一種快速響應(yīng)飽和電抗器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種快速響應(yīng)飽和電抗器。它包括飽和電抗器、續(xù)流與去磁電路；續(xù)流與去磁電路代替飽和電抗器原有續(xù)流二極管；續(xù)流與去磁電路包括晶閘管D6，二極管D4，大功率穩(wěn)壓管D5；二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5反向串聯(lián)后，再與晶閘管D6并聯(lián)；二極管D4與晶閘管D6同方向；晶閘管D6的控制端子受控制模塊控制，大功率穩(wěn)壓管D5在不超過(guò)穩(wěn)定電壓條件下最快耗能。
【專利說(shuō)明】
一種快速響應(yīng)飽和電抗器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及電力系統(tǒng)送變電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種快速響應(yīng)飽和電抗器。
【背景技術(shù)】
[0002]電抗器在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用非常廣泛。在一些應(yīng)用領(lǐng)域，電抗器的電抗值是固定不變的；而在另一些應(yīng)用領(lǐng)域，電抗器的電抗值應(yīng)隨著電力系統(tǒng)運(yùn)行方式的變化而不斷調(diào)節(jié)。電抗值可以連續(xù)調(diào)節(jié)的可控飽和電抗器(也稱為:飽和電抗器，磁控電抗器)是重要研究課題。
[0003 ] 飽和電抗器通過(guò)連續(xù)調(diào)節(jié)閉環(huán)鐵心上直流線圈中直流電流的大小來(lái)調(diào)節(jié)閉環(huán)鐵心的飽和程度，實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)節(jié)閉環(huán)鐵心上交流線圈(電抗線圈)電抗值的大小。目前已經(jīng)有許多飽和電抗器被提出來(lái)，但是其性能仍需要提高。
[0004]CN201410714156.6專利提出一種縮短暫態(tài)響應(yīng)時(shí)間的飽和電抗器，但是，該飽和電抗器的暫態(tài)響應(yīng)時(shí)間仍然較長(zhǎng)。CN104795202A專利提出另一種飽和電抗器，如圖1所示。該飽和電抗器從小電流調(diào)節(jié)到大電流時(shí)的響應(yīng)速度很快，且性能優(yōu)良；但從大電流調(diào)節(jié)到小電流的響應(yīng)速度則比較慢，存在缺陷。因此，需要在CN104795202A專利的基礎(chǔ)上，改進(jìn)飽和電抗器大電流調(diào)節(jié)到小電流的響應(yīng)速度。
[0005]CN102904263A專利提出了另一種快速飽和電抗器。其特點(diǎn)是用續(xù)流與去磁電路替換飽和電抗器原有續(xù)流二極管，使得該飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流的響應(yīng)速度很快，具有優(yōu)點(diǎn)。續(xù)流與去磁電路包含兩只IGBT和一只電阻。正常運(yùn)行時(shí)，一只IGBT完全導(dǎo)通，另一只IGBT完全截止，使得續(xù)流二極管投入，去磁功能退出。當(dāng)飽和電抗器大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，控制兩只IGBT的工作狀態(tài)，投入去磁電路消耗電磁能量，實(shí)現(xiàn)大電流調(diào)節(jié)到小電流的快速響應(yīng)。缺點(diǎn)是，續(xù)流與去磁電路不夠簡(jiǎn)單，不夠可靠，耗能不夠快。
[0006]CN103066908A專利提出另一種快速飽和電抗器。其特點(diǎn)也是用續(xù)流與去磁電路替換飽和電抗器原有續(xù)流二極管，使得該飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流的響應(yīng)速度很快，具有優(yōu)點(diǎn)。該續(xù)流與去磁電路包含一只IGBT和一只電阻。正常運(yùn)行時(shí)，IGBT完全導(dǎo)通，使得續(xù)流二極管投入，去磁功能退出。當(dāng)飽和電抗器大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，控制IGBT完全截止，投入去磁電路消耗電磁能量，實(shí)現(xiàn)大電流調(diào)節(jié)到小電流的快速響應(yīng)。CN103066908A只需一只IGBT，節(jié)約成本。缺點(diǎn)是，續(xù)流與去磁電路不夠可靠，耗能不夠快。
