一種局部背場(chǎng)n型太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型涉及一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。本實(shí)用新型的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的p+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜；所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的局部n+重?fù)诫s區(qū)域和背表面鈍化膜；其特征在于：所述N型晶體硅基體還包括設(shè)置在背表面的背面電極，所述背面電極包括背面主柵和背面副柵，所述背面副柵與所述局部n+重?fù)诫s區(qū)域連接。其有益效果是：由于背面副柵僅和局部n+重?fù)诫s區(qū)域接觸，所以接觸電阻低；同時(shí)，不和背面副柵接觸的區(qū)域?yàn)榉菗诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低。所制電池具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池是一種能將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體器件。目前，業(yè)界的主流產(chǎn)品為P型晶硅太陽(yáng)能電池。該電池工藝簡(jiǎn)單，但是具有光致衰減效應(yīng)，即電池的效率會(huì)隨著時(shí)間的增加而逐漸衰減，這主要是由于摻入P型硅襯底中的硼原子與襯底中的氧原子相結(jié)合產(chǎn)生硼氧對(duì)的結(jié)果。研究表明，硼氧對(duì)起著載流子陷阱作用，使少數(shù)載流子壽命降低，從而導(dǎo)致了電池光電轉(zhuǎn)換效率的衰減。相對(duì)于P型晶硅電池，N型晶硅電池具有光致衰減小、耐金屬雜質(zhì)污染性能好、少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，并且由于N型晶體硅太陽(yáng)能電池的正負(fù)電極都可以制作成常規(guī)的H型柵線電極結(jié)構(gòu)，因此該電池不僅正面可以吸收光，其背表面也能吸收反射和散射光從而產(chǎn)生額外的電力。
[0003]常見(jiàn)的N型晶體硅太陽(yáng)能電池為p+/n/n+結(jié)構(gòu)，其中電池正表面為p+型摻雜，背表面為η+型摻雜。為了降低背面電極和η+摻雜區(qū)域之間的接觸電阻，所以希望η+層為重?fù)诫s。為了提高電池的開(kāi)路電壓和短路電流，需要減少重?fù)诫s帶來(lái)高俄歇復(fù)合，這時(shí)又希望η+層為輕摻雜。現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法很好地解決由背表面η+型摻雜區(qū)域帶來(lái)的填充因子與開(kāi)路電壓短路電流之間的矛盾。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其組件和系統(tǒng)。本實(shí)用新型提供的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池可以較好地解決由背表面η+型摻雜區(qū)域帶來(lái)的填充因子與開(kāi)路電壓短路電流之間的矛盾。
[0005]本實(shí)用新型提供的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，其技術(shù)方案是:
[0006]—種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0007](I)、對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行摻雜處理，然后在N型晶體硅基體的正表面和背表面制備阻擋層，背面阻擋層的厚度小于正面阻擋層的厚度；
[0008](2)、在步驟(I)處理后的N型晶體硅基體的背表面印刷耐酸漿料并烘干形成副柵狀圖案的掩膜；
[0009](3)、將步驟(2)處理后的N型晶體硅基體浸入酸性溶液中去除未被掩膜覆蓋區(qū)域的阻擋層，正面的阻擋層要求不被酸性溶液去除，但厚度會(huì)相應(yīng)減??；
[0010](4)、將步驟(3)處理后的N型晶體硅基體浸入堿性溶液中去除掩膜，同時(shí)堿性溶液去除未被掩I旲覆蓋的η+重慘雜區(qū)域，被掩I旲覆蓋的局部η+重慘雜區(qū)域不被破壞；
[0011 ] (5)、再次將N型晶體硅基體浸入酸性溶液中去除正表面和背表面殘余的阻擋層；
[0012](6)、在步驟(5)處理后的N型晶體硅基體的正表面制備鈍化減反膜并在背表面制備鈍化膜，然后在N型晶體硅基體的正表面和背表面使用金屬漿料印刷正面電極和背面電極，背面電極的背面副柵與局部η+重?fù)诫s區(qū)域連接，燒結(jié)后完成局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備。
[0013]其中，步驟(I)中對(duì)N型晶體硅基體進(jìn)行摻雜處理的方法包括以下步驟:
[0014]S1、選擇N型晶體硅基體，并對(duì)N型晶體硅基體的前表面作制絨處理;N型晶體硅基體的電阻率為0.5?15Ω.cm；
[0015]S2、將步驟SI處理后的N型晶體硅基體放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中對(duì)制絨面進(jìn)行硼擴(kuò)散形成正表面的P+摻雜區(qū)域，硼源采用三溴化硼，擴(kuò)散溫度為900-1000°C，時(shí)間為60-180分鐘;硼擴(kuò)散后的方阻值為40-100 Ω /sqr;
[0016]S3、將硼擴(kuò)散后的N型晶體硅基體放入刻蝕清洗機(jī)中，去除背表面的硼擴(kuò)散層和正表面的硼硅玻璃層；
[0017]S4、使用離子注入機(jī)在步驟S3處理后的N型晶體硅基體背表面注入磷并進(jìn)行退火處理形成背表面的η+重?fù)诫s區(qū)域，η+重?fù)诫s區(qū)域的方阻值為10-40 Ω/sqr;退火的峰值溫度為700?950 °C，退火時(shí)間為30?200min，環(huán)境氣源為N2和O2。
