一種肖特基二極管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種肖特基二極管，涉及二極管領(lǐng)域，包括上接觸層、下接觸層和鈍化層，所述上接觸層包括半導(dǎo)體基層和肖特基接觸層，所述肖特基接觸層包括半導(dǎo)體層和金屬層，所述半導(dǎo)體基層、半導(dǎo)體層和金屬層自上而下層疊設(shè)置，所述下接觸層包括連接介質(zhì)層和平面接觸體，所述連接介質(zhì)與金屬層粘接，所述鈍化層包裹于上接觸層和下接觸層的兩側(cè)，該種肖特基二極管可廣泛適用于各種保護(hù)二極管的使用場(chǎng)合，且可快速切換，值得推廣。
【專利說(shuō)明】
一種肖特基二極管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及二極管領(lǐng)域，具體涉及一種肖特基二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]肖特基二極管相對(duì)于傳統(tǒng)PN結(jié)二極管，具有較快的開關(guān)特性，也就是能夠以高頻從正向?qū)ㄟ\(yùn)行過(guò)渡到反向截止運(yùn)行，因此肖特基二極管，特別適合于在大量不同的應(yīng)用中用作為保護(hù)二極管，但是現(xiàn)有肖特基二極管在高電壓高電流情況下工作不甚理想。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種肖特基二極管，以解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致的上述多項(xiàng)缺陷。
[0004]—種肖特基二極管，包括上接觸層、下接觸層和鈍化層，所述上接觸層包括半導(dǎo)體基層和肖特基接觸層，所述肖特基接觸層包括半導(dǎo)體層和金屬層，所述半導(dǎo)體基層、半導(dǎo)體層和金屬層自上而下層疊設(shè)置，所述下接觸層包括連接介質(zhì)層和平面接觸體，所述連接介質(zhì)與金屬層粘接，所述鈍化層包裹于上接觸層和下接觸層的兩側(cè)。
[0005]優(yōu)選的，所述金屬層包括金屬層一和構(gòu)成迀移屏障的金屬層二，所述金屬層二與連接介質(zhì)粘接。
[0006]優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體基層具有η型摻雜，所述金屬層二由鈦制成，所述連接介質(zhì)層和金屬層均由鋁制成。
[0007]優(yōu)選的，所述平面接觸體下端設(shè)置有金屬接觸層。
[0008]優(yōu)選的，所述上接觸層和下接觸層均平行設(shè)置，所述鈍化層與上接觸層和下接觸層的連接面傾斜設(shè)置。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果:該種肖特基二極管，通過(guò)該種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以承載較高電流和電壓，可以在較高的電流和電壓通過(guò)時(shí)快速切換，達(dá)到作為保護(hù)二極管的作用，所述半導(dǎo)體基層和半導(dǎo)體層采用相同材料制成，但半導(dǎo)體層的摻雜濃度低于半導(dǎo)體基層，該二極管中半導(dǎo)體層和金屬層構(gòu)成肖特基二極管工作必須的肖特基接觸，再通過(guò)連接介質(zhì)粘接另一接觸層，構(gòu)成該二極管的整體框架，該結(jié)構(gòu)加強(qiáng)了二極管的電流和電壓承載能力，所述金屬層包括金屬層一和構(gòu)成迀移屏障的金屬層二，所述金屬層二與連接介質(zhì)粘接，金屬層二可以避免其他金屬原子穿過(guò)連接介質(zhì)到達(dá)金屬層一進(jìn)而阻礙肖特基接觸，所述半導(dǎo)體基層具有η型摻雜，所述金屬層二由鈦制成，所述連接介質(zhì)層和金屬層均由鋁制成，這些材料保證了各個(gè)層級(jí)均能在該二極管中發(fā)揮有效作用，所述平面接觸體下端設(shè)置有金屬接觸層，在平面接觸體非金屬的情況下，金屬接觸層可以使外部與二極管構(gòu)成連接，所述上接觸層和下接觸層均平行設(shè)置，所述鈍化層與上接觸層和下接觸層的連接面傾斜設(shè)置，傾斜設(shè)置能夠保證高壓條件下二極管的正常工作。
【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1為本實(shí)用新型所述的一種肖特基二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為本實(shí)用新型所述的一種肖特基二極管的金屬層部分的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]其中:丨一半導(dǎo)體基層，2一半導(dǎo)體層，3—金屬層，4一連接介質(zhì)，5一平面接觸體，6一鈍化層，7一金屬接觸層，30一金屬層一，31—金屬層二。
