Sj-mos管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢復(fù)二極管D1；第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復(fù)合管的柵極；第一SJ-MOS管Q101的漏極連接快恢復(fù)二極管D1的陰極，并作為復(fù)合管的漏極；第一SJ-MOS管Q101的源極接第二SJ-MOS管Q102的源極；第二SJ-MOS管的漏極接快恢復(fù)二極管D1的陽極，并作為復(fù)合管的源極。本實(shí)用新型可避開原SJ-MOS寄生二極管反向恢復(fù)很差的問題，使得SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的應(yīng)用電路工作更穩(wěn)定，SJ-MOS管不容易損壞。
【專利說明】
SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及SJ-MOS管，尤其是一種改進(jìn)的SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前使用SJ-MOS管(超結(jié)功率M0SFET)搭建的典型全橋電路如圖1所示;此電路在單個(gè)SJ-MOS管續(xù)流時(shí)，SJ-MOS管內(nèi)寄生二極管的恢復(fù)速度不夠快，會存在SJ-MOS寄生二極管的反向恢復(fù)問題；
[0003]目前的SJ-MOS由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)問題，寄生二極管反向恢復(fù)特性較差，反向恢復(fù)電流很大，di/dt，dv/dt耐性較差；引起寄生二極管做續(xù)流使用時(shí)，很容易損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實(shí)用新型提供一種SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用于替代圖1中的單個(gè)SJ-MOS管，解決SJ-MOS寄生二極管的反向恢復(fù)較差問題;本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:
[0005]一種SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括第一SJ-MOS管QlOl和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢復(fù)二極管Dl;
[0006]第一SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復(fù)合管的柵極;第一SJ-MOS管QlOl的漏極連接快恢復(fù)二極管Dl的陰極，并作為復(fù)合管的漏極；第一 SJ-MOS管QlOl的源極接第二 SJ-MOS管Q102的源極;第二 SJ-MOS管的漏極接快恢復(fù)二極管Dl的陽極，并作為復(fù)合管的源極。
[0007]進(jìn)一步地，快恢復(fù)二極管Dl采用MUR30120。
[0008]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:避開原SJ-MOS寄生二極管反向恢復(fù)很差的問題，使得SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的應(yīng)用電路工作更穩(wěn)定，SJ-MOS管不容易損壞。
【附圖說明】
[0009]圖1為現(xiàn)有的全橋電路原理圖。
[0010]圖2為本實(shí)用新型的SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011 ]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0012]本使用新型提出的SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如圖2所示，包括第一SJ-MOS管QlOl和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢復(fù)二極管Dl;快恢復(fù)二極管Dl可采用MUR30120，或其它的耐壓達(dá)到數(shù)百伏以上的快恢復(fù)二極管；
[0013]第一SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復(fù)合管的柵極;第一SJ-MOS管QlOl的漏極連接快恢復(fù)二極管Dl的陰極，并作為復(fù)合管的漏極；第一 SJ-MOS管QlOl的源極接第二 SJ-MOS管Q102的源極;第二 SJ-MOS管的漏極接快恢復(fù)二極管Dl的陽極，并作為復(fù)合管的源極。
[0014]快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PffM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中?？旎謴?fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓(耐壓值)較高。
[0015]將圖1中的SJ-MOS單管Ql、Q2、Q3、Q4全部用上述SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)構(gòu)成的復(fù)合管代替；當(dāng)復(fù)合管的柵極接高電平時(shí)，電流從QlOl，Q102流過;續(xù)流時(shí)Q102的寄生二極管反向阻斷，續(xù)流的電流從快恢復(fù)二極管Dl流過，如此可以解決SJ-MOS寄生二極管的反向恢復(fù)較差問題。
[0016]此SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的核心在于關(guān)斷MOS管，需要續(xù)流時(shí)，提供旁路通道，阻斷SJ-MOS體內(nèi)二極管的續(xù)流路徑;此應(yīng)用可以延伸到半橋以及類似拓展電路。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其特征在于，包括第一 SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102，以及快恢復(fù)二極管Dl; 第一 SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復(fù)合管的柵極;第一 SJ-MOS管QlOl的漏極連接快恢復(fù)二極管Dl的陰極，并作為復(fù)合管的漏極;第一 SJ-MOS管QlOl的源極接第二 SJ-MOS管Q102的源極;第二 SJ-MOS管的漏極接快恢復(fù)二極管Dl的陽極，并作為復(fù)合管的源極。2.如權(quán)利要求1所述的SJ-MOS管電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其特征在于； 快恢復(fù)二極管Dl采用MUR30120。
【文檔編號】H02M1/06GK205544903SQ201620074401
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月25日
【發(fā)明人】白玉明, 冷強(qiáng), 張海濤
【申請人】無錫同方微電子有限公司