[0018]其中，阻擋層是S12層或SiNx層，正面阻擋層的厚度為200-300nm，背面阻擋層厚度為50_100nm。
[0019]其中，步驟(2)中副柵狀圖案的掩膜的寬為60-160μπι，互相平行，間距為l-2mm。
[0020]其中，步驟(3)中的酸性溶液為5-20 %的HF溶液，N型晶體硅基體浸入5_20 % HF溶液中的時(shí)間為0.5-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。
[0021 ] 其中，步驟(4)中的堿性溶液是1?30 %的KOH溶液、10?30 %的NaOH溶液、1?30 %的四甲基氫氧化銨溶液或者10?30 %的乙二胺溶液;堿性溶液的溫度為50-90 V，N型晶體硅基體浸入堿性溶液中的反應(yīng)時(shí)間為0.5-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。
[0022]其中，步驟(5)中的酸性溶液是5-20%的HF溶液中，N型晶體硅基體浸入5_20%HF溶液中的時(shí)間為2-5分鐘，取出N型晶體硅基體后用去離子水清洗。
[0023]其中，步驟(6)中，在N型晶體硅基體的正表面和背表面制備正面電極和背面電極的方法是:在N型晶體硅基體的背表面使用銀漿印刷H型柵線的背面電極并進(jìn)行烘干，其中背面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，背面副柵寬40-100μπι;在N型晶體硅基體的正表面使用摻鋁銀漿印刷正面主柵和正面副柵并進(jìn)行烘干，其中正面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，正面副柵寬40-100μπι;燒結(jié)的峰值溫度不高于900°C。
[0024]本實(shí)用新型提供的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的局部η+重?fù)诫s區(qū)域和背表面鈍化膜;N型晶體硅基體還包括設(shè)置在背表面的背面電極，背面電極包括背面主柵和背面副柵，背面副柵與局部η+重?fù)诫s區(qū)域連接;背面主柵的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600。
[0025]其中，背面主柵和背面副柵構(gòu)成H型柵線，其中背面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，背面副柵寬40-100μπι。
[0026]其中，N型晶體硅基體還包括設(shè)置在正表面的正面電極，正面電極包括正面主柵和正面副柵，其中正面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3_6根，正面副柵寬40-100μπι。
[0027]其中，鈍化減反膜是Si02、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種，鈍化膜是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜;鈍化減反膜的厚度為70?11 Onm;鈍化膜的厚度為不低于20nm ο
[0028]其中，背面主柵是銀背面主柵，背面副柵是銀背面副柵;正面主柵是銀鋁合金正面主柵，正面副柵是銀鋁合金正面副柵。
[0029]本實(shí)用新型還提供了一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池是上述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池。
[0030]本實(shí)用新型還提供了一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)以上串聯(lián)的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件是上述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。
[0031]本實(shí)用新型的實(shí)施包括以下技術(shù)效果:
[0032]本實(shí)用新型的技術(shù)效果主要體現(xiàn)在:本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置介質(zhì)膜、耐酸漿料掩膜、酸液腐蝕和堿液腐蝕等一系列操作處理后，可以在N型晶體硅的背面形成局部η+重?fù)诫s區(qū)域，后續(xù)金屬化時(shí)，副柵金屬漿料僅接觸局部η+重?fù)诫s區(qū)域。由于背面副柵僅和局部η+重?fù)诫s區(qū)域接觸，所以接觸電阻低；同時(shí)，不和副柵接觸的區(qū)域?yàn)椴粨诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低。所以本實(shí)用新型的η型太陽(yáng)能電池同時(shí)具有較高的填充因子、開(kāi)路電壓和短路電流，故而具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟一后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0034]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟四后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0035]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟五后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0036]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟六后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0037]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟七后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0038]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟八后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0039]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟九后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0040]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