[0007]期刊《廣東電力》2013年8月對(duì)CN103066908A專利的續(xù)流與去磁電路進(jìn)行改進(jìn)。其特點(diǎn)是，用晶閘管代替了CN103066908A專利續(xù)流與去磁電路中的IGBT。正常運(yùn)行時(shí)，觸發(fā)晶閘管完全導(dǎo)通，使得續(xù)流二極管投入，去磁功能退出。當(dāng)飽和電抗器大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，停止觸發(fā)晶閘管使其截止，投入續(xù)流與去磁電路消耗電磁能量，實(shí)現(xiàn)大電流調(diào)節(jié)到小電流的快速響應(yīng)。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)飽和電抗器大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，立即停止觸發(fā)晶閘管，這時(shí)晶閘管將有疊加有高頻分量的衰減的直流分量流過(guò)，晶閘管不能在100毫秒內(nèi)截止，只能等到晶閘管電流出現(xiàn)過(guò)零點(diǎn)時(shí)被截止，去磁電路才消耗電磁能量。可見，該續(xù)流與去磁電路應(yīng)用到傳統(tǒng)飽和電抗器中時(shí)，快速性有限。該續(xù)流與去磁電路只有應(yīng)用到其它飽和電抗器，停止觸發(fā)晶閘管，晶閘管能在10毫秒內(nèi)截止，方可發(fā)揮優(yōu)勢(shì)。該續(xù)流與去磁電路不夠可靠，耗能不夠快。
[0008]總之，上述續(xù)流與去磁電路還不夠簡(jiǎn)單、可靠性不夠高，耗能不夠快。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的就是為解決上述問(wèn)題，提供一種續(xù)流與去磁電路更簡(jiǎn)單、可靠性更高、耗能更快的快速響應(yīng)飽和電抗器。
[0010]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下方式:
[0011]—種快速響應(yīng)飽和電抗器，在飽和電抗器設(shè)置或可設(shè)置續(xù)流二極管的位置改為接入續(xù)流與去磁電路，所述續(xù)流與去磁電路包括:
[0012]晶閘管D6，二極管D4，大功率穩(wěn)壓管D5;
[0013]二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5反向串聯(lián)后，再與晶閘管D6并聯(lián);二極管D4與晶閘管D6同方向；晶閘管D6的控制端子受控制模塊控制；大功率穩(wěn)壓管D5在不超過(guò)穩(wěn)定電壓條件下最快耗能。
[0014]所述飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，控制模塊控制晶閘管D6從完全導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通不暢或截止，大功率穩(wěn)壓管D5消耗飽和電抗器的電能;飽和電抗器縮短大電流調(diào)節(jié)到小電流的暫態(tài)過(guò)程。
[0015]所述晶閘管D6停止觸發(fā)后，在1毫秒內(nèi)流過(guò)晶閘管D6的電流必定有過(guò)零點(diǎn)，電流過(guò)零點(diǎn)時(shí)晶閘管D6截止，啟動(dòng)大功率穩(wěn)壓管D5耗能功能，保證調(diào)節(jié)的快速性。
[0016]一種快速響應(yīng)飽和電抗器，在飽和電抗器設(shè)置或可設(shè)置續(xù)流二極管的位置改為接入續(xù)流與去磁電路，所述續(xù)流與去磁電路包括:
[0017]二極管D4，大功率穩(wěn)壓管D5，IGBT;
