一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電路。本發(fā)明結(jié)構(gòu)是PWM發(fā)生器輸出、比較器輸出到與邏輯門輸入端，再輸出到驅(qū)動(dòng)電路輸入端，一路經(jīng)開關(guān)電源主電路中開關(guān)管的門極限流電阻到MOSFET開關(guān)管Q的柵極，另一路經(jīng)限流電阻后分別連接到阻塞二極管的陽極、偏置二極管的陽極，阻塞二極管的陰極連接到開關(guān)電源主電路中MOSFET開關(guān)管的漏極，偏置二極管的陰極連接到比較器的反相端，基準(zhǔn)送到比較器的同相端，偏置二極管與阻塞二極管相同。本發(fā)明克服了高功率密度、高效率、高性價(jià)比和模塊化方面的缺陷。本發(fā)明精度較高，無需額外的電流傳感器，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小，相比于電阻檢測(cè)電流的電路不會(huì)引入損耗，因而可靠性和效率較高。
【專利說明】
一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種開關(guān)電源電路中電流檢測(cè)的電路和方法，屬于電力電子與電工技 術(shù)領(lǐng)域，特別涉及基于M0SFET導(dǎo)通電阻電流采樣的電流精確檢測(cè)電路和過流保護(hù)方法，即 一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 在開關(guān)電源主電路中，為實(shí)現(xiàn)電流控制或過流保護(hù)，須檢測(cè)開關(guān)管電路中的電流。 常用的電流檢測(cè)電路和方法主要有3種：1)電阻檢測(cè)，2)電流互感器檢測(cè)，3)電流霍爾檢 測(cè)。采用串聯(lián)電阻來檢測(cè)開關(guān)管中的電流，電路簡(jiǎn)單且成本低，但由于開關(guān)管斷開時(shí)漏極或 集電極電容放電，會(huì)在電流檢測(cè)電阻上產(chǎn)生瞬態(tài)電流尖峰，此尖峰的脈寬和幅值常足以使 電流放大器鎖定，從而使PWM電路出錯(cuò)。另采用串聯(lián)電阻檢測(cè)電流，會(huì)在檢測(cè)電阻上產(chǎn)生損 耗；因此在諸多場(chǎng)合采用電流互感器檢測(cè)電流。電流互感器檢測(cè)最適合應(yīng)用在對(duì)稱的電路， 如推挽電路、全橋電路中，但在電流互感器檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)中，要充分考慮功率電路拓?fù)鋵?duì) 檢測(cè)效果的影響，綜合考慮電流互感器的飽和問題和副邊電流的下垂效應(yīng)，以選擇合適的 磁芯復(fù)位電路、匝比和檢測(cè)電阻，因而設(shè)計(jì)相對(duì)復(fù)雜。另電流互感器不能對(duì)電流中的直流分 量進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量，如對(duì)于單端電路，特別是升壓電路，電感電流就是輸入電流，那么在電 流連續(xù)工作方式時(shí)，不管充電還是放電，電感電流總是大于零，即在直流值上疊加一個(gè)充放 電的波形，顯然連續(xù)的電流不能讓互感器進(jìn)行磁復(fù)位，因此電流互感器不能用于直接測(cè)量 升壓電路的輸入電流；并且電流互感器因不能磁復(fù)位而飽和，從而失去過流保護(hù)功能，輸出 產(chǎn)生過壓等。在降壓電路中也存在同樣的問題，電流互感器不能用于直接測(cè)量輸出電流。解 決這個(gè)問題的方法是用兩個(gè)電流互感器分別測(cè)量開關(guān)電流和二極管電流，電感電流是這兩 個(gè)電流的合成，這樣每個(gè)電流互感器就有足夠的時(shí)間來復(fù)位了。但要注意這兩個(gè)電流互感 器的匝比應(yīng)一樣，以保持檢測(cè)電阻上的電流對(duì)稱。顯然這樣的檢測(cè)電路較為復(fù)雜。采用電 流霍爾檢測(cè)檢測(cè)電流，可解決電流互感器不能測(cè)量直流電流的問題，但電流霍爾成本要高 出很多?？梢娨陨先N電流檢測(cè)方法難以滿足當(dāng)今開關(guān)電源高功率密度、高效率、高性價(jià)比 和模塊化發(fā)展的需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明目的在于克服上述缺陷，研制一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電 流檢測(cè)電路。