[0041]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法步驟十一后的電池結(jié)構(gòu)截面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面將結(jié)合實(shí)施例以及附圖對(duì)本實(shí)用新型加以詳細(xì)說(shuō)明，需要指出的是，所描述的實(shí)施例僅旨在便于對(duì)本實(shí)用新型的理解，而對(duì)其不起任何限定作用。
[0043]參見(jiàn)圖9所示，本實(shí)施例提供的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體10，N型晶體硅基體10的正表面包括依次從內(nèi)到外的p+摻雜區(qū)域12和正表面鈍化減反膜14;N型晶體硅基體10的背表面包括依次從內(nèi)到外的局部η+重?fù)诫s區(qū)域161和背表面鈍化膜18;N型晶體硅基體10還包括設(shè)置在背表面的背面電極，背面電極包括背面主柵22和背面副柵26，背面副柵與局部η+重?fù)诫s區(qū)域161連接，背面主柵的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600，優(yōu)選156，還可以選擇100、200、312、400或600。由于背面副柵26僅和局部η+重?fù)诫s區(qū)域161接觸，所以接觸電阻低；同時(shí)，不和背面副柵接觸的區(qū)域?yàn)榉菗诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低。本實(shí)施例的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池同時(shí)具有較高的填充因子、開(kāi)路電壓和短路電流，故而具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0044]優(yōu)選地，背面主柵和背面副柵構(gòu)成H型柵線，其中背面主柵22寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，背面副柵26寬^-ΙΟΟμπιΑ型晶體硅基體10還包括設(shè)置在正表面的正面電極，正面電極包括正面主柵20和正面副柵24，其中正面主柵20寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，正面副柵24寬40-100μπι。鈍化減反膜14是Si02、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種，鈍化膜18是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜;鈍化減反膜的厚度為70?I 1nm;鈍化膜的厚度為不低于20nmo
[0045]本實(shí)施例中，背面電極通過(guò)印刷銀漿燒結(jié)而成，正面電極通過(guò)印刷摻鋁銀漿燒結(jié)而成，故局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的背面主柵22是銀背面主柵，背面副柵26是銀背面副柵；正面主柵20是銀鋁合金正面主柵，正面副柵24是銀鋁合金正面副柵。
[0046]本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)在N型晶體硅的背面形成局部η+重?fù)诫s區(qū)域，后續(xù)金屬化時(shí)，副柵金屬漿料僅接觸局部η+重?fù)诫s區(qū)域。由于背面副柵僅和局部η+重?fù)诫s區(qū)域接觸，所以接觸電阻低；同時(shí)，不和副柵接觸的區(qū)域?yàn)椴粨诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低。
[0047]參見(jiàn)圖1至圖9所示，本實(shí)施例提供的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0048](I)、選擇156mm X 156mm的N型晶體硅基體1，并對(duì)N型晶體硅基體1的前表面作制絨處理;N型晶體硅基體10的電阻率為0.5?15Ω ?。111，優(yōu)選1?50.cm;N型晶體硅基體10的厚度為50?300μπι，優(yōu)選80?200μπι;完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖1所示。
[0049](2)、將步驟(I)處理后的N型晶體硅基體10放入工業(yè)用擴(kuò)散爐中對(duì)制絨面進(jìn)行硼擴(kuò)散形成正表面的P+摻雜區(qū)域12，硼源采用三溴化硼，擴(kuò)散溫度為900-100(TC，時(shí)間為60-180分鐘。硼擴(kuò)散后的方阻值為40-100 Ω/sqr，優(yōu)選50-70 Ω/sqr。
[0050](3)、將硼擴(kuò)散后的N型晶體硅基體10放入刻蝕清洗機(jī)中，去除背表面的硼擴(kuò)散層和正表面的硼硅玻璃層。
