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用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)涞闹谱鞣椒?

文檔序號:7310737閱讀:394來源:國知局
專利名稱:用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)涞闹谱鞣椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電力靜止變換的方法和電路,尤其涉及用于直流升壓或降壓的軟開關(guān)電路拓?fù)洹?br> 現(xiàn)有用于電力靜止變換的技術(shù),例如常規(guī)的Boost(升壓型)電路,如

圖1所示,包括電壓源Ui、儲能電感Lm、MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管)開關(guān)器件VS、超快恢復(fù)二極管VD、輸出濾波電容CD和負(fù)載電阻RL。在圖2上繪出了該電路的工作時序。例如,在t=t0時刻,開關(guān)器件VS導(dǎo)通,二極管VD硬關(guān)斷。由于二極管VD的載流子存儲效應(yīng),造成它有很大的反向恢復(fù)電流。在t=t1時刻,二極管VD的電流IVD反向恢復(fù)達(dá)到最大值IR,通過開關(guān)器件VS的電流Id-s=Ii+IR。正是這個很大的反向恢復(fù)電流,使得二極管VD的關(guān)斷損耗和開關(guān)器件VS的開通損耗都很大,以致電路效率低下,只能達(dá)到η=95.5%左右,EMI(電磁干擾)噪音也很大。圖2上t=t2時刻,開關(guān)器件VS關(guān)斷,儲能電感Lm的電流通過二極管VD向輸出濾波電容CO充電,磁場儲能轉(zhuǎn)變?yōu)殡妶鰞δ堋?br> 本發(fā)明的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提出一種具有更高電路效率和降低EMI噪音的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓樸方法及其構(gòu)成。本發(fā)明的目的可以通過采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn);提出一種用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)浞椒捌錁?gòu)成,借助半導(dǎo)體功率開關(guān)及其控制邏輯,再適當(dāng)連接儲能元件,來開關(guān)電力電路,變換輸入電力使之具有所需電壓、頻率、相數(shù)或波形。這就是,在一電流源之后或之前構(gòu)筑并聯(lián)的兩開關(guān)支路,該兩支路各自都包括功率開關(guān)和小電感,二者串聯(lián)連接,并且從它們相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)分別通過二極管引出電路;所述兩功率開關(guān)按照各自的控制邏輯交替導(dǎo)通和截止,使在每一開關(guān)周期中功率開關(guān)有零電流開通,二極管有軟恢復(fù)關(guān)斷,從而獲得高效率電力變換。
附圖的圖面說明如下圖1是現(xiàn)有技術(shù)Boost電路的原理圖;圖2是所述Boost電路工作時的電壓、電流時序圖圖3是本發(fā)明軟開關(guān)電路拓?fù)浞椒皹?gòu)成的原理圖之一;圖4是本發(fā)明軟開關(guān)電路拓?fù)浞椒皹?gòu)成的原理圖之二;圖5是用本發(fā)明方法構(gòu)成的Boost電路原理圖;圖6是圖5的Boost電路工作時序圖;圓7是用本發(fā)明方法構(gòu)成的Buck電路原理圖;圖8是用本發(fā)明方法構(gòu)成橋式電路一個臂的原理圖;圖9是本發(fā)明用于PFC(功率因數(shù)校正)電路的一個最佳實(shí)施例具體電路圖。
以下結(jié)合附圖所示各最佳實(shí)施例作進(jìn)一步詳述;本發(fā)明提出的是一種用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)浞椒?,借助半?dǎo)體功率開關(guān)及其控制邏輯,再適當(dāng)聯(lián)接儲能元件,來開關(guān)電力電路,變換輸入電力使之具有所需電壓、頻率、相數(shù)或波形。如圖3、圖4所示,在一電流源IO之后或之前,構(gòu)筑并聯(lián)的第一和第二開關(guān)支路,所述第一支路包括功率開關(guān)SA1和小電感L1,兩者串聯(lián)連接,所述第二支路包括功率開關(guān)SA2和小電感L2,二者同樣串聯(lián)連接,并且從該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)p1和p2分別通過二極管D1和D2引出電路。