【具體實(shí)施方式】
[0013]為使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0014]如圖1和圖2所示，一種肖特基二極管，包括上接觸層、下接觸層和鈍化層6，所述上接觸層包括半導(dǎo)體基層I和肖特基接觸層，所述肖特基接觸層包括半導(dǎo)體層2和金屬層3，所述半導(dǎo)體基層1、半導(dǎo)體層2和金屬層3自上而下層疊設(shè)置，所述下接觸層包括連接介質(zhì)4層和平面接觸體5，所述連接介質(zhì)4與金屬層3粘接，所述鈍化層6包裹于上接觸層和下接觸層的兩側(cè)。該種肖特基二極管，通過(guò)該種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以承載較高電流和電壓，可以在較高的電流和電壓通過(guò)時(shí)快速切換，達(dá)到作為保護(hù)二極管的作用，所述半導(dǎo)體基層I和半導(dǎo)體層2采用相同材料制成，但半導(dǎo)體層2的摻雜濃度低于半導(dǎo)體基層I，該二極管中半導(dǎo)體層2和金屬層3構(gòu)成肖特基二極管工作必須的肖特基接觸，再通過(guò)連接介質(zhì)4粘接另一接觸層，構(gòu)成該二極管的整體框架，該結(jié)構(gòu)加強(qiáng)了二極管的電流和電壓承載能力。
[0015]在本實(shí)施例中，所述金屬層3包括金屬層一30和構(gòu)成迀移屏障的金屬層二31，所述金屬層二31與連接介質(zhì)4粘接，金屬層二31可以避免其他金屬原子穿過(guò)連接介質(zhì)到達(dá)金屬層一30進(jìn)而阻礙肖特基接觸，所述半導(dǎo)體基層I具有η型摻雜，所述金屬層二31由鈦制成，所述連接介質(zhì)層4和金屬層3均由鋁制成，這些材料保證了各個(gè)層級(jí)均能在該二極管中發(fā)揮有效作用，所述平面接觸體5下端設(shè)置有金屬接觸層7，在平面接觸體5非金屬的情況下，金屬接觸層7可以使外部與二極管構(gòu)成連接，所述上接觸層和下接觸層均平行設(shè)置，所述鈍化層6與上接觸層和下接觸層的連接面傾斜設(shè)置，傾斜設(shè)置能夠保證高壓條件下二極管的正常工作。
[0016]基于上述，本實(shí)用新型在工作時(shí)可以承載較高電流和電壓，且能在較高的電流和電壓通過(guò)時(shí)快速切換，達(dá)到作為保護(hù)二極管的作用，該二極管中半導(dǎo)體層和金屬層構(gòu)成肖特基二極管工作必須的肖特基接觸，再通過(guò)連接介質(zhì)粘接另一接觸層，構(gòu)成該二極管的整體框架，該結(jié)構(gòu)加強(qiáng)了二極管的電流和電壓承載能力，值得推廣。
[0017]由技術(shù)常識(shí)可知，本實(shí)用新型可以通過(guò)其它的不脫離其精神實(shí)質(zhì)或必要特征的實(shí)施方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此，上述公開的實(shí)施方案，就各方面而言，都只是舉例說(shuō)明，并不是僅有的。所有在本實(shí)用新型范圍內(nèi)或在等同于本實(shí)用新型的范圍內(nèi)的改變均被本實(shí)用新型包含O
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括上接觸層、下接觸層和鈍化層，所述上接觸層包括半導(dǎo)體基層和肖特基接觸層，所述肖特基接觸層包括半導(dǎo)體層和金屬層，所述半導(dǎo)體基層、半導(dǎo)體層和金屬層自上而下層疊設(shè)置，所述下接觸層包括連接介質(zhì)層和平面接觸體，所述連接介質(zhì)與金屬層粘接，所述鈍化層包裹于上接觸層和下接觸層的兩側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于:所述金屬層包括金屬層一和構(gòu)成迀移屏障的金屬層二，所述金屬層二與連接介質(zhì)粘接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于:所述半導(dǎo)體基層具有η型摻雜，所述金屬層二由鈦制成，所述連接介質(zhì)層和金屬層均由鋁制成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于:所述平面接觸體下端設(shè)置有金屬接觸層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種肖特基二極管，其特征在于:所述上接觸層和下接觸層均平行設(shè)置，所述鈍化層與上接觸層和下接觸層的連接面傾斜設(shè)置。
【文檔編號(hào)】H01L29/872GK205542800SQ201620108818
【公開日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年2月3日
【發(fā)明人】黃仲濬, 蔣文甄
【申請(qǐng)人】泰州優(yōu)賓晶圓科技有限公司