一種可主動調制的激光腔鏡結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本專利為涉及激光領域的實用新型專利，特別涉及一種可主動調制的激光腔鏡結構。
【背景技術】
[0002]激光調Q技術是將激光能量壓縮到寬度極窄的脈沖中，從而使激光光源的峰值功率提高幾個數(shù)量級的一種技術。分為主動調Q，被動調Q和主被動相結合的調Q技術等。
[0003]一般固體激光器實現(xiàn)調Q最常用的方法是在共振腔內引入一個快速光開關一Q開關。電光調Q是一種主動的調Q技術，利用晶體的電光效應，在晶體上加一階躍式電壓，調節(jié)腔內光子的發(fā)射損耗。開始工作時，晶體兩端加一電壓，由于晶體的偏振效應，諧振腔的損耗很大，Q值低，激光不振蕩，激光上能級不斷積累粒子數(shù)，Q開光處于關閉狀態(tài)。某一特定時刻，突然撤去晶體兩端電壓，諧振腔突變至損耗低，Q值高，Q開關打開，形成巨脈沖激光。
[0004]這樣的做法使得激光器在工作時不僅需要調節(jié)前后腔鏡的平行，還需要調節(jié)電光晶體端面與腔鏡之間的平行，調試工作較為繁瑣，耗費大量人力，對批量生產(chǎn)有很大的限制。

【發(fā)明內容】

[0005]為了解決上述問題，本實用新型提出一種可主動調制的激光腔鏡結構，將主動調Q激光器中的腔鏡集成到調Q晶體上。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術方案:
[0007]在電光晶體的出射面鍍制高反膜或是部分反射膜，進而將電光晶體的出射面作為激光腔鏡使用，使得器件調試的穩(wěn)定性提高，省去繁瑣的重復性調試工作。所述電光晶體出射面上鍍制的膜系可以根據(jù)不同激光器的需求而改變。同時，電光晶體可以有多個單元電光晶體級聯(lián)而成，采用U型槽依次裝配單元電光晶體，單元晶體的電極均用金線引出，通過增加晶體的等效長度來降低電光晶體的半波電壓，實現(xiàn)了較低的調制電壓。
[0008]與常規(guī)主動調Q激光器的腔鏡相比，本實用新型提出的腔鏡結構簡潔實用，無論是器件的調試穩(wěn)定性和人力成本上都有很大的提高，為激光器的批量生產(chǎn)提供便捷。
【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型結構實施實例I示意圖；
[0010]圖2為本實用新型結構實施實例2示意圖；
[0011]圖3為本實用新型結構實施實例3示意圖；
[0012]圖4為本實用新型結構實施實例4示意圖；
[0013]圖5為本實用新型結構中單元電光晶體的示意圖；
[0014]圖6為本實用新型結構中單元電光晶體制作示意圖。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖對本實用新型做進一步說明，本實用新型通過在電光晶體的出射面鍍制高反膜或是部分反射膜，進而將電光晶體的出射面作為激光腔鏡使用。同時，本專利采用U型槽依次裝配單元電光晶體，通過增加晶體的等效長度來降低電光晶體的半波電壓，實現(xiàn)了較低的調制電壓。
[0016]實施實例1:如圖1所示，101為放置電光晶體的U型槽，103為電光晶體，晶體兩側與U型槽分別用金線102和104相連，在晶體左右兩側施加電壓。電光晶體的出射端鍍有泵浦光高反膜和輸出光部分反射膜，使其作為激光后腔鏡使用。
[0017]實施實例2:如圖2所示，201為放置電光晶體的U型槽，203為電光晶體，在晶體上下兩側施加電壓，上方與U型槽用金線202相連，下方用導線引出。電光晶體的出射端鍍有泵浦光高反膜和輸出光部分反射膜，使其作為激光后腔鏡使用。
[0018]實施實例3:如圖3所示，301為放置電光晶體的U型槽，302為單元電光晶體，在晶體上下兩側施加電壓，上方與U型槽用金線303相連，下方用導線引出，使用直角棱鏡304改變光路。電光晶體的出射端鍍有泵浦光高反膜和輸出光部分反射膜，使其作為激光后腔鏡使用。
[0019]實施實例4:如圖4所示，401為放置電光晶體的U型槽，402為單元電光晶體，在晶體上下兩側施加電壓，上方與U型槽用金線403相連，下方用導線引出，使用保偏準直光纖404改變光路，此時需要用保護膠將纖線固定，以使入射和出射光不發(fā)生旋轉。電光晶體的出射端鍍有泵浦光高反膜和輸出光部分反射膜，使其作為激光后腔鏡使用。
[0020]盡管結合優(yōu)選實施方案具體展示和介紹了本實用新型，但所屬領域的技術人員應該明白，在不脫離所附權利要求書所限定的本實用新型的精神和范圍內，在形式上和細節(jié)上可以對本實用新型做出各種變化，均為本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種可主動調制的激光腔鏡結構，其特征在于:依次將單元電光晶體放入U型槽(101)內，單元晶體的電極均用金線(102，104)引出；在通過級聯(lián)的電光晶體(103)的出射面上鍍制高反膜或是部分反射膜。2.根據(jù)權利要求1所述的一種可主動調制的激光腔鏡結構，其特征在于:在所述電光晶體(103)出射面上鍍制泵浦光高反膜和輸出光部分反射膜，使電光晶體的出射面即為激光后腔鏡。3.根據(jù)權利要求1所述的一種可主動調制的激光腔鏡結構，其特征在于:所述電光晶體(103)可由多個單元電光晶體級聯(lián)而成，通過增加晶體的等效長度來降低其半波電壓。
【專利摘要】本實用新型專利公開了一種可主動調制的激光腔鏡。通過在電光晶體的出射面鍍制高反膜或是部分反射膜，進而將電光晶體的出射面作為激光腔鏡使用，使得器件調試的穩(wěn)定性提高，省去繁瑣的重復性調試工作。同時，本專利采用U型槽依次裝配單元電光晶體，通過增加晶體的等效長度來降低電光晶體的半波電壓，實現(xiàn)了較低的調制電壓。
【IPC分類】H01S3/081, H01S3/108, H01S3/10
【公開號】CN204633118
【申請?zhí)枴緾N201520360007
【發(fā)明人】校金濤, 劉紅梅, 吳季, 王城強, 陳偉
【申請人】福建福晶科技股份有限公司
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2015年5月29日