背景技術(shù)：

1、本公開內(nèi)容的實施例涉及三維(3d)存儲器件及其制造方法。

2、通過改進工藝技術(shù)、電路設(shè)計、編程算法、和制造工藝，將平面存儲單元縮放到較小尺寸。然而，隨著存儲單元的特征尺寸接近下限，平面工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性且成本高昂。結(jié)果，用于平面存儲單元的存儲密度接近上限。

3、3d存儲架構(gòu)可以解決平面存儲單元中的密度限制。3d存儲架構(gòu)包括存儲器陣列和用于控制通往和來自存儲器陣列的信號的外圍設(shè)備。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本文公開了3d存儲器件的實施例及其形成方法。

2、在一個示例中，公開了一種用于形成3d存儲器件的方法。在襯底上依次形成第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層、和犧牲層。形成垂直地延伸穿過犧牲層和第一阻擋層的阻擋插塞，以將犧牲層劃分成支撐部分和犧牲部分。在犧牲層上方形成電介質(zhì)堆疊層，并且電介質(zhì)堆疊層具有階梯區(qū)域，使得犧牲層的支撐部分在電介質(zhì)堆疊層的階梯區(qū)下方并與之重疊。形成垂直地延伸穿過電介質(zhì)堆疊、犧牲層的犧牲部分、和第一阻擋層進入第一半導(dǎo)體層中的溝道結(jié)構(gòu)。形成垂直地延伸穿過電介質(zhì)堆疊層的開口以暴露犧牲層的犧牲部分的一部分。通過開口用與犧牲層的支撐部分共面的第二半導(dǎo)體層替換犧牲層的犧牲部分。

3、在另一個示例中，公開了一種用于形成3d存儲器件的方法。在襯底上依次形成第一半導(dǎo)體層、第一阻擋層、和犧牲層。用支撐結(jié)構(gòu)替換第一阻擋層和犧牲層的一部分。在支撐結(jié)構(gòu)和犧牲層的其余部分上方形成電介質(zhì)堆疊層，并且電介質(zhì)堆疊層具有階梯區(qū)域，使得支撐結(jié)構(gòu)與電介質(zhì)堆疊層的階梯區(qū)域重疊。形成垂直地延伸穿過電介質(zhì)堆疊層、犧牲層的其余部分、和第一阻擋層進入第一半導(dǎo)體層中的溝道結(jié)構(gòu)。形成垂直地延伸穿過電介質(zhì)堆疊層的開口，以暴露犧牲層的其余部分的一部分。通過開口用與支撐結(jié)構(gòu)共面的第二半導(dǎo)體層替換犧牲層的其余部分。

4、在又一個示例中，公開了一種用于形成3d存儲器件的方法。在第一襯底上形成外圍電路。在第二襯底上形成第一半導(dǎo)體層。在第一半導(dǎo)體層上形成支撐結(jié)構(gòu)和與支撐結(jié)構(gòu)共面的第二半導(dǎo)體層。在支撐結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體層上方形成存儲堆疊層。存儲堆疊層具有與支撐結(jié)構(gòu)重疊的階梯區(qū)域。形成垂直地延伸穿過存儲堆疊層和第二半導(dǎo)體層進入第一半導(dǎo)體層中的溝道結(jié)構(gòu)。以面對面的方式鍵合第一襯底和第二襯底。

技術(shù)特征：

1.一種三維(3d)存儲器件，其特征在于，包括第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，其中：

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維存儲器件，其特征在于，其中：

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維存儲器件，其特征在于，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述三維存儲器件還包括第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)連接，所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維存儲器件，其特征在于，其中：

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維存儲器件，其特征在于，其中：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)用于連接所述溝道結(jié)構(gòu)和所述外圍電路。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：

技術(shù)總結(jié)
公開了3D存儲器件的實施例及其形成方法。在一個示例中，公開了用于形成3D存儲器件的方法。在第一襯底上形成外圍電路。在第二襯底上形成第一半導(dǎo)體層。在第一半導(dǎo)體層上形成支撐結(jié)構(gòu)和與支撐結(jié)構(gòu)共面的第二半導(dǎo)體層。在支撐結(jié)構(gòu)和第二半導(dǎo)體層上方形成存儲堆疊層。存儲堆疊層具有與支撐結(jié)構(gòu)重疊的階梯區(qū)域。形成垂直地延伸穿過存儲堆疊層和第二半導(dǎo)體層進入第一半導(dǎo)體層中的溝道結(jié)構(gòu)。以面對面的方式鍵合第一襯底和第二襯底。

技術(shù)研發(fā)人員：張坤,吳林春,張中,周文犀,霍宗亮
受保護的技術(shù)使用者：長江存儲科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21