本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法以及包括半導(dǎo)體裝置的電子系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的電子系統(tǒng)中，高容量數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)在半導(dǎo)體裝置中。因此，正在研究增加半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的方法。例如，作為用于增加半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的方法之一，已提出包括三維地布置的存儲(chǔ)器單元而非二維地布置的存儲(chǔ)器單元的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括電路區(qū)和接合到電路區(qū)的單元區(qū)。單元區(qū)可包括襯底、基底存儲(chǔ)器部和接合存儲(chǔ)器部。這里，基底存儲(chǔ)器部包括：位于襯底上并且具有面對(duì)襯底的一個(gè)表面和與所述一個(gè)表面相對(duì)的另一表面的第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)、穿透第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)的第一溝道結(jié)構(gòu)、以及位于第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)的另一表面上并且連接到第一溝道結(jié)構(gòu)的基底接合焊盤。接合存儲(chǔ)器部包括：具有接合到基底存儲(chǔ)器部的第一表面和接合到電路區(qū)的第二表面的第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)、穿透第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)的第二溝道結(jié)構(gòu)、在第一表面中連接到第二溝道結(jié)構(gòu)并接合到基底接合焊盤的第一接合焊盤、以及在第二表面中連接到第二溝道結(jié)構(gòu)并接合到電路區(qū)的第二接合焊盤。

2、根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：形成存儲(chǔ)器襯底、形成單元區(qū)、以及將單元區(qū)接合到電路區(qū)。在形成存儲(chǔ)器襯底的步驟中，通過(guò)在襯底上形成基底存儲(chǔ)器部來(lái)制造基底存儲(chǔ)器襯底，并且通過(guò)在載體襯底上形成接合存儲(chǔ)器部來(lái)制造接合存儲(chǔ)器襯底。在形成單元區(qū)的步驟中，將接合存儲(chǔ)器襯底的接合存儲(chǔ)器部的第一表面接合到基底存儲(chǔ)器襯底的基底存儲(chǔ)器部，并去除載體襯底。在將單元區(qū)接合到電路區(qū)的步驟中，將單元區(qū)的接合存儲(chǔ)器部的第二表面接合到電路區(qū)。

3、根據(jù)實(shí)施例的電子系統(tǒng)包括主襯底、主襯底上的半導(dǎo)體裝置以及與主襯底上的半導(dǎo)體裝置電連接的控制器。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述基底接合焊盤、所述第一接合焊盤和所述第二接合焊盤中的一個(gè)的至少一部分由位線形成。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述基底接合焊盤、所述第一接合焊盤、所述第二接合焊盤或所述位線包括銅。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述基底存儲(chǔ)器部和所述接合存儲(chǔ)器部中的每一個(gè)包括柵極感應(yīng)漏極泄漏晶體管。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述接合存儲(chǔ)器部的結(jié)構(gòu)沿豎直方向相對(duì)于所述基底存儲(chǔ)器部的結(jié)構(gòu)被反轉(zhuǎn)。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)與所述第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)包括多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中：

17.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述方法包括：

18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中：

19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，形成所述單元區(qū)包括將一個(gè)或多個(gè)接合存儲(chǔ)器部接合到所述基底存儲(chǔ)器部上。

20.一種電子系統(tǒng)，包括：

技術(shù)總結(jié)
提供了一種半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法和電子系統(tǒng)。半導(dǎo)體裝置包括接合電路和單元區(qū)。單元區(qū)包括襯底、基底存儲(chǔ)器部和接合存儲(chǔ)器部。在此，基底存儲(chǔ)器部包括：位于襯底上并且具有第一表面和第二表面的第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)，穿透第一柵極堆疊結(jié)構(gòu)的第一溝道結(jié)構(gòu)，以及位于第二表面上并且連接到第一溝道結(jié)構(gòu)的基底接合焊盤。接合存儲(chǔ)器部包括：具有接合到基底存儲(chǔ)器部的第三表面和接合到電路區(qū)的第四表面的第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)，穿透第二柵極堆疊結(jié)構(gòu)的第二溝道結(jié)構(gòu)，在第三表面中連接到第二溝道結(jié)構(gòu)并接合到基底接合焊盤的第一接合焊盤，以及在第四表面中連接到第二溝道結(jié)構(gòu)并接合到電路區(qū)的第二接合焊盤。

技術(shù)研發(fā)人員：崔茂林,沈善一,白承祐,李知珉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21