本公開涉及電子設(shè)備領(lǐng)域,尤其涉及一種充電控制方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。
背景技術(shù):
1、隨著電子科技的飛速發(fā)展,電池的應(yīng)用范圍越來越廣泛,然而目前對電池的充電方式比較單一。
2、示例性地,對所有的用戶使用統(tǒng)一的充電標(biāo)準(zhǔn),從而使得有些用戶的電池因?yàn)槌潆妳?shù)不合適老化迅速,進(jìn)而縮短了電池的使用壽命。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開提供一種充電控制方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。
2、根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面,提供一種充電控制方法,包括:
3、根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
4、當(dāng)所述第一設(shè)備為所述目標(biāo)設(shè)備時,對所述第一設(shè)備執(zhí)行充電保護(hù)操作。
5、可選的,所述當(dāng)所述第一設(shè)備為所述目標(biāo)設(shè)備時,對所述第一設(shè)備執(zhí)行充電保護(hù)操作,包括:
6、當(dāng)所述第一設(shè)備為所述目標(biāo)設(shè)備時,降低所述第一設(shè)備的充電電壓。
7、可選的,所述充電電壓包括:充電截止電壓。
8、可選的,所述目標(biāo)設(shè)備的平均放電深度大于預(yù)設(shè)的平均放電深度;和/或,所述目標(biāo)設(shè)備的平均充電深度大于預(yù)設(shè)的平均充電深度。
9、可選的,所述方法還包括:
10、根據(jù)所述目標(biāo)設(shè)備使用的充電協(xié)議的類型,確定所述第一設(shè)備的充電電壓的降低壓差。
11、可選的,所述根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備,包括:
12、根據(jù)所述第一設(shè)備的相對荷電狀態(tài)和/或充電深度,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備。
13、可選的,所述根據(jù)所述第一設(shè)備的相對荷電狀態(tài)和/或充電深度,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備,包括以下至少之一:
14、當(dāng)n次放電有n次相對荷電狀態(tài)小于或等于第一閾值,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
15、當(dāng)m次充電有m次相對荷電狀態(tài)大于或等于第二閾值,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
16、當(dāng)x次放電有x次放電深度大于或等于第三閾值,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
17、當(dāng)y次充電的平均相對荷電狀態(tài)大于或等于第四閾值時,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備。
18、可選的,所述當(dāng)y次充電的平均相對荷電狀態(tài)大于或等于第四閾值時,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備還包括:
19、根據(jù)預(yù)設(shè)比值和所述y,確定所述第四閾值。
20、可選的,所述根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備,包括:
21、在對所述第一設(shè)備充電之前,根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備。
22、根據(jù)本公開實(shí)施例的第二方面,提供一種充電控制裝置,包括:
23、第一確定模塊,用于根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
24、控制模塊,用于當(dāng)所述第一設(shè)備為所述目標(biāo)設(shè)備時,對所述第一設(shè)備執(zhí)行充電保護(hù)操作。
25、可選的,所述控制模塊,還用于:
26、控制當(dāng)所述第一設(shè)備為所述目標(biāo)設(shè)備時,降低所述第一設(shè)備的充電電壓。
27、可選的,所述充電電壓包括:充電截止電壓。
28、可選的,所述目標(biāo)設(shè)備的平均放電深度大于預(yù)設(shè)的平均放電深度;和/或,所述目標(biāo)設(shè)備的平均充電深度大于預(yù)設(shè)的平均充電深度。
29、可選的,所述裝置還包括:
30、第二確定模塊,用于根據(jù)所述目標(biāo)設(shè)備使用的充電協(xié)議的類型,確定所述第一設(shè)備的充電電壓的降低壓差。
31、可選的,所述第一確定模塊,還用于:
32、根據(jù)所述第一設(shè)備的相對荷電狀態(tài)和/或充電深度,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備。
33、可選的,所述第一確定模塊,還用于,至少確定以下至少之一:
34、當(dāng)n次放電有n次相對荷電狀態(tài)小于或等于第一閾值,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
35、當(dāng)m次充電有m次相對荷電狀態(tài)大于或等于第二閾值,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
36、當(dāng)x次放電有x次放電深度大于或等于第三閾值,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備;
37、當(dāng)y次充電的平均相對荷電狀態(tài)大于或等于第四閾值時,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備。
38、可選的,所述第一確定模塊,還用于:
39、根據(jù)預(yù)設(shè)比值和所述y,確定所述第四閾值。
40、可選的,所述第一確定模塊在對所述第一設(shè)備充電之前,用于根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備。
41、根據(jù)本申請公開文本的第三方面,提供一種電子設(shè)備,包括:
42、處理器;
43、用于存儲處理器可執(zhí)行指令的存儲器;
44、其中,所述處理器用于:執(zhí)行實(shí)現(xiàn)上述權(quán)利要求第一方面中所述的充電控制方法。
45、根據(jù)本公開實(shí)施例的第四方面,提供一種非臨時性計算機(jī)刻度存儲介質(zhì),當(dāng)所述存儲介質(zhì)中的指令由充電控制裝置的處理器執(zhí)行時,使得所述裝置能夠執(zhí)行上述第一方面中所述的充電控制方法。
46、本公開的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果:
47、在本公開的實(shí)施例中,根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備,如果待充電的第一設(shè)備為第一類型設(shè)備,則啟動充電保護(hù)操作。通過這種充電保護(hù)操作,可以減少因?yàn)槟繕?biāo)設(shè)備不合適而加速電池老化的影響,延緩電池的使用壽命,提升用戶體驗(yàn)。
48、應(yīng)當(dāng)理解的是,以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的,并不能限制本公開。
1.一種充電控制方法,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述當(dāng)所述第一設(shè)備為所述目標(biāo)設(shè)備時,對所述第一設(shè)備執(zhí)行充電保護(hù)操作,包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述充電電壓包括:充電截止電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述目標(biāo)設(shè)備的平均放電深度大于預(yù)設(shè)的平均放電深度;和/或,所述目標(biāo)設(shè)備的平均充電深度大于預(yù)設(shè)的平均充電深度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述當(dāng)y次充電的平均相對荷電狀態(tài)大于或等于第四閾值時,確定所述第一設(shè)備為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備還包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備,包括:
10.一種充電控制裝置,其特征在于,包括:
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置,其特征在于,所述控制模塊,還用于:
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其特征在于,所述充電電壓包括:充電截止電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的裝置,其特征在于,所述目標(biāo)設(shè)備的平均放電深度大于預(yù)設(shè)的平均放電深度;和/或,所述目標(biāo)設(shè)備的平均充電深度大于預(yù)設(shè)的平均充電深度。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括:
15.根據(jù)權(quán)利要求10至12任一項(xiàng)所述的裝置,其特征在于,所述第一確定模塊,還用于:
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置,其特征在于,所述第一確定模塊,還用于,至少確定以下至少之一:
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置,其特征在于,所述第一確定模塊,還用于:
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置,其特征在于,所述第一確定模塊在對所述第一設(shè)備充電之前,用于根據(jù)第一設(shè)備的充放電狀態(tài)信息,確定所述第一設(shè)備是否為滿足預(yù)設(shè)條件的目標(biāo)設(shè)備。
19.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括:
20.一種非臨時性計算機(jī)可讀存儲介質(zhì),當(dāng)所述存儲介質(zhì)中的指令由充電控制裝置的處理器執(zhí)行時,使得所述裝置能夠執(zhí)行上述權(quán)利要求1至9中任一種所述的充電控制方法。