本發(fā)明涉及一種用于電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路或用于電機(jī)的不同相位的多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)：

1、包括逆變器在內(nèi)的功率放大器可被用于為交流(ac)三相電機(jī)供電。功率放大器可由低功率輸入控制，并為高功率元件或半導(dǎo)體(包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)、雙極結(jié)晶體管(bjt)、絕緣柵雙極晶體管(igbt)、碳化硅(sic)或其他類型的半導(dǎo)體開關(guān))的一個(gè)或多個(gè)的柵極輸入產(chǎn)生大電流驅(qū)動(dòng)輸入。

2、傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)遇到的一個(gè)問(wèn)題是，逆變器可能會(huì)在電機(jī)的相位之間發(fā)生接地移動(dòng)。電機(jī)相位和邏輯接地之間的接地移動(dòng)給用于控制的邏輯板和用于電源的電源板之間的鏈接帶來(lái)了挑戰(zhàn)。

3、傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)遇到的另一個(gè)問(wèn)題是輸出中的振鈴或振蕩。當(dāng)功率放大器包括或由標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器電路(包括電阻器電容器(rc)濾波器/子電路)來(lái)驅(qū)動(dòng)時(shí)，高功率元件的輸出會(huì)出現(xiàn)振鈴。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)公開了一種用于電機(jī)的波形電路，所述波形電路包括：

2、第一晶體管，所述第一晶體管被配置為在接通期間使得電流基本上通過(guò)所述波形電路，并在斷開期間使得所述電流阻斷，以進(jìn)行所述電機(jī)的電源電路的過(guò)渡；

3、第二晶體管，所述第二晶體管被配置為在接通期間使得通過(guò)所述波形電路的電流基本上阻斷，并在斷開期間使得電流基本上通過(guò)，從而根據(jù)轉(zhuǎn)移函數(shù)進(jìn)行所述電機(jī)的所述電源電路的過(guò)渡；

4、第一子電路，所述第一子電路聯(lián)接至所述第一晶體管并且被配置為確定用于所述波形電路的所述轉(zhuǎn)移函數(shù)的第一斜率區(qū)域；以及

5、第二子電路，所述第二子電路聯(lián)接至所述第一晶體管并且被配置為確定用于所述波形電路的所述轉(zhuǎn)移函數(shù)的第二斜率區(qū)域，其中所述第二子電路包括確定所述第二斜率區(qū)域的寬度的電容器。

6、本申請(qǐng)還公開了一種用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的電源電路的方法，所述方法包括：

7、接收輸入信號(hào)，其中所述輸入信號(hào)指示所述電機(jī)的所述電源電路的過(guò)渡；

8、阻斷在柵極驅(qū)動(dòng)器的第一晶體管處的電流，以根據(jù)轉(zhuǎn)移函數(shù)進(jìn)行所述電機(jī)的所述電源電路從通到斷的過(guò)渡，其中所述轉(zhuǎn)移函數(shù)包括：由第二子電路轉(zhuǎn)移曲線確定的第一斜率區(qū)域和由第二子電路轉(zhuǎn)移曲線確定的第二斜率區(qū)域；以及

9、在所述電機(jī)的所述電源電路從通到斷的過(guò)渡期間，使第二晶體管處的電流通過(guò)所述柵極驅(qū)動(dòng)器。

10、本公開還公開了一種用于電機(jī)的波形電路，所述波形電路包括：

11、多個(gè)晶體管，所述多個(gè)晶體管被配置為根據(jù)轉(zhuǎn)移函數(shù)選擇性地使得電流通過(guò)和阻斷，以進(jìn)行所述電機(jī)的電源電路的過(guò)渡；

12、第一子電路，所述第一子電路聯(lián)接至所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管并且被配置為確定用于所述波形電路的所述轉(zhuǎn)移函數(shù)的第一斜率區(qū)域；以及

13、第二子電路，所述第二子電路聯(lián)接至所述多個(gè)晶體管中的至少一個(gè)晶體管并且被配置為確定用于所述波形電路的所述轉(zhuǎn)移函數(shù)的第二斜率區(qū)域，其中所述第二子電路包括確定所述第二斜率區(qū)域的寬度的電容器。

技術(shù)特征：

1.一種用于電機(jī)的波形電路，所述波形電路包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波形電路，其中所述第一子電路包括具有確定所述第一斜率區(qū)域的值的第一電阻器和第二電容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波形電路，其中聯(lián)接至所述電機(jī)的所述電源電路的射極跟隨器電路放大所述波形電路的輸出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波形電路，進(jìn)一步包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的波形電路，其中所述第三子電路包括具有確定所述第三斜率區(qū)域的值的第二電阻器和第三電阻器。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的波形電路，其中所述第三斜率區(qū)域的斜率大于所述第二斜率區(qū)域的斜率，并且所述第三斜率區(qū)域的斜率大于所述第一斜率區(qū)域的斜率。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波形電路，其中所述第一斜率區(qū)域的斜率大于所述第二斜率區(qū)域的斜率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波形電路，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管是p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波形電路，其中所述電源電路包括至少一個(gè)半橋逆變器。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的波形電路，其中所述電源電路包括三個(gè)半橋逆變器，所述三個(gè)半橋逆變器中的每一個(gè)包括多個(gè)功率mosfet。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的波形電路，其中所述第一晶體管或所述第二晶體管與所述電源電路的溫度基本相同，以進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

12.一種用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的電源電路的方法，所述方法包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述電機(jī)的所述電源電路的過(guò)渡是接通過(guò)渡，并且所述電機(jī)的所述電源電路的過(guò)渡是斷開過(guò)渡，所述方法進(jìn)一步包括：

14.一種用于電機(jī)的波形電路，所述波形電路包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的波形電路，其中所述第一子電路包括具有確定所述第一斜率區(qū)域的值的第一電阻器和第二電容器。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的波形電路，其中聯(lián)接至所述電機(jī)的所述電源電路的射極跟隨器電路放大所述波形電路的輸出。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的波形電路，進(jìn)一步包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的波形電路，其中所述第三子電路包括具有確定所述第三斜率區(qū)域的值第二電阻器和第三電阻器。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的波形電路，其中所述第三斜率區(qū)域的斜率大于所述第二斜率區(qū)域的斜率，并且所述第三斜率區(qū)域的斜率大于所述第一斜率區(qū)域的斜率。

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的波形電路，其中所述第一斜率區(qū)域的斜率大于所述第二斜率區(qū)域的斜率。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種帶轉(zhuǎn)移曲線柵極驅(qū)動(dòng)器和接地偏移補(bǔ)償?shù)墓β蔒OSFET驅(qū)動(dòng)電路。用于電機(jī)的波形電路至少包括第一晶體管、第二晶體管、第一子電路和第二子電路。第一晶體管被配置為在接通期間使電流基本上通過(guò)波形電路，并在斷開期間使得電流阻斷，以進(jìn)行電機(jī)的電源電路的過(guò)渡。第二晶體管被配置為在接通期間使得通過(guò)波形電路的電流基本上阻斷，并在斷開期間基本上使得電流通過(guò)，從而根據(jù)轉(zhuǎn)移函數(shù)進(jìn)行所述電機(jī)的電源電路的過(guò)渡。第一子電路聯(lián)接至第一晶體管并且被配置為確定波形電路的轉(zhuǎn)移函數(shù)的第一斜率區(qū)域。第二子電路聯(lián)接至第一晶體管并且被配置為確定波形電路的轉(zhuǎn)移函數(shù)的第二斜率區(qū)域。

技術(shù)研發(fā)人員：B·斯里文格斯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：科蒂斯儀器公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21