路基板3、環(huán)氧樹脂4、金線5、錫球6,所述電路基板3上表面設(shè)置有兩個(gè)相互疊加的晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7,所述電路基板3通過金線5分別與晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7連接,所述電路基板3與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4,所述電路基板3下方與錫球6連接,所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4,所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂2。
[0005]優(yōu)選的,所述環(huán)氧樹脂4厚度為60um。
[0006]優(yōu)選的,所述環(huán)氧樹脂2厚度為550um。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果:使用2個(gè)芯片同時(shí)貼片和鍵合技術(shù),提高設(shè)備利用率,減少人工成本。
【附圖說明】
[0008]圖I為本實(shí)用新型的系統(tǒng)框架圖。
[0009]I、晶圓芯片I,7、晶兀芯片II ;2、環(huán)氧樹脂;3、電路基板;4、環(huán)氧樹脂;5、金線;6、錫球。
【具體實(shí)施方式】
[0010]由圖I所示可知,本實(shí)用新型包括晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7、環(huán)氧樹脂2、電路基板3、環(huán)氧樹脂4、金線5、錫球6,所述電路基板3上表面設(shè)置有兩個(gè)相互疊加的晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7,所述電路基板3通過金線5分別與晶圓芯片I 1、晶元芯片II 7連接,所述電路基板3與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4,所述電路基板3下方與錫球6連接,所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7之間有環(huán)氧樹脂4,所述晶圓芯片I I與晶元芯片II 7外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂2。
[0011]優(yōu)選的,所述環(huán)氧樹脂4厚度為60um。
[0012] 優(yōu)選的,所述環(huán)氧樹脂2厚度為550um。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種DDR3存儲(chǔ)器芯片,包括晶圓芯片I (I )、晶兀芯片II (7)、環(huán)氧樹脂(2)、電路基板(3)、環(huán)氧樹脂(4)、金線(5)、錫球(6),其特征在于:所述電路基板(3)上表面設(shè)置有兩個(gè)相互疊加的晶圓芯片I (I)、晶元芯片II (7),所述電路基板(3)通過金線(5)分別與晶圓芯片I (1)、晶元芯片II (7)連接,所述電路基板(3)與晶元芯片II (7)之間有環(huán)氧樹脂(4),所述電路基板(3)下方與錫球(6)連接,所述晶圓芯片I (I)與晶元芯片II (7)之間有環(huán)氧樹脂(4),所述晶圓芯片I (I)與晶元芯片II (7)外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DDR3存儲(chǔ)器芯片,其特征在于:所述環(huán)氧樹脂(4)厚度為 60umo
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DDR3存儲(chǔ)器芯片,其特征在于:所述環(huán)氧樹脂(2)厚度為 550um。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種DDR3存儲(chǔ)器芯片,包括晶圓芯片Ⅰ、晶元芯片Ⅱ、環(huán)氧樹脂、電路基板、環(huán)氧樹脂、金線、錫球,所述電路基板上表面設(shè)置有兩個(gè)相互疊加的晶圓芯片Ⅰ、晶元芯片Ⅱ,所述電路基板通過金線分別與晶圓芯片Ⅰ、晶元芯片Ⅱ連接,所述電路基板與晶元芯片Ⅱ之間有環(huán)氧樹脂,所述電路基板下方與錫球連接,所述晶圓芯片Ⅰ與晶元芯片Ⅱ之間有環(huán)氧樹脂,所述晶圓芯片Ⅰ與晶元芯片Ⅱ外側(cè)包覆有環(huán)氧樹脂,使用2個(gè)芯片同時(shí)貼片和鍵合技術(shù),提高設(shè)備利用率,減少人工成本。
【IPC分類】H01L25-18, H01L23-31, H01L23-495
【公開號】CN204577427
【申請?zhí)枴緾N201520268927
【發(fā)明人】任其超
【申請人】海太半導(dǎo)體(無錫)有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年4月29日