本發(fā)明涉及一種高頻模塊。

背景技術(shù)：

1、作為高效的功率放大電路，已知多爾蒂(doherty)放大電路。多爾蒂放大電路一般為載波放大器與峰值放大器并聯(lián)連接而成的結(jié)構(gòu)，其中，載波放大器與輸入信號的功率水平無關(guān)地進(jìn)行動作，峰值放大器在高頻輸入信號的功率水平小的情況下斷開，在高頻輸入信號的功率水平大的情況下接通。在上述結(jié)構(gòu)中，在高頻輸入信號的功率水平大的情況下，載波放大器以飽和輸出功率水平維持飽和地進(jìn)行動作。由此，多爾蒂放大電路與通常的功率放大電路相比能夠提高效率。

2、專利文獻(xiàn)1所記載的技術(shù)如下：借助載波放大器的偏置電路來檢測載波放大器的飽和，根據(jù)檢測信號來控制峰值放大器的偏置電路。專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)如下：利用載波放大器的輸出信號來檢測載波放大器的飽和，根據(jù)檢測信號來控制峰值放大器的偏置電路。專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)如下：根據(jù)輸入到多爾蒂放大電路的高頻輸入信號水平或輸入到載波放大器的高頻輸入信號水平，來控制峰值放大器的偏置電路。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：美國專利申請公開第2016/0241209號說明書

6、專利文獻(xiàn)2：美國專利申請公開第2020/0028472號說明書

7、專利文獻(xiàn)3：日本特開2019-41277號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、然而，在專利文獻(xiàn)1及2所記載的技術(shù)中，雖然能夠根據(jù)負(fù)載變動來控制峰值放大器的偏置電路，但是有時根據(jù)偏置信號使峰值放大器接通斷開的時機(jī)發(fā)生偏差，多爾蒂放大電路的高頻輸出信號的質(zhì)量劣化。另外，專利文獻(xiàn)3所記載的技術(shù)難以根據(jù)負(fù)載變動來控制峰值放大器的偏置電路，有時從多爾蒂放大電路輸出的高頻輸出信號的質(zhì)量劣化。

3、本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種高頻輸出信號的質(zhì)量劣化得到了抑制的包括多爾蒂放大電路的高頻模塊。

4、用于解決問題的方案

5、本發(fā)明的一個方式所涉及的高頻模塊具備：載波放大器和峰值放大器；分波電路，其與載波放大器的輸入端及峰值放大器的輸入端連接；合成電路，其與載波放大器的輸出端及峰值放大器的輸出端連接；以及控制電路，其構(gòu)成為能夠基于輸入到分波電路或載波放大器的高頻信號以及表示載波放大器的驅(qū)動電平的信號來改變峰值放大器的偏置電壓的閾值，其中，載波放大器和峰值放大器包括在第一集成電路中，控制電路包括在第二集成電路中，第二集成電路在載波放大器及峰值放大器中的載波放大器側(cè)與第一集成電路相鄰配置。

6、另外，本發(fā)明的一個方式所涉及的高頻模塊具備：載波放大器和峰值放大器；分波電路，其與載波放大器的輸入端及峰值放大器的輸入端連接；合成電路，其與載波放大器的輸出端及峰值放大器的輸出端連接；以及控制電路，其構(gòu)成為能夠改變峰值放大器的偏置電壓的閾值，其中，控制電路的第一輸入端與載波放大器的輸入端連接，控制電路的第二輸入端與載波放大器的偏置電路連接，控制電路的輸出端與峰值放大器的偏置電路連接，載波放大器和峰值放大器包括在第一集成電路中，控制電路包括在第二集成電路中，第二集成電路在載波放大器及峰值放大器中的載波放大器側(cè)與第一集成電路相鄰配置。

7、另外，本發(fā)明的一個方式所涉及的高頻模塊具備：載波放大器和峰值放大器；分波電路，其與載波放大器的輸入端及峰值放大器的輸入端連接；合成電路，其與載波放大器的輸出端及峰值放大器的輸出端連接；以及控制電路，其中，控制電路的第一輸入端與分波電路的輸入端或載波放大器的輸入端連接，控制電路的第二輸入端與載波放大器的輸出端連接，控制電路的輸出端與峰值放大器連接，載波放大器和峰值放大器包括在第一集成電路中，控制電路包括在第二集成電路中，第二集成電路在載波放大器及峰值放大器中的載波放大器側(cè)與第一集成電路相鄰配置。

8、發(fā)明的效果

9、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供高頻輸出信號的質(zhì)量劣化得到了抑制的包括多爾蒂放大電路的高頻模塊。

技術(shù)特征：

1.一種高頻模塊，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻模塊，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高頻模塊，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的高頻模塊，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高頻模塊，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求3～6中的任一項所述的高頻模塊，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻模塊，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高頻模塊，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高頻模塊，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高頻模塊，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻模塊，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的高頻模塊，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的高頻模塊，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1～15中的任一項所述的高頻模塊，其中，

17.一種高頻模塊，具備：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的高頻模塊，其中，

19.一種高頻模塊，具備：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的高頻模塊，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供一種高頻輸出信號的質(zhì)量劣化得到了抑制的包括多爾蒂放大電路的高頻模塊。高頻模塊(1)具備：載波放大器和峰值放大器；90°混合器電路(11)，其與載波放大器的輸入端及峰值放大器的輸入端連接；耦合器(20)，其與載波放大器的輸出端及峰值放大器的輸出端連接；以及控制電路，其構(gòu)成為能夠基于輸入到90°混合器電路(11)或載波放大器的高頻信號以及表示載波放大器的驅(qū)動電平的信號(S1)來改變峰值放大器的偏置電壓的閾值，其中，載波放大器和峰值放大器包括在集成電路(71)中，控制電路包括在集成電路(72)中，集成電路(72)在載波放大器及峰值放大器中的載波放大器側(cè)與集成電路(71)相鄰配置。

技術(shù)研發(fā)人員：蘆田哲郎,地頭所浩平,小田倫也,今井翔平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社村田制作所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21