本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體器件已由于它們相對(duì)小的尺寸、多功能性和成本效益特性而廣泛用于電子行業(yè)。半導(dǎo)體器件的類型包括：用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件、用于處理數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體邏輯器件、以及包括存儲(chǔ)器和邏輯元件二者的混合半導(dǎo)體器件。

2、隨著電子裝置高速和低功耗的最近趨勢(shì)，期望電子裝置中的半導(dǎo)體器件具有高操作速度和/或低操作電壓。因此，對(duì)具有高集成密度的半導(dǎo)體器件的需求已增加。然而，隨著半導(dǎo)體器件的集成密度增加，半導(dǎo)體器件的電特性和生產(chǎn)良率可能降低。相應(yīng)地，正在進(jìn)行研究以提高半導(dǎo)體器件的電特性和生產(chǎn)良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了能夠容易地制造并且具有提高的集成密度的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

2、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了具有提高的電特性和可靠性特性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括第一有源圖案和第二有源圖案，所述第一有源圖案和所述第二有源圖案在第一方向上延伸并且在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)。所述第一有源圖案和所述第二有源圖案均包括：在所述第一方向上彼此間隔開(kāi)的第一邊緣部分和第二邊緣部分以及位于所述第一邊緣部分與所述第二邊緣部分之間的中央部分。位線節(jié)點(diǎn)接觸位于所述第一有源圖案和所述第二有源圖案的所述中央部分上。位線設(shè)置在所述位線節(jié)點(diǎn)接觸上并且在與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸。所述第一有源圖案和所述第二有源圖案的所述中央部分在所述第二方向上被順序地設(shè)置。每個(gè)所述位線節(jié)點(diǎn)接觸在所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的與所述位線直接接觸的頂表面的高度處具有第一寬度，在所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案直接接觸的底表面的高度處具有第二寬度，并且在所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的頂表面與底表面之間具有第三寬度，所述第三寬度小于所述第一寬度和所述第二寬度。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括設(shè)置在襯底中的器件隔離圖案。所述器件隔離圖案限定了多個(gè)有源圖案。所述器件隔離圖案包括：在第一方向上延伸的第一部分和與所述第一部分交叉并且在第二方向上延伸的第二部分。第一字線和第二字線與有源圖案交叉并且在所述第二方向上延伸。位線設(shè)置在所述有源圖案上并且在與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸。位線節(jié)點(diǎn)接觸設(shè)置在所述有源圖案與所述位線之間。每個(gè)所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的至少一部分具有隨著到所述襯底的距離減小而增大的寬度。

5、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括襯底，所述襯底包括第一有源圖案和第二有源圖案，所述第一有源圖案和所述第二有源圖案在第一方向上延伸并且在與所述第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開(kāi)。所述第一有源圖案和所述第二有源圖案均包括：在所述第一方向上彼此間隔開(kāi)的兩個(gè)邊緣部分以及介于所述邊緣部分之間的中央部分。一對(duì)字線在所述第二方向上延伸，以與所述第一有源圖案和所述第二有源圖案交叉。存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)焊盤和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸順序地設(shè)置在所述邊緣部分上。位線分別設(shè)置在所述第一有源圖案和所述第二有源圖案上并且在與所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸。位線間隔物覆蓋所述位線的側(cè)表面。位線節(jié)點(diǎn)接觸介于所述第一有源圖案和所述第二有源圖案中的每一者的所述中央部分與所述位線之間。定位焊盤位于所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸上。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)圖案位于所述定位焊盤上。所述第一有源圖案和所述第二有源圖案的所述中央部分在所述第二方向上被順序地設(shè)置。所述位線節(jié)點(diǎn)接觸在所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的頂表面與所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的底表面之間的第一高度處具有最小寬度。從所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的頂表面到所述第一高度，所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的寬度減小，然后從所述第一高度到所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的底表面，所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的寬度增大。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的所述頂表面的所述第一寬度小于所述底表面的所述第二寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述位線包括凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域與所述位線節(jié)點(diǎn)接觸垂直地交疊并且朝向所述位線節(jié)點(diǎn)接觸凹陷。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括：

10.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括位于所述襯底與所述位線之間的緩沖圖案，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

16.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述位線節(jié)點(diǎn)接觸的所述第三部分設(shè)置在所述第一高度處。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，每個(gè)所述位線包括凹陷區(qū)域，所述凹陷區(qū)域與所述位線節(jié)點(diǎn)接觸垂直地交疊并且朝向所述位線節(jié)點(diǎn)接觸凹陷。

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括：在第一方向上延伸并且在與所述第一方向交叉的所述第二方向上彼此間隔開(kāi)的第一有源圖案和第二有源圖案。第一有源圖案和第二有源圖案包括：在第一方向上彼此間隔開(kāi)的第一邊緣部分和第二邊緣部分以及位于它們之間的中央部分。位線節(jié)點(diǎn)接觸位于中央部分上。位線位于位線節(jié)點(diǎn)接觸上并且在與第一方向和第二方向交叉的第三方向上延伸。第一有源圖案和第二有源圖案的中央部分在第二方向上被順序地設(shè)置。每個(gè)位線節(jié)點(diǎn)接觸在頂表面的高度處具有第一寬度，在底表面的高度處具有第二寬度，并且在頂表面與底表面之間具有第三寬度，第三寬度小于第一寬度和第二寬度。

技術(shù)研發(fā)人員：李明東,高承甫,金根楠,金鐘珉,金熙中,樸臺(tái)鎮(zhèn),安東赫,李基碩,李敏永,車仁鎬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21