[0018]二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5反向串聯(lián)，大功率穩(wěn)壓管D5還與IGBT同向并聯(lián)；IGBT的控制端子受控制模塊控制;大功率穩(wěn)壓管D5在不超過(guò)穩(wěn)定電壓條件下最快耗能。
[0019]所述IGBT被其它可控電力電子器件代替。
[0020]所述飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，控制模塊控制IGBT從完全導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通不暢或截止，大功率穩(wěn)壓管D5消耗飽和電抗器的電能;飽和電抗器縮短大電流調(diào)節(jié)到小電流的暫態(tài)過(guò)程。
[0021 ]所述IGBT在電流沒有過(guò)零時(shí)強(qiáng)行截止，啟動(dòng)大功率穩(wěn)壓管D5耗能功能。
[0022]所述帶續(xù)流二極管的飽和電抗器包括飽和電抗器閉環(huán)鐵芯，安裝在閉環(huán)鐵芯的兩個(gè)鐵芯柱上的各線圈、與各線圈連接的晶閘管以及控制晶閘管的控制模塊；
[0023]每個(gè)所述鐵芯柱上有三個(gè)線圈，第二位置的線圈與第三位置的線圈的匝數(shù)不同，但兩鐵芯柱上處于相同位置的線圈匝數(shù)則相同；
[0024]其中一個(gè)鐵芯柱上第一位置的線圈異名端與另一鐵芯柱上第二位置上的線圈的同名端連接；
[0025]各鐵芯柱上第三位置的線圈的同名端與本鐵芯柱第二位置的線圈的同名端連接；
[0026]各鐵芯柱上第三位置的線圈的異名端分別與一個(gè)晶閘管連接，晶閘管的控制端受控制模塊控制；
[0027]其中一個(gè)鐵芯柱上第一位置線圈的異名端和第二位置線圈的同名端間連接續(xù)流二極管。
[0028]本發(fā)明的有益效果是:續(xù)流與去磁電路更簡(jiǎn)單、可靠性更高、耗能更快。大功率穩(wěn)壓管D5過(guò)電壓時(shí)流過(guò)電流，將快速消耗能量。大功率穩(wěn)壓管D5在保證續(xù)流與去磁電路不會(huì)過(guò)電壓的前提下，快速消耗能量，消耗能量的效果優(yōu)于電阻，大功率穩(wěn)壓管D5能夠?qū)崿F(xiàn)不超過(guò)穩(wěn)定電壓條件下最快耗能。二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5可保護(hù)晶閘管D6(IGBT)，使晶閘管D6(IGBT)不會(huì)過(guò)電壓損毀。
【附圖說(shuō)明】
[0029]圖1表示CN104795202A提出的飽和電抗器。
[°03°]圖2表不本發(fā)明的一種快速響應(yīng)飽和電抗器。
[0031]圖3表示本發(fā)明的另一種快速響應(yīng)飽和電抗器。
[0032]其中，1.端子I，2.端子II，3.閉環(huán)鐵芯，4.控制模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖與實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
[0034]實(shí)施例1:
[0035]圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器，包括飽和電抗器閉環(huán)鐵芯，安裝在閉環(huán)鐵芯的兩個(gè)鐵芯柱上的各線圈、與各線圈連接的晶閘管以及控制晶閘管的控制模塊;其特征是，
[0036]每個(gè)所述鐵芯柱上有三個(gè)線圈，第二位置的線圈與第三位置的線圈的匝數(shù)不同，但兩鐵芯柱上處于相同位置的線圈匝數(shù)則相同；
[0037]其中一個(gè)鐵芯柱上第一位置的線圈異名端與另一鐵芯柱上第二位置上的線圈的同名端連接；
[0038]各鐵芯柱上第三位置的線圈的同名端與本鐵芯柱第二位置的線圈的同名端連接；
[0039]各鐵芯柱上第三位置的線圈的異名端分別與一個(gè)晶閘管連接，晶閘管的控制端受控制模塊控制；
[0040]其中一個(gè)鐵芯柱上第一位置線圈的異名端和第二位置線圈的同名端間連接續(xù)流二極管；
[0041 ]晶閘管全截止時(shí)，晶閘管兩端有交流電壓;飽和電抗器有最大電抗值；
[0042]晶閘管全導(dǎo)通時(shí)，晶閘管構(gòu)成半波整流電路;飽和電抗器有最小電抗值；