[0051](4)、使用離子注入機(jī)在步驟(3)處理后的N型晶體硅基體10背表面注入磷并進(jìn)行退火處理形成背表面的η+重?fù)诫s區(qū)域16，n+重?fù)诫s區(qū)域16的方阻為10-40 Ω/sqr。退火的峰值溫度為700?950°C，優(yōu)選為850?900°C，退火時(shí)間為30?200min，優(yōu)選為60?200min，環(huán)境氣源優(yōu)選為他和02。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0052](5)、在步驟(4)處理后的N型晶體硅基體10正表面和背表面上生長(zhǎng)阻擋層。阻擋層可以為S12層或SiNx層，本實(shí)施例采用S12層作為具體的示例。具體方法為，將N型晶體硅基體10放入PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)設(shè)備中，在正表面生長(zhǎng)厚度為200-300nm的正面S12層13，在背表面生長(zhǎng)厚度為50-100nm的背面S12層17。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖3所示。
[0053](6)、在步驟(5)處理后的N型晶體硅基體10的背表面印刷耐酸漿料40并烘干形成掩膜。其過(guò)墨后的圖案為副柵線結(jié)構(gòu)，副柵線線寬60-160μπι，長(zhǎng)154mm，互相平行，間距為1-2mm，優(yōu)選1.55mm，共設(shè)置100根。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖4所示。
[0054](7)、將步驟(6)處理后的N型晶體硅基體1浸入5-20 % HF溶液中，0.5_5分鐘后取出用去離子水清洗干凈。此時(shí)背表面未被掩膜覆蓋區(qū)域的S12被HF去除干凈，而正表面仍有大部分S12沒(méi)有被去除。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖5所示。
[0055 ] (8)、將步驟(7)處理后的N型晶體硅基體1浸入1?30 %重量百分比的堿液中，工作溫度為50-90°C，反應(yīng)0.5-5分鐘取出用去離子水清洗干凈。此時(shí)背表面未被掩膜覆蓋區(qū)域因?yàn)闆](méi)有S12的保護(hù)將和堿液發(fā)生反應(yīng)，這些區(qū)域的η+重?fù)诫s區(qū)域被去除。同時(shí)殘余的掩膜也將被堿液去除干凈。而被掩膜覆蓋的區(qū)域則為局部η+重?fù)诫s區(qū)域161;注意在本步驟中，正表面的P+摻雜區(qū)域12和背表面的局部η+重?fù)诫s區(qū)域161由于表面覆蓋有S12膜，并不會(huì)和堿液發(fā)生反應(yīng)。堿液可以為K0H、Na0H、四甲基氫氧化銨或乙二胺溶液。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖6所示。
[0056](9)、將步驟(8)處理后的N型晶體硅基體10浸入5-20%HF溶液中，2-5分鐘后取出用去離子水清洗干凈。此時(shí)正表面和背表面殘余的S12層均被去除干凈。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖7所示。
[0057](10)、在步驟(9)處理后的N型晶體硅基體10的正表面設(shè)置鈍化減反膜14并在背表面設(shè)置鈍化膜18，其中正表面的鈍化減反膜14是Si02、SiNx和Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種，背表面的鈍化膜18是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜。正表面鈍化減反膜14的厚度為70?IlOnm;背表面鈍化膜18的厚度為不低于20nm。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖8所示。
[0058](11)、在N型晶體硅基體10的背表面使用銀漿印刷電極并進(jìn)行烘干，其電極圖案為H型柵線，其中背面主柵22線寬0.5-3mm，長(zhǎng)154mm，等間距設(shè)置3-6根，背面副柵26線寬40-1 OOym，長(zhǎng)154mm，互相平行，間距為I.55mm，共設(shè)置100根。務(wù)必使印刷后的背面副柵26落在局部η+重?fù)诫s區(qū)域161內(nèi)。在N型晶體硅基體10的正表面使用摻鋁銀漿印刷正面主柵20和正面副柵24并進(jìn)行烘干。其中正面主柵20線寬0.5-3mm，長(zhǎng)154mm，等間距設(shè)置3-6根。正面副柵24線寬40-100μπι，長(zhǎng)154mm，互相平行，間距為1.95mm，共設(shè)置80根。完成本步驟后的電池結(jié)構(gòu)如圖9所示。
[0059](12)、將步驟(11)處理后的N型晶體硅基體10傳送入帶式燒結(jié)爐進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)峰值溫度為不高于900°C，即完成局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池的制作。
[0060]本實(shí)施例提供的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池通過(guò)設(shè)置介質(zhì)膜、耐酸漿料掩膜、酸液腐蝕和堿液腐蝕等一系列操作處理后，可以在N型晶體硅的背面形成選擇性的局部η+重?fù)诫s區(qū)域，后續(xù)金屬化時(shí)，副柵金屬漿料僅接觸局部η+重?fù)诫s區(qū)域。由于副柵僅和局部η+重?fù)诫s區(qū)域接觸，所以接觸電阻低、填充因子高；同時(shí)，不和副柵接觸的區(qū)域?yàn)榉菗诫s區(qū)域，所以俄歇復(fù)合低、開(kāi)路電壓高。而采用現(xiàn)有技術(shù)，如果背面的η+摻雜區(qū)域?yàn)橹負(fù)诫s，雖然接觸電阻低，但是開(kāi)路電壓也低;如果背面的η+摻雜區(qū)域?yàn)檩p摻雜，雖然開(kāi)路電壓高，但是接觸電阻高、填充因子差。由此可見(jiàn)，按照上述方法制備的η型太陽(yáng)能電池可以克服現(xiàn)有技術(shù)存在的開(kāi)路電壓和填充因子的矛盾，故而具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0061]本實(shí)施例還提供了一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下連接的前層材料、封裝材料、局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池是上述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池。本實(shí)施例的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件的改進(jìn)僅涉及上述的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。
