本公開涉及一種半導體元件結構及其制備方法。尤其涉及一種包括一中介層的半導體元件結構。

背景技術：

1、隨著電子產業(yè)的快速發(fā)展，集成電路(ics)的發(fā)展已經達到高效能以及小型化。在ic材料以及設計的技術進步產生了數(shù)代的ics，而其每一代均具有比上一代更小、更復雜的電路。

2、例如一快閃存儲器、一動態(tài)隨機存取存儲器(dram)即類似物的存儲器被用來儲存來自邏輯電路的數(shù)據(jù)。最近，包括存儲器與邏輯電路的一半導體元件結構在微型化方面面臨著巨大的挑戰(zhàn)。因此，需要一種新的半導體元件結構。

3、上文的“現(xiàn)有技術”說明僅提供背景技術，并未承認上文的“現(xiàn)有技術”說明公開本公開的標的，不構成本公開的現(xiàn)有技術，且上文的“現(xiàn)有技術”的任何說明均不應作為本發(fā)明的任一部分。

技術實現(xiàn)思路

1、本公開的一實施例提供一種半導體元件結構。該半導體元件結構包括一中介層以及一第一電子元件。該中介層包括一第一半導體裸片以及一第二半導體裸片。該第一半導體裸片包括一第一快閃存儲器以及一第一存儲器控制電路。該第二半導體裸片包括一第二快閃存儲器以及一第二存儲器控制電路。該第一電子元件設置在該中介層上并與該第一半導體裸片以及該第二半導體裸片進行通信連接。

2、本公開的另一實施例提供另一種半導體元件結構。該半導體元件結構包括一中介層、一第一重分布結構以及一第一電子元件。該中介層具有一第一表面以及一第二表面，該第二表面相對該第一表面。該中介層包括一第一半導體裸片，該第一半導體裸片包括一第一快閃存儲器以及一第一存儲器控制電路。該第一重分布結構設置在該中介層的該第二表面上。該第一電子元件設置在該第一重分布結構上。該第一電子元件電性連接到該第一快閃存儲器。

3、本公開的另一實施例提供一種半導體元件結構的制備方法。該制備方法包括提供一第一半導體裸片以及一第二半導體裸片，其中該第一半導體裸片包括一第一快閃存儲器，且該第二半導體裸片包括一第二快閃存儲器；形成一第一重分布結構在該第一半導體裸片與該第二半導體裸片上；以及提供一第一電子元件到該第一重分布結構，其中該第一電子元件通過該第一重分布結構而與該第一快閃存儲器、該第二快閃存儲器或其兩者進行通信連接。

4、本公開的多個實施例提供一半導體元件結構。該半導體元件結構包括一中介層，該中介層包括一快閃存儲器，形成在一半導體裸片內。邏輯電路設置在另一個電子元件中，其減小了所述電子元件的尺寸。在一比較例中，邏輯電路與快閃存儲器整合在一個裸片中，其增加了裸片的尺寸并且不利地影響了半導體元件結構的小型化。在一些實施例中，該中介層包括兩個或更多個半導體裸片。每個半導體裸片包括一快閃存儲器以及一存儲器控制電路。邏輯電路可以與任何一個半導體裸片進行通信連接，或者與兩個或更多半導體裸片進行通信連接。這樣的設計可以改善制造一半導體元件結構的良率。

5、上文已相當廣泛地概述本公開的技術特征及優(yōu)點，以使下文的本公開詳細描述得以獲得較佳了解。構成本公開的權利要求標的的其它技術特征及優(yōu)點將描述于下文。本公開所屬技術領域中技術人員應了解，可相當容易地利用下文公開的概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或工藝而實現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術領域中技術人員亦應了解，這類等效建構無法脫離隨附的權利要求所界定的本公開的精神和范圍。

技術特征：

1.一種半導體元件結構，包括：

2.如權利要求1所述的半導體元件結構，還包括：

3.如權利要求2所述的半導體元件結構，還包括：

4.如權利要求3所述的半導體元件結構，其中該第二電子元件包括一動態(tài)隨機存取存儲器。

5.如權利要求4所述的半導體元件結構，其中該第一快閃存儲器包括一靜態(tài)隨機存取存儲器。

6.如權利要求5所述的半導體元件結構，其中該第二快閃存儲器包括該靜態(tài)隨機存取存儲器。

7.如權利要求1所述的半導體元件結構，其中該第一快閃存儲器比該第一存儲器控制電路更靠近該第二快閃存儲器。

8.如權利要求1所述的半導體元件結構，其中該第一快閃存儲器比該第二快閃存儲器更靠近該第二存儲器控制電路。

9.如權利要求1所述的半導體元件結構，還包括：

10.如權利要求1所述的半導體元件結構，其中該第一半導體裸片具有一第一表面以及一第二表面，該第二表面相對該第一表面且面對該第一電子元件，其中該第一快閃存儲器鄰近該第一半導體裸片的該第二表面設置。

11.如權利要求10所述的半導體元件結構，其中該第一半導體裸片包括一貫穿通孔，從該第一半導體裸片的該第一表面延伸。

12.如權利要求1所述的半導體元件結構，其中該第一電子元件垂直重疊該第一快閃存儲器與該第二快閃存儲器。

13.一種半導體元件結構，包括：

14.如權利要求13所述的半導體元件結構，其中該中介層還包括一第二半導體裸片，且該第二半導體裸片包括一第二快閃存儲器以及一第二存儲器控制電路。

15.如權利要求14所述的半導體元件結構，其中該第一電子元件通過該第一重分布結構而與該第一快閃存儲器、該第二快閃存儲器或其兩者進行通信連接。

16.如權利要求14所述的半導體元件結構，其中該第一電子元件重疊該第一半導體裸片與該第二半導體裸片。

17.如權利要求14所述的半導體元件結構，其中該第一快閃存儲器比該第一存儲器控制電路更靠近該第二快閃存儲器。

18.如權利要求14所述的半導體元件結構，其中該第一快閃存儲器比該第二快閃存儲器更靠近該第二存儲器控制電路。

19.如權利要求14所述的半導體元件結構，其中該中介層還包括一封裝膠體，封裝該第一半導體裸片與該第二半導體裸片。

20.如權利要求19所述的半導體元件結構，其中該第一重分布結構覆蓋該第一半導體裸片、該第二半導體裸片以及該封裝膠體。

技術總結
本公開提供一種半導體元件結構。該半導體元件結構包括一中介層以及一第一電子元件。該中介層包括一第一半導體裸片以及一第二半導體裸片。該第一半導體裸片包括一第一快閃存儲器以及一第一存儲器控制電路。該第二半導體裸片包括一第二快閃存儲器以及一第二存儲器控制電路。該第一電子元件設置在該中介層上并與該第一半導體裸片與該第二半導體裸片進行通信連接。

技術研發(fā)人員：施信益
受保護的技術使用者：南亞科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/10/21