專利名稱：用于x射線發(fā)生器的開關(guān)裝置的制作方法
用于X射線發(fā)生器的開關(guān)裝置
背景技術(shù)：
輻射發(fā)生器，尤其是χ射線發(fā)生器可以包括諧振逆變器，其可以在高開關(guān)頻率下工作，例如，在IOOkHz (千赫)或更高的開關(guān)頻率下工作。這些開關(guān)頻率可能導致增加的開關(guān)損耗。在諧振逆變器中，可以利用多個開關(guān)，例如，幾個M0SFET。這些MOSFET可以相互并聯(lián)，它們的寄生輸出電容可能會由于并聯(lián)連接而累加。寄生輸出電容可以與發(fā)生器的干線電壓成反比，其輸出電容在零電壓開關(guān)輔下可能尤其大。缺點是在接通時，可能在MOSFET的漏極和MOSFET的柵極之間發(fā)生寄生振蕩。這些寄生振蕩可能發(fā)生在處于電路橋的一部分內(nèi)的一個MOSFET和處于電路橋的另一部分內(nèi)的另一 MOSFET之間。此外，還可能出現(xiàn)寄生電感。所生成的寄生振蕩可能產(chǎn)生限制諧振逆變器的安全運行的高損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于χ射線發(fā)生器的開關(guān)裝置和一種用于χ射線發(fā)生器的開關(guān)裝置的控制方法，其可以減少由諧振功率變換器的輸出處的開關(guān)切換而導致的振蕩現(xiàn)象。本發(fā)明的目的是通過獨立權(quán)利要求的主題實現(xiàn)的，在獨立權(quán)利要求中包含了有利實施例。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，提供了一種用于在諧振功率變換器的輸出端提供所需的輸出電力電壓的用于X射線發(fā)生器的開關(guān)裝置。所述開關(guān)裝置可以包括主開關(guān)和輔助開關(guān)，其中，所述主開關(guān)可以包括第一內(nèi)部電容，并且其中，可以將所述輔助開關(guān)并聯(lián)連接到所述主開關(guān)上。此外，所述主開關(guān)可以是可控的，所述輔助開關(guān)也可以是可控的。此外， 能夠與所述主開關(guān)相關(guān)地對所述輔助開關(guān)進行控制，其中，可以對所述輔助開關(guān)進行控制， 從而使所述主開關(guān)的第一內(nèi)部電容放電。采用所提出的電路，可以以降低的開關(guān)損耗接通主開關(guān)。提供了主開關(guān)的平滑或柔和的開關(guān)切換?？梢詼p少開關(guān)過程中的寄生振蕩。一種降低開關(guān)損耗的方法可以是零電流開關(guān)(ZCS)，其可以是一種柔和的開關(guān)方法。諧振逆變器可以在與準諧振零電流開關(guān)(ZCS)模式結(jié)合的零電壓開關(guān)(ZVS)模式下工作。在這一開關(guān)模式下，可以監(jiān)測通過負載的諧振電流，并且可以采用相移裝置(PD傳遞函數(shù))估算適當?shù)拈_關(guān)點。在預定的開關(guān)時間上，可以對諸如MOSFET的開關(guān)進行開關(guān)轉(zhuǎn)換， 因而可以執(zhí)行從一個功率電平到另一功率電平的調(diào)節(jié)過程。例如，在WO 2006/114719Α1中對零電流開關(guān)(ZCS)的狀況做出了解釋。主開關(guān)可以包括輸出電容，其可以是寄生電容，并且其可以是第一主開關(guān)的輸出電容。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述輔助開關(guān)可以按照與主開關(guān)同步的方式工作。可以提供關(guān)于主開關(guān)和輔助開關(guān)的接通和/或斷開的同步。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，主開關(guān)可以包括第一 MOSFET。所述MOSFET為半導體，其可以為CFD型M0SFET，例如，其屬于hfineon公司的 CoolMOS 功率晶體管系列。所述MOSFET可以具有大約50V(伏)的輸出電壓。與其它半導體，例如，IGBT相比，MOSFET可以在更短的時間內(nèi)開關(guān)。根據(jù)示范性實施例，所述輔助開關(guān)可以包括第二 M0SFET?？梢灶A見，第一 MOSFET和第二 MOSFET在其電性能和熱性能方面并不等同。第二 MOSFET可以包括不同的Rdson，其可以是體電阻，也可以是MOSFET的路徑電阻。所述第二 MOSFET和第一 MOSFET可以具有相同的電壓等級，例如，600V (伏)。