[0062]本實(shí)施例還提供了一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)以上串聯(lián)的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件是上述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。本實(shí)施例的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)及工作原理使用本領(lǐng)域公知的技術(shù)，且本實(shí)用新型提供的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的改進(jìn)僅涉及上述的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，不對(duì)其他部分進(jìn)行改動(dòng)。故本說(shuō)明書(shū)僅對(duì)局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池及其制備方法進(jìn)行詳述，對(duì)局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)的其他部件及工作原理這里不再贅述。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本說(shuō)明書(shū)描述的內(nèi)容基礎(chǔ)上，即可實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)。
[0063]最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作了詳細(xì)地說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的實(shí)質(zhì)和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，包括N型晶體硅基體，所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內(nèi)到外的P+摻雜區(qū)域和正表面鈍化減反膜;所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內(nèi)到外的局部η+重?fù)诫s區(qū)域和背表面鈍化膜;其特征在于:所述N型晶體硅基體還包括設(shè)置在背表面的背面電極，所述背面電極包括背面主柵和背面副柵，所述背面副柵與所述局部η+重?fù)诫s區(qū)域連接;所述背面主柵的長(zhǎng)與寬的比值小于或者等于600。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述背面主柵和所述背面副柵構(gòu)成H型柵線，其中背面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3_6根，背面副柵寬40-1OOum03.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述N型晶體硅基體還包括設(shè)置在正表面的正面電極，所述正面電極包括正面主柵和正面副柵，其中正面主柵寬0.5-3mm，等間距設(shè)置3-6根，正面副柵寬40-100μπι。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述鈍化減反膜是Si02、SiNx或Al2O3介質(zhì)膜中一種或多種，所述鈍化減反膜的厚度為70?llOnm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述鈍化膜是S12和SiNx介質(zhì)膜組成的復(fù)合介質(zhì)膜，所述鈍化膜的厚度為不低于20nm。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述背面主柵是銀背面主柵。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述背面副柵是銀背面副柵。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池，其特征在于:所述正面主柵是銀鋁合金正面主柵，所述正面副柵是銀鋁合金正面副柵。9.一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，包括由上至下依次設(shè)置的前層材料、封裝材料、局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池、封裝材料、背層材料，其特征在于:所述局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池是權(quán)利要求1-8任一所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池。10.—種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池系統(tǒng)，包括一個(gè)以上串聯(lián)的局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件，其特征在于:所述局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件是權(quán)利要求9所述的一種局部背場(chǎng)N型太陽(yáng)能電池組件。
【文檔編號(hào)】H01L31/0216GK205564799SQ201620362210
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年4月26日
【發(fā)明人】林建偉, 劉志鋒, 孫玉海, 季根華, 張育政
【申請(qǐng)人】泰州中來(lái)光電科技有限公司