[0043]控制模塊調(diào)節(jié)晶閘管觸發(fā)角的大小，實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)晶閘管整流量的大小;飽和電抗器電抗值在最小電抗值與最大電抗值之間調(diào)節(jié)、變化。
[0044]圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器的細(xì)節(jié)可參閱CN104795202A，不再累贅。
[0045]—種快速響應(yīng)飽和電抗器的結(jié)構(gòu)與連接方式如圖2所示。從圖2可以看出，它實(shí)際上就是用一種續(xù)流與去磁電路代替圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器的原有續(xù)流二極管而構(gòu)成。
[0046]續(xù)流與去磁電路包括晶閘管D6，二極管D4，大功率穩(wěn)壓管D5； 二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5反向串聯(lián)后，再與晶閘管D6并聯(lián);二極管D4與晶閘管D6同方向；晶閘管D6的控制端子受控制模塊4控制。
[0047]控制模塊4控制晶閘管D1、晶閘管D2、晶閘管D6觸發(fā)角的大小，實(shí)現(xiàn)控制晶閘管D1、晶閘管D2和晶閘管D6整流量的大小。
[0048]圖2所示飽和電抗器正常、穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)，晶閘管D6由控制模塊4觸發(fā)全導(dǎo)通，晶閘管D6實(shí)際就是續(xù)流二極管的作用。
[0049]如果飽和電抗器從小電流調(diào)節(jié)到大電流，晶閘管D6的狀態(tài)與正常、穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)一樣，不變，仍然由控制模塊4觸發(fā)晶閘管D6全導(dǎo)通。
[0050]如果飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流，控制模塊4調(diào)節(jié)晶閘管D1、晶閘管D2的觸發(fā)角(減小晶閘管D1、晶閘管D2的導(dǎo)通量)的同時(shí)，調(diào)節(jié)晶閘管D6觸發(fā)角，使晶閘管D6減少導(dǎo)通(導(dǎo)通不暢)，或停止觸發(fā)晶閘管D6，使晶閘管D6截止；當(dāng)晶閘管D6從完全導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通不暢或截止，晶閘管D6兩端電壓快速升高，快速升高的電壓超過(guò)大功率穩(wěn)壓管D5的穩(wěn)定電壓時(shí)，被大功率穩(wěn)壓管D5限制，電流流過(guò)大功率穩(wěn)壓管D5，大功率穩(wěn)壓管D5消耗飽和電抗器的電能。飽和電抗器縮短大電流調(diào)節(jié)到小電流的暫態(tài)過(guò)程。飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流的調(diào)節(jié)過(guò)程結(jié)束，控制模塊觸發(fā)晶閘管D6全導(dǎo)通，飽和電抗器進(jìn)入穩(wěn)定運(yùn)行狀態(tài)。
[0051]大功率穩(wěn)壓管D5—方面保護(hù)晶閘管D6，使晶閘管D6不會(huì)過(guò)電壓損毀；另一方面，大功率穩(wěn)壓管D5過(guò)電壓時(shí)流過(guò)電流，將快速消耗能量。實(shí)驗(yàn)表明，飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，消耗能量越快，響應(yīng)速度越快。大功率穩(wěn)壓管D5在保證不過(guò)電壓的前提下，快速消耗能量，消耗能量的效果優(yōu)于電阻，大功率穩(wěn)壓管D5能夠?qū)崿F(xiàn)不超過(guò)穩(wěn)定電壓條件下最快耗能。
[0052]實(shí)驗(yàn)表明，圖2所示飽和電抗器，如果晶閘管D6停止觸發(fā)，在10毫秒內(nèi)流過(guò)晶閘管D6的電流必定有過(guò)零點(diǎn)，電流過(guò)零點(diǎn)時(shí)晶閘管D6截止，啟動(dòng)耗能功能，保證調(diào)節(jié)的快速性。
[0053]晶閘管的可靠性高，晶閘管的容量大，晶閘管的耐壓高，晶閘管的價(jià)格低。晶閘管的控制模塊控制模塊簡(jiǎn)單。
