本發(fā)明的各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種包括三維存儲(chǔ)單元的半導(dǎo)體器件以及一種用于制造該半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)：

1、為了滿足最近市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器件的更大容量和更小型化的需求，正提出各種三維(“3d”)存儲(chǔ)器件，它們包括以三維堆疊的存儲(chǔ)單元。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的實(shí)施例針對(duì)一種包括存儲(chǔ)單元的高度集成的3d陣列的半導(dǎo)體器件，以及一種用于制造該器件的方法。

2、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在下部結(jié)構(gòu)之上形成包括第一犧牲層結(jié)構(gòu)、初步水平層和第二犧牲層結(jié)構(gòu)的堆疊體；在所述堆疊體之上形成主硬掩模層；在所述主硬掩模層之上形成網(wǎng)狀硬掩模圖案；通過使用所述網(wǎng)狀硬掩模圖案作為刻蝕阻障來刻蝕所述主硬掩模層，形成主硬掩模圖案；通過使用所述主硬掩模圖案作為刻蝕阻障來刻蝕所述堆疊體，形成多個(gè)隔離開口；以及形成填充所述多個(gè)隔離開口的多個(gè)隔離層。

3、根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在下部結(jié)構(gòu)之上形成包括硅鍺層和單晶硅層的刻蝕目標(biāo)層；在所述刻蝕目標(biāo)層之上形成主硬掩模層；在所述主硬掩模層之上形成多級(jí)硬掩模層；通過對(duì)所述多級(jí)硬掩模層執(zhí)行雙重圖案化工藝來形成網(wǎng)狀硬掩模圖案；通過使用所述網(wǎng)狀硬掩模圖案作為刻蝕阻障來刻蝕所述主硬掩模層，形成主硬掩模圖案；通過使用所述主硬掩模圖案作為刻蝕阻障來刻蝕所述刻蝕目標(biāo)層，形成多個(gè)小開口和多個(gè)大開口；以及形成填充所述多個(gè)小開口和所述多個(gè)大開口的多個(gè)介電層。

4、根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件，包括：多個(gè)位線，其在下部結(jié)構(gòu)之上沿第一方向垂直定向；半導(dǎo)體層圖案，其從所述位線沿第二方向水平定向；柵極介電層，其適于完全覆蓋每一個(gè)所述半導(dǎo)體層圖案的上表面和下表面；字線，其在所述柵極介電層之上與每一個(gè)所述半導(dǎo)體層圖案交叉而沿第三方向水平定向；數(shù)據(jù)儲(chǔ)存元件，其分別與所述半導(dǎo)體層圖案耦接；第一隔離層，其在所述位線之間沿所述第一方向垂直定向；以及第二隔離層，其在所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存元件之間沿所述第一方向垂直定向。

5、通過下面的圖和詳細(xì)描述，可以更好地理解本發(fā)明的這些及其他特征和優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述柵極介電層完全覆蓋所述水平層圖案的頂表面和底表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述柵極介電層通過沉積氧化硅的工藝或?qū)λ鏊綄訄D案的表面進(jìn)行氧化的工藝來形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述初步水平層和所述水平層圖案包括單晶硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一犧牲層結(jié)構(gòu)和所述第二犧牲層結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)都包括第一硅鍺層、第一單晶硅層和第二硅鍺層的堆疊，以及

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述網(wǎng)狀硬掩模圖案包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一硬掩模層和所述第二硬掩模層中的每一個(gè)都包括非晶碳和氮氧化硅的堆疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述線狀第二硬掩模圖案包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成所述線狀第一硬掩模圖案包括：

12.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述網(wǎng)狀硬掩模圖案包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述第一硬掩模層和所述第二硬掩模層中的每一個(gè)都包括非晶碳和氮氧化硅的堆疊。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成所述線狀第二硬掩模圖案包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，形成所述線狀第一硬掩模圖案包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，進(jìn)一步包括：

18.一種半導(dǎo)體器件，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一隔離層在所述第二方向上的長(zhǎng)度短于所述第二隔離層在所述第二方向上的長(zhǎng)度。

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一隔離層和所述第二隔離層在所述第二方向上交替設(shè)置。

21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述字線在所述第一隔離層與所述第二隔離層之間沿所述第三方向水平定向。

22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，每一個(gè)所述字線包括彼此面對(duì)的雙字線，所述半導(dǎo)體層圖案介于所述雙字線之間。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及半導(dǎo)體器件及用于制造其的方法。一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在下部結(jié)構(gòu)之上形成包括第一犧牲層結(jié)構(gòu)、初步水平層和第二犧牲層結(jié)構(gòu)的堆疊體；在所述堆疊體上形成主硬掩模層；在所述主硬掩模層上形成網(wǎng)狀硬掩模圖案；通過使用所述網(wǎng)狀硬掩模圖案作為刻蝕阻障來刻蝕所述主硬掩模層，形成主硬掩模圖案；通過使用所述主硬掩模圖案作為刻蝕阻障來刻蝕所述堆疊體，形成多個(gè)隔離開口；以及形成填充所述隔離開口的多個(gè)隔離層。

技術(shù)研發(fā)人員：金承煥,宋錫杓
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/17