此外，第一 MOSFET和第二 MOSFET可以位于分離的外殼內(nèi)。根據(jù)示范性實施例，可以使第一 MOSFET的第一漏極連接與第二 MOSFET的第二漏極連接進行連接，可以使第一 MOSFET的第一源極連接與第二 MOSFET的第二源極連接進行連接。MOSFET可以包括源極連接、漏極連接和增益連接。可以使第一 MOSFET和第二 MOSFET相互并聯(lián)連接。與單個MOSFET相比，具有多個MOSFET的電路可以提供更高的輸出電流。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述輔助開關(guān)可以適于承載主開關(guān)的全部電流。所述主開關(guān)的全部電流可以是主開關(guān)接通時的輸出電流。所述輸出電流可以是開關(guān)裝置的諧振電流。在第一時刻上，主開關(guān)的全部諧振電流可以由主開關(guān)承載，在第二時刻上，主開關(guān)的相同的全部諧振電流可以至少在短時間周期內(nèi)，例如，若干毫秒內(nèi)由輔助開關(guān)承載。從而提供了從主開關(guān)到輔助開關(guān)的電流或諧振電流轉(zhuǎn)換或切換。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述主開關(guān)可以包括第一 Rdson，所述輔助開關(guān)可以包括第二 Rdson，其中，所述第一 RdsOn可以小于所述第二 Rdson。Rdson是半導體的漏極和源極之間的體電阻或路徑電阻。所述主開關(guān)可以是第一半導體，所述輔助開關(guān)可以是第二半導體。路徑電阻可以取決于半導體的尺寸和構(gòu)形。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述主開關(guān)可以包括第一內(nèi)部電容，所述輔助開關(guān)可以包括第二內(nèi)部電容。此外，所述第二內(nèi)部電容可以小于所述第一內(nèi)部電容。內(nèi)部電容可以是可以存在于實際電氣部件中的寄生電容。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述主開關(guān)可以包括η型M0SFET。與ρ型MOSFET相比，η型MOSFET可以具有更小的開關(guān)損耗。此外，輔助開關(guān)也可以包括η型M0SFET。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，可以使所述主開關(guān)與開關(guān)電容并聯(lián)連接。作為電氣部件的開關(guān)電容或緩沖電容可以實現(xiàn)主開關(guān)的輸出電壓的穩(wěn)定化。根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，可以提供一種諧振逆變器，其可以包括上述開關(guān)裝置。諧振逆變器可以包括由半導體構(gòu)成的第一半橋?？梢灶A見，諧振逆變器可以包括由半導體構(gòu)成的第一半橋和由半導體構(gòu)成的第二半橋。因而，所述諧振逆變器可以包括全橋。諧振逆變器可以包括諧振部件，例如電容器和/或電感。電容器和電感可以相互串聯(lián)連接和/或并聯(lián)連接，從而為諧振逆變器的輸出提供諧振電流。可以利用諧振逆變器為X 射線發(fā)生器，尤其是為X射線設(shè)備的高壓發(fā)生器生成并提供功率。
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根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，可以提供一種對χ射線發(fā)生器的開關(guān)裝置進行控制從而在諧振功率變換器的輸出端提供所需的輸出電力電壓的方法。所述方法可以包括控制主開關(guān)，控制輔助開關(guān)以及通過采用輔助開關(guān)使主開關(guān)的第一內(nèi)部電容放電而使主開關(guān)放 H1^ ο根據(jù)示范性實施例，所述方法可以包括控制主開關(guān)和控制輔助開關(guān)，其包括使輔助開關(guān)的閉合或接通與主開關(guān)的閉合或接通同步。根據(jù)示范性實施例，所述方法還可以包括在重疊時間內(nèi)在輔助開關(guān)接通期間使主開關(guān)接通。可以使輔助開關(guān)的閉合相對于主開關(guān)的接通過程同步發(fā)生。在短時間周期內(nèi)，輔助開關(guān)可以承載全部諧振電流，同時輔助開關(guān)可以使可能包括高RdsOn的主開關(guān)的輸出電容或第一內(nèi)部電容放電?？