一種抗干擾薄膜混合集成電路的制作方法
【專利摘要】抗干擾薄膜混合集成電路，由管帽、管基、管腳、半導體集成電路芯片組成，半導體集成電路芯片用鍵合絲鍵合在管基薄膜陶瓷基片金屬鍵合區(qū)上，管帽封裝在管基之上；與原有薄膜混合集成電路不同的是：管帽有金屬外層和陶瓷內(nèi)層，管基有陶瓷基體,管基外表面有金屬外層；另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。這樣，管基和管帽將陶瓷材料和金屬材料二者有機結(jié)合，實現(xiàn)從低頻到高頻的電磁屏蔽，使封裝內(nèi)外電磁環(huán)境達到良好的隔離，從而實現(xiàn)薄膜混合集成電路的抗干擾能力。用本方法生產(chǎn)的器件廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、電子、通訊、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域，特別適用于裝備系統(tǒng)小型化、高頻、高可靠的領(lǐng)域。
【專利說明】
一種抗干擾薄膜混合集成電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及混合集成電路，具體來說，涉及薄膜混合集成電路，更進一步來說，涉及抗干擾薄膜混合集成電路。
【背景技術(shù)】
[0002]原有薄膜混合集成電路的集成技術(shù)中，先將薄膜陶瓷基片裝貼在金屬管基上，再將半導體芯片、片式元器件直接裝貼在薄膜基片上，再采用鍵合絲(金絲或硅鋁絲)進行芯片與基片的引線鍵合，基片和管腳的引線鍵合，完成整個電器連接，最后在高真空、高純氮氣或高純氬氣等特定的氣氛中將金屬管基和金屬管帽(或陶瓷管基和陶瓷管帽)進行密封而成。此方法存在的主要問題是在高頻或電磁干擾的環(huán)境中，金屬能有效地屏蔽低頻、中頻和部分高頻干擾的影響，當頻率繼續(xù)增高時，金屬的屏蔽作用就會變差。相反，陶瓷對低頻、中頻沒有屏蔽能力，但對高頻有良好的屏蔽能力。因此，采用金屬封裝、陶瓷封裝均不能滿足從低頻、中頻到高頻全頻段的屏蔽要求。導致薄膜混合集成電路在要求抗干擾的環(huán)境中使用時，需要在使用系統(tǒng)中增加大量的屏蔽措施，給使用造成諸多不便，不利于裝備系統(tǒng)的小型化、集成化和輕便化。
[0003]中國專利數(shù)據(jù)庫中，涉及薄膜混合集成電路的專利以及專利申請件有十余件，如201 1104457489號《高集成高可靠工作溫度可控薄膜混合集成電路的集成方法》、ZL2012103962589號《高靈敏溫控薄膜混合集成電路的集成方法》、ZL2012104928157號《高密度薄膜混合集成電路的集成方法》、ZL2012105350271號《一種高集成度功率薄膜混合集成電路的集成方法》、2012105373324號《三維集成功率薄膜混合集成電路的集成方法》、2012105941093號《一種薄膜混合集成電路電鍍方法》、2014107757385號《無引線球腳表貼式微波薄膜混合集成電路及其集成方法》等。迄今為止，尚無抗干擾薄膜混合集成電路的專利申請件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實用新型旨在提供一種抗干擾薄膜混合集成電路，實現(xiàn)從低頻到高頻的電磁屏蔽，增加抗干擾能力;從而有利于裝備系統(tǒng)的小型化、集成化和輕便化。
[0005]設(shè)計人提供的抗干擾薄膜混合集成電路由管帽、管基、管腳、半導體集成電路芯片、片式元器件組成，半導體集成電路芯片裝貼在薄膜陶瓷基片上，并用金屬鍵合絲將半導體集成電路芯片表面的鍵合區(qū)與薄膜陶瓷基片相應(yīng)的金屬鍵合區(qū)進行鍵合連接，管帽封裝在管基之上;與原有薄膜混合集成電路不同的是:管帽和管基有金屬外層和內(nèi)層陶瓷基體；另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。
[0006]上述管帽金屬層和管基金屬層的金屬是鉻和金。
[0007]抗干擾薄膜混合集成電路的集成方法是:在預先燒結(jié)成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金屬漿料燒結(jié)或化學電鍍的方式生長所需金屬層，再進行半導體集成電路芯片的裝貼、引線鍵合和封帽。
[0008]本實用新型具有以下優(yōu)點:①從低頻到高頻的電磁屏蔽，使封裝內(nèi)外電磁環(huán)境達到良好的隔離，提升集成電路的抗干擾能力；②有利于裝備系統(tǒng)的小型化、集成化和輕便化;③提高裝備系統(tǒng)可靠性。
[0009]本實用新型的器件廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、電子、通訊、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域，特別適用于裝備系統(tǒng)小型化、高頻、高可靠的領(lǐng)域，具有廣闊的市場前景和應(yīng)用空間。
【附圖說明】
[0010]圖1為原有薄膜混合集成電路組裝示意圖，圖2為本發(fā)明的抗干擾薄膜混合集成電路組裝示意圖。
[0011]圖中，I為金屬管基，2為金屬底座，3為金屬管腳，4為金屬管帽，5為半導體集成電路芯片，6為鍵合絲，7為薄膜電阻，8為薄膜導帶/鍵合區(qū)，9為薄膜陶瓷基片背面金屬層，10為薄膜陶瓷基片，11為管帽陶瓷基體，12為管帽外表面金屬外層，13為管基陶瓷基體，14為管基外表面金屬外層，15為片式元器件。
【具體實施方式】
[0012]實施例:如圖2的抗干擾薄膜混合集成電路，由管帽、管基、管腳、半導體集成電路芯片5、片式元器件15組成，半導體集成電路芯片5用鍵合絲6鍵合在管基薄膜陶瓷基片金屬鍵合區(qū)8上，管帽封裝在管基之上;管帽有陶瓷內(nèi)層11和管帽外表面金屬外層12，管基有陶瓷基體13，管基外表面金屬外層14;薄膜陶瓷基片通過背面金屬層9裝貼在管基上；另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。
[0013]管帽外表面金屬外層12和管基外表面金屬外層14的金屬層結(jié)構(gòu)是絡(luò)和金。
【主權(quán)項】
1.一種抗干擾薄膜混合集成電路，由管帽、管基、管腳、半導體集成電路芯片(5)、片式元器件(15)組成，半導體集成電路芯片(5)用鍵合絲(6)鍵合在管基上面的薄膜陶瓷基片金屬鍵合區(qū)(8)上，管帽封裝在管基之上;其特征在于管帽有陶瓷內(nèi)層(11)和管帽外表面金屬外層(12)，管基有陶瓷基體(13)，管帽外表面金屬外層(14);薄膜陶瓷基片通過背面金屬層(9)裝貼在管基上;另有片式元器件裝貼在薄膜陶瓷基片上。2.如權(quán)利要求1所述的抗干擾薄膜混合集成電路，其特征在于所述管帽外表面金屬外層(12)和管基外表面金屬外層(14)的金屬層結(jié)構(gòu)是鉻和金。
【文檔編號】H01L23/552GK205488120SQ201520992983
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2015年12月4日
【發(fā)明人】楊成剛, 黃曉山, 蘇貴東, 趙曉輝, 楊曉琴, 聶平健
【申請人】貴州振華風光半導體有限公司