一種雙晶體管的單片機(jī)上電復(fù)位電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種雙晶體管的單片機(jī)上電復(fù)位電路，包括電阻R1~R3、三極管Q1~Q2、電容C1~C2和二極管D1；R1的一端和R2的一端連接在一起后接到VCC上，R1的另一端和C1的一端連接后接到Q1的基極，C1的另一端接地，R2的另一端接到Q1的集電極，Q1的發(fā)射極接到地，Q2的基極接到Q1的集電極，Q2的發(fā)射極接到地，R3和D1并聯(lián)，D1的陽(yáng)極接到Q2的集電極，D1的陰極接到VDD上，C2并聯(lián)在Q2的發(fā)射極和集電極之間，D1的陽(yáng)極接單片機(jī)的復(fù)位腳。本實(shí)用新型電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，穩(wěn)定性高，可靠性高，成本低等優(yōu)點(diǎn)，是一種適合應(yīng)用于小家電控制器上的單片機(jī)上電復(fù)位電路。
【專利說(shuō)明】—種雙晶體管的單片機(jī)上電復(fù)位電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及單片機(jī)控制電路【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地，涉及一種雙晶體管的單片機(jī)上電復(fù)位電路。
【背景技術(shù)】
[0002]復(fù)位是單片機(jī)的初始化操作，其主要功能是把單片機(jī)中的程序計(jì)數(shù)器PC初始化為初始值，使單片機(jī)從內(nèi)存的起始地址單元開始執(zhí)行程序。除了進(jìn)入系統(tǒng)的正常初始化之夕卜，當(dāng)由于程序運(yùn)行出錯(cuò)或操作錯(cuò)誤使系統(tǒng)處于死鎖狀態(tài)時(shí)，為了擺脫這種情況，也需要按復(fù)位鍵以重新啟動(dòng)。另外復(fù)位操作還會(huì)對(duì)一些特殊功能寄存器進(jìn)行初始化，使單片機(jī)內(nèi)有關(guān)功能部件回到初始化狀態(tài)。
[0003]單片機(jī)的復(fù)位方式分很多種，有外部復(fù)位電路復(fù)位，內(nèi)部低電壓復(fù)位等方式。
[0004]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種穩(wěn)定性高，實(shí)用性強(qiáng)，成本低，可靠性高的雙晶體管的單片機(jī)外部上電復(fù)位電路。
[0006]本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)采用以下技術(shù)方案達(dá)到:
[0007]一種雙晶體管的單片機(jī)上電復(fù)位電路，其特征在于，包括電阻Rf R3、晶體三極管Qf Q2、電容Cf C2和二極管Dl ；
[0008]電阻Rl的一端和電阻R2的一端連接在一起后接到VCC上，電阻Rl的另一端和電容Cl的一端連接后接到三極管Ql的基極，電容Cl的另一端接地，電阻R2的另一端接到三極管Ql的集電極，三極管Ql的發(fā)射極接到地，三極管Q2的基極接到三極管Ql的集電極，三極管Q2的發(fā)射極接到地，電阻R3和二極管Dl并聯(lián)，二極管Dl的陽(yáng)極接到三極管Q2的集電極，二極管Dl的陰極接到VDD上，電容C2并聯(lián)在三極管Q2的發(fā)射極和集電極之間，二極管Dl的陽(yáng)極接單片機(jī)的復(fù)位腳。
[0009]當(dāng)外部上電時(shí)，由于電容Cl兩端的電壓不能夠突變，從而使三極管Ql的基極和發(fā)射極之間的電壓低于三極管Ql的開啟電壓Ubel，故三極管Ql截止，三極管Q2的基極通過(guò)電阻R2連接到VCC，使得三極管的Q2基極和發(fā)射極之間的電壓高于三極管Q2的開啟電壓Ube2，故三極管Q2導(dǎo)通，三極管Q2的集電極的電位被拉低，單片機(jī)獲得低電平，處于復(fù)位狀態(tài)。經(jīng)過(guò)Tl時(shí)間后，當(dāng)電容Cl被充滿電后，三極管Ql的基極電位被拉高，三極管Ql導(dǎo)通，從而使得三極管Q2的基極被拉低，三極管Q2截止，又由于C2兩端的電壓不能夠突變，故三極管Q2的集電極的電位仍然為低電平，經(jīng)過(guò)T2時(shí)間后，VDD將電容C2充滿電后，三極管Q2的集電極的電位被拉高，此時(shí)，單片機(jī)獲得高電平，復(fù)位結(jié)束，整個(gè)過(guò)程持續(xù)的時(shí)間為T1+T2，這就保證了單片機(jī)能夠很好的復(fù)位，其中的電阻R3和二極管Dl是上拉和放電的作用，斷電時(shí)將電容C2倆端的電荷放完，為下一次單片機(jī)更好的復(fù)位做好準(zhǔn)備。