[0004] 本發(fā)明的技術(shù)方案是：
[0005] -種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電路，其主要技術(shù)特征在于： PWM發(fā)生器輸出、比較器輸出到與邏輯門輸入端，與邏輯門輸出到驅(qū)動(dòng)電路輸入端，驅(qū)動(dòng)電 路輸出分成兩路，一路經(jīng)開關(guān)電源主電路中開關(guān)管的門極限流電阻到M0SFET開關(guān)管Q的柵 極，另一路經(jīng)限流電阻后分成兩路，分別連接到阻塞二極管的陽極、偏置二極管的陽極，阻 塞二極管的陰極連接到開關(guān)電源主電路中M0SFET開關(guān)管的漏極，偏置二極管的陰極連接 到比較器的反相端，基準(zhǔn)送到比較器的同相端，偏置二極管與阻塞二極管相同。
[0006] 所述第一個(gè)工作模態(tài)是當(dāng)PWM發(fā)生器輸出低電平時(shí)，經(jīng)與邏輯門和驅(qū)動(dòng)電路后送 往開關(guān)電源主電路中M0SFET開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平，開關(guān)管關(guān)斷，此時(shí)阻塞二極管處 于反向阻斷，其陽極是低電平，故偏置二極管不導(dǎo)通，比較器反相端是低電平，在同相端基 準(zhǔn)電壓的作用下，比較器輸出高電平并送到與邏輯門的一個(gè)輸入端，等待PWM發(fā)生器狀態(tài) 的跳變；第二個(gè)工作模態(tài)是當(dāng)PWM發(fā)生器輸出高電平時(shí)，與邏輯門輸出高電平送到驅(qū)動(dòng)電 路，驅(qū)動(dòng)電路的輸出經(jīng)開關(guān)電源主電路中M0SFET開關(guān)管的門極限流電阻，M0SFET開關(guān)管導(dǎo) 通，主電路的電流流過開關(guān)管，并在開關(guān)管的導(dǎo)通電阻上產(chǎn)生電壓降落，驅(qū)動(dòng)電路的高電平 通過限流電阻后加到阻塞二極管的陽極，使其導(dǎo)通，阻塞二極管的陽極檢測(cè)到M0SFET開關(guān) 管的漏極電壓與阻塞二極導(dǎo)通壓降之和，偏置二極管導(dǎo)通，偏置二極管的導(dǎo)通電壓和阻塞 二極管的導(dǎo)通電壓相等，偏置二極管陰極檢測(cè)到M0SFET導(dǎo)通電阻上的電壓，當(dāng)這個(gè)電壓大 于基準(zhǔn)電壓時(shí)，比較器輸出低電平送到與邏輯門后，與邏輯門輸出低電平，經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷 M0SFET開關(guān)管。
[0007] 所述當(dāng)流過M0SFET開關(guān)管的電流過大時(shí)，比較器的反相端的電壓信號(hào)會(huì)大于同 相端的基準(zhǔn)電壓，使比較器輸出低電平，并送到與邏輯門輸入端，與邏輯門輸出低電平，經(jīng) 驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷開關(guān)管。
[0008] 本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)在于利用開關(guān)管自身的導(dǎo)通電阻，將通過開關(guān)管的電流轉(zhuǎn)換成電壓 降，僅通過兩個(gè)型號(hào)相同的阻塞二極管和偏置二極管，再加上比較和邏輯判斷電路實(shí)現(xiàn)開 關(guān)電源主電路中的電流且精度較高，無需額外的電流傳感器，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小，相比 于電阻檢測(cè)電流的電路不會(huì)引入損耗，因而可靠性和效率較高，與采用電流霍爾的檢測(cè)電 路相比成本要低很多，也不會(huì)因?yàn)殡娏骷夥逶蚨鴮?dǎo)致PWM電路出錯(cuò)，同時(shí)解決了電流互 感器不能測(cè)量直流分量和下垂效應(yīng)的問題，滿足低成本，高效率和高功率密度的電源設(shè)計(jì) 要求。