梢园凑帐芸氐姆绞綀?zhí)行所述轉(zhuǎn)換過程，尤其是使主開關(guān)的開關(guān)電容的放電。其可以實現(xiàn)對寄生振蕩的抑制。根據(jù)示范性實施例，所述重疊時間基本可以具有大約IOns到大約IOOns (納秒) 持續(xù)時間。加載持續(xù)時間可以取決于輔助開關(guān)的RdsOn以及主開關(guān)的半導體的寄生電容。主開關(guān)可以在(例如)50V的電壓下工作。所述加載時間可以是直到主開關(guān)的輸出電壓達到預定電壓電平從而實現(xiàn)諧振變換器的運行目的，例如，使電壓從零伏到50V的時間。所述輔助開關(guān)可以是額外的低功率開關(guān)，例如，M0SFET，其并聯(lián)連接到(例如)作為另一MOSFET的主開關(guān)上?？梢允顾鲚o助開關(guān)按照與主開關(guān)同步的方式工作。在短持續(xù)時間內(nèi)，所述輔助開關(guān)可以承載全部諧振電流，同時輔助開關(guān)可以使具有相對較高的I dson 的主開關(guān)的輸出電容放電。因而，可以按照受控的方式執(zhí)行所述轉(zhuǎn)換過程，尤其是對與一個或多個主開關(guān)相關(guān)的電容的放電。其可以實現(xiàn)對χ射線發(fā)生器的寄生振蕩的抑制。


下述附圖示出了一些示范性實施例，其中圖1示出了 MOSFET的電路的示范性實施例；圖2示出了諧振變換器的半橋的示范性實施例；圖3示出了諧振變換器的全橋的示范性實施例；以及圖4示出了示范性開關(guān)序列的時序圖的示范性實施例。
具體實施例方式應(yīng)當指出，在下文中，所述的本發(fā)明示范性實施例也適用于方法和裝置。圖1示出了包括寄生元件的MOSFET的電路1。所述MOSFET是包括源極2、漏極3 和柵極4的η型MOSFET。在源極3和漏極3之間存在寄生電容5。也可以將這一寄生或內(nèi)部電容5稱為“coss電容”。MOSFET的寄生電容或內(nèi)部電容5可以使MOSFET的輸出電容。 此外，存在與寄生電容5并聯(lián)的二極管6，其沿從源極2到漏極3的方向?qū)?，并阻擋從漏極3到源極2的方向的電流。圖1的電路1概括地示出了 MOSFET的端子2、3、4，還示出了 MOSFET的內(nèi)部寄生元件5、6。圖2示出了包括開關(guān)裝置11或半橋11的諧振變換器10。所述諧振變換器10包括可以與DC電源連接的輸入連接端12，例如，buck變換器。所述輸入連接端12包括正電壓電平端子13和負電壓電平端子14?？梢詫⑺鲐撾妷弘娖蕉俗?4接地或者連接至諧振變換器10的另一參考點。此外，在圖2中，諧振變換器10包括可以與輸入連接端12并聯(lián)連接的干線電壓電容器15。所述干線電壓電容器15可以具有大約270 μ F(微法)的電容。所述諧振變換器 10的半橋11包括第一主開關(guān)16和第二主開關(guān)17。第一主開關(guān)16和第二主開關(guān)17相互串聯(lián)連接。此外，所述第一主開關(guān)16和第二主開關(guān)17的串聯(lián)連接與干線電壓電容器15并聯(lián)連接。所述第一主開關(guān)16包括多個開關(guān)元件18、19、20。此外，所述第二主開關(guān)17包括多個開關(guān)元件21、22、23。在圖2中，開關(guān)元件18、19、20、21、22、23分別為M0SFET。分別使第一主開關(guān)16的 MOSFET 18、19、20相互并聯(lián)連接，分別使第二主開關(guān)17的MOSFET 21、22、23相互并聯(lián)連接。 可以預先，第一主開關(guān)的MOSFET和第二開關(guān)的MOSFET在其電性能和熱性能方面是等同的。 當在同一半導體晶圓內(nèi)制作出所述MOSFET時，就是這種情況。MOSFET 18、19、20、21、22、23 可以是具有600V輸出電壓的M0SFET，并且可以分別屬于包括低Rdson的C00IMOStmCP系列。在圖2中，示出了包括半橋11的諧振變換器10的示范性實施例。然而，諧振變換器10可以在第一主開關(guān)16以及第二主開關(guān)17內(nèi)包括更多或更少的M0SFET。例如，第一主開關(guān)16可以包括十二個相互并聯(lián)連接的M0SFET，第二主開關(guān)也可以包括相互并聯(lián)連接的十二個M0SFET。一個主開關(guān)內(nèi)的MOSFET的數(shù)量可以是諧振電流的函數(shù)?？梢栽谥C振逆變器10的輸出端25設(shè)置諧振電流M。設(shè)置高諧振電流M可以提供諧振逆變器10的高輸出功率，例如，50kW(千瓦)。以對稱的方式構(gòu)建半橋11。