[0010]本實(shí)用新型具有如下突出的有益效果:
[0011]1、該復(fù)位電路采用倆級(jí)電容充放電產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)，穩(wěn)定性高，可靠性高；
[0012]2、該復(fù)位電路適合在小家電控制器的應(yīng)用場(chǎng)合，實(shí)用性強(qiáng)，成本低。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1為本實(shí)用新型的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不限于此。
[0015]參照?qǐng)D1，本實(shí)施例中，所述的雙晶體管上電復(fù)位電路由3個(gè)電阻RfR3，2個(gè)晶體三極管Qf Q2，2個(gè)電容Cf C2，一個(gè)二極管Dl和單片機(jī)MCU組成。電阻Rl的一端和電阻R2的一端連接在一起后接到VCC上，電阻Rl的另一端和電容Cl的一端連接后接到三極管Ql的基極，電容Cl的另一端接地，電阻R2的另一端接到三極管Ql的集電極，三極管Ql的發(fā)射極接到地，三極管Q2的基極接到三極管Ql的集電極，三極管Q2的發(fā)射極接到地，電阻R3和二極管Dl并聯(lián)，二極管Dl的陽(yáng)極接到三極管Q2的集電極，二極管Dl的陰極接到VDD上，電容C2并聯(lián)在三極管Q2的發(fā)射極和集電極之間，單片機(jī)MCU的復(fù)位腳接到二極管Dl的陽(yáng)極。
[0016]本實(shí)施例的工作原理:
[0017]參照?qǐng)D1，當(dāng)外部上電時(shí)，由于電容Cl的倆端電壓不能夠突變，從而使三極管Ql的基極和發(fā)射極之間的電壓低于Ql的開啟電壓Ubel，故Ql截止，三極管Q2的基極通過(guò)電阻R2連接到VCC，使得Q2基極和發(fā)射極之間的電壓高于Q2的開啟電壓Ube2，故三極管Q2導(dǎo)通，A點(diǎn)電位被拉低，單片機(jī)獲得低電平，處于復(fù)位狀態(tài)。經(jīng)過(guò)Tl時(shí)間后，當(dāng)電容Cl被充滿電后，三極管Ql的基極電位被拉高，Ql導(dǎo)通，從而使得三極管Q2的基極被拉低，Q2截止，又由于C2倆端電壓不能夠突變，故A電電位仍然為低電平，經(jīng)過(guò)T2時(shí)間后，VDD將電容C2充滿電后，A點(diǎn)電位被拉高，此時(shí)，單片機(jī)獲得高電平，復(fù)位結(jié)束，整個(gè)過(guò)程持續(xù)的時(shí)間為T1+T2，這就保證了單片機(jī)能夠很好的復(fù)位，其中的電阻R3和二極管Dl是上拉和放電的作用，斷電時(shí)將電容C2倆端的電荷放完，為下一次單片機(jī)更好的復(fù)位做好準(zhǔn)備。
[0018]以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施例，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種雙晶體管的單片機(jī)上電復(fù)位電路，其特征在于，包括電阻Rf R3、晶體三極管Qf Q2、電容Cf C2和二極管Dl ； 電阻Rl的一端和電阻R2的一端連接在一起后接到VCC上，電阻Rl的另一端和電容Cl的一端連接后接到三極管Ql的基極，電容Cl的另一端接地，電阻R2的另一端接到三極管Ql的集電極，三極管Ql的發(fā)射極接到地，三極管Q2的基極接到三極管Ql的集電極，三極管Q2的發(fā)射極接到地，電阻R3和二極管Dl并聯(lián)，二極管Dl的陽(yáng)極接到三極管Q2的集電極，二極管Dl的陰極接到VDD上，電容C2并聯(lián)在三極管Q2的發(fā)射極和集電極之間，二極管Dl的陽(yáng)極接單片機(jī)的復(fù)位腳。
【文檔編號(hào)】H03K17/22GK203616717SQ201320880275
【公開日】2014年5月28日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】汪軍, 錢文斌 申請(qǐng)人:廣東瑞德智能科技股份有限公司