[0009] 本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)和效果將在下面繼續(xù)說明。
【附圖說明】
[0010] 圖1--本發(fā)明的應(yīng)用電路組成不意圖。
[0011] 圖2--本發(fā)明應(yīng)用電路硬件構(gòu)成不意圖。
[0012] 圖3--本發(fā)明在推挽主電路中的應(yīng)用圖。
[0013] 圖2中的符號(hào)名稱：
[0014]
[0015] 圖3中的符號(hào)名稱：
[0016]
[0017] 圖中各標(biāo)號(hào)表示對(duì)應(yīng)的部件名稱如下：
[0018] PWM發(fā)生器1、與邏輯門2、驅(qū)動(dòng)電路3、限流電阻4、阻塞二極管5、偏置二極管6、、 基準(zhǔn)電壓7、比較器8、開關(guān)電源主電路9、控制器10。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 本發(fā)明的技術(shù)思路：
[0020] 針對(duì)開關(guān)電源電路中的電流檢測(cè)電路存在功率耗散或成本較高的問題，提出了一 種基于M0SFET開關(guān)管的導(dǎo)通電阻電流采樣電路，采用阻塞二極管和偏置二極管相配合的 精確電流檢測(cè)電路。
[0021] 下面具體說明本發(fā)明。
[0022] 如圖1、圖2所示，本發(fā)明的部件構(gòu)成：
[0023] PWM發(fā)生器1、與邏輯門2、驅(qū)動(dòng)電路3、限流電阻4、阻塞二極管5、偏置二極管6、、 基準(zhǔn)電壓7、比較器8和開關(guān)電源主電路9 ;其中，PWM發(fā)生器1、與邏輯門2和基準(zhǔn)電壓7 (控 制器10內(nèi)部的硬件）構(gòu)成；控制器10可以是集成控制器，也可以用分立元器件搭建；PWM 發(fā)生器1的輸出和比較器8的輸出送到與邏輯門2的輸入端，與邏輯門2輸出到驅(qū)動(dòng)電路 3的輸入端，驅(qū)動(dòng)電路3的輸出分成兩路：一路經(jīng)開關(guān)電源主電路9中門極限流電阻R2連 接到M0SFET開關(guān)管Q的柵極；另一路經(jīng)限流電阻4 (R1)后又分成兩路：一路連接到阻塞二 極管5 (D1)的陽極，另一路連接到偏置二極管6 (D2)的陽極，阻塞二極管5 (D1)的陰極連接 到M0SFET開關(guān)管Q的漏極，偏置二極管6 (D2)的陰極連接到比較器8的反相端，基準(zhǔn)電壓 7送到比較器8的同相端。
[0024] MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)是金屬-氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管的英文縮寫。
[0025] 如圖2所示：
[0026] 本發(fā)明的檢測(cè)電路有兩個(gè)工作模態(tài)：
[0027] 第一個(gè)工作模態(tài)：當(dāng)PWM發(fā)生器1輸出低電平時(shí)，與邏輯門2輸出低電平，驅(qū)動(dòng)電 路3輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)將是低電位，故開關(guān)電源主電路9中的MOSFET開關(guān)管Q關(guān)斷，漏源 電壓vds應(yīng)等于直流電壓Vin，因此時(shí)驅(qū)動(dòng)信號(hào)v&< Vin，故阻塞二極管D1處于反向阻斷 狀態(tài)，其陽極電位Vi是低電位，相應(yīng)的偏置二極管D2也處于阻斷狀態(tài)，vif是低電平，SP比 較器8的反相端是低電平，這樣在同相端基準(zhǔn)電壓vref的作用下，比較器8將輸出高電平， 并送到與邏輯門的一個(gè)輸入端；在該工作模態(tài)下，由于PWM發(fā)生器1輸出的是低電平，故與 邏輯門輸出將保持在低電平；