因而，第一主開關(guān)16和第二主開關(guān)17等同，這意味著具有相同數(shù)量的開關(guān)元件18、19、20、21、22、23，其中，所述開關(guān)元件可以提供等同的特征線和等同的溫度特性。在圖2中，將第一輔助開關(guān)沈并聯(lián)連接到第一主開關(guān)16上。將第二輔助開關(guān)27 并聯(lián)連接到第二主開關(guān)17上。所述第一輔助開關(guān)沈和第二輔助開關(guān)27等同或基本等同。 所述第一輔助開關(guān)沈是M0SFET，第二輔助開關(guān)27亦如此。兩個輔助開關(guān)沈、27具有相同的特性，即，工作特性和溫度特性。在圖2中，將第一開關(guān)電容器觀并聯(lián)連接到第一輔助開關(guān)沈上。此外，將第一開關(guān)電容器觀并聯(lián)連接到第一主開關(guān)16上。將第二開關(guān)電容器四并聯(lián)連接到第二輔助開關(guān)27上。此外，將第二開關(guān)電容器四并聯(lián)連接到第二主開關(guān)17上。所述第一開關(guān)電容器觀和第二開關(guān)電容器四是等同的，也可以分別將其稱為“緩沖(simbber)電容器”。緩沖電容器觀、四可以分別使主開關(guān)16、17的電壓穩(wěn)定。在圖2中，還可能存在其它電容，所述電容可能是MOSFET的寄生電容，如圖1所示。每一 MOSFET的這些電容5也可能存在于圖2中，但未示出。此外，在諧振變換器10中可能存在電感，在圖2中未示出。這些電感可能是由諧振變換器的部件15、16、17、26、27、 28J9之間的布線引起的。此外，圖2的諧振變換器10包括第一橋電容器30和第二橋電容器31。所述第一橋電容器30和第二橋電容器31串聯(lián)連接。電容器30、31的串聯(lián)連接包括第二輸入連接端 34。所述第二輸入端連接包括正電壓電平端子15和負電壓電平端子36。
電容器30、31通過輸出25與半橋11連接。諧振電容器32和電感33在輸出25 處串聯(lián)連接。電感33是變壓器的部分，其尤其是變壓器的初級繞組。所述變壓器可以將諧振變換器10的輸出電壓變換至用于χ射線管的更高的電壓。諧振變換器10在變壓器的初級繞組處的輸出電壓可以具有大約400V到大約1500V的電壓電平，例如，其取決于第一和第二主開關(guān)16、17的開關(guān)元件的數(shù)量。可以將端子25處的輸出電壓變換成更高的電壓，例如，40kV(千伏)到150kV(千伏)的電壓，其取決于變壓器的傳遞因數(shù)，例如，可以利用大約 25到大約80的因數(shù)。圖3示出了包括第一半橋11和第二半橋111的諧振變換器100的另一示范性實施例。使這兩個半橋11、111通過諧振變換器100的輸出25相互連接。第一半橋11和第二半橋111是等同的。此外，圖3的第一半橋11與圖2的半橋11是等同的。因此，涉及圖 2的解釋對于圖3的諧振變換器100的電路同樣有效。在圖2和圖3中，示出了箭頭37，其指示提供在開關(guān)過程中由第一主開關(guān)16和第二主開關(guān)17之間的短路電流引起的振蕩的路徑。在接通時MOSFET的輸出電容5和半橋的另一部分中的另一MOSFET的輸出電容5與寄生電感之間可能發(fā)生寄生振蕩。此外，路徑37 通過干線電壓電容器15上的干線電壓閉合，因而可能發(fā)生短路。但是，在第二主開關(guān)17接通的同時，第一主開關(guān)16可以不接通，以避免半橋11的短路。通過所提供的利用輔助開關(guān)的開關(guān)方法可以減少或基本消除振蕩。圖4針對零電流開關(guān)(ZCS)的一個示范性功率電平示出了圖2和圖3所示的電路的不同開關(guān)的示范性開關(guān)序列251、252、253、2M的時序圖200。開關(guān)序列251、252、253、254 是時間相關(guān)的，這一點由箭頭201指示。按照相同時標采取上下位置示出了開關(guān)序列251、 252、253、254，從而對多個開關(guān)點進行比較。第一開關(guān)序列251示出了第一輔助開關(guān)沈的時間相關(guān)開關(guān)。第二開關(guān)序列252 示出了主開關(guān)16的一個開關(guān)元件的時間相關(guān)開關(guān)，例如，所述元件為MOSFET 18。由于一個主開關(guān)的所有開關(guān)元件都是等同的，而且按照等同的方式受到控制，因而開關(guān)序列252對于第一主開關(guān)16的其它MOSFET 19、20也有效。第三開關(guān)序列253示出了第二輔助開關(guān)27 的時間相關(guān)開關(guān)。