[0054]圖2所示續(xù)流與去磁電路更簡(jiǎn)單、可靠性更高、耗能更快。
[0055]圖2所示的續(xù)流與去磁電路不但可以應(yīng)用于圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器，其它與圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器有相同特點(diǎn)的帶續(xù)流二極管的飽和電抗器，該續(xù)流與去磁電路也可置換原有的續(xù)流二極管，改進(jìn)飽和電抗器大電流調(diào)節(jié)到小電流的響應(yīng)速度。
[0056]實(shí)施例2:
[0057]另一種快速響應(yīng)飽和電抗器的結(jié)構(gòu)與連接方式如圖3所示(在該實(shí)施例中，飽和電抗器還可以采取其他現(xiàn)有形式，并不局限于圖1給出的飽和電抗器形式)。從圖3可以看出，它實(shí)際上就是用另一種續(xù)流與去磁電路代替圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器的原有續(xù)流二極管而構(gòu)成。
[0058]續(xù)流與去磁電路包括二極管D4，大功率穩(wěn)壓管D5，IGBT。二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5反向串聯(lián)，大功率穩(wěn)壓管D5還與IGBT同向并聯(lián)。IGBT的控制端子受控制模塊4控制。
[0059]圖3所示飽和電抗器正常、穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)，IGBT由控制模塊4控制全導(dǎo)通。二極管D4就是續(xù)流二極管的作用。
[0060]如果飽和電抗器從小電流調(diào)節(jié)到大電流，IGBT的狀態(tài)與正常、穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)一樣，不變。仍然由控制模塊4控制IGBT全導(dǎo)通。
[0061]如果飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流，控制模塊4調(diào)節(jié)晶閘管D1、晶閘管D2的觸發(fā)角(減小晶閘管Dl、晶閘管D2的導(dǎo)通量)的同時(shí)，調(diào)節(jié)IGBT導(dǎo)通不暢，或截止；當(dāng)IGBT從完全導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通不暢或截止，大功率穩(wěn)壓管D5兩端電壓快速升高，快速升高的電壓超過(guò)大功率穩(wěn)壓管D5的穩(wěn)定電壓時(shí)，被大功率穩(wěn)壓管D5限制，電流流過(guò)大功率穩(wěn)壓管D5，大功率穩(wěn)壓管D5消耗飽和電抗器的電能。飽和電抗器縮短大電流調(diào)節(jié)到小電流的暫態(tài)過(guò)程。飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流的調(diào)節(jié)過(guò)程結(jié)束，控制模塊控制IGBT全導(dǎo)通，飽和電抗器進(jìn)入穩(wěn)定運(yùn)行狀態(tài)。
[0062]與實(shí)施例1相同的部分不再累贅。
[0063]實(shí)施例1所提出的續(xù)流與去磁電路置換圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器中的續(xù)流二極管可實(shí)現(xiàn)快速飽和電抗器，實(shí)施例1所提出的續(xù)流與去磁電路也可置換與圖1不同結(jié)構(gòu)的帶續(xù)流二極管的飽和電抗器中的續(xù)流二極管實(shí)現(xiàn)快速飽和電抗器。但是實(shí)施例1所提出的續(xù)流與去磁電路置換一切帶續(xù)流二極管的飽和電抗器中的續(xù)流二極管，不可能都實(shí)現(xiàn)快速飽和電抗器。例如:實(shí)施例1所提出的續(xù)流與去磁電路置換傳統(tǒng)飽和電抗器中的原有續(xù)流二極管時(shí)，可能出現(xiàn)晶閘管D6停止觸發(fā)后，在100毫秒內(nèi)流過(guò)晶閘管D6的電流不會(huì)有過(guò)零點(diǎn)(此種情形出現(xiàn)在非圖1所示的現(xiàn)有飽和電抗器上)，晶閘管D6只得長(zhǎng)時(shí)間等待電流過(guò)零時(shí)截止，啟動(dòng)耗能功能。