專利名稱：具有平面層結(jié)構(gòu)的高頻端接電阻的制作方法
具有平面層結(jié)構(gòu)的高頻端接電阻本發(fā)明涉及一種具有平面層結(jié)構(gòu)的高頻端接電阻，所述層結(jié)構(gòu)在 一個(gè)基片上具有用于將高頻能量轉(zhuǎn)換成熱量的電阻層、用于饋送高頻 能量的輸入導(dǎo)體線路、以及用于和接地觸點(diǎn)電連接的接地導(dǎo)體線路， 其中所述輸入導(dǎo)體線路與所述電阻層的第一端電連接，所述接地導(dǎo)體 線路與所述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，并且所述接 地導(dǎo)體線路在所述層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部形成了所述層結(jié)構(gòu)的最上面的一層，如權(quán)利要求1的前序部分所述。本發(fā)明還涉及一種 制造用于高頻端接電阻的平面層結(jié)構(gòu)的方法，其中在一個(gè)基片上形成 用于將高頻能量轉(zhuǎn)換成熱量的電阻層、用于饋送高頻能量的輸入導(dǎo)體 線路、以及用于和接地觸點(diǎn)電連接的接地導(dǎo)體線路，其中所述輸入導(dǎo) 體線路與所述電阻層的第 一端電連接，所述接地導(dǎo)體線路與所述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，如權(quán)利要求6的前序部分所 述。高頻端接電阻例如被應(yīng)用于具有很高發(fā)射功率的移動(dòng)無線電和 定向無線電領(lǐng)域中高頻組件的匹配，如用于合成器或天線輸出端的端 接。損耗功率較高的端接電阻具有^f艮大的電阻結(jié)構(gòu)，以便把耦入的高 頻功率分配到其表面上。然而這在寬帶應(yīng)用時(shí)會(huì)對反射系數(shù)造成不利 的影響，或者說這種端接電阻在相同的反射系數(shù)下只能應(yīng)用在較窄的 頻帶內(nèi)。在上面所提到的高頻端接電阻中，需要對基片結(jié)構(gòu)采用特殊的構(gòu) 造，以便通過這種結(jié)構(gòu)滿足非常高的技術(shù)要求。本發(fā)明的目的在于提供一種上面所述類型的高頻端接電阻和上 面所述類型的方法，使得在接地觸點(diǎn)、例如外殼壁處的所述基片的電阻結(jié)構(gòu)的接地端子一方面非常短，從而得到盡可能精確的波阻抗匹 配，而另一方面被構(gòu)造為使得在接地導(dǎo)體線路與接地觸點(diǎn)之間能夠形 成對于接地觸點(diǎn)的良好的焊接點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明，該任務(wù)通過上面所述類型的、具有權(quán)利要求1所述區(qū)別特征的高頻端接電阻以及通過上面所述類型的、具有權(quán)利要求6 所述區(qū)別特征的方法來解決。本發(fā)明的有利實(shí)施方式在其他權(quán)利要求 中描述。在上面所述類型的高頻端接電阻中，根據(jù)本發(fā)明，建議所述接地 導(dǎo)體線路被至少部分地設(shè)置在所述電阻層上。在上面所述類型的方法中，根據(jù)本發(fā)明，建議首先在所述基片上 形成所述電阻層，之后使所述接地導(dǎo)體線路至少部分地形成在所述電 阻層上。這樣做具有以下優(yōu)點(diǎn)即接地導(dǎo)體線路的上側(cè)完全開放，從而可 完全被提供用于與接地觸點(diǎn)相接觸。由此可以使接地導(dǎo)體線路被設(shè)計(jì) 成與和接地觸點(diǎn)充分電連接所需的那樣短，從而使接地導(dǎo)體線路對高 頻端接電阻的波阻抗匹配產(chǎn)生的負(fù)面電作用減到最小，同時(shí)可以使為 了實(shí)現(xiàn)電接觸所要提供的表面積最大化。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述接地導(dǎo)體線路在所述層結(jié)構(gòu)的接 地觸點(diǎn)一側(cè)的端部被設(shè)置在基片上，并具有在所述電阻層的第一端的 方向上延伸的擴(kuò)展部分，該擴(kuò)展部分被設(shè)置在電阻層上。通過以下方式在接地導(dǎo)體線路與接地觸點(diǎn)之間實(shí)現(xiàn)了良好的、能 夠在功能上更為可靠地形成的電接觸即接地導(dǎo)體線路的背對基片的 上側(cè)不僅在所述層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部上的、其中接地導(dǎo)體線 路位于基片上的區(qū)域內(nèi)延伸，而且還在一個(gè)平面中的所述擴(kuò)展部分 的、其中接地導(dǎo)體線路位于電阻層上的區(qū)域內(nèi)延伸。為了導(dǎo)出在電阻層內(nèi)產(chǎn)生的熱量，所述平面層結(jié)構(gòu)被設(shè)置在一個(gè) 由導(dǎo)電材料制成的外殼內(nèi)，其中所述接地觸點(diǎn)就是所述外殼。符合目的的是，所述接地觸點(diǎn)被設(shè)置在所述平面層結(jié)構(gòu)的一個(gè)接 地觸點(diǎn)一側(cè)的端面內(nèi)。下面借助附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。如圖所示