第四開關(guān)序列2M示出了第二主開關(guān)17的一個開關(guān)元件的時間相關(guān)開關(guān)序列，例如，所述元件為MOSFET 21。由于一個主開關(guān)的所有開關(guān)元件都是等同的，并且對于每一主開關(guān)而言按照等同的方式受到控制，因而第四開關(guān)序列2M對于第二主開關(guān)17 的其它MOSFET 22、23也是有效的。在圖4中，由高電平電壓指出了所有開關(guān)18、21、沈、27 的接通狀態(tài)，由低電平或零電平電壓指出了斷開狀態(tài)。在圖4中，第一輔助開關(guān)沈和第二輔助開關(guān)27的相對于它們的接通持續(xù)時間而言的時間間隔是等同的，采用持續(xù)時間210對其進行表示。但是，第一輔助開關(guān)沈和第二輔助開關(guān)27的時間間隔在時間上相對于彼此存在偏移，通過持續(xù)時間211對此加以表示。第一主開關(guān)16和第二主開關(guān)17的相對于它們的接通持續(xù)時間而言的時間間隔是等同的，采用持續(xù)時間212對其加以表示。然而，第一主開關(guān)16和第二主開關(guān)17的時間間隔相對于彼此存在時間偏移，采用持續(xù)時間213對其加以表示。在對開關(guān)序列251、252、253、2M進行比較時，存在死時間214。死時間214是開關(guān) 18、21、26、27中沒有任何一個開關(guān)接通的持續(xù)時間。所述死時間可以包括大約500ns (納秒)的持續(xù)時間。
在第一輔助開關(guān)沈接通的時間內(nèi)第一主開關(guān)18接通。因而，第一主開關(guān)18和第一輔助開關(guān)26具有它們二者均接通的共同時間215。這意味著第一主開關(guān)18的接通時間與第一輔助開關(guān)26的接通時間重疊。在第二輔助開關(guān)27接通的時間內(nèi)第二主開關(guān)21接通。因而，第二主開關(guān)21和第二輔助開關(guān)27具有它們二者均接通的共同時間215。這意味著第二主開關(guān)21的接通時間與第二輔助開關(guān)27的接通時間重疊。開關(guān)序列251和252的重疊時間215與開關(guān)序列253和254的重疊時間215是等同的。圖4中的時序圖表明，第一輔助開關(guān)沈與第一主開關(guān)18同步工作，第二輔助開關(guān) 27與第二主開關(guān)21同步工作。此外，在重疊時間215內(nèi)，第一輔助開關(guān)吏第一主開關(guān) 18的寄生電容5放電。在重疊時間215內(nèi)，第二輔助開關(guān)按照相同的方式使第二主開關(guān)21 的寄生電容5放電。應(yīng)當注意，上述實施例旨在對本發(fā)明進行舉例說明，而不是對其做出限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在不背離所附權(quán)利要求的范圍的情況下設(shè)計出很多替代實施例。應(yīng)當指出，尤其可以將本發(fā)明用于一般的諧振整流器，還可以用于χ射線高壓發(fā)生器，以及用于具有全尺寸分辨率的受控系統(tǒng)。還應(yīng)當指出，不應(yīng)將權(quán)利要求中的附圖標記推斷為對權(quán)利要求的范圍構(gòu)成限制。此外，應(yīng)當指出，“包括” 一詞不排除其它元件或步驟，單數(shù)冠詞不排除復數(shù)。可以將聯(lián)系不同實施例描述的元件合并。
權(quán)利要求
1.一種用于在諧振功率變換器的輸出端提供所需的輸出電力電壓的用于χ射線發(fā)生器的開關(guān)裝置，所述開關(guān)裝置包括 主開關(guān)(16)， 輔助開關(guān)06)，其中所述主開關(guān)(16)包括第一內(nèi)部電容(5)， 其中所述輔助開關(guān)06)并聯(lián)連接至所述主開關(guān)(16)， 其中所述主開關(guān)(16)是可控的， 其中所述輔助開關(guān)06)是可控的，其中能夠與所述主開關(guān)(16)相關(guān)地對所述輔助開關(guān)06)進行控制， 其中能夠?qū)λ鲚o助開關(guān)06)進行控制，從而使所述主開關(guān)(16)的所述第一內(nèi)部電容(5)放電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開關(guān)裝置，其中所述輔助開關(guān)06)能夠與所述主開關(guān)(16)同步地操作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的開關(guān)裝置，其中所述主開關(guān)(16)包括第一 