所述功率開關(guān)SA1和SA2按照各自的控制邏輯交替導(dǎo)通和截止,使在每一開關(guān)周期TS中,開關(guān)SA1或SA2有零電流開通,二極管D1或D2有軟恢復(fù)關(guān)斷,從而獲得高效率的電力變換。這里所述功率開關(guān)SA1和SA2是MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管),或者是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)加上反并聯(lián)的快恢復(fù)二極管。所述二極管D1和D2是快恢復(fù)二極管。本發(fā)明用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)錁?gòu)成,包括半導(dǎo)體開關(guān)器件及其控制電路,以及儲能電感、濾波電容。參照圖3、圖4所示,在一電流源IO之后或之前并聯(lián)連接兩開關(guān)支路,其一由開關(guān)器件VS1和小電感L1串聯(lián)組成,另一由開關(guān)器件VS2和小電感L2串聯(lián)組成,從該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q1和q2又分別通過二極管VD1和VD2引出電路。所述控制電路令開關(guān)器件VS1和VS2交替導(dǎo)通和截止,從而在任一開關(guān)周期TS內(nèi),器件VS1或VS2都是零電流開通,二極管VD1或VD2則是軟恢復(fù)關(guān)斷。利用本發(fā)明方法構(gòu)成的升壓型Boost電路,見圖5,其并聯(lián)連接的兩開關(guān)支路在一電流源之后,該電流源包括輸入電壓源Ui和主電感Lm,二者串聯(lián)連接。兩二極管VD3和VD4的陽極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q3和q4,所述兩二極管的陰極并聯(lián)連接至濾波電容CO的正極,兩開關(guān)器件VS3和VS4未與小電感L3、L4串聯(lián)的一端相互并聯(lián),并同電容CO的負(fù)極相接,同時作為輸入、輸出端的公共線。以上所述開關(guān)器件VS1~VS4,以及下面要涉及的VS5~VS8、VS7′和VS8′,都是MOSFET,或者是IGBT加上反并聯(lián)的快恢復(fù)二極管。所述二極管VD1~VD4,連同下面要涉及的VD5~VD8、VD7′和VD8′,都是超快恢復(fù)二極管。圖5Boost電路工作時電壓和電流時序見圖6。在t=t0時刻,控制電路令開關(guān)管VS3開通,輸入電流Ii從小電感L4轉(zhuǎn)移至L3流入VS3管,因為L3內(nèi)電流不能突變,從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)管VS3的零電流開通。又因為小電感L4的電流也不能突變,從而經(jīng)L4和二極管VD4流至負(fù)載的電流只能逐漸衰減,至t=t1時刻實(shí)現(xiàn)二極管VD4的軟關(guān)斷。在t=t2時刻,控制電路令VS3管關(guān)斷,主電感Lm和小電感L3的磁場儲能以連續(xù)電流形式經(jīng)二極管VD3向濾波電容CO充電。至t=t3時刻,控制電路又令開關(guān)管VS4開通,同樣由于電感電流不能突變,借助小電感L4和L3實(shí)現(xiàn)二極管VD3軟關(guān)斷和開關(guān)管VS4零電流開通。至t=t4時刻,二極管VD3關(guān)斷。至t=t5時刻,VS4管關(guān)新,Lm和L4的儲能經(jīng)二極管VD4向電容CO饋送。正是本發(fā)明的電路拓?fù)浜涂刂茣r序,令所述開關(guān)管VS3、VS4交替工作,從而保證該兩開關(guān)管零電流開通和二極管VD3、VD4軟關(guān)斷,提高了電路效率,并顯著降低EMI噪音。本發(fā)明的電路拓樸及其控制時序同樣可用于降壓型Buck電路,見圖7,并聯(lián)連接的兩開關(guān)支路在一電流源之前,該電流源包括主電感Lm和輸出濾波電容CO,二者串聯(lián)連接;兩二極管VD5和VD6的陰極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q5和q6,所述兩二極管的陽極并聯(lián)連接至濾波電容CO的負(fù)極,同時作為輸入、輸出端的公共線。兩開關(guān)器件VS5和VS6未與小電感L5、L6串聯(lián)的一端相互并聯(lián),接輸入電壓源Ui正端。圖8展示本發(fā)明軟開關(guān)電路拓樸用于橋式電路一個臂的具體構(gòu)成。據(jù)此可完成高效率、低噪音的交流頻率變換、相數(shù)變換和可變極性的直流變換。所述一個臂的具體構(gòu)成是,將Boost電路和Buck電路揉合成為一個整體,就是,同時在主電感Lm之前和之后分別并聯(lián)連接兩開關(guān)支路。