專利名稱：控制無源超高頻設(shè)備調(diào)制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及無源超高頻RFID讀卡器設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種控制UHF-RFID無源超高頻(860M-960M)設(shè) 備調(diào)制電路。
技術(shù)背景目前，無源超高頻RFID讀卡器的調(diào)制電路主要是用一個(gè)超高頻開關(guān)芯片控制VCO壓控振蕩器的射頻信號(hào)來進(jìn)行IS018000-6B，IS018000-6C(EPC GEN2)等無源協(xié)議的調(diào)制，這種方式會(huì)使電路比較復(fù)雜，調(diào)制麻煩，增加了高頻信號(hào)的衰減，增加了成本和故障率
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供控制無源超高頻設(shè)備調(diào)制電路，它使得電路結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單，更能便于調(diào)試及生產(chǎn)，信號(hào)更強(qiáng)，生產(chǎn)成本減少，讀卡器性能更穩(wěn)定。為了解決背景技術(shù)所存在的問題，本實(shí)用新型是采用以下技術(shù)方案它是由VCO模塊I、功率放大器2、MCU模塊3組成；VC0模塊I與功率放大器2連接，VCO模塊I與MCU模塊3連接，功率放大器2與MCU模塊3連接。所述的功率放大器2內(nèi)設(shè)置有頻率切換開關(guān)2-1，代替了超高頻開關(guān)芯片進(jìn)行調(diào)制IS018000-6B，IS018000-6C(EPC GEN2)等無源協(xié)議的調(diào)制信號(hào)。本實(shí)用新型使得電路結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單，更能便于調(diào)試及生產(chǎn)，信號(hào)更強(qiáng)，生產(chǎn)成本減少，讀卡器性能更穩(wěn)定。

圖I是背景技術(shù)中控制無源超高頻設(shè)備調(diào)制電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參照?qǐng)D1，圖2，本具體實(shí)施方式
采用以下技術(shù)方案它是由VCO模塊I、功率放大器2、MCU模塊3組成；VC0模塊I與功率放大器2連接，VCO模塊I與MCU模塊3連接，功率放大器2與MCU模塊3連接。所述的功率放大器2內(nèi)設(shè)置有頻率切換開關(guān)2-1，代替了超高頻開關(guān)芯片進(jìn)行調(diào)制IS018000-6B，IS018000-6C(EPC GEN2)等無源協(xié)議的調(diào)制信號(hào)。本具體實(shí)施方式
使得電路結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單，更能便于調(diào)試及生產(chǎn)，信號(hào)更強(qiáng)，生產(chǎn)成本減少，讀卡器性能更穩(wěn)定。
權(quán)利要求1.控制無源超高頻設(shè)備調(diào)制電路，其特征在于它是由VCO模塊(I)、功率放大器(2)、MCU模塊(3)組成；VC0模塊⑴與功率放大器⑵連接，VCO模塊⑴與MCU模塊(3)連接，功率放大器⑵與MCU模塊(3)連接。
專利摘要控制無源超高頻設(shè)備調(diào)制電路，它涉及無源超高頻RFID讀卡器設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。它是由VCO模塊(1)、功率放大器(2)、MCU模塊(3)組成；VCO模塊(1)與功率放大器(2)連接，VCO模塊(1)與MCU模塊(3)連接，功率放大器(2)與MCU模塊(3)連接。它使得電路結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單，更能便于調(diào)試及生產(chǎn)，信號(hào)更強(qiáng)，生產(chǎn)成本減少，讀卡器性能更穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H03K7/06GK202586903SQ201220201609
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月8日
發(fā)明者陳志強(qiáng) 申請(qǐng)人:陳志強(qiáng)