實(shí)施例2則可解決此缺點(diǎn)，利用控制IGBT，在電流沒有過(guò)零時(shí)強(qiáng)行截止，啟動(dòng)耗能功能。因此，實(shí)施例2續(xù)流與去磁電路不但可用于圖1所示帶續(xù)流二極管的飽和電抗器，還可以用于傳統(tǒng)飽和電抗器。實(shí)施例2的續(xù)流與去磁電路的應(yīng)用范圍比實(shí)施例1的續(xù)流與去磁電路的應(yīng)用范圍更大。只是，IGBT的可靠性不如晶閘管高，IGBT的容量不如晶閘管大，IGBT的耐壓不如晶閘管高，IGBT的價(jià)格不如晶閘管低。IGBT器件控制電路不如晶閘管的控制電路簡(jiǎn)單。
[0064]不難看出，圖3所示IGBT用其它可控電力電子器件(例如:晶體管、GTO等)代替，也是可以的。
[0065]本發(fā)明的一種快速響應(yīng)飽和電抗器可用現(xiàn)有技術(shù)設(shè)計(jì)制造，完全可以實(shí)現(xiàn)，有廣闊應(yīng)用前景。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種快速響應(yīng)飽和電抗器，其特征是，在飽和電抗器設(shè)置或可設(shè)置續(xù)流二極管的位置改為接入續(xù)流與去磁電路，所述續(xù)流與去磁電路包括: 晶閘管D6，二極管D4，大功率穩(wěn)壓管D5 ； 二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5反向串聯(lián)后，再與晶閘管D6并聯(lián);二極管D4與晶閘管D6同方向；晶閘管D6的控制端子受控制模塊控制；大功率穩(wěn)壓管D5在不超過(guò)穩(wěn)定電壓條件下最快耗能。2.如權(quán)利要求1所述的快速響應(yīng)飽和電抗器，其特征是，所述飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，控制模塊控制晶閘管D6從完全導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通不暢或截止，大功率穩(wěn)壓管D5消耗飽和電抗器的電能;飽和電抗器縮短大電流調(diào)節(jié)到小電流的暫態(tài)過(guò)程。3.如權(quán)利要求1或2所述的快速響應(yīng)飽和電抗器，其特征是，所述晶閘管D6停止觸發(fā)后，在10毫秒內(nèi)流過(guò)晶閘管D6的電流必定有過(guò)零點(diǎn)，電流過(guò)零點(diǎn)時(shí)晶閘管D6截止，啟動(dòng)大功率穩(wěn)壓管D5耗能功能，保證調(diào)節(jié)的快速性。4.一種快速響應(yīng)飽和電抗器，其特征是，在飽和電抗器設(shè)置或可設(shè)置續(xù)流二極管的位置改為接入續(xù)流與去磁電路，所述續(xù)流與去磁電路包括: 二極管D4，大功率穩(wěn)壓管D5，IGBT; 二極管D4與大功率穩(wěn)壓管D5反向串聯(lián)，大功率穩(wěn)壓管D5還與IGBT同向并聯(lián)；IGBT的控制端子受控制模塊控制;大功率穩(wěn)壓管D5在不超過(guò)穩(wěn)定電壓條件下最快耗能。5.如權(quán)利要求4所述的快速響應(yīng)飽和電抗器，其特征是，所述IGBT被其它可控電力電子器件代替。6.如權(quán)利要求4或5所述的快速響應(yīng)飽和電抗器，其特征是，所述飽和電抗器從大電流調(diào)節(jié)到小電流時(shí)，控制模塊控制IGBT從完全導(dǎo)通變?yōu)閷?dǎo)通不暢或截止，大功率穩(wěn)壓管D5消耗飽和電抗器的電能;飽和電抗器縮短大電流調(diào)節(jié)到小電流的暫態(tài)過(guò)程。7.如權(quán)利要求4或5或6所述的快速響應(yīng)飽和電抗器，其特征是，所述IGBT在電流沒有過(guò)零時(shí)強(qiáng)行截止，啟動(dòng)大功率穩(wěn)壓管D5耗能功能。
【文檔編號(hào)】H02P13/00GK106026813SQ201610607354
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月28日
【發(fā)明人】李曉明
【申請(qǐng)人】李曉明