在Lm之前的兩支路,其一由開關(guān)器件VS7和小電感L7串聯(lián)組成,另一由開關(guān)器件VS8和小電感L8串聯(lián)組成,兩二極管VD7和VD8的陰極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q7和q8,該兩二極管的陽極并聯(lián)連接至輸入電壓源Ui負(fù)端,兩開關(guān)器件VS7和VS8未與小電感L7、L8連接的一端相互并聯(lián),接輸入電壓源Ui正端。在Lm之后的兩支路,其一由開關(guān)器件VS7′和小電感L7′串聯(lián)組成,另一由開關(guān)器件VS8′和小電感L8′串聯(lián)組成,兩二極管VD7′和VD8′的陽極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q7′和q8′,該兩二極管的陰極并聯(lián)連接至輸入電壓源Ui正端。兩開關(guān)器件VS7′和VS8′未與小電感L7′、L8′連接的一端相互并聯(lián),接輸入電壓源Ui負(fù)端。所有各小電感L7、L8、L7′和L8′未與各自的開關(guān)器件VS7、VS8、VS7′和VS8′連接的一端全部并聯(lián)、接主電感Lm。本發(fā)明的電路拓?fù)浼捌淇刂茣r序用于2千瓦PFC(功率因數(shù)校正)電路的實(shí)例見圖9,這是一個具有軟開關(guān)電路拓?fù)涞纳龎盒虰oost電路,其主電路路徑是,交流輸入經(jīng)EMI抑制網(wǎng)絡(luò)1、整流橋2,變換為直流中間電壓Ui,再經(jīng)主電感Lm和兩條并聯(lián)連接的開關(guān)支路,最后在濾波電容CO上獲得直流415伏輸出。功能塊4是該P(yáng)FC電路的控制電路,由它發(fā)出的控制脈沖經(jīng)D觸發(fā)器分頻,再經(jīng)兩與門電路5和6變換為互相錯開的差拍信號,又經(jīng)過驅(qū)動電路7和8,驅(qū)動主電路各MOSFET的柵極,令其交替開通和截止。實(shí)驗表明,本發(fā)明的這個最佳實(shí)施例已經(jīng)取得較為滿意的效果,其電力變換效率高達(dá)97.0%,而現(xiàn)有技術(shù)如圖1所示的Boost電路用于PFC電路,只取得95.5%左右的效率。以下是本發(fā)明圖9實(shí)施例所用元器件明細(xì)表標(biāo)號或電路符號元器件名稱 型號或參數(shù)VS電力場效應(yīng)晶體管 IXFH 20N60Lm主電感 500微亨L 換能電感 10微亨VD快恢復(fù)二極管 DSEI 30-06ACO濾波電容 3×330微法D D觸發(fā)器 CD40135、6 “與”門電路 CD4081同現(xiàn)有技術(shù)相比較,本發(fā)明的軟開關(guān)電路拓?fù)渚哂懈叩碾娏ψ儞Q效率,而且還降低了EMI噪音。
權(quán)利要求
1.用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)浞椒?,借助半?dǎo)體功率開關(guān)及其控制邏輯,再適當(dāng)連接儲能元件,來開關(guān)電力電路,變換輸入電力使之具有所需電壓、頻率、相數(shù)或波形,其特征在于在一電流源IO之后或之前,構(gòu)筑并聯(lián)的第一和第二開關(guān)支路,所述第一支路包括功率開關(guān)SA1和小電感L1,兩者串聯(lián)連接,所述第二支路包括功率開關(guān)SA2和小電感L2,二者同樣串聯(lián)連接,并且從該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)p1和p2分別通過二極管D1和D2引出電路;所述功率開關(guān)SA1和SA2按照各自的控制邏輯交替導(dǎo)通和截止,使在每一開關(guān)周期TS中,開關(guān)SA1或SA2有零電流開通,二極管D1或D2有軟恢復(fù)關(guān)斷,從而獲得高效率的電力變換。
2.按照權(quán)利要求1所述的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)浞椒?,其特征在于所述功率開關(guān)SA1和SA2是MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管),或者是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)加上反并聯(lián)的快恢復(fù)二極管。
3.按照權(quán)利要求1所述的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)浞椒?,其特征在于所述二極管D1和D2是快恢復(fù)二極管。
4.用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)錁?gòu)成,包括半導(dǎo)體開關(guān)器件及其控制電路,以及儲能電感、濾波電容,其特征在于在一電流源IO之后或之前并聯(lián)連接兩開關(guān)支路,其一由開關(guān)器件VS1和小電感L1串聯(lián)組成,另一由開關(guān)器件VS4和小電感L2串聯(lián)組成。從該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q1和q2又分別通過二極管VD1和VD2引出電路;所述控制電路令開關(guān)器件VS1和VS2交替導(dǎo)通和截止,從而在任一開關(guān)周期TS內(nèi),器件VS1或VS2都是零電流開通,二極管VD1或VD2則是軟恢復(fù)關(guān)斷。
