本文中描述的本公開的實(shí)施例涉及顯示裝置和制造顯示裝置的方法，并且更具體地，涉及包括氧化物晶體管的顯示裝置和制造顯示裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、顯示裝置包括顯示面板，并且顯示面板包括發(fā)光元件和用于控制施加到發(fā)光元件的電信號的像素電路。像素電路可以包括至少兩個(gè)晶體管。隨著高分辨率顯示面板發(fā)展，晶體管的設(shè)計(jì)被限制。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的實(shí)施例可以提供一種包括高分辨率顯示面板的顯示裝置。

2、本公開的實(shí)施例可以提供一種制造包括高分辨率顯示面板的顯示裝置的方法。

3、顯示裝置的實(shí)施例包括：基體基底；有機(jī)發(fā)光元件，設(shè)置在所述基體基底上；絕緣層，設(shè)置在所述基體基底上，并且包含氧化硅；以及薄膜晶體管，設(shè)置在所述基體基底上，并且電連接到所述有機(jī)發(fā)光元件，所述薄膜晶體管包括：半導(dǎo)體圖案，設(shè)置在所述基體基底上，并且包括與所述絕緣層接觸的溝道區(qū)域；以及柵極電極，在平面上與所述溝道區(qū)域重疊，所述半導(dǎo)體圖案包括氧化銦(in)鎵(ga)鋅(zn)錫(sn)，并且所述溝道區(qū)域中的錫的比例等于或高于約10％。

4、在實(shí)施例中，所述溝道區(qū)域可以具有in:ga:zn:sn＝29.4:39.8:12.6:18.2(at.％)的成分比。

5、在實(shí)施例中，所述絕緣層可以包含二異丙基氨基硅烷(dipas)前體的至少一部分。

6、在實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體圖案可以設(shè)置在所述柵極電極上。

7、在實(shí)施例中，所述柵極電極可以設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案上，并且所述絕緣層可以設(shè)置在所述柵極電極與所述半導(dǎo)體圖案之間。

8、在實(shí)施例中，所述絕緣層的厚度可以大于5nm且小于20nm。

9、在實(shí)施例中，所述絕緣層的厚度可以小于10nm。

10、在實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體圖案的所述溝道區(qū)域可以具有等于或大于約30cm2/vs的飽和遷移率。

11、在實(shí)施例中，所述絕緣層可以包含氫原子。

12、在實(shí)施例中，所述顯示裝置還可以包括導(dǎo)電圖案，所述導(dǎo)電圖案連接到所述半導(dǎo)體圖案的源極區(qū)域或漏極區(qū)域。

13、制造顯示裝置的方法的實(shí)施例包括：形成柵極電極；形成半導(dǎo)體圖案，所述半導(dǎo)體圖案包括由氧化銦鎵鋅和氧化錫獲得的氧化銦(in)鎵(ga)鋅(zn)錫(sn)；形成包含氧化硅的絕緣層；以及在所述絕緣層上形成有機(jī)發(fā)光元件，其中，所述絕緣層與所述半導(dǎo)體圖案接觸，并且其中，所述絕緣層的所述形成采用使用dipas前體的等離子體增強(qiáng)原子層沉積(peald)方法。

14、在實(shí)施例中，在所述半導(dǎo)體圖案的所述形成之后，可以形成所述絕緣層。

15、在實(shí)施例中，在形成所述絕緣層之后，所述半導(dǎo)體圖案的遷移率可以增加。

16、在實(shí)施例中，在所述柵極電極的所述形成之后，可以形成所述半導(dǎo)體圖案。

17、在實(shí)施例中，所述氧化銦鎵鋅可以具有in:ga:zn＝1:1:1(at.％)的成分比。

18、在實(shí)施例中，所述氧化銦鎵鋅錫可以具有in:ga:zn:sn＝29.4:39.8:12.6:18.2(at.％)的成分比。

19、在實(shí)施例中，所述方法還可以包括：在形成所述半導(dǎo)體圖案和所述絕緣層之后，對所述絕緣層進(jìn)行熱處理，并且熱處理溫度可以高于300℃且低于500℃。

20、在實(shí)施例中，所述熱處理溫度可以是約400℃。

21、在實(shí)施例中，所述絕緣層可以包含所述dipas前體的至少一部分。

22、在實(shí)施例中，在所述絕緣層的所述熱處理之后，所述絕緣層的與所述半導(dǎo)體圖案接觸的界面處的氫原子的濃度可以降低。

技術(shù)特征：

1.一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述溝道區(qū)域具有原子百分比為銦:鎵:鋅:錫＝29.4:39.8:12.6:18.2的成分比。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述絕緣層包含二異丙基氨基硅烷前體的至少一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體圖案設(shè)置在所述柵極電極上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述柵極電極設(shè)置在所述半導(dǎo)體圖案上，并且

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述絕緣層的厚度大于5nm且小于20nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述絕緣層的厚度小于10nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導(dǎo)體圖案的所述溝道區(qū)域具有等于或大于30cm2/vs的飽和遷移率。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中，所述絕緣層包含氫原子。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述顯示裝置還包括：

11.一種制造顯示裝置的方法，其中，所述方法包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述半導(dǎo)體圖案的所述形成之后，形成所述絕緣層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在形成所述絕緣層之后，所述半導(dǎo)體圖案的遷移率增加。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述柵極電極的所述形成之后，形成所述半導(dǎo)體圖案。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述氧化銦鎵鋅具有原子百分比為銦:鎵:鋅＝1:1:1的成分比。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述氧化銦鎵鋅錫具有原子百分比為銦:鎵:鋅:錫＝29.4:39.8:12.6:18.2的成分比。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述方法還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述熱處理溫度是400℃。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述絕緣層包含所述二異丙基氨基硅烷前體的至少一部分。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，在所述絕緣層的所述熱處理之后，所述絕緣層的與所述半導(dǎo)體圖案接觸的界面處的氫原子的濃度降低。

技術(shù)總結(jié)
公開了顯示裝置和制造顯示裝置的方法。所述顯示裝置包括：基體基底；有機(jī)發(fā)光元件，設(shè)置在基體基底上；絕緣層，設(shè)置在基體基底上并且包含氧化硅；以及薄膜晶體管，設(shè)置在基體基底上并且電連接到有機(jī)發(fā)光元件，其中，薄膜晶體管包括設(shè)置在基體基底上并且包括與絕緣層接觸的溝道區(qū)域的半導(dǎo)體圖案、以及在平面上與溝道區(qū)域重疊的柵極電極，其中，半導(dǎo)體圖案包含氧化銦鎵鋅錫。

技術(shù)研發(fā)人員：金恩賢,金洸福,林俊亨,鄭在景
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21