[0028] 第二個(gè)工作模態(tài)：當(dāng)PWM發(fā)生器1輸出高電平時(shí)，就進(jìn)入第二個(gè)工作模態(tài)，即與邏 輯門2輸出的高電平送到驅(qū)動(dòng)電路3,驅(qū)動(dòng)電路3的輸出&將是高電位，這時(shí)MOSFET開關(guān) 管Q導(dǎo)通流過電流is，并在開關(guān)管Q的導(dǎo)通電阻上產(chǎn)生電壓降落vds，vds的值反映了開關(guān) 管Q中所通過的電流大??；在第二個(gè)工作模態(tài)中，驅(qū)動(dòng)電路3輸出的vdr是高電位，其值一 般是12-15V左右，開關(guān)管導(dǎo)通的壓降vds -般是低于vdr值，故阻塞二極管D1經(jīng)限流電阻 4(R1)后承受正向電壓而導(dǎo)通，并得到電位vi，且vi = vds+vdl，即阻塞二極管5的陽極電 位vi等于開關(guān)管Q的漏極電壓vds與阻塞二極管5導(dǎo)通壓降vdl之和，此時(shí)偏置二極管D2 由于承受正向電壓導(dǎo)通，設(shè)其導(dǎo)通壓降是vd2,則偏置二極管6的陰極電位vif = vi-vd2， 本發(fā)明中的偏置二極管6和阻塞二極管5選擇同一型號(hào)，故偏置二極管6的導(dǎo)通電壓vd2 =vdl，那么vif = vds成立，即送到比較器8反相端的電位vif較準(zhǔn)確地反饋了開關(guān)管Q 中電流is的大小，即當(dāng)電流is增大時(shí)，vif也相應(yīng)的增大，當(dāng)電流大到一定程度時(shí)，vif超 過基準(zhǔn)電壓vref時(shí)，比較器8輸出低電平，與邏輯門隨之輸出低電平，從而經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路3后 關(guān)斷開關(guān)管Q。
[0029] 從上述工作模態(tài)及工作原理的分析得知：只要調(diào)整基準(zhǔn)電壓vref，就能限制流過 開關(guān)管中的電流is到合適的數(shù)值，起到過流保護(hù)的作用?？梢姳景l(fā)明能準(zhǔn)確的實(shí)施電流檢 測(cè)并可用來實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的過流保護(hù)。
[0030] 本發(fā)明的技術(shù)特征在于發(fā)明的檢測(cè)電路有兩個(gè)工作模態(tài)及其對(duì)應(yīng)的工作原理：第 一個(gè)工作模態(tài)是當(dāng)PWM發(fā)生器輸出低電平時(shí)，經(jīng)與邏輯門和驅(qū)動(dòng)電路后送往開關(guān)電源主電 路中M0SFET開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平，開關(guān)管關(guān)斷，此時(shí)阻塞二極管處于反向阻斷，其 陽極是低電平，故偏置二極管不能導(dǎo)通，比較器反相端是低電平，在同相端基準(zhǔn)電壓的作用 下，比較器輸出高電平并送到與邏輯門的一個(gè)輸入端，等待PWM發(fā)生器狀態(tài)的跳變；當(dāng)PWM 發(fā)生器輸出高電平時(shí)，就進(jìn)入第二個(gè)工作模態(tài)，與邏輯門輸出高電平送到驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電 路的輸出送開關(guān)電源主電路中M0SFET開關(guān)管的門極限流電阻，從而控制M0SFET開關(guān)管導(dǎo) 通，主電路的電流流過開關(guān)管，并在開關(guān)管的導(dǎo)通電阻上產(chǎn)生電壓降落，此電壓降落反映了 通過開關(guān)管的電流大小。