圖1 以俯視圖顯示的本發(fā)明所述高頻端接電阻的一個(gè)優(yōu)選實(shí) 施方式，圖2 以示意性的截面圖顯示的圖1所示高頻端接電阻，圖3在L = 0.6 mm的接地導(dǎo)體線路長度上關(guān)于頻率的波阻抗匹配示意圖，以及圖4在L = 1.1 mm的接地導(dǎo)體線路長度上關(guān)于頻率的波阻抗匹配示意圖。由圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的高頻端接電阻的優(yōu)選實(shí)施方式包括 電阻層IO、輸入導(dǎo)體線路12和接地導(dǎo)體線路14。電阻層IO、輸入導(dǎo) 體線路12和接地導(dǎo)體線路14分別作為相應(yīng)的層在基片16上形成， 并構(gòu)成了一個(gè)平面狀的層結(jié)構(gòu)。所述輸入導(dǎo)體線路12與所述電阻層 10的第一端18電連接，而所述接地導(dǎo)體線路14與所述電阻層10的 和所述第一端18相對的第二端20電連接。電阻層IO用于將高頻能 量轉(zhuǎn)換成熱量，輸入導(dǎo)體線路12用于饋送所述高頻能量，而接地導(dǎo) 體線路14用于和接地觸點(diǎn)22 (圖2 )電連接。由輸入導(dǎo)體線路12 (在圖2中未示出)、電阻層10和接地導(dǎo)體 線路14所構(gòu)成的平面層結(jié)構(gòu)在圖2中更詳細(xì)地描述。接地觸點(diǎn)22在 端側(cè)被設(shè)置在所述層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部，例如構(gòu)成外殼的一 部分。這個(gè)外殼由導(dǎo)電材料制成，并且由于在電阻層10內(nèi)產(chǎn)生的熱 能通過所述外殼被導(dǎo)出到一個(gè)冷卻體，從而具有良好的熱傳導(dǎo)特性。接地導(dǎo)體線路14在電阻層10和外殼22之間形成了電接觸。根 據(jù)本發(fā)明，所述接地導(dǎo)體線路14被至少部分地設(shè)置在電阻層10上。 所述接地導(dǎo)體線路14在所述層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部被設(shè)置在 基片16上。設(shè)置在電阻層10上的接地導(dǎo)體線路14的擴(kuò)展部分24在 電阻層10的第一端18的方向上延伸，也就是說，電阻層10被設(shè)置 在基片16和接地導(dǎo)體線路14之間的擴(kuò)展部分14的區(qū)域內(nèi)。接地導(dǎo)體線路14的背對基片16的上側(cè)26不僅在所述層結(jié)構(gòu)的 接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部上的、其中接地導(dǎo)體線路14位于基片16上的區(qū) 域內(nèi)延伸，而且還在一個(gè)平面中的所述擴(kuò)展部分24的、其中接地導(dǎo) 體線路14位于電阻層10上的區(qū)域內(nèi)延伸。接地導(dǎo)體線路14的這個(gè) 平面狀的上側(cè)26用于形成與外殼22的電接觸，其中最好形成焊接連 接。為此，接地導(dǎo)體線路14的長度28，即接地導(dǎo)體線路14在高頻波 的傳播方向上的延伸，必須具有一定的最小長度，因?yàn)榉駝t的話將不 能形成足夠的焊接切口。另一方面，長度28的值越大，則對阻抗匹 配的負(fù)面影響就越大。由于接地導(dǎo)體線路14在所述層結(jié)構(gòu)接地觸點(diǎn) 一側(cè)的端部、以及在與電阻層IO重疊的區(qū)域內(nèi)表現(xiàn)為最上面的一層， 這個(gè)長度28可以被選擇為與和外殼形成接觸所必需的那樣小。接地 導(dǎo)體線路14對高頻端接電阻的阻抗匹配的負(fù)面作用從而被減少到最 小。在電阻層10的第二端20與外殼壁22之間需要有一個(gè)很短的幾 何距離。同時(shí)，對焊接連接的足夠長度28以及對廉價(jià)的構(gòu)造存在技 術(shù)上的需要。通過本發(fā)明所述的層結(jié)構(gòu)(在電阻層10上設(shè)置接地導(dǎo) 體線路14)，考慮到了所有的需要。得到了簡單而廉價(jià)的構(gòu)造(很小 的端接觸)、以及用于均勻而干凈的焊接連接的足夠的焊接面(與外 殼22的接地連接，其確保了切口形成)，并且盡管電阻結(jié)構(gòu)很大， 但得到了一個(gè)用于優(yōu)化反射系數(shù)的插入點(diǎn)，因?yàn)榻拥貙?dǎo)體線路14的 長度28對電氣參數(shù)起著決定性的影響。所示的用于平面結(jié)構(gòu)的廉價(jià) 制造工藝對高頻特性而言是非常有利的。在制造用于高頻端接電阻的平面層結(jié)構(gòu)的方法中，其中在基片上 形成用于將高頻能量轉(zhuǎn)換成熱量的電阻層、用于饋送高頻能量的輸入 導(dǎo)體線路、以及用于和接地觸點(diǎn)電連接的接地導(dǎo)體線路，其中所述輸 入導(dǎo)體線路與所述電阻層的第一端電連接，而所述接地導(dǎo)體線路與所 述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，該方法的特征在于， 首先在所述基片上形成所述電阻層，之后使所述接地導(dǎo)體線路至少部 分地形成在所述電阻層上。接地導(dǎo)體線路14的長度28的影響在圖3和圖4中示出。在圖3 中，給出了針對L-0.6 mm的關(guān)于頻率的波阻抗匹配，在圖4中給出 了針對L-l.l mm的關(guān)于頻率的波阻抗匹配。正如圖中直觀看到的， 在0.50 GHz至2.00 GHz的范圍內(nèi)，對于L = 0.6 mm的波長28(圖3 )， 得到了大約4dB的更好的阻抗匹配。