5.按照權(quán)利要求4所述的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)錁?gòu)成,其特征在于所述并聯(lián)連接的兩開關(guān)支路在一電流源之后,該電流源包括輸入電壓源Ui和主電感Lm、二者串聯(lián)連接;兩二極管VD3和VD4的陽極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q3和q4,所述兩二極管的陰極并聯(lián)連接至濾波電容CO的正極,兩開關(guān)器件VS3和VS4未與小電感L3、L4串聯(lián)的一端相互并聯(lián),并同電容CO的負(fù)極相接,同時作為輸入、輸出端的公共線,構(gòu)成升壓型Boost電路。
6.按照權(quán)利要求4所述的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)錁?gòu)成,其特征在于所述并聯(lián)連接的兩開關(guān)支路在一電流源之前,該電流源包括主電感Lm和輸出濾波電容CO,二者率聯(lián)連接;兩二極管VD5和VD6的陰極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q5和q6,所述兩二極管的陽極并聯(lián)連接至濾波電容CO的負(fù)極,同時作為輸入、輸出端的公共線,兩開關(guān)器件VS5和VS6未與小電感L5、L6串聯(lián)的一端相互并聯(lián),接輸入電壓源Ui正端,構(gòu)成降壓型Buck電路。
7.按照權(quán)利要求4所述的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)錁?gòu)成,其特征在于將Boost電路和Buck電路揉合成為一個整體,就是,同時在主電感Lm之前和之后分別并聯(lián)連接兩開關(guān)支路;在Lm之前的兩支路,其一由開關(guān)器件VS7和小電感L7串聯(lián)組成,另一由開關(guān)器件VS8和小電感L8串聯(lián)組成,兩二極管VD7和VD8的陰極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q7和q8,該兩二極管的陽極并聯(lián)連接至輸入電壓源Ui負(fù)端,兩開關(guān)器件VS7和VS8未與小電感L7、L8連接的一端相互并聯(lián),接輸入電壓源Ui正端;在Lm之后的兩支路,其一由開關(guān)器件VS7′和小電感L7′串聯(lián)組成,另一由開關(guān)器件VS8′和小電感L8′串聯(lián)組成,兩二極管VD7′和VD8′的陽極分別連接該兩支路相應(yīng)的串聯(lián)連接點(diǎn)q7′和q8′,該兩二極管的陰極并聯(lián)連接至輸入電壓源Ui正端,兩開關(guān)器件VS7′和VS8′未與小電感L7′、L8′連接的一墻相互并聯(lián),接輸入電壓源Ui負(fù)端;所有各小電感L7、L8、L7′和L8′未與各自的開關(guān)器件VS7、VS8、VS7′和VS8′連接的一端全部并聯(lián),接主電感Lm,構(gòu)成橋式電路的一個臂。
8.按照權(quán)利要求5~7之一所述的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)錁?gòu)成,其特征在于所述開關(guān)器件VS3~VS8以及VS7′、VS8′都是MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管),或者是IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)加上反并聯(lián)的快恢復(fù)二極管。
9.按照權(quán)利要求5~7之一所述的用于電力變換的軟開關(guān)電路拓?fù)錁?gòu)成,其特征在于所述二極管VD3~VD8以及VD7′、VD8′都是超快恢復(fù)二極管。
全文摘要
用于電力變換的軟開關(guān)電路拓樸方法及構(gòu)成,借助半導(dǎo)體功率開關(guān)及其控制邏輯以及儲能元件,來變換輸入電力使之具有所需電壓、頻率、相數(shù)或波形。它是在一電流源I
文檔編號H02M3/04GK1202759SQ9811321
公開日1998年12月23日 申請日期1998年5月13日 優(yōu)先權(quán)日1998年5月13日
發(fā)明者趙林沖 申請人:深圳市華為通信股份有限公司
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