在第二個(gè)工作模態(tài)中，驅(qū)動(dòng)電路的高電平通過限流電阻后加到阻 塞二極管的陽極，使它承受正向電壓而導(dǎo)通，故阻塞二極管的陽極檢測(cè)到M0SFET開關(guān)管的 漏極電壓與阻塞二極導(dǎo)通壓降之和，此時(shí)偏置二極管由于承受正向電壓而導(dǎo)通，因偏置二 極管的型號(hào)和阻塞二極管相同，故偏置二極管的導(dǎo)通電壓和阻塞二極管的導(dǎo)通電壓認(rèn)為相 等，從而偏置二極管陰極檢測(cè)到的電壓就等于M0SFET導(dǎo)通電阻上的電壓，這個(gè)電壓大于基 準(zhǔn)電壓時(shí)，比較器輸出低電平送到與邏輯門后，與邏輯門輸出低電平，再經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷 M0SFET開關(guān)管。
[0031] 本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例子如下：
[0032] 如圖3所示，將本發(fā)明的電流檢測(cè)電路應(yīng)用在推挽電路中：
[0033] 輸入直流電壓Vin= 24V，輸出直流電壓￥。= 400V，高頻變壓器TR2原邊與副邊 的匝比是4 : 4 : 76,開關(guān)頻率&=361(抱，輸出功率PQ= 1000W，高壓側(cè)濾波電感LSf = 1. 6mH，Cf= 460uF，Q1和Q2選用ΤΙ公司的M0SFET開關(guān)管，型號(hào)是IRF3205,耐壓55V， 在100度時(shí)最大可通過80Α電流。為了有足夠的裕度和提升主電路的效率，實(shí)際Q1和Q2 各自采用3只IRF3205并聯(lián)。副邊整流二極管DR1~DR4選用安森美的超快恢復(fù)二極管 MUR860 (8A/600V)。集成控制器IC2選用ΤΙ公司的UC3525,它有兩個(gè)互補(bǔ)輸出的PWM引腳， 高電平關(guān)斷引腳SD，提供5. IV的基準(zhǔn)電壓源引腳VREF，精度達(dá)±1%，這樣UC3525可看作 是等效集成了 PWM發(fā)生器、與邏輯門和基準(zhǔn)電壓的控制器。比較器IC1采用LM311，UC3525 的VREF通過可調(diào)電阻RW設(shè)定過流保護(hù)電壓值vref，并加到比較器IC1的同相端。因推挽 電路有兩只開關(guān)管，故圖3中米用了兩套阻塞二極管（D1和D3)和偏置二極管（D2和D4)， 且都選型號(hào)為1N4148的玻裝二極管，限流電阻R1和R4都是1000歐姆。在圖3中，偏置二 極管D2、D4和下拉電阻R7組成或邏輯電路，當(dāng)開關(guān)管Q1和Q2中任意一路的電流過大時(shí)， vif將大于設(shè)定的vref，從而使得比較器輸出低電平，進(jìn)而經(jīng)過與邏輯門和驅(qū)動(dòng)之后判斷 開關(guān)管Q1和Q2,這樣就起到了有效的過流保護(hù)功能；另推挽電路中存在開關(guān)器件的差異性 和動(dòng)態(tài)過程中的不對(duì)稱性，這會(huì)導(dǎo)致高頻變壓器TR2出現(xiàn)偏磁而飽和。若采用了本發(fā)明電 路，將會(huì)有效的避免偏磁現(xiàn)象的出現(xiàn)。實(shí)例應(yīng)用驗(yàn)證了本發(fā)明提出方法的有效性。
[0034] 從以上的描述可知，本發(fā)明基于M0SFET開關(guān)管的導(dǎo)通電阻采樣電流，所提出的一 種由阻塞二極管和偏置二極管組合的電流檢測(cè)電路和方法，能有效的檢測(cè)出開關(guān)管中的電 流，并可靠的工作，可用作峰值電流控制和過流保護(hù)的檢測(cè)電路。并具有以下的優(yōu)點(diǎn)：
[0035] (1)無需額外的電流傳感器，成本低；
[0036] (2)電路簡(jiǎn)潔明了，只需阻塞二極管和偏置二極管的型號(hào)相同即可；
[0037] (3)發(fā)明的電路應(yīng)用廣泛，可應(yīng)用到反激電路，Buck電路，Boost電路和正激電路 中去；
[0038] (4)發(fā)明的電路可靠性高，能抑制開關(guān)電源啟動(dòng)時(shí)的電流沖擊，有助于沖擊性負(fù)載 的加載。