MOSFET (18)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一項所述的開關(guān)裝置， 其中所述輔助開關(guān)06)包括第二 MOSFET (沈)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項所述的開關(guān)裝置，其中所述第一 MOSFET (18)的第一漏極連接(3)與所述第MOSFET (26)的第二漏極連接 (3)連接，并且所述第一MOSFET (18)的第一源極連接(2)與所述第二 MOSFET (26)的第二源極連接⑵連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一項所述的開關(guān)裝置，其中所述輔助開關(guān)06)適于承載所述主開關(guān)(16)的全部電流。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項所述的開關(guān)裝置，其中所述主開關(guān)(16)包括第一 I ds0n，所述輔助開關(guān)06)包括第二 Rdson，其中，所述第一 Rdson 小于所述第二 RdsOn0
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中任一項所述的開關(guān)裝置，其中所述主開關(guān)(16)包括第一內(nèi)部電容(5)，所述輔助開關(guān)06)包括第二內(nèi)部電容 (5)，其中，所述第二內(nèi)部電容(5)小于所述第一內(nèi)部電容(5)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一項所述的開關(guān)裝置， 其中所述主開關(guān)(16)包括η型M0SFET。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中任一項所述的開關(guān)裝置， 其中所述主開關(guān)(16)并聯(lián)連接至開關(guān)電容08)。
11.一種諧振逆變器，包括根據(jù)權(quán)利要求1到10中的一項所述的開關(guān)裝置。
12.一種對用于χ射線發(fā)生器的開關(guān)裝置進行控制從而在諧振功率變換器的輸出端提供所需的輸出功率的方法，所述方法包括控制主開關(guān)(16)，控制輔助開關(guān)06)，通過利用所述輔助開關(guān)06)使所述主開關(guān)(16)的第一內(nèi)部電容(5)放電而使所述主開關(guān)(16)放電。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，其中控制所述主開關(guān)(16)和控制所述輔助開關(guān)06)包括與閉合所述主開關(guān)同步地閉合所述輔助開關(guān)06)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中在重疊時間015)內(nèi)在所述輔助開關(guān)06) 的接通期間使所述主開關(guān)(18)接通。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述重疊時間(215)基本具有大約IOns到大約 IOOns的持續(xù)時間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于在諧振功率變換器的輸出端提供所需的輸出電力電壓的用于x射線發(fā)生器的開關(guān)裝置。所述開關(guān)裝置可以包括主開關(guān)16和輔助開關(guān)26，其中，所述主開關(guān)16可以包括第一內(nèi)部電容5，并且其中，可以將所述輔助開關(guān)26并聯(lián)連接至所述主開關(guān)16。此外，所述主開關(guān)16可以是可控的，所述輔助開關(guān)26也可以是可控的。此外，能夠與所述主開關(guān)(16)相關(guān)地對所述輔助開關(guān)(26)進行控制，其中，可以對所述輔助開關(guān)26進行控制，從而使所述主開關(guān)的第一內(nèi)部電容5放電。
文檔編號H02M1/34GK102484421SQ201080040002
公開日2012年5月30日 申請日期2010年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月8日
發(fā)明者N·艾德萊 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司