權(quán)利要求
1.一種具有平面層結(jié)構(gòu)的高頻端接電阻，所述層結(jié)構(gòu)在一個(gè)基片上(16)具有用于將高頻能量轉(zhuǎn)換成熱量的電阻層(10)、用于饋送高頻能量的輸入導(dǎo)體線路(12)、以及用于和接地觸點(diǎn)(22)電連接的接地導(dǎo)體線路(14)，其中所述輸入導(dǎo)體線路(12)與所述電阻層(10)的第一端(18)電連接，所述接地導(dǎo)體線路(14)與所述電阻層(10)的和所述第一端(18)相對的第二端(20)電連接，并且所述接地導(dǎo)體線路(14)在所述層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部形成所述層結(jié)構(gòu)的最上面一層，其特征在于，所述接地導(dǎo)體線路(14)被至少部分地設(shè)置在所述電阻層(10)上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的高頻端接電阻，其特征在于，所述接 地導(dǎo)體線路(14)在所述層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部被設(shè)置在基片(16)上，并具有在所述電阻層的第一端(18)的方向上延伸的擴(kuò)展 部分(24)，該擴(kuò)展部分被設(shè)置在電阻層(10)上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻端接電阻，其特征在于，接地導(dǎo) 體線路(14)的背對基片(16)的上側(cè)(26)不僅在所述層結(jié)構(gòu)的接 地觸點(diǎn)一側(cè)的端部上的、其中接地導(dǎo)體線路(14)位于基片(16)上 的區(qū)域內(nèi)延伸，而且還在一個(gè)平面中的所述擴(kuò)展部分(24)的、其中 接地導(dǎo)體線路(14)位于電阻層(10)上的區(qū)域內(nèi)延伸。
4. 根據(jù)以上權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的高頻端接電阻，其特征 在于，所述平面層結(jié)構(gòu)被設(shè)置在一個(gè)由導(dǎo)電材料制成的外殼中，其中 所述接地觸點(diǎn)(22)就是該外殼。
5. 根據(jù)以上權(quán)利要求中至少一項(xiàng)所述的高頻端接電阻，其特征 在于，所述接地觸點(diǎn)(22)被設(shè)置在所述平面層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè) 的端面上。
6. —種制造用于高頻端接電阻的平面層結(jié)構(gòu)的方法，其中在基 片上形成用于將高頻能量轉(zhuǎn)換成熱量的電阻層、用于饋送高頻能量的輸入導(dǎo)體線路、以及用于和接地觸點(diǎn)電連接的接地導(dǎo)體線路，其中所 述輸入導(dǎo)體線路與所述電阻層的第一端電連接，而所述接地導(dǎo)體線路 與所述電阻層的和所述第一端相對的第二端電連接，其特征在于，首先在所述基片上形成所述電阻層，之后使所述接 地導(dǎo)體線路至少部分地形成在所述電阻層上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有平面層結(jié)構(gòu)的高頻端接電阻，所述層結(jié)構(gòu)在一個(gè)基片上(16)具有用于將高頻能量轉(zhuǎn)換成熱量的電阻層(10)、用于饋送高頻能量的輸入導(dǎo)體線路(12)、以及用于和接地觸點(diǎn)(22)電連接的接地導(dǎo)體線路(14)，其中所述輸入導(dǎo)體線路(12)與所述電阻層(10)的第一端(18)電連接，所述接地導(dǎo)體線路(14)與所述電阻層(10)的和所述第一端(18)相對的第二端(20)電連接，并且所述接地導(dǎo)體線路(14)在所述層結(jié)構(gòu)的接地觸點(diǎn)一側(cè)的端部形成所述層結(jié)構(gòu)的最上面一層。這里所述接地導(dǎo)體線路(14)被至少部分地設(shè)置在所述電阻層(10)上。
文檔編號H03H3/007GK101253583SQ200680031289
公開日2008年8月27日 申請日期2006年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者D·扎恩, F·韋斯 申請人:羅森伯格高頻技術(shù)有限及兩合公司