[0039] 本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，在本發(fā)明公開的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技 術(shù)人員根據(jù)所公開的技術(shù)內(nèi)容，不需要?jiǎng)?chuàng)造性的勞動(dòng)就可以對(duì)其中的一些技術(shù)特征作出一 些替換和變形，這些替換和變形均在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電路，其特征在于：PWM發(fā)生器 輸出、比較器輸出到與邏輯門輸入端，與邏輯門輸出到驅(qū)動(dòng)電路輸入端，驅(qū)動(dòng)電路輸出分成 兩路，一路經(jīng)開關(guān)電源主電路中開關(guān)管的門極限流電阻到MOSFET開關(guān)管Q的柵極，另一路 經(jīng)限流電阻后分成兩路，分別連接到阻塞二極管的陽極、偏置二極管的陽極，阻塞二極管的 陰極連接到開關(guān)電源主電路中MOSFET開關(guān)管的漏極，偏置二極管的陰極連接到比較器的 反相端，基準(zhǔn)送到比較器的同相端，偏置二極管與阻塞二極管相同。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電路，其 特征在于第一個(gè)工作模態(tài)是當(dāng)PWM發(fā)生器輸出低電平時(shí)，經(jīng)與邏輯門和驅(qū)動(dòng)電路后送往開 關(guān)電源主電路中MOSFET開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平，開關(guān)管關(guān)斷，此時(shí)阻塞二極管處于反 向阻斷，其陽極是低電平，故偏置二極管不導(dǎo)通，比較器反相端是低電平，在同相端基準(zhǔn)電 壓的作用下，比較器輸出高電平并送到與邏輯門的一個(gè)輸入端，等待PWM發(fā)生器狀態(tài)的跳 變；第二個(gè)工作模態(tài)是當(dāng)PWM發(fā)生器輸出高電平時(shí)，與邏輯門輸出高電平送到驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū) 動(dòng)電路的輸出經(jīng)開關(guān)電源主電路中MOSFET開關(guān)管的門極限流電阻，MOSFET開關(guān)管導(dǎo)通， 主電路的電流流過開關(guān)管，并在開關(guān)管的導(dǎo)通電阻上產(chǎn)生電壓降落，驅(qū)動(dòng)電路的高電平通 過限流電阻后加到阻塞二極管的陽極，使其導(dǎo)通，阻塞二極管的陽極檢測(cè)到MOSFET開關(guān)管 的漏極電壓與阻塞二極導(dǎo)通壓降之和，偏置二極管導(dǎo)通，偏置二極管的導(dǎo)通電壓和阻塞二 極管的導(dǎo)通電壓相等，偏置二極管陰極檢測(cè)到MOSFET導(dǎo)通電阻上的電壓，當(dāng)這個(gè)電壓大于 基準(zhǔn)電壓時(shí)，比較器輸出低電平送到與邏輯門后，與邏輯門輸出低電平，經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷 MOSFET開關(guān)管。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種由阻塞二極管和偏置二極管相組合的電流檢測(cè)電 路，其特征在于當(dāng)流過MOSFET開關(guān)管的電流過大時(shí)，比較器的反相端的電壓信號(hào)會(huì)大于同 相端的基準(zhǔn)電壓，使比較器輸出低電平，并送到與邏輯門輸入端，與邏輯門輸出低電平，經(jīng) 驅(qū)動(dòng)電路關(guān)斷開關(guān)管。
【文檔編號(hào)】H02H7/12GK105896999SQ201510035567
【公開日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2015年1月20日
【發(fā)明人】方宇, 馬明明, 成剛, 徐潘, 鄭金燕, 堯永, 謝勇
【申請(qǐng)人】揚(yáng)州大學(xué)